專利名稱：布線電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線電路基板及其制造方法，更具體涉及柔性布線電路基板及帶電路的懸掛基板等布線電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在柔性布線電路基板及帶電路的懸掛基板等布線電路基板例如具備由聚酰亞胺樹脂等形成的基底絕緣層，形成于該基底絕緣層上的由銅箔等構(gòu)成的導(dǎo)體層，以及形成于基底絕緣層上的、被覆該導(dǎo)體層的由聚酰亞胺樹脂等構(gòu)成的被覆絕緣層。該布線電路基板在各種電器及電子設(shè)備領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
為了防止所安裝的電子零部件的靜電破壞，提出了在該布線電路基板的被覆層上形成導(dǎo)電聚合物層，利用該導(dǎo)電聚合物層除去靜電帶電(例如參照日本專利特開2004-158480號(hào)公報(bào))的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容
但是，僅利用上述日本專利特開2004-158480號(hào)公報(bào)所記載的形成于被覆層上的導(dǎo)電聚合物層不能夠充分除去靜電帶電，無法切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。
本發(fā)明的目的是提供能夠有效地除去靜電帶電、切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞的布線電路基板及其制造方法。
本發(fā)明的布線電路基板的特征在于，具備金屬支承基板、形成于前述金屬支承基板上的基底絕緣層、形成于前述基底絕緣層上的導(dǎo)體布圖、形成于前述導(dǎo)體布圖上的第1半導(dǎo)電性層、形成于前述第1半導(dǎo)電性層上的被覆絕緣層及形成于前述被覆絕緣層上的第2半導(dǎo)電性層，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板電連接。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述導(dǎo)體布圖包含通過將前述被覆絕緣層開口而露出的端子部，前述第2半導(dǎo)電性層的至少一端與前述端子部電連接，至少另一端與前述金屬支承基板電連接。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層互相接觸。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第1半導(dǎo)電性層的表面電阻值為105～1013Ω/□。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為105～1013Ω/□。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層都由氧化金屬形成。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為104～1012Ω/□。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第1半導(dǎo)電性層由氧化金屬形成，前述第2半導(dǎo)電性層由導(dǎo)電性聚合物形成。
此外，本發(fā)明的布線電路基板的制造方法的特征在于，具備準(zhǔn)備金屬支承基板，在前述金屬支承基板上形成基底絕緣層并在前述基底絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序；在前述導(dǎo)體布圖的表面及從前述導(dǎo)體布圖露出的前述基底絕緣層的表面形成第1半導(dǎo)電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序；在前述第1半導(dǎo)電性層上形成被覆絕緣層的工序；除去從前述被覆絕緣層露出的前述第1半導(dǎo)電性層的工序；以及在前述被覆絕緣層的表面及從前述被覆絕緣層露出的前述基底絕緣層的表面形成第2半導(dǎo)電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板的制造方法中，在前述形成第1半導(dǎo)電性層的工序中，前述第1半導(dǎo)電性層由氧化金屬形成，在前述形成第2半導(dǎo)電性層的工序中，前述第2半導(dǎo)電性層由導(dǎo)電性聚合物形成。
本發(fā)明的布線電路基板具備形成于導(dǎo)體布圖上的第1半導(dǎo)電性層和形成于被覆絕緣層上的第2半導(dǎo)電性層，該第1半導(dǎo)電性層和第2半導(dǎo)電性層與金屬支承基板電連接。因此，利用第1半導(dǎo)電性層和第2半導(dǎo)電性層，能夠有效地除去導(dǎo)體布圖及被覆絕緣層所帶的靜電，可切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。
