專利名稱：：接觸孔、導(dǎo)電接線柱形成法、多層布線基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及接觸孔形成方法、導(dǎo)電接線柱形成方法、布線圖案形成方法、多層布線基板的制造方法、以及電子設(shè)備制造方法。
背景技術(shù)：
：在使用液滴噴出法(噴墨方式)形成圖案的情況下，噴出液狀體的液滴(墨液)，使其彈落在基板上的規(guī)定位置，由此形成圖案。這樣，當(dāng)噴出液滴使其彈落在基板上時，根據(jù)基板表面的特性的不同，液滴有可能潤濕擴(kuò)展過度或者分離。此時，存在無法得到所希望的布線圖案的問題。因此，在專利文獻(xiàn)1中公開了對作為基板的圖案形成面的面實施疏液加工，向該疏液加工面照射通過了光催化劑的紫外光激光束同時形成親液圖案的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開有在形成圖案的基板上涂敷含有光催化劑的疏水性的基底之后通過隔著掩模進(jìn)行曝光，從而僅對曝光部分進(jìn)行親水化的技術(shù)。然而，在層疊上述的布線圖案而采用多層布線結(jié)構(gòu)的情況下，布線圖案彼此借助設(shè)置在接觸孔上的導(dǎo)電接線柱進(jìn)行連接。作為形成該導(dǎo)電接線柱(接觸孔)的技術(shù)，公開有例如在第一布線上的導(dǎo)電接線柱(接觸孔)非形成區(qū)域上涂敷含有絕緣材料的液滴并使其硬化，形成絕緣層，然后在導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴并使其硬化的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)3、4)。專利文獻(xiàn)l:日本特開2004—200244號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開平11一344804號公報專利文獻(xiàn)3:日本特開2003—282561號公報專利文獻(xiàn)4:日本特開2006—140437號公報但是，在如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中存在如下所示的問題。特別是在金屬布線中，由于表面的潤濕性良好，所以當(dāng)在接觸孔非形成區(qū)域(導(dǎo)電接線柱非形成區(qū)域)涂敷含有絕緣材料的液滴時，由于液滴容易潤濕擴(kuò)展，所以存在難以將接觸孔形成區(qū)域(導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域)控制成所希望的大小的問題。另外，關(guān)于布線圖案的形成，在上述專利文獻(xiàn)1、2記載的技術(shù)中，使用高價的曝光機(jī)或光掩模、激光光源，所以會招致導(dǎo)致成本升高的問題。另外，由于僅對非圖案面將需要的疏液材料涂敷在整個基板面上，所以從節(jié)省材料的觀點出發(fā)也不優(yōu)選。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是考慮了上述問題點而完成的發(fā)明，其目的在于，提供大小的控制性出色的接觸孔形成方法、導(dǎo)電接線柱形成方法、多層布線基板的制造方法以及電子設(shè)備制造方法。另外，本發(fā)明的其他目的在于，提供不會導(dǎo)致成本升高且可以形成優(yōu)質(zhì)的上述圖案的接觸孔形成方法、導(dǎo)電接線柱形成方法、布線圖案形成方法、多層布線基板的制造方法以及電子設(shè)備制造方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下的構(gòu)成。本發(fā)明的接觸孔形成方法，是在由絕緣層覆蓋的布線上形成用于貫通上述絕緣層而連接的接觸孔的方法，其特征在于，包括在上述布線上的接觸孔形成區(qū)域涂敷對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液材料的液滴而形成疏液部的工序；和除去上述疏液部，以覆蓋上述布線的方式涂敷含有上述絕緣層形成材料的液滴，以形成絕緣層的工序。因此，在本發(fā)明的接觸孔形成方法中，在除去疏液部，以覆蓋布線的方式涂敷含有上述絕緣層形成材料的液體時，由于疏液部的疏液性含有上述絕緣層形成材料被彈開，所以可以防止接觸孔形成區(qū)域被絕緣層形成材料覆蓋，絕緣層的開口為疏液部的大小，由此可以形成露出布線的接觸孔。由此，在本發(fā)明中，可以以與疏液部的大小相對應(yīng)的出色控制性來形成接觸孔。另外，在本發(fā)明中，還可以適當(dāng)采用利用上述疏液性液滴的噴出量來調(diào)節(jié)上述接觸孔的直徑的過程。由此，在本發(fā)明中，當(dāng)上述疏液性液滴的噴出量或者各液滴的噴出恒定時，通過調(diào)節(jié)噴出液滴數(shù)量，可以容易地控制接觸孔的直徑。另外，在本發(fā)明中，可以采用通過氧等離子體處理除去接觸孔形成區(qū)域的上述疏液部的過程。此時，通過調(diào)節(jié)氧等離子體處理時間或UY照射處理時間，可以控制疏液部的疏液性(相對于含有絕緣層形成材料的液狀體的接觸角)。作為上述疏液材料，還可以采用含有硅烷化合物以及具有氟代烷基的化合物的至少一種的構(gòu)成。此時，作為上述硅烷化合物，可以采用為自組織化膜的構(gòu)成。另外，作為上述疏液部，還可以采用在上述基板的表面形成由上述具有氟代烷基的化合物構(gòu)成的自組織化膜的構(gòu)成。進(jìn)而，作為上述疏液材料，也可以采用含有氟化合物的構(gòu)成。另外，在本發(fā)明中，還可以適當(dāng)采用具有下述工序的過程，即在對含有布線形成材料的液滴具有親液性的布線形成面的非布線形成區(qū)域，涂敷對含有上述布線形成材料的液狀體具有疏液性的第二疏液材料的液滴而形成布線用疏液部的工序；和在上述布線用疏液部之間的親液部涂敷含有上述布線形成材料的液滴而形成上述布線的工序。由此，在本發(fā)明中，通過在具有親液性的布線形成面涂敷含有布線形成材料的液滴，可以使被布線用疏液部彈開的含有布線形成材料的液狀體在布線形成面高精度地形成與親液部的配置(即布線用疏液部的配置)相對應(yīng)的布線。另外，在本發(fā)明中，通過涂敷含有第二疏液材料的液滴，可以形成布線用疏液部的圖案，所以不需要使用高價的曝光機(jī)或光掩模、激光光源等，可以防止成本升高。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電接線柱形成方法，是在由絕緣層覆蓋的布線上形成貫通上述絕緣層并進(jìn)行連接的方法，其特征在于，通過先前記載的接觸孔形成方法形成接觸孔的工序；和在所形成的接觸孔涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，以形成導(dǎo)電接線柱的工序。因此，在本發(fā)明的導(dǎo)電接線柱形成方法中，在以覆蓋形成有疏液部的布線的方式涂敷含有上述絕緣層形成材料的液滴時，由于疏液部的疏液性含有上述絕緣層形成材料被彈開，所以可以防止導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域被絕緣層形成材料覆蓋，絕緣層的開口為疏液部的大小，由此可以形成露出布線的接觸孔。由此，通過涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，可以形成與布線連接貫通絕緣層的導(dǎo)電接線柱。由此，在本發(fā)明中，可以以與疏液部的大小相對應(yīng)的出色控制性來形成導(dǎo)電接線柱。另外，在本發(fā)明中，還可以適當(dāng)采用具有向上述疏液部照射能量光的工序的過程。由此，在本發(fā)明中，使絕緣層硬化并使疏液部的疏液性降低，然后涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，由此可以形成與布線連接并貫通絕緣層的導(dǎo)電接線柱。另外，在本發(fā)明中，也可以適當(dāng)采用具有至少加熱上述疏液部和上述導(dǎo)電接線柱而使上述布線和上述導(dǎo)電接線柱熔敷的工序的過程。由此，在本發(fā)明中，可以在不通過疏液部阻礙布線和導(dǎo)電接線柱的導(dǎo)通的情況下，確實可靠地電連接布線和導(dǎo)電接線柱。此外，本發(fā)明的布線圖案形成方法，是在由絕緣層覆蓋的布線上形成借助貫通上述絕緣層的接觸孔連接的第二布線的布線圖案形成方法，其特征在于，具有通過先前記載的接觸孔形成方法形成接觸孔的工序、使上述絕緣層硬化的工序、向上述疏液部和上述絕緣層照射能量光的工序、和跨過上述絕緣層上以及上述接觸孔形成上述第二布線的工序。由此，在本發(fā)明中，使以疏液部的大小開口的絕緣層硬化之后，向疏液部以及絕緣層照射能量光，由此可以向它們賦予親液性。跨過己賦予親液性的疏液部和絕緣層形成第二布線，由此可以形成借助大小已被規(guī)定的接觸孔與布線連接的第二布線。在上述的布線圖案形成方法中，可以適當(dāng)采用在跨過上述絕緣層上以及上述接觸孔的第二布線形成區(qū)域涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴形成上述第二布線的過程。由此，在本發(fā)明中，利用液滴噴出方式在跨過上述絕緣層上以及上述接觸孔的第二布線形成區(qū)域涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，由此可以借助在大小已被規(guī)定的接觸孔涂敷的導(dǎo)電性材料來連接布線和第二布線。