專利名稱：氣體供給裝置和方法、薄膜形成裝置和方法及洗滌方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體供給裝置，氣體供給方法，薄膜形成裝置的洗滌 方法，薄膜形成方法以及薄膜形成裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中廣泛進(jìn)行通過CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)蒸鍍薄膜成膜法)等處理，在被處理體(例如半導(dǎo) 體晶片)上形成氮化硅膜，氧化硅膜等薄膜。在這種薄膜形成處理 中，例如像以下這樣在半導(dǎo)體晶片上形成薄膜。首先，利用加熱器將熱處理裝置的反應(yīng)管內(nèi)加熱至規(guī)定的裝載 (load)溫度，裝載容納了多枚半導(dǎo)體晶片的晶舟。其次，利用加熱器 將反應(yīng)管內(nèi)加熱至規(guī)定的處理溫度，同時從排氣管排出反應(yīng)管內(nèi)的氣 體，將反應(yīng)管內(nèi)減壓至規(guī)定的壓力。當(dāng)反應(yīng)管內(nèi)被維持在規(guī)定的溫度 和壓力時，從處理氣體導(dǎo)入管向反應(yīng)管內(nèi)供給成膜用氣體。 一旦成膜 用氣體被供給到反應(yīng)管內(nèi)，成膜用氣體就引起熱反應(yīng)，由熱反應(yīng)生成 的反應(yīng)生成物堆積在半導(dǎo)體晶片表面上，在半導(dǎo)體晶片的表面上形成 薄膜。然而，由薄膜形成處理生成的反應(yīng)生成物不僅堆積(附著)在半 導(dǎo)體晶片的表面上，例如還堆積(附著)在反應(yīng)管的內(nèi)壁或各種夾具 等熱處理裝置的內(nèi)部。另外，也有產(chǎn)生副生成物、中間生成物等，而 且這些生成物附著在反應(yīng)管內(nèi)或排氣管內(nèi)的情況。如果在這種附著物 附著在熱處理裝置內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行薄膜形成處理，因構(gòu)成反應(yīng)管的石 英和附著物的熱膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力，該應(yīng)力使石英或附著物破裂。 這樣，石英或附著物破裂成為顆粒，造成生產(chǎn)率的下降，還會引起部 件發(fā)生故障。因此，提出了向利用加熱器加熱至規(guī)定溫度的反應(yīng)管內(nèi)供給洗滌(cleaning)氣體，除去附著在反應(yīng)管的內(nèi)壁等熱處理裝置內(nèi)的反應(yīng)生 成物(干性蝕刻)的熱處理裝置的洗滌方法(例如專利文獻(xiàn)1，專利文 獻(xiàn)2)專利文獻(xiàn)l:日本特開平3-293726號公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-59915號公報(bào)然而， 一般按氣體的種類將用于導(dǎo)入洗滌氣體的氣體導(dǎo)入管插入 反應(yīng)管中，分別向反應(yīng)管內(nèi)供給。因此，當(dāng)使用包含氟(F"和氫(H2) 的混合氣體作為洗滌氣體時，分別將氟和氫向反應(yīng)管內(nèi)供給。在此， 供應(yīng)給反應(yīng)管內(nèi)的氟向?qū)霘涞臍怏w導(dǎo)入管的吹出口 (噴嘴)附近移 動，在噴嘴附近與氫反應(yīng)。 一旦在噴嘴附近氟和氫發(fā)生反應(yīng)，就會因 該反應(yīng)生成氟化氫(HF)，氣體導(dǎo)入管的噴嘴或反應(yīng)管內(nèi)壁這樣的噴嘴 附近的部件就會發(fā)生損害而劣化，這樣，存在不能安定地對薄膜形成 裝置進(jìn)行洗滌的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于前述問題而完成的，其目的是提供能夠抑制部件的 劣化的氣體供給裝置，氣體供給方法，薄膜形成裝置的洗滌方法，薄 膜形成方法和薄膜形成裝置。本發(fā)明的另一個目的是提供能夠安定地對薄膜形成裝置進(jìn)行洗滌 的氣體供給裝置，氣體供給方法，薄膜形成裝置的洗滌方法和薄膜形 成裝置。本發(fā)明是一種氣體供給裝置，該裝置為了除去附著在具有反應(yīng)室 和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成 裝置的反應(yīng)室或排氣管內(nèi)供給包含氟和氫的洗滌氣體，其特征在于， 具有向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給單元；和向前 述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給單元，前述氫供給單元具 有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路，從前述內(nèi)部 流路供給氫，同時從前述外部流路供給與通過前述氟供給單元供給的 氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前 述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種氣體供給裝置，其特征在于前述氫供給單元具有內(nèi)管和以容納該內(nèi)管的方式形成的外管，分別由前述內(nèi)管和前述外管 形成前述內(nèi)部流路和前述外部流路。本發(fā)明是一種氣體供給裝置，其特征在于前述氫供給單元從前述內(nèi)部流路供給0.25升/分 0.75升/分的氫，同時從前述外部流路供給 1升/分 5升/分的氮。本發(fā)明是一種氣體供給裝置，其特征在于前述內(nèi)部流路和外部 流路的截面積比為1: 2 1: 4。本發(fā)明是一種氣體供給裝置，其特征在于前述保護(hù)氣體為氮。本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，其特征在于，具有容納被處理體， 被供給成膜用氣體并在被處理體上形成薄膜的反應(yīng)室；與反應(yīng)室連接 的排氣管；和向前述反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣 體供給裝置，該氣體供給裝置具有向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi) 供給氟的氟供給單元；和向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的氫 供給單元，前述氫供給單元具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式 形成的外部流路，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從前述外部流路供給 與通過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被 保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種氣體供給方法，其為了除去附著在具有反應(yīng)室和與 反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置 的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體，其特征在于，包括 從供給前述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟 供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部 流路并供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的 氫供給工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從 前述外部流路供給與通過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣 體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述 排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種氣體供給方法，其特征在于在前述氫供給工序中， 從前述內(nèi)部流路供給0.25升/分 0.75升/分的氫，同時從前述外部流路 供給1升/分 5升/分的氮。