另外，在上述的布線圖案形成方法中，還可以適當(dāng)采用具有在跨過上述絕緣層上以及上述接觸孔的第二布線形成區(qū)域涂敷含有鍍敷用催化劑材料的液滴而形成鍍敷用催化劑層的工序、和利用鍍敷處理在上述鍍敷用催化劑層上形成上述第二布線的工序的過程。由此，在本發(fā)明中，通過利用液滴噴出方式在跨過上述絕緣層上以及上述接觸孔的第二布線區(qū)域形成鍍敷用催化劑層之后進(jìn)行鍍敷處理，可以在該鍍敷用催化劑層上使第二布線析出，可以形成借助在大小已被規(guī)定的接觸孔上涂敷的導(dǎo)電性材料而與布線連接的致密且導(dǎo)電性出色的第二布線。另一方面，本發(fā)明的多層布線基板的制造方法，其是隔著絕緣層層疊有第一布線和第二布線、上述第一布線和上述第二布線借助接觸孔進(jìn)行連接的多層布線基板的制造方法，其特征在于，利用先前記載的接觸孔形成方法來形成上述接觸孔。因此，在本發(fā)明的多層布線基板的制造方法中，可以制造能以出色的控制性來設(shè)定接觸孔的大小的高品質(zhì)的多層布線基板。此外，本發(fā)明的電光學(xué)裝置制造方法，其特征在于，使用先前記載的多層布線基板的制造方法。另外，本發(fā)明的電子設(shè)備制造方法，其特征在于，使用先前記載的多層布線基板的制造方法。因此，在本發(fā)明中，通過具有高品質(zhì)的多層布線基板，可以制造高品質(zhì)的電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。圖1是液滴噴出裝置的簡略結(jié)構(gòu)圖。圖2是液滴噴出頭301的剖視圖。圖3是多層布線基板的簡略結(jié)構(gòu)圖。圖4是表示在基板上形成的疏液部、布線圖案的圖。圖5是表示圖案形成工序的圖。圖6是表示圖案形成工序的圖。圖7是表示圖案形成工序的圖。圖8是表示疏液部、親液部的接觸角、對比度、描繪結(jié)果的關(guān)系的圖。圖9是表示形成導(dǎo)電接線柱的過程的圖。圖io是表示布線圖案形成方法的工序的圖。圖11是表示布線圖案形成方法的工序的圖。圖12是表示布線圖案形成方法的工序的圖。圖13是表示布線圖案形成方法的工序的圖。圖14是表示多層布線基板的簡略結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖15是已對有機(jī)EL裝置100中的顯示區(qū)域的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了放大的圖。圖16是表示電子設(shè)備的具體例子的圖。圖中Cl一鍍敷催化劑層，CB—多層布線基板，CH—接觸孔，DA一導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域，DP—導(dǎo)電接線柱，GB—邊框部，H—疏液部(布線用疏液部)，HF—疏液部(絕緣層用疏液部)，L一液滴，MS—網(wǎng)狀部，P—基板，Pa—表面(親液部，布線形成面)，SL—電磁波屏蔽裝置(電光學(xué)裝置)，Wl—布線圖案(布線，第一布線)，W2—布線圖案(布線，第二布線)，100—液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)，400—非接觸型卡式介質(zhì)(電子設(shè)備)，500—等離子型顯示裝置(電光學(xué)裝置)，600—移動電話主體(電子設(shè)備)，700—信息處理裝置(電子設(shè)備)，800—鐘表主體(電子設(shè)備)。具體實施方式以下，參照圖1圖16，對本發(fā)明的接觸孔形成方法、導(dǎo)電接線柱形成方法、布線圖案形成方法、多層布線基板的制造方法、電光學(xué)裝置制造方法以及電子設(shè)備制造方法的實施方式進(jìn)行說明。其中，在下述說明的各附圖中，為了使各構(gòu)件為可以辨識的大小，適當(dāng)變更各構(gòu)件的縮小比例。(液滴噴出裝置)首先，對在本實施方式的圖案形成方法中使用的液滴噴出裝置進(jìn)行說明。圖1是液滴噴出裝置的簡略結(jié)構(gòu)圖。液滴噴出裝置(噴墨裝置)IJ是從液滴噴出頭向基板P噴出(滴下)液滴的裝置，具有液滴噴出頭301、X方向驅(qū)動軸304、Y方向引導(dǎo)軸305、控制裝置CONT、工件臺307、清洗機(jī)構(gòu)308、基座309、和加熱器315。工件臺307用于支撐由該液滴噴出裝置IJ設(shè)置了墨液(液體材料)的基板P，其具有把基板P固定在基準(zhǔn)位置上的未圖示的固定機(jī)構(gòu)。液滴噴出頭301是具有多個噴嘴的多噴嘴式的液滴噴出頭，其長度方向與X軸方向一致。多個噴嘴被設(shè)置在液滴噴出頭301的下面，并以一定的間隔排列在X軸方向上。從液滴噴出頭301的噴嘴向被工件臺307所支撐的基板P噴出上述的含有導(dǎo)電性微粒的墨液。X方向驅(qū)動軸304與X方向驅(qū)動馬達(dá)302連接。X方向驅(qū)動馬達(dá)302是步進(jìn)馬達(dá)等，當(dāng)從控制裝置CONT供給了X方向的驅(qū)動信號時，使X方向驅(qū)動軸304旋轉(zhuǎn)。當(dāng)X方向驅(qū)動軸304旋轉(zhuǎn)時，使液滴噴出頭301彥X軸方向移動。Y方向引導(dǎo)軸305被固定成不能相對基座309活動。工件臺307具有Y方向驅(qū)動馬達(dá)303。Y方向驅(qū)動馬達(dá)303是步進(jìn)馬達(dá)等，其當(dāng)從控制裝置CONT供給了Y方向的驅(qū)動信號時，使工件臺307在Y方向上移動。控制裝置CONT向液滴噴出頭301供給液滴的噴出控制用電壓。另外，向X方向驅(qū)動馬達(dá)302供給控制液滴噴出頭301在X方向上的移動的驅(qū)動脈沖信號，并且向Y方向驅(qū)動馬達(dá)303供給控制工件臺307在Y方向上的移動的驅(qū)動脈沖信號。清洗機(jī)構(gòu)308用于對液滴噴出頭301進(jìn)行清洗。清洗機(jī)構(gòu)308具有未圖示的Y方向的驅(qū)動馬達(dá)。通過該Y方向的驅(qū)動馬達(dá)的驅(qū)動，使清洗機(jī)構(gòu)沿著Y方向引導(dǎo)軸305移動。清洗機(jī)構(gòu)308的移動也受控制裝置CONT的控制。加熱器315在這里是通過燈退火對基板P進(jìn)行熱處理的裝置，對涂敷在基板P上的液體材料中含有的溶劑迸行蒸發(fā)和干燥。該加熱器315的電源的接通和阻斷也被控制裝置CONT控制。液滴噴出裝置IJ在使液滴噴出頭301與支撐基板P的工件臺307進(jìn)行相對掃描的同時向基板P噴出液滴。這里，在以下的說明中把X方向稱為非掃描方向，把與X方向正交的Y方向稱為掃描方向。因此，液滴噴出頭301的噴嘴以一定的間隔被排列設(shè)置在非掃描方向、即X方向上。其中，在圖1中，液滴噴出頭301被配置成相對于基板P的行進(jìn)方向成直角，但可以調(diào)節(jié)液滴噴出頭301的角度，使其與基板P的行進(jìn)方向交叉。由此，通過調(diào)節(jié)液滴噴出頭301的角度，可以調(diào)節(jié)噴嘴間的間距。另外，還可以任意調(diào)節(jié)基板p和噴嘴面的距離。圖2是液滴噴出頭301的剖視圖。在液滴噴出頭301中，鄰接收納液體材料(布線用墨液等)的液體室321而配置有壓電元件322。經(jīng)由包括收納液體材料的材料箱的液體材料供給系統(tǒng)323向液體室321供給液體材料。壓電元件322與驅(qū)動電路324連接，經(jīng)由該驅(qū)動電路324向壓電元件322施加電壓，通過使壓電元件322變形，使液體室321變形，從而從噴嘴325噴出液體材料。在這種情況下，通過改變施加電壓的值，來控制壓電元件322的變形量。另外，通過改變施加電壓的頻率，來控制壓電元件322的變形速度。由于采用壓電方式的液滴噴出對材料不加熱，所以具有對材料的組成影響小的優(yōu)點。作為上述液滴噴出法中的噴出技術(shù)，除了上述電機(jī)械轉(zhuǎn)換方式之外，還可以舉出帶電控制方式、加壓振動方式、電熱轉(zhuǎn)換方式、靜電吸引方式等。帶電控制方式是通過帶電電極向材料賦予電荷并通過偏轉(zhuǎn)電極控制材料的飛行方向而從噴嘴噴出的方式。另外，加壓振動方式是向材料施加30kg/cn^左右的超高壓而在噴嘴頂端側(cè)噴出材料的方式，在不施加控制電壓的情況下，材料直線前進(jìn)而從噴嘴噴出，當(dāng)施加控制電壓時，在材料間產(chǎn)生靜電性排斥，材料分散而不從噴嘴噴出。另外，電熱轉(zhuǎn)換方式是通過設(shè)置在儲留有材料的空間內(nèi)的加熱器使材料劇烈氣化并產(chǎn)生氣泡(泡)、利用氣泡的壓力噴出空間內(nèi)的材料的方式。靜電吸引方式是向儲留有材料的空間施加微小壓力并在噴嘴使材料形成彎液面(meniscus)、在該狀態(tài)下施加靜電引力后將材料引出的方式。另外，除此之外，也可以使用利用通過電場使流體的粘性發(fā)生變化的方式、或通過放電火花使其飛散的方式等技術(shù)。液滴噴出法具有減少材料使用的浪費而且可以將需要量的材料準(zhǔn)確地配置于需要的位置上的優(yōu)點。還有，通過液滴噴出法噴出的液狀材料(流動體)的一滴的量例如為1300納克。接著，關(guān)于使用上述的液滴噴出裝置IJ形成接觸孔以及導(dǎo)電接線柱的方法，參考圖3圖9進(jìn)行說明。在這里，如圖3所示，對制造在多層形成布線的多層布線基板的情況進(jìn)行說明。圖3所示的多層布線基板CB，構(gòu)成為至少在以表面Pa為親液部而具有親液性的基板P上形成布線圖案(布線，第一布線)Wl，在覆蓋該布線圖案Wl的由壓克力(aciy)等形成的絕緣層Z1上形成布線圖案(布線，第二布線)W2。布線圖案Wl、W2通過在貫通絕緣層Zl的接觸孔CH上設(shè)置的導(dǎo)電接線柱DP電連接。