本發(fā)明是一種氣體供給方法，其特征在于使用氮作為前述保護(hù)氣體。本發(fā)明是一種薄膜形成裝置的洗滌方法，其為包括為了除去附著 在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著 物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的 氣體供給方法，并且除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物的薄膜形 成裝置的洗滌方法，其特征在于前述氣體供給方法包括從供給前 述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工 序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并 供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給 工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從前述外 部流路供給與通過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫 在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管 內(nèi)。本發(fā)明是一種薄膜形成方法，其特征在于，包括向具有反應(yīng)室 和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置的反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣 體，并在被處理體上形成薄膜的薄膜形成工序；和采用為除去附著在 薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，而向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供 給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法的洗滌工序，前述洗滌工序 的氣體供給方法包括從供給前述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前 述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部 流路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或 前述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi) 部流路供給氫，同時從前述外部流路供給與通過前述氟供給單元供給 的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向 前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種計(jì)算機(jī)程序，用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行氣體供給方法，其 特征在于前述氣體供給方法是為了除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng) 室連接的排氣管的薄膜形成裝置的內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的 反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法，其包括 從供給前述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟 供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的 氫供給工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從 前述外部流路供給與通過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣 體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述 排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種存儲介質(zhì)，容納有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行氣體供給方法 的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于前述氣體供給方法是為了除去附著在具 有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置的內(nèi)部的附著物， 向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體 供給方法，其包括從供給前述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述 排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流 路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前 述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi)部 流路供給氫，同時從前述外部流路供給與通過前述氟供給單元供給的 氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前 述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種計(jì)算機(jī)程序，用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行薄膜形成裝置的洗 滌方法，其特征在于該薄膜形成裝置的洗滌方法是包括為除去附著 在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著 物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的 氣體供給方法，并且除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物的薄膜形 成裝置的洗滌方法，前述氣體供給方法包括從供給前述氟的氟供給 部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工序；和從具有內(nèi) 部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給 部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工序，在前述氫 供給工序中，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從前述外部流路供給與通 過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù) 氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)。