其中，布線圖案W2被絕緣層Z2覆蓋，進(jìn)而通過導(dǎo)通接線柱與層疊成多層的布線圖案連接，在這里，關(guān)于絕緣層Z2以后的層，省略對其的說明。作為基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金屬板、聚酰亞胺等各種材料。另外，可以在這個各種原材料基板的表面形成半導(dǎo)體膜、金屬膜、電介質(zhì)膜、有機(jī)膜等作為底層。首先，對在基板P上形成布線圖案W1的方法進(jìn)行說明。在這里，如圖4(a)、(b)所示，多個(在這里為3處)疏液部H相互隔開間隙設(shè)置成條紋狀，在這些疏液部H之間形成導(dǎo)電性的布線圖案Wl，對該情況進(jìn)行說明。其中，這里記載的疏液部是指相對于含有導(dǎo)電性材料的液滴(以下稱為圖案用液滴)的接觸角成為規(guī)定值以上的區(qū)域，親液部是指相對于含有導(dǎo)電性材料的液滴的接觸角成為規(guī)定值以下的區(qū)域。另外，該布線圖案Wl是通過在基板P上涂敷上述的布線圖案用的墨液液滴而形成的圖案，由表面處理工序、疏液部形成工序、材料配置工序以及熱處理/光處理工序簡賂構(gòu)成。以下，對各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。(表面處理工序)在表面處理工序中，通過對基板P的表面Pa進(jìn)行清洗處理，來實施提高親液性的處理。例如，在基板P是玻璃基板的情況下，其表面對布線圖案形成材料(墨液)具有親液性，但通過該表面處理進(jìn)一步提高親液性。具體而言，在表面處理工序中，作為清洗處理，實施UV激元清洗、低壓水銀燈清洗、02等離子體清洗、使用HF或硫酸等的酸洗、堿洗、超聲波清洗、超聲波震蕩(megasonic)清洗、電暈處理、輝光(glow)清洗、擦洗、臭氧清洗、氫水清洗、細(xì)泡清洗、氟系清洗等。在這里，如果表面(親液部)Pa相對于圖案用液滴的接觸角超過25度，則容易發(fā)生鼓包(bulge)(液體貯留)，另外如果為20度以下，則不會產(chǎn)生鼓包。因此，在本實施方式中，通過調(diào)整清洗處理條件，使基板表面Pa相對于圖案用液滴的接觸角為20度以上。具體而言，在清洗處理例如是UV激元清洗的情況下，可以通過與UV光(紫外光)的照射時間、強(qiáng)度、波長、熱處理(加熱)的組合等進(jìn)行調(diào)整，另外，在清洗處理例如是02等離子體清洗的情況下，可以通過調(diào)整等離子體處理時間來調(diào)節(jié)親液性(接觸角)。通過該清洗處理，即便在表面Pa上附著有有機(jī)物等異物的情況下，也可以從表面Pa上除去，能夠維持清潔度以及親液性。(疏液部形成工序)接著，在已進(jìn)行清洗處理(親液化處理)的基板P的表面(布線形成面)Pa的規(guī)定區(qū)域(圖案W1的形成區(qū)域的周圍；非布線區(qū)域)形成疏液部(布線用疏液部)H。具體而言，使用上述的液滴噴出裝置IJ從液滴噴出頭301噴出含有對圖案用液滴具有疏液性的材料(第二疏液材料)的液狀體的液滴(以下稱為疏液性液滴)，涂敷在基板P上的規(guī)定區(qū)域。作為具有疏液性的材料，可以使用硅烷化合物、具有氟烷基的化合物、氟樹脂(含有氟的樹脂)、以及它們的混合物。作為硅烷化合物，可以使用由(A)通式(1)表示的一種或2種以上的硅烷化合物(成分A)。RSiXmX(3-m)(1)式中，Rl表示有機(jī)基團(tuán)，X'以及X2表示一0R2、一R2、一Cl，R2表示碳原子數(shù)為14的烷基，m是13的整數(shù)。由通式(1)表示的硅烷化合物，是硅原子上有有機(jī)基團(tuán)取代、剩余的結(jié)合手上有烷氧基或烷基或氯基取代的化合物。作為有機(jī)基團(tuán)R1的例子，例如可以例示苯基、芐基、苯乙基、羥基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘基、蒽烯(anthrenyl)基、芘基、噻嗯基、吡咯基、環(huán)己基、環(huán)己烯基、環(huán)戊基、環(huán)戊烯基、吡啶基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、十八烷基、正辛基、氯甲基、甲氧基乙基、羥基乙基、氨基乙基、氰基、巰基丙基、乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、環(huán)氧丙氧基丙棊、乙酰氧基等。X1的烷氧基或氯基是用于形成Si—O—Si鍵等的基團(tuán)，加水水解后作為醇或酸脫離。作為烷氧基，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。就R2的碳原子數(shù)而言，從脫離的醇的分子量比較小、除去容易且能抑制所形成的膜的致密性降低的觀點出發(fā)，優(yōu)選為14的范圍。作為用通式(1)表示的硅烷化合物，可以舉出二甲基二甲氧基硅垸、二乙基二乙氧基硅垸、l一丙烯基甲基二氯硅垸、丙基二甲基氯硅烷、丙基甲基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、丙基三乙氧基硅垸、丙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅垸、四癸基三氯硅垸、3—硫氰酸酯丙基三乙氧基硅垸、對甲苯基二甲基氯硅烷、對甲苯基甲基二氯硅烷、對甲苯基三氯硅垸、對甲苯基三甲氧基硅垸、對甲苯基三乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二異丙基二異丙氧基硅垸、二正丁基二正丁氧基硅垸、二仲丁基二仲丁氧基硅垸、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、十八垸基三氯硅烷、十八烷基甲基二乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅垸、十八烷基三甲氧基硅烷(ODS)、十八烷基二甲基氯硅烷、十八烷基甲基二氯硅烷、十八垸基甲氧二氯硅烷、7—辛烯(octenyl)基二甲基氯硅垸、7—辛烯基三氯硅垸、7—辛烯基三甲氧硅垸、辛基甲基二氯硅垸、辛基二甲基氯硅烷、辛基三氯硅垸、IO—十一碳烯基二甲基氯硅垸、十一碳烯基三氯硅烷、乙烯基二甲基氯硅烷、甲基十八烷基二甲氧基硅烷、甲基十二垸基二乙氧基硅垸、甲基十八垸基二甲氧基硅垸、甲基十八垸基二乙氧基硅垸、正辛基甲基二甲氧基硅垸、正辛基甲基二乙氧基硅垸、三十垸基二甲基氯硅烷、三十垸基三氯硅烷、甲基三甲氧基硅垸、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基異丙氧基硅烷、甲基正丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅垸、甲基三叔丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基異丙氧基硅烷、乙基正丁氧基硅烷、乙基三仲丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、異丁基三甲氧基硅烷、正己基三甲氧基硅垸、十六碳烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧硅烷、正十二烷基三甲氧硅烷、正十八垸基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、異丁基三乙氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、十六碳烷基三乙氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正十二垸基三甲氧基硅烷、正十八垸基三乙氧基硅烷、2—[2—(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、4一[2—(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、二苯基二甲氧基硅垸、二苯基二乙氧基硅垸、1，3—(三氯甲硅烷甲基)二十七碳烷、二芐基二甲氧基硅烷、二芐基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、芐基三乙氧基硅烷、芐基三甲氧基硅烷、芐基甲基二甲氧基硅烷、芐基二甲基甲氧基硅烷、芐基二甲氧基硅垸、芐基二乙氧基硅烷、芐基甲基二乙氧基硅垸、芐基二甲基乙氧基硅烷、芐基三乙氧基硅烷、二芐基二甲氧基硅烷、二芐基二乙氧基硅垸、3—乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3—丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、4一氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N—(2—氨乙基)一3—氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N—(2—氨乙基)一3—氨丙基三甲氧基硅烷、6—(氨己基氨丙基)三甲氧基硅烷、對氨苯基三甲氧基硅垸、對氨苯基乙氧基硅烷、間氨苯基三甲氧基硅垸、間氨苯基乙氧基硅烷、3—氨丙基三甲氧基硅垸、3—氨丙基三乙氧基硅垸、O)—氨基十一烷基三甲氧基基硅垸、戊基三乙氧基硅烷、苯并噁薊素二甲酯(benzoxasilibindimethylester)、5—(雙環(huán)庚烯基)三乙氧基硅垸、雙(2一羥乙基)一3—氨丙基三乙氧基硅烷、8—溴辛基三甲氧基硅烷、溴苯基三甲氧基硅烷、3—溴丙基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、2—氯甲基三乙氧基硅烷、氯甲基甲基二乙氧基硅烷、氯甲基甲基二異丙氧基硅烷、對(氯甲基)苯基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、氯苯基三乙氧基硅烷、3—氯丙基甲基二甲氧基硅垸、3—氯丙基三乙氧基硅烷、3—氯丙基三甲氧基硅烷、2—(4一氯磺?；交?乙基三甲氧基硅烷、2—氰基乙基三乙氧基硅垸、2—氰基乙基三甲氧基硅烷、氰基甲基苯乙基三乙氧基硅烷、3—氰基丙基三乙氧基硅烷、2—(3—環(huán)己烯基)乙基三甲氧基硅烷、2—(3—環(huán)己烯基)乙基三乙氧基硅烷、3—環(huán)己烯基三氯硅烷、2一(3—環(huán)己烯基)乙基三氯硅垸、2—(3—環(huán)己烯基)乙基二甲基氯硅烷、2—(3—環(huán)己烯基)乙基甲基二氯硅烷、環(huán)己基二甲基氯硅烷、環(huán)己基乙基二甲氧基硅烷、環(huán)己基甲基二氯硅烷、環(huán)己基甲基二甲氧基硅烷、(環(huán)己基甲基)三氯硅烷、環(huán)己基三氯硅烷、環(huán)己基三甲氧基硅烷、環(huán)辛基三氛硅烷、(4一環(huán)辛烯基)三氯硅烷、環(huán)戊基三氯硅烷、環(huán)戊基三甲氧基硅烷、1，1一二乙氧基一1一硅雜環(huán)戊一3—烯、3—(2，4一二硝基苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷、(二甲基氯甲硅垸基)甲基一7，7—二甲基降蒎烷、(環(huán)己基氨甲基)甲基二乙氧基硅烷、(3—環(huán)戊二烯基丙基-)三乙氧基硅烷、N，N—二乙基一3—氨丙基)三甲氧基硅烷、2—(3，4一環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、2—(3，4一環(huán)氧環(huán)己基)乙基三乙氧基硅烷、(糠基氧甲基)三乙氧基硅烷、2—羥基一4一(3—三乙氧基丙氧基)二苯酮、3—(對甲氧苯基)丙基甲基二氯硅垸、3—(對甲氧苯基)丙基三氯硅烷、對(甲基苯乙基)甲基二氯硅烷、對(甲基苯乙基)三氯硅烷、對(甲基苯乙基)二甲基氯硅烷、3—嗎啉代丙基三甲氧基硅烷、(3—環(huán)氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、3—環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、1，2，3，4，7，7—六氯一6—甲基二乙氧基甲硅烷基一2—降冰片烯、1，2，3，4，7，7—六氯一6—三乙氧基甲硅烷基一2—降冰片烯、3—碘丙基三甲氧基硅垸、3—異氰酸酯丙基三乙氧基硅垸、(巰基甲基)甲基二乙氧基硅垸、3—巰基丙基甲基二甲氧基硅垸、3—巰基丙基二甲氧基硅烷、3—巰基丙基三乙氧基硅烷、3—甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3—甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、甲基{2—(3—三甲氧基甲硅垸基丙氨基)乙氨基}一3—丙酸酯、7—辛烯基三甲氧基硅烷、R—N—a—苯乙基一N，一三乙氧基甲硅烷基丙脲、S—N—a—苯乙基一N，一三乙氧基甲硅烷基丙脲、苯乙基三甲氧基硅垸、苯乙基甲基二甲氧基硅烷、苯乙基二甲基甲氧基硅烷、苯乙基二甲氧基硅垸、苯乙基二乙氧基硅烷、苯乙基甲基二乙氧基硅烷、苯乙基二甲基乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、(3—苯丙基)二甲基氯硅烷、(3—苯丙基)甲基二氯硅烷、N—苯基氨丙基三甲氧基硅垸、N—(三乙氧基甲硅垸基丙基)丹磺酰胺、N—(3—三乙氧基甲硅烷基丙基)一4，5—二氫咪唑、2—(三乙氧基甲硅烷基乙基)一5—(氯乙酰氧基)雙環(huán)庚烷、(S)—N—三乙氧基甲硅烷基丙基—O—氨基甲酸薄荷醇酯(menthocarbamate)、3—(三乙氧基甲硅烷基丙基)對硝基苯甲酰胺、3—(三乙氧基甲硅垸基)丙基琥珀酸酐、N一[5—(三甲氧基甲硅烷基)一2—氮雜一1一氧代一戊基]己內(nèi)酰胺、2一(三甲氧基甲硅烷基乙基)吡啶、N—(三甲氧基甲硅烷基乙基)芐基一N，N，N—三甲基銨氯化物、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、3—硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、(十三氟一l，1，2，2—四氫辛基)三乙氧基硅烷、N—{3—(三乙氧基甲硅烷基)丙基}鄰苯二甲酸一酰胺、(3，3，3—三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3，3，3—三氟丙基)三甲氧基硅垸、l一三甲氧基甲硅烷一2—(氯甲基)苯基乙垸、2—(三甲氧基甲硅垸基)乙基苯基磺酰基疊氮化物、卩一三甲氧基甲硅垸基乙基一2—吡啶、三甲氧基甲硅烷基丙基二亞乙基三胺、N—(3—三甲氧基甲硅烷基丙基)吡咯、N一三甲氧基甲硅垸基丙基一N，N，N—三丁基銨溴化物、N—三甲氧基甲硅烷基丙基一N，N，N—三丁基銨氯化物、N—三甲氧基甲硅烷基丙基一N，N，N—三甲基銨氯化物、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅垸、乙烯基二甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、乙烯基甲基二氯硅烷、乙烯基苯基二氯硅烷、乙烯基苯基二乙氧基硅垸、乙烯基苯基二甲基硅烷、乙烯基苯基甲基氯硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基三叔丁氧基硅烷、金剛烷基乙基三氯硅烷、烯丙基苯基三氯硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、3—氨基苯氧基二甲基乙烯基硅垸、苯基三氯硅垸、苯基二甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷、芐基三氯硅烷、芐基二甲基氯硅垸、芐基甲基二氯硅垸、苯乙基二異丙基氯硅垸、苯乙基三氯硅烷、苯乙基二甲基氯硅烷、苯乙基甲基二氯硅烷、5—(雙環(huán)庚烯基)三氯硅垸、5—(雙環(huán)庚烯基)三乙氧基硅烷、2—(雙環(huán)庚烯基)二甲基氯硅垸、2—(雙環(huán)庚烯基)三氯硅垸、1，4一雙(三甲氧基甲硅烷基乙基)苯、溴苯基三氯硅烷、3一苯氧基丙基二甲基氯硅垸、3—苯氧基丙基三氯硅垸、叔丁基苯基氯硅垸、叔丁基苯基甲氧基硅烷、叔丁基苯基二氯硅垸、對(叔丁基)苯乙基二甲基氯硅烷、對(叔丁基)苯乙基三氯硅垸、1，3—(氯二甲基甲硅烷基甲基)二十七碳烷、((氯甲基)苯基乙基)二甲基氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)甲基二氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三甲氧基硅烷、氯苯基三氯硅烷、2—氰基乙基三氯硅烷、2—氰基乙基甲基二氯硅烷、3—氰基丙基甲基二乙氧基硅垸、3—氰基丙基甲基二氯硅垸、3—氰基丙基甲基二氯硅烷、3—氰基丙基二甲基乙氧基硅烷、3—氰基丙基甲基二氯硅烷、3—氰基丙基三氯硅烷等。作為含有氟的硅垸化合物(疏液性硅烷化合物)，可以舉出含氟烷基硅烷化合物。即，具有與Si結(jié)合的全氟烷基結(jié)構(gòu)CnF^+,表示的結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，可以例示用下述式(2)表示的化合物。式(2)中，n表示從l到18的整數(shù)，m表示從2到6的整數(shù)，X'以及XS中含有的W表示碳原子數(shù)為14的烷基，a為13的整數(shù)。CnF2n+i(CH2)mSiX、R2(3—a)(2)X1的烷氧基或氯基是用于形成Si—O—Si鍵等的基團(tuán)，加水水解后作為醇或酸脫離。作為垸氧基，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。就R2的碳原子數(shù)而言，從脫離的醇的分子量比較小、除去容易且能抑制所形成的膜的致密性降低的觀點出發(fā)，優(yōu)選為14的范圍。通過使用含氟垸基硅烷化合物，按照氟垸基位于膜的表面的方式各化合物發(fā)生取向而形成自組織化膜，所以能夠向膜的表面賦予均勻的疏液性。更具體地，可以舉出CF3—CH2CH2—Si(OCH3)3、CF3(CF2)3—CH2CH2—Si(OCH3)3、CF3(CF2)5—CH2CH2—Si(OCH3)3、CF3(CF2)5—CH2CH2—Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7—CH2CH2—Si(OCH3)3、CF3(CF2)—CH2CH2—Si(02C2H5)3、CF3(CF2)3—CH2CH2—Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)廣CH2CH2—Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8—CH2CH2—Si(CH3)(OC2H5)2、CF3(CF2)8—CH2CH2—Si(C2H5)(OC2H5)2等。另外，當(dāng)使用氟樹脂形成疏液部H時，使用將規(guī)定量的氟樹脂溶解于規(guī)定溶劑中得到的物質(zhì)。具體而言，可以使用住友3M株式會社制"EGC1720"(在HFE(氟代烴)溶劑中溶解0.1wt%的氟樹脂得到的物質(zhì))。