本發(fā)明是一種存儲介質(zhì)，容納有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行薄膜形成裝置 的洗滌方法的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于該薄膜形成裝置的洗滌方法 是包括為除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和 氫的洗滌氣體的氣體供給方法，并且除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的 附著物的薄膜形成裝置的洗滌方法，前述氣體供給方法包括從供給 前述氟的氟供給部向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工 序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給部，向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給 工序，在前述氫供給工序中，從前述內(nèi)部流路供給氫，同時從前述外 部流路供給與通過前述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫 在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向前述反應(yīng)室內(nèi)或前述排氣管 內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制部件的劣化。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的熱處理裝置的圖。圖2是表示圖1的氣體供給部的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示氫導(dǎo)入管的截面形狀的圖。圖4是說明從氫導(dǎo)入管供給氫和氮的狀態(tài)的圖。圖5是表示圖1的控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖6是表示說明薄膜形成方法的處理方案(recipe)的圖。圖7是說明石英片的位置的圖。圖8是表示圖7位置的石英的蝕刻速度的圖。圖9是表示洗滌處理的SiN、石英的蝕刻速度的圖。圖IO是表示洗滌處理的選擇比的圖。圖11是表示其它實(shí)施方式的熱處理裝置的圖。
具體實(shí)施方式
下面，說明本發(fā)明的氣體供給裝置，氣體供給方法，薄膜形成裝 置的洗滌方法，薄膜形成方法以及薄膜形成裝置。在本實(shí)施方式中， 作為具有氣體供給裝置的薄膜形成裝置，以圖1所示的分批(patch) 式縱型熱處理裝置1為例對本發(fā)明加以說明。如圖1所示，作為薄膜形成裝置的熱處理裝置1具有形成反應(yīng)室的反應(yīng)管2和與反應(yīng)管2的上部連接的排氣管5。反應(yīng)管2被形成的形狀是例如其較長方向相對垂直方向是近似園 筒形。反應(yīng)管2由耐熱和耐腐蝕性好的材料(例如石英)制成。在反 應(yīng)管2的上端以向著上端且直徑縮小的方式設(shè)置有大致園錐形的頂部 3。在頂部3的中心設(shè)置有用于排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排氣口4，排 氣管5如以上所述那樣與排氣口 4密封連接。在排氣管5上設(shè)置有未 圖示的閥和后述的真空泵127等壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)，將反應(yīng)管2內(nèi)控制為 所希望的壓力(真空度)。在反應(yīng)管2的下方配置有蓋體6。蓋體6由耐熱和耐腐蝕性好的材 料(例如石英)制成。另夕卜，蓋體6能夠通過后述的晶舟升降機(jī)128 上下運(yùn)動。當(dāng)利用晶舟升降機(jī)128使蓋體6上升時，反應(yīng)管2的下方 側(cè)(爐口部分)被關(guān)閉；當(dāng)利用晶舟升降機(jī)128使蓋體6下降時，反 應(yīng)管2的下方側(cè)(爐口部分)被打開。在蓋體6的上部設(shè)置有保溫筒7。保溫筒7主要由平面狀加熱器8 和從蓋體6的上面將加熱器8支撐在規(guī)定高度的筒狀的支撐體9構(gòu)成， 該平面狀加熱器8由用來防止因來自反應(yīng)管2的爐口部分的放熱而引 起反應(yīng)管2內(nèi)的溫度降低的電阻發(fā)熱體構(gòu)成。另外，在保溫筒7的上方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)臺10。旋轉(zhuǎn)臺IO作為能夠旋 轉(zhuǎn)地載置用來容納被處理體(例如半導(dǎo)體晶片W)的晶舟11的載置臺 而起作用。具體而言，在旋轉(zhuǎn)臺10的下部設(shè)置有旋轉(zhuǎn)支柱12，旋轉(zhuǎn)支 柱12貫通加熱器8的中心，與使旋轉(zhuǎn)臺10旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)13連接。 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)13主要由未圖示的馬達(dá)，和具有在密封狀態(tài)下從蓋體6的下 面?zhèn)蓉炌▽?dǎo)入到上面?zhèn)鹊男D(zhuǎn)軸14的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)入部15構(gòu)成。旋轉(zhuǎn)軸14 與旋轉(zhuǎn)臺10的旋轉(zhuǎn)支柱12連接，通過旋轉(zhuǎn)支柱12將馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)力傳 遞給旋轉(zhuǎn)臺10。因此，當(dāng)利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)13的馬達(dá)使旋轉(zhuǎn)軸14旋轉(zhuǎn)時， 旋轉(zhuǎn)軸14的旋轉(zhuǎn)力被傳遞給旋轉(zhuǎn)支柱12，于是旋轉(zhuǎn)臺10旋轉(zhuǎn)。晶舟11以能夠在垂直方向以規(guī)定的間隔容納多塊半導(dǎo)體晶片W 的方式構(gòu)成。晶舟ll例如由石英制成。晶舟11載置在旋轉(zhuǎn)臺10上。 因此，當(dāng)使旋轉(zhuǎn)臺10旋轉(zhuǎn)時，晶舟ll就旋轉(zhuǎn)，通過該旋轉(zhuǎn)，容納在 晶舟ll內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W也旋轉(zhuǎn)。另外，在反應(yīng)管2的周圍以圍繞反應(yīng)管2的方式設(shè)置有例如由電阻發(fā)熱體構(gòu)成的升溫用加熱器16。利用該升溫用加熱器16將反應(yīng)管2 的內(nèi)部加熱至規(guī)定的溫度，于是，半導(dǎo)體晶片W就被加熱至規(guī)定的溫 度。在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面連接有處理氣體導(dǎo)入管17和氣體供 給部20。處理氣體導(dǎo)入管17與反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)壁連接，將氣體供 給部20供給的處理氣體導(dǎo)入反應(yīng)管2內(nèi)。處理氣體導(dǎo)入管17的噴嘴(吹出口)由耐熱以及耐腐蝕性好的材料(例如石英)制成。另外， 雖然在圖1中只畫有一個處理氣體導(dǎo)入管17，但在本實(shí)施方式中，按 照每種處理氣體的種類設(shè)置有多個處理氣體導(dǎo)入管17。就導(dǎo)入反應(yīng)管2內(nèi)的處理氣體而言，有用于除去(洗滌)附著在 熱處理裝置1內(nèi)部的附著物(反應(yīng)生成物等)的洗滌氣體。另外，在 本實(shí)施方式中，用于在半導(dǎo)體晶片W上形成薄膜的成膜用氣體也包含 在向反應(yīng)管2內(nèi)供給的處理氣體中。本發(fā)明的洗滌氣體由包含氟和氫的氣體構(gòu)成。在本實(shí)施方式中， 洗滌氣體由氟、氫和作為保護(hù)氣體的氮的混合氣體構(gòu)成。所謂保護(hù)氣 體，如后所述，是覆蓋在氫的周圍，防止(保護(hù))氟和氫在噴嘴附近 反應(yīng)的氣體。就本發(fā)明的成膜用氣體而言，該氣體是能夠形成薄膜的氣體，并 且是利用洗滌氣體能夠?qū)⒁蛐纬杀∧ざ街诜磻?yīng)管2的內(nèi)壁等上的 附著物除去的氣體。就成膜用氣體而言，使用二氯硅烷(DCS:SiH2Cl2) 和氨(NH3)或六氯二硅垸(HCD:Si2Cl6)和氨(NH3)等，能夠利用 該成膜氣體在半導(dǎo)體晶片W上形成氮化硅膜。本實(shí)施方式的成膜用氣 體由二氯硅烷和氨的混合氣體構(gòu)成。因此，如圖2所示，在反應(yīng)管2中插通有導(dǎo)入二氯硅烷的二氯硅 烷導(dǎo)入管17a，導(dǎo)入氨的氨導(dǎo)入管17b，導(dǎo)入氟的氟導(dǎo)入管17c和導(dǎo)入 氫的氫導(dǎo)入管17d四根處理氣體導(dǎo)入管17。在圖2中對氣體供給部20的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表示。如圖2所示，在二氯 硅烷導(dǎo)入管17a，氨導(dǎo)入管17b和氟導(dǎo)入管17c上設(shè)置有作為流量控制 部的質(zhì)量流量控制器(MFC) 21 (21a 21c)和氣體供給源22 (22a 22c)。 MFC21將在處理氣體導(dǎo)入管17a 17c中流動的氣體流量控制為規(guī)定量。氣體供給源22設(shè)在處理氣體導(dǎo)入管17a 17c的端部，容納 向反應(yīng)管2 (處理氣體導(dǎo)入管17a 17c)供給的處理氣體(二氯硅烷、 氨、氟)。因此，從氣體供給源22供給的處理氣體通過MFC21被導(dǎo)入 反應(yīng)管2內(nèi)。并且，在本實(shí)施方式中，在處理氣體導(dǎo)入管17c中容納 有利用氮稀釋過的20%的氟。氫導(dǎo)入管17d具有二層管結(jié)構(gòu)。在圖3中對氫導(dǎo)入管17d的截面 形狀進(jìn)行表示。如圖3所示，氫導(dǎo)入管17d包含內(nèi)管171、外管172、 和連接內(nèi)管171與外管172并保持內(nèi)管171的連接部173。連接部173 保持內(nèi)管171，使從內(nèi)管171供給的氣體在被從外管172供給的氣體覆 蓋的狀態(tài)下供給到反應(yīng)管2內(nèi)。即，連接部173被形成在在氫導(dǎo)入管 17d的吹出口以外的地方，使它能夠連接內(nèi)管171和外管172并保持內(nèi) 管171。如果在吹出口形成連接部173，從后述的外部流路175供給的 氣體就會被遮斷。連接部173也可以只被形成在氫導(dǎo)入管17d的端部 附近，或者，也可以在氫導(dǎo)入管17d的每個規(guī)定間隔上形成。在本實(shí) 施方式中，形成連接部173，使其在在氫導(dǎo)入管17d的端部附近的三個 地方保持內(nèi)管171，同時能夠在各部件的中心形成空孔173a。因?yàn)楸?形成為上述結(jié)構(gòu)，所以在氫導(dǎo)入管17d中就形成了內(nèi)部流路174和外 部流路175。另外，二氯硅垸導(dǎo)入管17a，氨導(dǎo)入管17b和氟導(dǎo)入管17c 是單管狀(一層管)，能將規(guī)定的處理氣體向其內(nèi)部供給。氫導(dǎo)入管17d的內(nèi)管171通過MFC21d連接在作為氫氣供給源的 氣體供給源22d上。氫導(dǎo)入管17d的外管172上連接有連接管23。連 接管23通過MFC21e連接在作為保護(hù)氣體供給源的氣體供給源22e上。 保護(hù)氣體為與氟不發(fā)生反應(yīng)，并對洗滌沒有不利影響的氣體，在本實(shí) 施方式中使用氮。因此，將氫由氫導(dǎo)入管17d的內(nèi)部流路174供給， 氮由外部流路175供給。如圖4所示，當(dāng)從上述構(gòu)成的氫導(dǎo)入管17d向反應(yīng)管2內(nèi)供給氫 和氮時，從內(nèi)部流路174供給的氫(H2)在其周圍被從外部流路175 供給的氮(N2)覆蓋的狀態(tài)下，被供給到反應(yīng)管2內(nèi)。因此，即使在 氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近存在從氟導(dǎo)入管17c供給的氟，氫和氟也不 反應(yīng)。因此，氫導(dǎo)入管17d的噴嘴或反應(yīng)管2的內(nèi)壁那樣的噴嘴附近 的部件就不受損害，能夠安定地進(jìn)1于熱處理裝置1的洗滌。在此，氫導(dǎo)入管17d的形狀既能夠形成為，在氫導(dǎo)入管17d的噴 嘴附近從內(nèi)部流路174供給的氫被從外部流路175供給的氮覆蓋的狀 態(tài)，也能夠根據(jù)氫和氮的流量以及氟導(dǎo)入管17c的位置等形成為任意 的形狀。內(nèi)部流路174和外部流路175的截面積被選擇為在氫導(dǎo)入管17d 的噴嘴附近使氮覆蓋氫，同時能夠在適當(dāng)?shù)牡胤?例如氫導(dǎo)入管17d 的噴嘴和旋轉(zhuǎn)支柱12的中間附近)使氫露的范圍即可。 一般而言，如 果與外部流路175的截面積比較小時，從外部流路175供給的氮就難 以覆蓋氫，如果與外部流路175的截面積比較大時，就難以在適當(dāng)?shù)?地方使氫露出，因此，內(nèi)部流路174和外部流路175的截面積比優(yōu)選為l: 2 1: 4，進(jìn)一步優(yōu)選為l: 3附近。另外，如圖1所示，在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面上插通有吹掃 氣體供給管18。在吹掃氣體供給管18上連接有未圖示的吹掃氣體供給 源，將所希望量的吹掃氣體(例如氮)向反應(yīng)管2內(nèi)供給。另外，熱處理裝置1具有對裝置的各個部分進(jìn)行控制的控制部 100。在圖5中表示控制部100的結(jié)構(gòu)。