此時，通過在HFE中適當(dāng)混合醇系、烴系、酮系、醚系、酯系的溶劑，由此可以調(diào)整成能從液滴噴出頭301中穩(wěn)定噴出。除此之外，作為氟樹脂，可以使用旭硝子株式會社制"AS7口〉"(可以溶于各種溶劑)、大金株式會社制"才-W—^"(溶劑；PFC、HFE等)、大日本油墨化學(xué)工業(yè)株式會社制"寧<、乂夕力'一K"(溶劑；甲苯、水乙二醇)等。進(jìn)而，作為含有氟的樹脂，可以使用在側(cè)鏈含有一CF"—C&一、一CF2CF3、—(CF2)nCF3、—CF2CFC1的樹月旨。此外，如圖5(a)、(b)所示，從液滴噴出頭301向各疏液部H連續(xù)地噴出上述的含有疏液性材料的疏液性液滴L。此時，在各疏液部H，彈落在基板P的表面Pa的疏液性液滴L被噴出，涂敷在相鄰的液滴彼此重疊的位置。由此，各疏液性液滴L由液滴噴出頭301和基板的一次掃描而涂敷形成。在這里，如圖4(a)所示，布線圖案Wl的寬度WA由疏液部H的排列間距HP和疏液部H的寬度HA的差來設(shè)定。該排列間距HP是由布線圖案Wl的規(guī)格來決定的，所以布線圖案Wl的寬度WA依賴于疏液部H的寬度HA。該疏液部H的寬度HA是由本實施方式中從液滴噴出頭301噴出的疏液性液滴L的噴出量以及圖5(a)所示的噴出間距LP來管理。具體而言，例如使液滴L的噴出量為兩批(為La、Lb，例如La=2.5pl、Lb二4.5pl)，對于每個噴出量La、Lb而言，使噴出間距LP為10、20、30nm分別噴出并涂敷，此時將在基板P上形成的疏液部H的寬度HA作為與噴出量以及噴出間距LP相對應(yīng)的表(table)而保持，在以需要的寬度HA形成疏液部H時，從表中找出與該寬度HA對應(yīng)的噴出量以及噴出間距LP，在疏液性液滴的噴出工序中，以該已找出的噴出量以及噴出液滴L。此外，通過對已噴出到基板P上的疏液性液滴L進(jìn)行預(yù)干燥，如圖6(a)、(b)所示，在基板P上相互隔開間隔以數(shù)nm數(shù)十nm的厚度形成直線狀的疏液部H。該疏液部H通過使用上述的疏液性材料，使得相對于圖案用液滴的接觸角為50度以上。因此，親液部(表面)Pa和疏液部H的對比度(接觸角的差)為30度以上。(材料配置工序)接著，向基板P的表面Pa的疏液部H之間噴出圖案用液滴，形成布線圖案Wl。作為布線圖案形成材料，通常是由將導(dǎo)電性微粒分散于分散介質(zhì)中得到的分散液構(gòu)成。在本實施方式中，作為導(dǎo)電性微粒，例如除了使用含有金、銀、銅、鈀、鎳以及ITO中的任意的金屬微粒之外，還可以使用它們的氧化物、以及導(dǎo)電性聚合物或超導(dǎo)體的微粒等。這些導(dǎo)電性微粒還可以在表面涂敷有機(jī)物等以提高其分散性后使用。導(dǎo)電性微粒的粒徑優(yōu)選為lnm以上0.1|Lim以下。如果大于O.lpm，則有可能在后述的液體噴出頭的噴嘴出現(xiàn)堵塞。另夕卜，如果小于lnm，則涂布劑相對于導(dǎo)電性微粒的體積比增大，得到的膜中的有機(jī)物的比例過多。作為分散介質(zhì)，只要是可以分散上述的導(dǎo)電性微粒且不引起凝聚的物質(zhì)，就沒有特別限定。例如，除了水以外，可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二垸、十四垸、甲苯、二甲苯、異丙基苯甲烷(cymene)、杜烯(durene)、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環(huán)己基苯等烴系化合物，另外還有乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2—二甲氧基乙烷、雙(2—甲氧基乙基)醚、對二氧雜環(huán)乙烷等醚系化合物，進(jìn)而還有碳酸丙二酯、Y—丁內(nèi)酯、N—甲基一2—吡咯垸酮、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。其中，從微粒的分散性和分散液的穩(wěn)定性或應(yīng)用于液滴噴出法的容易程度的觀點來看，優(yōu)選水、醇類、烴系化合物、醚系化合物，作為更優(yōu)選的分散介質(zhì)，可以舉出水、烴系化合物。上述導(dǎo)電性微粒的分散液的表面張力，優(yōu)選在0.02N/m以上且0.07N/m以下的范圍內(nèi)。當(dāng)利用噴墨法噴出液體時，如果表面張力不到0.02N/m，則墨液組合物對噴嘴面的潤濕性增大，所以容易產(chǎn)生飛行彎曲。如果超過0.07N/m，則在噴嘴頂端的彎液面的形狀不穩(wěn)定，所以難以控制噴出量和噴出時間。為了調(diào)整表面張力，最好向上述分散液中，在不使與基板的接觸角大大降低的范圍內(nèi)，微量添加氟系、硅酮系、非離子系等表面張力調(diào)節(jié)劑。非離子系表面張力調(diào)節(jié)劑在提高液體向基板的潤濕性、改良膜的流平性、防止發(fā)生膜的微細(xì)凹凸不平等中發(fā)揮作用。上述表面張力調(diào)節(jié)劑根據(jù)需要也可以含有醇、醚、酯、酮等有機(jī)化合物。上述分散液的粘度優(yōu)選為lmPas以上、50mPas以下。當(dāng)使用噴墨法以液滴形式噴出液體材料時，在粘度小于lmPa，s的情況下，噴嘴的周邊部容易被墨液的流出所污染。另外，在粘度大于50mPa，s的情況下，在噴嘴孔處的堵塞頻率升高，難以順利地噴出液滴。此外，如圖7(a)、(b)所示，從液滴噴出頭301向疏液部H之間的間隙連續(xù)地噴出上述的含有布線圖案形成材料的圖案用液滴WL并涂敷。具體而言，沿著疏液部H(親液部Pa)的長度方向(布線圖案的形成方向)，邊使液滴噴出頭301與基板P相對移動，邊以規(guī)定的間距噴出多個圖案用液滴WL。在這里，基板P的表面Pa相對于圖案用液滴WL的接觸角為20度以下，所以被涂敷的圖案用液滴WL不會被截斷，或者在不產(chǎn)生的鼓包的情況下在疏液部H之間潤濕擴(kuò)展。另外，由于疏液部H與表面Pa相對于圖案用液滴WL的接觸角的差(對比度)為30度以上，所以圖案用液滴WL基于該潤濕性的差從疏液部H被彈開，被導(dǎo)入到疏液部H之間的表面Pa而積存。作為該對比度，30度以上已足夠，但在考慮了后述的實施例的情況下，更優(yōu)選為35度以上。其中，上述的疏液部H的厚度是微少量為數(shù)nm數(shù)十nm，所以不具有作為對所涂敷的圖案用液滴WL的位置進(jìn)行規(guī)定的隔壁的功能，圖案用液滴WL由于上述的接觸角(潤濕性)的差而被配置在親液部Pa。(熱處理/光處理工序)接著，利用熱處理/光處理工序，除去在基板上配置的液滴中含有的分散介質(zhì)或涂布劑。即，在基板上配置的導(dǎo)電膜形成用的液體材料可以確保微粒間的電接觸，由此有必要完全除去分散介質(zhì)。另外，當(dāng)在導(dǎo)電性微粒的表面涂敷有機(jī)物等涂布劑以提高分散性時，也需要除去該涂布劑。熱處理/光處理通常在大氣中進(jìn)行，但根據(jù)需要也可以在氮、氬、氦等惰性氣體氣氛中進(jìn)行。熱處理/光處理的處理溫度可以考慮分散介質(zhì)的沸點(蒸氣壓)、氣氛氣體的種類或壓力、微粒的分散性或氧化性等熱行為、涂布劑的有無或量、基材的耐熱溫度等來適當(dāng)決定。例如，為了除去由有機(jī)物構(gòu)成的涂布劑，需要在約30(TC下進(jìn)行燒成。另外，在使用塑料等基板的情況下，優(yōu)選在室溫以上IO(TC以下進(jìn)行。在這里，在25(TC下燒成60分鐘。熱處理/光處理例如除了使用了加熱板、電爐等加熱手段的一般加熱處理之外，還可以使用燈退火進(jìn)行。作為用于燈退火的光的光源，沒有特別限定，但可以使用紅外線燈、氙氣燈、YAG激光器、氬氣燈、二氧化碳?xì)怏w激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等。這些光源通常被使用的輸出功率范圍是10W以上5000W以下的范圍，而在本實施方式中，IOOW以上IOOOW以下的范圍就足夠。通過—上述熱處理/光處理工序，可以確保微粒間的電接觸，變換成導(dǎo)電膜。通過以上說明的一系列工序，在基板P上形成如圖4(a)所示的線狀的布線圖案W1。(實施例)當(dāng)使溶劑一金屬為二醇系一ITO、醚系一ITO、二醇系一Ni、水系一Ag、烴系一Ag，使疏液部H為寬度HA二100fim、布線圖案W為寬度WA二40pm時，疏液部H、親液部Pa的接觸角、對比度、描繪結(jié)果的關(guān)系示于圖7。如該圖所示，只要親液部的接觸角為20。以下，就不會產(chǎn)生鼓包，另外如果疏液部的接觸角為50。以上，只要對比度為30°以上(優(yōu)選為35°以上)，可以成膜為良好且均勻的布線圖案。接著，關(guān)于在布線圖案Wl上形成接觸孔CH以及導(dǎo)電接線柱DP的過程，參照圖9進(jìn)行說明。首先，如圖9(a)所示，在布線圖案W1上的接觸孔形成區(qū)域(導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域)DA(后來形成接觸孔CH和導(dǎo)電接線柱DP的場所區(qū)域)，使用上述的液滴噴出裝置IJ從液滴噴出頭301噴出液滴FL并涂敷，由此形成對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液部(絕緣層用疏液部)HF，所述液滴FL對含有絕緣層Zl的絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性，在這里含有上述的疏液性材料中的氟樹脂(疏液材料)。在這里，疏液部HF的大小(直徑)與后來形成的導(dǎo)電接線柱DP的大小(直徑)相對應(yīng)，所以以與應(yīng)該形成的導(dǎo)電接線柱DP的直徑相對應(yīng)的直徑形成疏液部HF。在本實施方式中，求出液滴FL的噴出重量、與該液滴FL彈落到布線圖案Wl上之后的直徑的相關(guān)關(guān)系(例如2ng的噴出重量時彈落直徑約為40|im;在3ng的噴出重量時，彈落直徑約為65)im)，作為表保持，在形成疏液部HF時，根據(jù)形成的導(dǎo)電接線柱DP的大小，從表求出噴出重量，以該噴出重量噴出液滴FL。接著，如圖9(b)所示，使用上述的液滴噴出裝置IJ，從液滴噴出頭301涂敷含有絕緣層形成材料的液滴ZL(以后稱為絕緣層形成用液滴ZL)，以便除了疏液部HF之外覆蓋布線圖案Wl。作為該絕緣層形成材料，在本實施方式中含有具有光硬化性的材料。具體而言，本實施方式的光硬化性材料含有光聚合引發(fā)劑、和丙烯酸的單體和/或低聚物。一般而言，該光硬化性材料可以含有溶劑和溶解于溶劑的樹脂。在這里，此時的光硬化性材料可以含有其自身感光來提高聚合度的樹脂，或者可以含有樹脂和引發(fā)該樹脂的硬化的光聚合引發(fā)劑。另外，代替這樣的實施方式，作為光硬化性材料，可以含有發(fā)生光聚合而產(chǎn)生不溶的絕緣樹脂的單體和引發(fā)該單體的光聚合的光聚合引發(fā)劑。不過，此時的光硬化性材料只要單體自身具有光官能團(tuán)，就可以不含有光聚合引發(fā)劑。另外，還可以將熱硬化性的聚酰亞胺等用作絕緣層形成材料。在布線圖案Wl上涂敷的絕緣層形成材料ZL，由于在接觸孔形成區(qū)域DA上形成的疏液部H的疏液性而被彈開，在該接觸孔形成區(qū)域DA成為未填充狀態(tài)而有開口，疏液部HF露出，以由該疏液部HF的大小規(guī)定的大小形成接觸孔CH。然后，從基板P的表面?zhèn)?，向疏液部HF和絕緣層Z1照射作為能量光的紫外光(UV光)。由此，在絕緣層Z1硬化的通式疏液部HF被分解除去，或者疏液性降低。在是使用氟樹脂形成的疏液部HF的情況下，對應(yīng)于紫外光的照射時間而疏液性降低，但以疏液性足夠降低的時間來照射紫外光(例如接觸角達(dá)到20。以下的60秒)。隨后，使用上述的液滴噴出裝置IJ，將含有導(dǎo)電材料的液滴、在這里是形成布線圖案Wl時使用的液滴WL涂敷在位于導(dǎo)電接線柱形成區(qū)域DA的接觸孔CH并進(jìn)行干燥，由此如圖9(c)所示，形成導(dǎo)電接線柱DP。此時，即便沒有通過紫外光照射完全除去疏液部HF，氟樹脂也是微少量，為數(shù)nm數(shù)十nm，所以疏液部HF在作為導(dǎo)電材料的微粒被實施熱處理/光處理以確保電接觸時發(fā)生部分分解，或者由于作為導(dǎo)電材料的微粒彼此的熔接等反應(yīng)，導(dǎo)電接線柱DP以確保與布線圖案Wl的良好接觸(導(dǎo)通)的狀態(tài)形成。此外，以導(dǎo)通接線柱DP露出的絕緣層Z1的表面為布線形成面，反復(fù)進(jìn)行上述的工序，由此制造具有與導(dǎo)通接線柱DP連接的布線圖案W2的多層布線基板CB。如上所述，在本實施方式中，預(yù)先在布線圖案W1上，在接觸孔形成區(qū)域DA形成疏液部HF，然后涂敷絕緣層形成用液滴ZL，所以即便當(dāng)液滴ZL在布線圖案Wl上潤濕擴(kuò)展時，也可以確保控制接觸孔形成區(qū)域DA的大小即接觸孔CH以及導(dǎo)電接線柱DP的大小為希望的值，制造高精度地形成了布線圖案Wl、W2以及導(dǎo)電接線柱DP的多層布線基板CB。另外，在本實施方式中，利用紫外光的照射與絕緣層Zl的硬化處理同時進(jìn)行為確保導(dǎo)通接線柱DP和布線圖案Wl的接觸所必需的疏液部HF的除去處理，所以沒有必要分開設(shè)置處理工序，能夠有助于生產(chǎn)率的提高。另外，在本實施方式中，根據(jù)預(yù)先設(shè)定的表，以疏液性液滴FL的噴出量來調(diào)節(jié)接觸孔CH和導(dǎo)電接線柱DP的直徑，所以可以容易且迅速地選定與應(yīng)該形成的接觸孔CH和導(dǎo)電接線柱DP的直徑對應(yīng)設(shè)定的疏液性液滴FL的噴出量，可以進(jìn)一步有助于生產(chǎn)率的提高。除此之外，在本實施方式中，即便在形成布線圖案W1時，通過對具有疏液部的表面Pa的基板P涂敷疏液性液滴L來形成疏液部H的圖案，所以沒有必要使用高價的曝光機(jī)或光掩模、激光光源等，可以防止成本升高。另外，在本實施方式中，通過調(diào)節(jié)疏液性液滴L的噴出量以及噴出間距，可以容易地調(diào)節(jié)疏液部H的寬度HA即布線圖案W的寬度。特別是在本實施方式中，使用表示上述噴出量以及噴出間距與疏液部H的寬度HA的相關(guān)關(guān)系的表，所以可以容易且迅速地選定與應(yīng)該形成的布線圖案W的寬度WA對應(yīng)設(shè)定的疏液性液滴L的噴出量以噴出間距，可以進(jìn)一步有助于生產(chǎn)率的提高。(布線圖案形成方法；第一實施方式)接著，參照圖io說明布線圖案形成方法的第一實施方式。圖10(a)與圖9(b)所示的狀態(tài)相同，是表示除了疏液部HF之外，覆蓋布線圖案Wl涂敷絕緣層形成用液滴ZL，由此形成接觸孔CH并硬化了的絕緣層Z1的圖。其中，在該圖中，對于與圖1圖9所示的上述實施方式的構(gòu)成要素相同的要素，附加相同的標(biāo)記，并省略對其的說明。如圖10(a)所示，形成除了疏液部HF之外覆蓋布線圖案Wl的絕緣層Zl，此時從基板P的表面?zhèn)认蚴枰翰縃F以及絕緣層Zl照射作為能量光的紫外光。由此，在絕緣層Z1硬化的同時其上面被親液化。另外，同時如圖IO(b)所示，疏液部HF被分解除去，或者疏液性降低。在是使用氟樹脂形成的疏液部HF的情況下，對應(yīng)于紫外光的照射時間而疏液性降低，但以疏液性充分降低的時間來照射紫外光。其中，在針對上述的絕緣層Z1的親液化處理之前，可以實行其他的硬化處理(例如加熱處理)。然后，如圖10(c)所示，在跨過上述接觸孔CH以及絕緣層Z1的布線圖案W2的形成區(qū)域，與上述的布線圖案Wl—樣使用上述的液滴噴出裝置IJ涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴、在這里是形成用布線圖案Wl時使用的液滴WL，并進(jìn)行干燥、燒成，由此可以形成借助接觸孔CH與布線圖案Wl連接的布線圖案W2。由此，即便在本實施方式中，通過使用疏液部HF，也可以高精度地形成用該疏液部HF規(guī)定的大小的接觸孔CH，而且可以容易地形成借助該接觸孔CH連接的布線圖案Wl、W2。另外，在本實施方式中，沒有設(shè)置另外形成導(dǎo)電接線柱的工序，可以有助于制造效率的提高。(布線圖案形成方法；第二實施方式)接著，參照圖11圖13說明布線圖案形成方法的第二實施方式。在上述布線圖案形成方法的第一實施方式中，構(gòu)成為涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴形成布線圖案W1、W2，但在第二實施方式中，是對使用鍍敷處理形成布線圖案的情況進(jìn)行說明。其中，在該圖中，對于與圖1圖9所示的上述實施方式的構(gòu)成要素相同的要素，附加相同的標(biāo)記，并省略對其的說明。如圖11(a)所示，例如在對由PI(聚酰亞胺)形成的基板P的表面Pa實施了UV照射等表面清洗處理之后，實施02等離子體處理等親液化處理。此外，使用上述的液滴噴出裝置IJ將含有鍍敷催化劑材料的液滴涂敷在表面Pa的布線圖案形成區(qū)域(第一布線形成區(qū)域)并進(jìn)行干燥(例如IO(TC、15分鐘)，由此形成鍍敷催化劑層C1。作為含有鍍敷催化劑材料的液狀體，可以使用含有Pd、Ni、Ag、Au、Cu、Fe、Co等具有催化劑作用的金屬的有機(jī)溶劑。另外，作為該液狀體，為了賦予與基板P的密接性，可以含有偶合劑。作為偶合劑，例如可以舉出具有氨基的Si偶合劑，是中性或酸性，從減輕對液滴噴出頭的損壞的觀點出發(fā)，更優(yōu)選使用中性偶合劑。在本實施方式中，使用鈀(Pd)作為鍍敷催化劑材料。接著，實施非電解鍍敷處理，如圖ll(b)所示，在鍍敷催化劑層C1上使導(dǎo)電層D1成膜，例如在加熱板上12(TC下進(jìn)行30分鐘的熱處理，由此形成作為第二布線的布線圖案Wl。作為在非電解鍍敷處理中使用非電解鍍敷液，與含有鍍敷催化劑材料的液狀體一樣優(yōu)選為中性或酸性，如果考慮對基板P的損壞，優(yōu)選使用中性的材料。另外，作為導(dǎo)電層，例如可以使用Ag、Ni、Au、Co、Cii或Pd。導(dǎo)電層可以為層疊有多層鍍敷層的結(jié)構(gòu)，例如可以是在Cu鍍敷層上形成Au鍍敷層的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，使用Oi(即鍍銅處理)作為導(dǎo)電層形成材料。接著，使用上述的液滴噴出裝置IJ，在布線圖案W1的接觸孔形成區(qū)域DA，從液滴噴出頭301涂敷對含有絕緣層Zl的絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的液滴并進(jìn)行干燥，由此形成對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液部(絕緣層用疏液部)HF。接著，使用上述的液滴噴出裝置IJ，除外疏液部HF覆蓋布線圖案W1涂敷含有絕緣層形成材料(PI、壓克力、環(huán)氧樹脂等)的液滴，實施硬化處理，由此形成絕緣層Zl。作為該硬化處理，如果絕緣層形成材料是熱硬化性材料，例如在20(TC下進(jìn)行30分鐘的加熱處理，如果絕緣層形成材料是光硬化性材料，例如以10003000mj照射UV光進(jìn)行處理。