如圖5所示，在控制部100上 連接有操作面板121，溫度傳感器(群)122，壓力計(jì)(群)123，加熱 器控制器124， MFC控制部125，閥控制部126，真空泵127，晶舟升 降機(jī)128等。操作面板121具有顯示畫面和操作按鈕，將操作者的操作指示傳 給控制部100并在顯示畫面上對從控制部100發(fā)出的各種信息進(jìn)行顯 示。溫度傳感器(群)122對反應(yīng)管2內(nèi)，排氣管5內(nèi)以及處理氣體導(dǎo) 入管17內(nèi)等各部分的溫度進(jìn)行測定，并將測定值通知控制部100。壓力計(jì)(群)123對反應(yīng)管2內(nèi)，排氣管5內(nèi)以及處理氣體導(dǎo)入管 17內(nèi)等各部分的壓力進(jìn)行測定，并將測定值通知控制部100。加熱器控制器124是用于對加熱器8和升溫用加熱器16個別地進(jìn) 行控制的裝置，響應(yīng)從控制部100發(fā)出的指示，給這些加熱器通電并 將它們加熱，另外，個別地測定這些加熱器的消耗電力，然后通知控 制部100。MFC控制部125對設(shè)在處理氣體導(dǎo)入管17上的MFC21a 21e，以及設(shè)在吹掃氣體供給管20上的未圖示的MFC進(jìn)行控制，使在這些 MFC中流動的氣體的流量成為控制部100指示的量，同時對實(shí)際上流 動的氣體的流量進(jìn)行測定，然后通知控制部100。閥控制部126將配置在各管上的閥的開口度控制為控制部100指 示的值。真空泵127與排氣管5連接，對反應(yīng)管2內(nèi)的氣體進(jìn)行排氣。晶舟升降機(jī)128通過使蓋體6上升，將載置在旋轉(zhuǎn)臺IO上的晶舟 11 (半導(dǎo)體晶片W)裝入反應(yīng)管2內(nèi)，并且通過使蓋6下降，將載置 在旋轉(zhuǎn)臺10上的晶舟11 (半導(dǎo)體晶片W)從反應(yīng)管2內(nèi)卸載?？刂撇?00具有處理方案存儲部111、 ROM112、 RAM113、 I/O端 口 114、 CPU115以及將這些部分互相連接的總線116。在處理方案存儲部111中存儲有裝配(setup)用處理方案和多個 處理(process)用處理方案。在熱處理裝置1的制造最初，只存儲裝 配用處理方案。裝配用處理方案在生成與各熱處理裝置相應(yīng)的熱模型 等時被執(zhí)行。處理用處理方案是為使用者每次實(shí)際進(jìn)行熱處理而準(zhǔn)備 的處理方案，例如，它對從將半導(dǎo)體晶片W裝入反應(yīng)管2到卸載處理 完畢的晶片W之間的各部分的溫度變化，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力變化，以 及處理氣體的供給開始和停止的時間與供給量等進(jìn)行規(guī)定。ROM112由EEPROM、閃存、硬盤等構(gòu)成，是存儲CPU115的動 作程序等的存儲介質(zhì)。RAM113作為CPU115的工作區(qū)起作用。1/0端口 114與操作面板121，溫度傳感器122，壓力計(jì)123，加熱 器控制器124， MFC控制部125，閥控制部126，真空泵127，晶舟升 降機(jī)128等連接，對數(shù)據(jù)或信號的輸入輸出進(jìn)行控制。CPU (Central Processing Unit:中央處理器)115是控制部100的 中樞部件，執(zhí)行存儲在ROM112中的控制程序，根據(jù)來自操作面板121 的指示，按照存儲在處理方案存儲部111中的處理方案(處理用處理 方案)，對熱處理裝置1的動作進(jìn)行控制。即，利用CPU115進(jìn)行控制， 使溫度傳感器(群)122、壓力計(jì)(群)123、 MFC控制部125等測定 反應(yīng)管2內(nèi)、處理氣體導(dǎo)入管17內(nèi)和排氣管5內(nèi)的各部分的溫度、壓 力、流量等，根據(jù)該測定數(shù)據(jù)，將控制信號等輸出到加熱器控制器124， MFC控制部125,閥控制部126，真空泵127等，并使前述各部遵循處 理用處理方案。總線116在各部分之間傳遞信息。接著，利用以上結(jié)構(gòu)的熱處理裝置1 (具有本發(fā)明的氣體供給裝置 的薄膜形成裝置)，對本發(fā)明的氣體供給方法，薄膜形成裝置的洗滌方 法和薄膜形成方法進(jìn)行說明。在圖6中對用于說明本實(shí)施方式的薄膜 形成方法的處理方案加以表示。在本實(shí)施方式中，以向半導(dǎo)體晶片W供給DCS (SiH2Cl2)和氨(NH3)，在半導(dǎo)體晶片W上形成規(guī)定厚度的氮化硅膜后，除去附著在 熱處理裝置l內(nèi)部的附著物(氮化硅)的情況為例對本發(fā)明加以說明。 并且，在以下的說明中，構(gòu)成熱處理裝置1的各部分的動作由控制部 100 (CPU115)控制。另外，如前述那樣，通過控制部100 (CPU115) 對加熱器控制器124 (加熱器8，升溫用加熱器16)， MFC控制部125(MFC21等)，閥控制部126，真空泵127等進(jìn)行控制，各處理的反應(yīng) 管2內(nèi)的溫度、壓力、氣體流量等就成為遵循了圖6所示的處理方案 的條件。首先，如圖6 (a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度(例如 35(TC)。另外，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi) 供給規(guī)定量吹掃氣體(氮)，將容納有作為形成氮化硅膜的被處理體的 半導(dǎo)體晶片W的晶舟11載置在蓋體6上。然后，利用晶舟升降機(jī)128 使蓋體6上升，將半導(dǎo)體晶片W (晶舟ll)裝載在反應(yīng)管2內(nèi)(裝載 工序)。接著，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給 規(guī)定量的氮，同時，例如如圖6(a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定 溫度(例如8(TC)。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，如圖6 (b)所示， 將反應(yīng)管2減壓至規(guī)定壓力(例如40Pa (0.3Torr))。然后進(jìn)行反應(yīng)管 2的溫度和壓力操作，直到反應(yīng)管2在規(guī)定壓力溫度下安定為止(安定 化工序)。當(dāng)反應(yīng)管2內(nèi)在規(guī)定的壓力和溫度下安定時，停止從吹掃氣 體供給管18供給氮。接著,從處理氣體導(dǎo)入管17(二氯硅垸導(dǎo)入管17a和氨導(dǎo)入管17b) 向反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入成膜用氣體。在本實(shí)施方式中，如圖6 (d)所示， 控制MFC21b，使它供給2升/分的氨，同時如圖6 (e)所示，控制 MFC21a，使它供給0.2升/分的DCS。導(dǎo)入到反應(yīng)管2內(nèi)的成膜用氣體在反應(yīng)管2內(nèi)被加熱，在半導(dǎo)體晶片W的表面上形成氮化硅膜(成膜 工序)。當(dāng)在半導(dǎo)體晶片W的表面上形成規(guī)定厚度的氮化硅膜時，停止從 二氯硅垸導(dǎo)入管17a和氨導(dǎo)入管17b導(dǎo)入成膜用氣體。然后，在排出 反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的同時，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18供 給規(guī)定量的氮，將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出至排氣管5 (吹掃工序)。為 了可靠地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選多次反復(fù)進(jìn)行反應(yīng)管2內(nèi)的氣 體的排出和氮?dú)獾墓┙o。接著，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給 規(guī)定量的氮，如圖6 (b)所示，使反應(yīng)管2內(nèi)的壓力回復(fù)至常壓。另 夕卜，如圖6 (a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定溫度(例如35(TC)。 然后，通過利用晶舟升降機(jī)128使蓋體6下降，從反應(yīng)管2內(nèi)卸載半 導(dǎo)體晶片W (晶舟ll)(卸載工序)。于是，成膜處理結(jié)束。例如，如果多次進(jìn)行上述的成膜處理，由成膜處理生成的氮化硅 就會不僅堆積(附著)在半導(dǎo)體晶片W的表面上，而且還會堆積(附 著)在反應(yīng)管2的內(nèi)壁等上。因此，在進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的成膜處理后， 就進(jìn)行洗滌處理(本發(fā)明的薄膜形成裝置的洗滌方法)。首先，如圖6(a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定溫度(例如350'C)。 另外，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定 量的氮，將沒有容納半導(dǎo)體晶片W的空的晶舟11載置在蓋體6上。 利用晶舟升降機(jī)128使蓋體6上升，將半導(dǎo)體晶片W (晶舟ll)裝入 反應(yīng)管2內(nèi)(裝載工序)。接著，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給 規(guī)定量的氮，同時，如圖6 (a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定溫度 (例如35(TC)。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，如圖6 (b)所示，將 反應(yīng)管2減壓至規(guī)定壓力(例如53200Pa (400Torr))。然后，進(jìn)行反 應(yīng)管2的溫度和壓力操作，直到反應(yīng)管2在規(guī)定壓力溫度下安定為止 (安定化工序)。當(dāng)反應(yīng)管2內(nèi)在規(guī)定的壓力和溫度下安定時，停止從 吹掃氣體供給管18供給氮。接著，從處理氣體導(dǎo)入管17 (氟導(dǎo)入管17c和氫導(dǎo)入管17d)向 反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入洗滌氣體。在本實(shí)施方式中，如圖6 (f)所示，控制MFC21c，從氟導(dǎo)入管17c供給10升/分的氟(F2)。并且，在本實(shí)施方 式中，使用由氮稀釋的20%的氟作為氟，氟的流量就成為2升/分。另 夕卜，如圖6(g)所示，控制MFC21d，從氫導(dǎo)入管17d的內(nèi)部流路174 供給0.75升/分的氫(H2)，同時，如圖6 (h)所示，控制MFC21e， 從氫導(dǎo)入管17d的外部流路175供給5升/分的作為稀釋氣體的氮(N2)。 這樣，由于從氫導(dǎo)入管17d的內(nèi)部流路174供給氫，從外部流路 175供給氮，所以從內(nèi)部流路174供給的氫在從外部流路175供給的氮 (N2)覆蓋其周圍的狀態(tài)下，被供給到反應(yīng)管2內(nèi)。因此，在氫導(dǎo)入 管17d的噴嘴附近，氫和氟不反應(yīng)。所以，氫導(dǎo)入管17d的噴嘴或反 應(yīng)管2的內(nèi)壁那樣的噴嘴附近的部件不受損害，能夠安定地進(jìn)行熱處 理裝置1的洗滌。在此，從內(nèi)部流路174供給的氫的流量優(yōu)選為0.25升/分 0.75升 /分。當(dāng)比0.25升/分少時，氮化硅就難以蝕刻。另外，當(dāng)比0.75升/分 多時，就不能成為被從外部流路175供給的氮覆蓋其周圍的狀態(tài)，在 氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近氫和氟可能發(fā)生反應(yīng)。從外部流路175供給的氮的流量優(yōu)選為1升/分 5升/分。當(dāng)比1 升/分少時，從外部流路175供給的氮不能覆蓋從氫導(dǎo)入管導(dǎo)入的氫的 周圍，在氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近氫和氟可能發(fā)生反應(yīng)。當(dāng)比5升/分 多時，難以在適當(dāng)?shù)牡胤绞箽渎冻?。從外部流?75供給的氮的流量 進(jìn)一步優(yōu)選為2升/分 3升/分。供給到反應(yīng)管2內(nèi)的洗滌氣體在反應(yīng)管2內(nèi)被加熱，洗滌氣體中 的氟會變活性化?；钚曰蟮姆c附著在熱處理裝置1內(nèi)部的附著物 (氮化硅)接觸，氮化硅就被蝕刻。于是，附著在熱處理裝置1內(nèi)部 的附著物就被除去(洗滌工序)。附著在熱處理裝置1內(nèi)部的附著物一旦被除去，就停止從氟導(dǎo)入 管17c和氫導(dǎo)入管17d供給洗滌氣體。然后，如圖6 (c)所示，在排 出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的同時，從吹掃氣體供給管18供給規(guī)定量的氮， 將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出至排氣管5 (吹掃工序)。并且，為了可靠地 排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選多次反復(fù)進(jìn)行反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排出 和氮?dú)獾墓┙o。接著，如圖6 (c)所示，從吹掃氣體供給管18將規(guī)定量的氮供給到反應(yīng)管2內(nèi)，如圖6 (b)所示，使反應(yīng)管2內(nèi)的壓力回復(fù)至常壓。 最后，通過利用晶舟升降機(jī)128使蓋體6下降，進(jìn)行卸載(拆卸工序)。 于是，洗滌處理結(jié)束。對在洗滌處理結(jié)束后氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近的部件的損害(劣 化)是否得到了抑制進(jìn)行確認(rèn)。具體而言，如圖7所示，在反應(yīng)管2 的氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近(Pl)，氟導(dǎo)入管17c的噴嘴附近(P2)和 處理氣體導(dǎo)入管17的相反側(cè)(P3)上配置石英片，在前述實(shí)施方式的 條件下，測定石英的蝕刻速度。另外，為了比較，如歷來那樣，將氫 導(dǎo)入管17d選擇為與二氯硅烷導(dǎo)入管17a等同樣的一層管，在將氫和 氮的混合氣體向其內(nèi)部供給的情況下(比較例)，同樣地求出其蝕刻速 度。