然后，通過對基板P的表面實施UV照射處理或02等離子體處理，使絕緣膜Zl的表面親液化，同時除去疏液部HF(疏液部分)，如圖12(a)所示，形成由絕緣膜Z1包圍且露出布線圖案Wl的接觸孔CH。接著，使用上述的液滴噴出裝置IJ，將上述的含有鍍敷催化劑材料(Pd)的液滴如圖12(a)所示涂敷在2個接觸孔CH以及跨過這2個接觸孔CH之間的絕緣膜Zl上的布線圖案形成區(qū)域(第二布線形成區(qū)域)并形成圖案，進(jìn)行干燥(例如在加熱板上8(TC下5分鐘)，由此填充到2個接觸孔CH中，同時形成在這些接觸孔CH之間懸掛成膜的鍍敷催化劑層C2。如果形成鍍敷催化劑層C2，則實施非電解鍍敷處理，如圖12(c)所示，在鍍敷催化劑層C2上使導(dǎo)電層D2成膜，例如通過加熱板上120。C下進(jìn)行30分鐘的熱處理，成為第二布線，形成通過鍍銅的布線圖案W2。接著，如圖13(a)所示，使用上述的液滴噴出裝置IJ，在布線圖案W2上的接觸孔形成區(qū)域DA2上涂敷對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的液滴并進(jìn)行干燥，由此形成對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液部(絕緣層用疏液部)HF2。接著，使用上述的液滴噴出裝置IJ，除外疏液部HF2覆蓋布線圖案W2涂敷含有絕緣層形成材料(PI、壓克力、環(huán)氧樹脂等)的液滴，實施針對絕緣層的硬化處理，由此形成絕緣膜Z2。作為該硬化處理，可以選擇與針對絕緣膜Z1的硬化處理相同的處理。隨后，對基板P的表面實施UV照射處理或02等離子體處理，由此依次進(jìn)行絕緣膜Z2的表面的親液化、基于疏液部HF2(疏液部分)的除去的接觸孔CH2的形成、基于含有鍍敷催化劑材料(Pd)的液滴的圖案形成涂敷.干燥的鍍敷催化劑層C3的形成、通過非電解鍍敷處理在鍍敷催化劑層C3上的導(dǎo)電膜D3的成膜，由此如圖13(b)所示，可以形成通過接觸孔CH2與布線圖案W2連接的布線圖案W3。接著，同樣地，如圖13(c)所示，通過依次進(jìn)行疏液部的形成、向除疏液部之外的區(qū)域的絕緣層Z3的形成、向絕緣層Z3表面的親液化以及觸孔CH3的形成、基于含有鍍敷催化劑材料(Pd)的液滴的圖案形成涂敷'干燥的鍍敷催化劑層C4的形成、通過非電解鍍敷處理在鍍敷催化劑層C4上的導(dǎo)電膜D4的成膜，可以形成通過接觸孔CH3與布線圖案W3連接的布線圖案W4(焊盤(pad)部)。由此，在本實施方式中，通過反復(fù)進(jìn)行疏液部形成、絕緣層形成以及親液化處理'疏液部除去處理、鍍敷催化劑層形成處理、通過在鍍敷催化劑層上的導(dǎo)電層成膜的布線圖案形成處理，可以高精度地形成由疏液部規(guī)定的大小的接觸孔，而且可以容易地形成借助該接觸孔連接的層疊結(jié)構(gòu)的布線圖案W1W4。另外，在本實施方式中，也包括向接觸孔的填充部，布線圖案W1W4通過鍍敷處理成膜，所以與液滴噴出方式相比，可以形成致密且電阻小的布線。其中，在上述實施方式中，在含有鍍敷催化劑材料(Pd)的液滴的涂敷并形成圖案之前，實施疏液部的除去處理，但在利用例如鍍敷處理形成的布線上涂敷的疏液材料潤濕擴(kuò)展，膜厚變薄，此時不進(jìn)行疏液部的除去處理，可以與在接觸孔露出的布線電連接。為此，上述疏液部的除去處理并不是必須的，可以根據(jù)可否與在接觸孔露出的布線電連接來適當(dāng)實施。(多層布線基板)接著，參照圖14對多層布線基板的其他實施方式進(jìn)行說明。在這里，使用在移動電話上搭載的多層布線基板的例子進(jìn)行說明。如圖14所示的多層布線基板500是在由硅形成的基材10上層疊3層的布線層P1、P2、P3而構(gòu)成。其中，作為基材IO，除此之外，還可以舉出玻璃、石英玻璃、金屬板等各種基材。進(jìn)而，還包括在這些各種原材料基板的表面形成半導(dǎo)體膜、金屬膜、絕緣膜、有機(jī)膜等作為底層。就布線層Pl而言，是將具有電極部20a的芯片部件(電子部件)20以及具有電極部21a的芯片部件(電子部件)21埋入到絕緣膜(絕緣層)13中，在該絕緣膜13上有與電極部20a、21a連接的布線15成膜，由此而成。布線15被第一層間絕緣膜60所覆蓋，在圖10中，位于兩側(cè)的布線15分別與貫通第一層間絕緣膜60的通孔(導(dǎo)電接線柱)Hl、H2連接。作為上述芯片部件20、21，可以舉出電阻、電容器、IC芯片等，在本實施方式中，使用電阻作為芯片部件20，使用電容器作為芯片部件21。另外，芯片部件20、21是以使其電極部20a、2la朝向上方的狀態(tài)被配置在基材10上。其中，實際上電極部20a、21a與芯片部件20、21的上面大致在一個面上，但在這里，如圖所示為突起狀。另外，使用液滴噴出方式等噴出導(dǎo)電性墨液，由此可以實際形成突起。就絕緣膜(絕緣層)13、60而言，使用上述的液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，涂敷絕緣性墨液(絕緣材料)，使該絕緣性墨液硬化，由此形成。作為該絕緣性墨液，在這里含有丙烯酸系的感光性樹脂作為具有在賦予光能量時發(fā)生硬化的光硬化性—、以及在It予熱能時發(fā)生硬化的熱硬化性的材料。就布線15和通孔H1、H2而言，使用上述的液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，噴出導(dǎo)電性墨液而形成。在本實施方式中，使用含有銀微粒的導(dǎo)電性墨液。布線層P2具有具有在第一層間絕緣膜60上配設(shè)的外部連接用端子72的IC芯片(電子部件)70、與通孔H1連接的布線61、覆蓋這些IC芯片70以及布線60的第二層間絕緣膜62、貫通與布線61連接的絕緣膜62的通孔H3、同樣貫通絕緣膜62的上述的通孔H2的一部分。第二層間絕緣膜62使用上述的液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，由與上述絕緣膜13、60相同的材料形成。另外，布線61以及通孔H3使用液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，由與布線15以及通孔H1、H2相同的材料形成。布線層P3具有與在絕緣膜62上形成的IC芯片70的端子72以及通孔H2連接的布線63A、與IC芯片70的端子72以及通孔H3連接的布線63B、覆蓋這些布線63A、63B的第三層間絕緣膜64、貫通與布線63A連接的絕緣膜64的通孔H4、貫通與布線63B連接的絕緣膜64的通孔H5、與設(shè)置在絕緣膜64的通孔H5連接的芯片部件(電子部件)24、和與設(shè)置在絕緣膜64的通孔H4連接的芯片部件(電子部件)25。第三層間絕緣膜64使用上述的液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，由與上述絕緣膜13、60、62相同的材料形成。另外，布線63A、63B以及通孔H4、H5使用液滴噴出裝置IJ的液滴噴出方式，由與布線15、61以及通孔H1、H2、H3相同的材料形成。另外，作為芯片部件24、25，在這里分別安裝天線元件以及晶體振子。在本實施方式的多層布線基板500中，通孔H1H5是利用上述的接觸孔形成方法以及導(dǎo)電接線柱形成方法形成的，所以可以確保，控制通孔的大小為希望的值，可以制造高精度地形成有通孔的多層布線基板500。其中，不必設(shè)置另外形成上述通孔(導(dǎo)電接線柱)的工序，使用上述的布線圖案形成方法，形成上層的布線圖案，此時向接觸孔中填充布線圖案形成材料，由此可以成為確保與下層的布線圖案電連接的結(jié)構(gòu)。(開關(guān)元件(TFT元件))接著，關(guān)于使用上述的接觸孔形成方法、導(dǎo)電接線柱形成方法、布線圖案形成方法形成的開關(guān)元件(TFT元件)的例子，參照圖15進(jìn)行說明。在本實施方式中，對在具有多個像素區(qū)域且通過互不相同的發(fā)光特性在各像素區(qū)域以多種發(fā)光顏色進(jìn)行發(fā)光的有機(jī)EL裝置中設(shè)置的TFT元件進(jìn)行說明。圖15表示對有機(jī)EL裝置100中的顯示區(qū)域的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行放大的圖。該圖15表示3個像素區(qū)域A。有機(jī)EL裝置100是在基板202上順次層疊有形成了TFT等電爐等的電路元件部214、和形成有有機(jī)層(發(fā)光部)110的EL元件部211而構(gòu)成。在該有機(jī)EL裝置100中，從有機(jī)層110向基板2側(cè)發(fā)出的光透過電路元件部214以及基板202，向基板202的下側(cè)(觀測者側(cè))射出，同時從有機(jī)層110向基板202的相反側(cè)發(fā)出的光被陰極212反射而透過電路元件部214以及基板202，向基板202的下側(cè)(觀測者側(cè))射出。其中，通過使用透明的材料作為陰極212，也可以從該陰極212側(cè)使光射出。在電路元件部214上，在基板202上形成由硅氧化物膜構(gòu)成的底層保護(hù)膜202c，在該底層保護(hù)膜202c上形成有由多晶硅構(gòu)成的島狀的半導(dǎo)體膜141。其中，在半導(dǎo)體膜141上通過高濃度P離子注入形成有源區(qū)域Mla以及漏區(qū)域141b，另外，未導(dǎo)入P的區(qū)域成為溝道區(qū)域141c。進(jìn)而，在電路元件部214上形成覆蓋底層保護(hù)膜202C以及半導(dǎo)體膜141的透明的柵極絕緣膜142，在柵極絕緣膜142上形成由Al、Mo、Ta、Ti、W等構(gòu)成的柵電極143，在柵電極143以及柵極絕緣膜142上形成有透明的第一層間絕緣膜144a和第二層間絕緣膜144b。