結(jié)果表示在圖8中。如圖8所示，能夠確認(rèn)到通過將氫導(dǎo)入管17d選擇為二層管結(jié) 構(gòu)，從其內(nèi)部流路174供給氫，從外部流路175供給氮，與先前的單 層結(jié)構(gòu)比較，能夠大幅減輕氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近的損害。因此， 采用本發(fā)明能夠安定地進(jìn)行熱處理裝置1的洗漆。另外，為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，求得了在前述實(shí)施方式的條件下 的、洗滌氣體對氮化硅(SiN)和石英的蝕刻速度與其選擇比。另外， 為了比較，同樣，將氫導(dǎo)入管17d選擇為一層管，在將氫和氮的混合 氣體向其內(nèi)部供給的情況下(比較例)，求得其蝕刻速度和選擇比。在 圖9中表示蝕刻速度的結(jié)果，在圖10中表示選擇比的結(jié)果。如圖9和圖10所示，能夠確認(rèn)到通過將氫導(dǎo)入管17d制作成二 層管結(jié)構(gòu)，從其內(nèi)部流路174供給氫，從其外部流路175供給氮，與 先前的單層結(jié)構(gòu)比較，具有對氮化硅的蝕刻速度為比4倍稍小，選擇 比為比2.5倍大的優(yōu)良特性。這樣，在本實(shí)施方式中，能夠確認(rèn)到在 抑制氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近的部件劣化的同時還能夠提高蝕刻速度 和選擇比。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過在從外部流路175供給的氮覆 蓋從內(nèi)部流路174供給的氫的周圍的狀態(tài)下向供給反應(yīng)管2內(nèi)供給氫， 能夠抑制氫導(dǎo)入管17d的噴嘴附近的部件的劣化。并且，根據(jù)本實(shí)施 方式，能夠提高蝕刻速度和選擇比。并且，本發(fā)明不限于前述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形和應(yīng)用。以下，對能夠適用本發(fā)明的其它實(shí)施方式加以說明。，前述實(shí)施方式中，雖然以氫導(dǎo)入管17d具有內(nèi)管171和以容納 內(nèi)管:71的方式形成的外管172的情況為例對本發(fā)明作了說明，但氫 導(dǎo)入管17d也可以是具有內(nèi)部流路174和以覆蓋內(nèi)部流路174的方式 形成的外部流路175的形態(tài)，不受限于本實(shí)施方式的形狀。在上述實(shí)施方式中，雖然以使用氮作為保護(hù)氣體的情況為例對本 發(fā)明作了說明，但保護(hù)氣體只要是不與氟反應(yīng)，且對洗滌沒有不利影 響的氣體即可，例如也可以使用氦(He),氖(Ne)，氬(Ar)，氤(Xe)。在前述實(shí)施方式中，雖然利用以由氮稀釋過的20%氟作為氟的情 況為例對本發(fā)明作了說明，但是氟也可以不用氮等稀釋。在前述實(shí)施方式中，雖然以氣體供給部20與反應(yīng)管2連接的情況 為例對本發(fā)明作了說明，但是例如如圖11所示，氣體供給部20也可 以與熱處理裝置1的排氣管5連接。在這種情況下，氣體供給部20由 供給洗滌氣體(氟和氫)的管路構(gòu)成。成膜用氣體只要是能夠利用包含氟和氫的洗滌氣體除去因成膜而 附著在反應(yīng)管2的內(nèi)壁等上的附著物，且能夠形成薄膜的氣體即可， 例如也可以是六氯二硅垸(HCD)和氨的混合氣體。另外，在本發(fā)明 中，在被處理體上形成的薄膜不限于氮化硅膜。在上述實(shí)施方式中，雖然以將單管結(jié)構(gòu)的分批式熱處理裝置作為 熱處理裝置的情況為例對本發(fā)明作了說明，但是例如在反應(yīng)管2由內(nèi) 管和外管構(gòu)成的二層管結(jié)構(gòu)的分批式熱處理裝置中也能夠使用本發(fā) 明。另外，在單片式的熱處理裝置中也能夠使用本發(fā)明。本發(fā)明的實(shí)施方式的控制部100不用專用的系統(tǒng)，使用通常的計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)也能夠?qū)崿F(xiàn)。例如，通過從存儲有用于執(zhí)行上述處理的程序 的存儲介質(zhì)(軟盤，CD-ROM等)將該程序安裝在通用計(jì)算機(jī)中，能 夠構(gòu)成執(zhí)行上述處理的控制部100。并且，用于供給這些程序的裝置是任意的。除了能夠通過上述規(guī) 定的記錄介質(zhì)供給外，例如也可以通過通信線路、通信網(wǎng)絡(luò)、通信系 統(tǒng)等供給。在這種情況下，也可在通信網(wǎng)絡(luò)的公告板(BBS)上公布 該程序，通過網(wǎng)絡(luò)將該程序重疊在載波中提供。然后，起動這樣提供 的程序，在OS (操作系統(tǒng))控制下，通過與其他應(yīng)用程序同樣地加以執(zhí)行，就能夠進(jìn)行上述處理<
權(quán)利要求
1.一種氣體供給裝置，該裝置為了除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管內(nèi)供給包含氟和氫的洗滌氣體，其特征在于，具有向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給單元；和向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給單元，所述氫供給單元具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于 所述氫供給單元具有內(nèi)管和以容納該內(nèi)管的方式形成的外管，分別由所述內(nèi)管和所述外管形成所述內(nèi)部流路和所述外部流路。
3. 如權(quán)利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于 所述氫供給單元從所述內(nèi)部流路供給0.25升/分 0.75升/分的氫，同時，從所述外部流路供給1升/分 5升/分的氮。
4. 如權(quán)利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于所述內(nèi)部流路和外部流路的截面積比為1 : 2 1 : 4。
5. 如權(quán)利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于 所述保護(hù)氣體是氮。
6. —種薄膜形成裝置，其特征在于，具有容納被處理體，被供給成膜用氣體并在被處理體上形成薄膜的反應(yīng)室；與反應(yīng)室連接的排氣管；和向所述反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給裝置，該氣體供給裝置具有向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給單元；和 向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給單元， 所述氫供給單元具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的 外部流路，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部流路供給與通過 所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在其周圍被保護(hù)氣 體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
7. —種氣體供給方法，其為了除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室 連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的反應(yīng) 室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體，其特征在于，包括從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求7所述的氣體供給方法，其特征在于 在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給0.25升/分 0.75升/分的氫，同時從所述外部流路供給1升/分 5升/分的氮。
9. 如權(quán)利要求7所述的氣體供給方法，其特征在于 使用氮作為所述保護(hù)氣體。
10. —種薄膜形成裝置的洗滌方法，其為包括為了除去附著在具 有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向 薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供 給方法，并且除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物的薄膜形成裝置的洗滌方法，其特征在于 所述氣體供給方法包括-從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，.向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
11. 一種薄膜形成方法，其特征在于，包括向具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置的反應(yīng)室 內(nèi)供給成膜用氣體，并在被處理體上形成薄膜的薄膜形成工序；和采用為除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，而向薄膜形成裝 置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法的洗 滌工序，所述洗滌工序的氣體供給方法包括從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
12. —種計(jì)算機(jī)程序，用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行氣體供給方法，其特征 在于所述氣體供給方法是為了除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接 的排氣管的薄膜形成裝置的內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法，其包括從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
13. —種存儲介質(zhì)，容納有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行氣體供給方法的計(jì) 算機(jī)程序，其特征在于所述氣體供給方法是為了除去附著在具有反應(yīng)室和與反應(yīng)室連接 的排氣管的薄膜形成裝置的內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置的反應(yīng)室 或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法，其包括從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
14. 一種計(jì)算機(jī)程序，用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行薄膜形成裝置的洗滌方 法，其特征在于該薄膜形成裝置的洗滌方法是包括為除去附著在具有反應(yīng)室和與 反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置 的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法，并且 除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物的薄膜形成裝置的洗滌方法， 所述氣體供給方法包括-從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
15. —種存儲介質(zhì)，容納有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行薄膜形成裝置的洗 滌方法的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于該薄膜形成裝置的洗滌方法是包括為除去附著在具有反應(yīng)室和與 反應(yīng)室連接的排氣管的薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物，向薄膜形成裝置 的反應(yīng)室或排氣管供給包含氟和氫的洗滌氣體的氣體供給方法，并且 除去附著在薄膜形成裝置內(nèi)部的附著物的薄膜形成裝置的洗滌方法， 所述氣體供給方法包括從供給所述氟的氟供給部向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氟 的氟供給工序；和從具有內(nèi)部流路和以覆蓋該內(nèi)部流路的方式形成的外部流路并供 給氫的氫供給部，向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)供給氫的氫供給工 序，在所述氫供給工序中，從所述內(nèi)部流路供給氫，同時從所述外部 流路供給與通過所述氟供給單元供給的氟不反應(yīng)的保護(hù)氣體，將氫在 其周圍被保護(hù)氣體覆蓋的狀態(tài)下供向所述反應(yīng)室內(nèi)或所述排氣管內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜形成裝置(1)。該薄膜形成裝置(1)具有反應(yīng)室(2)和與反應(yīng)室(2)連接的排氣管(5)，為了向反應(yīng)室(2)或排氣管(5)供給包含氟和氫的洗滌氣體，使氟導(dǎo)入管(17c)和氫導(dǎo)入管(17d)連接在反應(yīng)室(2)上。其中，氫導(dǎo)入管(17d)具有內(nèi)部流路(174)和以覆蓋內(nèi)部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。從內(nèi)部流路(174)供給氫，從外部流路(175)供給氮。因此，將從內(nèi)部流路(174)供給的氫在其周圍被氮覆蓋的狀態(tài)下，從氫導(dǎo)入管(17d)供給。
文檔編號C30B25/14GK101220505SQ20071015246
公開日2008年7月16日 申請日期2007年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日
發(fā)明者中尾賢, 岡田充弘, 岡部庸之, 加藤壽, 本間學(xué), 羽石朋來 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社