柵電極143被設(shè)置在與半導(dǎo)體膜141的溝道區(qū)域141c對應(yīng)的位置。另外，在第一、第二層間絕緣膜144a、M4b上形成有分別與半導(dǎo)體膜141的源漏區(qū)域141a、141b連接的接觸孔145、146，在這些接觸孔145、146中分別埋入導(dǎo)電材料。此外，在第二層間絕緣膜144b上，由ITO等構(gòu)成的透明的像素電極111形成規(guī)定形狀的圖案而形成，一個接觸孔145與該像素電極111連接。另外，另一個接觸孔146與電源線163連接。如此，在電路元件部14上形成有與各像素電極111連接的薄膜晶體管(TFT元件)123。EL元件部211是以分別在多個像素電極111…上層疊的有機(jī)層110、配置在各像素電極111以及有機(jī)層110的中間且對各有機(jī)層110進(jìn)行劃分的圍堰部112、在有機(jī)層110上形成的對置電極(陰極)212為主體構(gòu)成的。在這里，像素電極111是由透明導(dǎo)電性材料例如ITO形成的，形成為俯視下大致成矩形的圖案。在該像素電極1U…之間設(shè)置有圍堰部112。圍堰部112是由自基板202側(cè)的由Si02等構(gòu)成的無機(jī)圍堰層112a、和在該無機(jī)圍堰層112a上形成有機(jī)圍堰層112b構(gòu)成。無機(jī)圍堰層112a以跨越在像素電極111的周緣部之上的方式形成，被配置成在俯視的狀態(tài)下像素電極1U的周圍與無機(jī)圍堰層112a平面重疊。另外，有機(jī)圍堰層112b也被配置成在俯視的狀態(tài)下與像素電極111的一部分重疊。另外，在有機(jī)圍堰層112b上形成開口部112c，如后所述在該開口部112c配置功能層的形成材料并成膜，由此形成由功能層構(gòu)成的有機(jī)層110。其中，有機(jī)圍堰層U2b是由丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等具有耐熱性、耐溶劑性的材料形成的。有機(jī)層110被配設(shè)在像素電極(陽極)111和對置電極(陰極)212之間，由此與這些像素電極111與對向電極212—起構(gòu)成有機(jī)EL元件。在這里，在本實施方式中，為了作為不同的發(fā)光特性而進(jìn)行全色顯示，具有成為具有紅色發(fā)光特性的像素R的有機(jī)EL元件、成為具有綠色發(fā)光特性的像素G的有機(jī)EL元件、和成為具有藍(lán)色發(fā)光特性的像素B的有機(jī)EL元件。在本實施方式中，這3種有機(jī)EL元件分別構(gòu)成為具有空穴注入/輸送層(第一有機(jī)層)151(151R、151G、151B)和發(fā)光層(第二有機(jī)層)150(150R、150G、150B)作為該有機(jī)層110。此外，在本實施方式中，可以利用上述的接觸孔形成方法或?qū)щ娊泳€柱形成方法形成接觸孔145、146，另外，在形成與該接觸孔146連接的電源線163或與接觸孔145連接的像素電極111時，可以使用上述的布線圖案形成方法。因此，在本實施方式中，可以確保*控制接觸孔的大小為希望的值，可以制造高精度地形成有接觸孔的薄膜晶體管(TFT元件)。(電子設(shè)備)接著，對本發(fā)明的電子設(shè)備的具體例子進(jìn)行說明。圖16(a)是表示移動電話的一例的立體圖。在圖16(a)中，600表示具備上述實施方式的多層布線基板的移動電話主體，601表示液晶顯示部。圖16(b)是表示文字處理機(jī)、個人電腦等移動型信息處理裝置的一例的立體圖。在圖16(b)中，700表示信息處理裝置，701表示鍵盤等輸入部，703表示具備上述實施方式的多層布線基板的信息處理主體，702表示液晶顯示部。圖16(c)是表示手表型電子設(shè)備的一例的立體圖。在圖16(c)中，800表示具備上述實施方式的多層布線基板的鐘表主體，801表示液晶顯示部。圖16(a)(c)所示的電子設(shè)備使用上述實施方式的多層布線基板制造方法制造的設(shè)備，所以具有高精度形成的布線、導(dǎo)電接線柱，由此可以高品質(zhì)地制造。其中，本實施方式的電子設(shè)備具備液晶裝置，但可以具備有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置、等離子型顯示裝置等其他電光學(xué)裝置。綜上，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行說明，但并不限于本發(fā)明的例子。在上述的例子表示的各構(gòu)成構(gòu)件的諸形狀或組合等是一個例子，可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)根據(jù)設(shè)計要求等進(jìn)行各種變更。另外，在上述實施方式中，為了提高對基板P的親液性，對實施清洗處理作為表面處理工序的例子進(jìn)行了說明，但并不限于此，例如還可以采用在表面Pa涂敷對功能液(圖案用液滴)顯示親液性的硅烷偶合劑或鈦偶合劑的構(gòu)成、或涂敷氧化鈦微粒的構(gòu)成。權(quán)利要求1.一種接觸孔形成方法，在由絕緣層覆蓋的布線上形成用于貫通所述絕緣層并進(jìn)行連接的接觸孔，該方法包括在所述布線上的接觸孔形成區(qū)域涂敷對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液材料的液滴而形成疏液部的工序；和除去所述疏液部，以覆蓋所述布線的方式涂敷含有所述絕緣層形成材料的液滴，以形成絕緣層的工序。2.如權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，利用所述疏液性液滴的噴出量來調(diào)節(jié)所述接觸孔的直徑。3.如權(quán)利要求1或2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述疏液材料含有硅垸化合物以及具有氟代烷基的化合物中的至少一種。4.如權(quán)利要求3所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述硅烷化合物是自組織化膜。5.如權(quán)利要求14中任意一項所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述疏液材料含有氟化合物。6.如權(quán)利要求15中任意一項所述的接觸孔形成方法，其特征在于，該方法還具有在對含有布線形成材料的液滴具有親液性的布線形成面的非布線形成區(qū)域，涂敷對含有所述布線形成材料的液狀體具有疏液性的第二疏液材料的液滴，以形成布線用疏液部的工序；和在所述布線用疏液部之間的親液部涂敷含有所述布線形成材料的液滴，以形成所述布線的工序。7.—種導(dǎo)電接線柱形成方法，在由絕緣層覆蓋的布線上形成貫通所述絕緣層并進(jìn)行連接的導(dǎo)電接線柱，該方法具有-通過權(quán)利要求16中任意一項所述的接觸孔形成方法形成接觸孔的工序；和在所形成的接觸孔涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，以形成導(dǎo)電接線柱的工序。8.如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電接線柱形成方法，其特征在于，還具有向所述疏液部照射能量光的工序。9.如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電接線柱形成方法，其特征在于，還具有至少加熱所述疏液部和所述導(dǎo)電接線柱，以使所述布線和所述導(dǎo)電接線柱熔敷的工序。10.—種布線圖案形成方法，在由絕緣層覆蓋的布線上形成經(jīng)由貫通所述絕緣層的接觸孔進(jìn)行連接的第二布線，該方法具有通過權(quán)利要求16中任意一項所述的接觸孔形成方法形成接觸孔的工序；使所述絕緣層硬化的工序；向所述疏液部和所述絕緣層照射能量光的工序；和跨過所述絕緣層上以及所述接觸孔，形成所述第二布線的工序。11.如權(quán)利要求IO所述的布線圖案形成方法，其特征在于，在跨過所述絕緣層上以及所述接觸孔的第二布線形成區(qū)域，涂敷含有導(dǎo)電材料的液滴，以形成所述第二布線。12.如權(quán)利要求10所述的布線圖案形成方法，其特征在于，還具有在跨過所述絕緣層上以及所述接觸孔的第二布線形成區(qū)域，涂敷含有鍍敷用催化劑材料的液滴，以形成鍍敷用催化劑層的工序；和利用鍍敷處理在所述鍍敷用催化劑層上形成所述第二布線的工序。13.—種多層布線基板的制造方法，其中隔著絕緣層層疊有第一布線和第二布線，所述第一布線和所述第二布線經(jīng)由接觸孔進(jìn)行連接，利用權(quán)利要求16中任意一項所述的接觸孔形成方法來形成所述接觸孔。14.一種電子設(shè)備制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求13所述的多層布線基板的制造方法。全文摘要本發(fā)明提供一種大小的控制性出色的接觸孔形成方法。在由絕緣層(Z1)覆蓋的布線(W1)上形成用于貫通絕緣層而連接的接觸孔(CH)。包括在布線上的接觸孔形成區(qū)域(DA)涂敷對含有絕緣層形成材料的液狀體具有疏液性的疏液材料的液滴(FL)形成疏液部(HF)工序；和覆蓋布線涂敷含有絕緣層形成材料的液滴(ZL)形成絕緣層(Z1)的工序。文檔編號H05K3/12GK101325175SQ200810109468公開日2008年12月17日申請日期2008年6月12日優(yōu)先權(quán)日2007年6月14日發(fā)明者平井利充,高野靖申請人:精工愛普生株式會社