此外，本發(fā)明的布線電路基板的制造方法具備在導(dǎo)體布圖的表面及從導(dǎo)體布圖露出的基底絕緣層的表面形成第1半導(dǎo)電性層，使其與金屬支承基板電連接的工序；以及在被覆絕緣層的表面及從被覆絕緣層露出的基底絕緣層的表面形成第2半導(dǎo)電性層，使其與金屬支承基板電連接的工序。因此，由該制造方法獲得的布線電路基板利用第1半導(dǎo)電性層和第2半導(dǎo)電性層，能夠有效地除去導(dǎo)體布圖、基底絕緣層及被覆絕緣層所帶的靜電，可切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。


圖1為表示本發(fā)明的布線電路基板的實(shí)施方式之一的帶電路的懸掛基板的平面示意圖。
圖2為圖1所示的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖。
圖3為圖1所示的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)邊方向的部分截面圖。
圖4為表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的寬度方向的截面圖，(a)為準(zhǔn)備金屬支承基板的工序，(b)為在金屬支承基板上形成基底絕緣層的工序，(c)為在基底絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序，(d)為在導(dǎo)體布圖、基底絕緣層和金屬支承基板的整個(gè)表面連續(xù)地形成第1半導(dǎo)電性層的工序。
圖5接續(xù)圖4，為表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的寬度方向的截面圖，(e)為在第1半導(dǎo)電性層上形成被覆絕緣層的工序，(f)為除去從被覆絕緣層露出的第1半導(dǎo)電性層的工序，(g)為在被覆絕緣層的表面及從被覆絕緣層露出的基底絕緣層的表面形成第2半導(dǎo)電性層的工序。
具體實(shí)施例方式
圖1為表示本發(fā)明的布線電路基板的實(shí)施方式之一的帶電路的懸掛基板的平面示意圖，圖2為圖1所示的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，圖3為圖1所示的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)邊方向的部分截面圖。圖1中，為了明確地表示導(dǎo)體布圖4與金屬支承基板2的相對(duì)位置，省略了后述的基底絕緣層3、第1半導(dǎo)電性層5、被覆絕緣層6及第2半導(dǎo)電性層7。
圖1中，該帶電路的懸掛基板1被搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器，用于連接磁頭和讀寫基板(外部)的導(dǎo)體布圖4一體形成于金屬支承基板2，磁頭(未圖示)被安裝于金屬支承基板上，該金屬支承基板2在支承該磁頭的同時(shí)，使該磁頭克服與磁盤之間相對(duì)移動(dòng)時(shí)的空氣流，與磁盤之間保持微小間隔。
導(dǎo)體布圖4連續(xù)一體地具備磁頭側(cè)連接端子部8A、外部側(cè)連接端子部8B和用于連接磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B的配線9。
配線9沿金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向設(shè)置多條，在寬度方向相互隔開間隔并列配置。
磁頭側(cè)連接端子部8A被配置于金屬支承基板2的前端部，作為寬幅連接盤并列設(shè)置多個(gè)，分別連接各配線9的前端部。該磁頭側(cè)連接端子部8A上連接磁頭的端子部(未圖示)。
外部側(cè)連接端子部8B被配置于金屬支承基板2的后端部，作為寬幅連接盤并列設(shè)置多個(gè)，分別連接各配線9的后端部。該外部側(cè)連接端子部8B上連接讀寫基板的端子部(未圖示)。
此外，在金屬支承基板2的前端部設(shè)置有用于安裝磁頭的萬(wàn)向接頭10。萬(wàn)向接頭10以在長(zhǎng)邊方向夾著磁頭側(cè)連接端子部8A的形態(tài)，通過切削金屬支承基板2而形成。
如圖2及圖3所示，該帶電路的懸掛基板1具備金屬支承基板2、形成于金屬支承基板2上的基底絕緣層3、形成于基底絕緣層3上的導(dǎo)體布圖4、形成于導(dǎo)體布圖4上的第1半導(dǎo)電性層5、形成于第1半導(dǎo)電性層5上的被覆絕緣層6和形成于被覆絕緣層6上的第2半導(dǎo)電性層7。
金屬支承基板2由對(duì)應(yīng)于上述帶電路的懸掛基板1的外形形狀的沿長(zhǎng)邊方向延展的平板狀的薄板形成。
金屬支承基板2的長(zhǎng)度(長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度)及寬度(寬度方向長(zhǎng)度)可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇。
基底絕緣層3在金屬支承基板2上作為對(duì)應(yīng)于形成導(dǎo)體布圖4的部分的布圖形成。更具體如圖2所示，基底絕緣層3以在寬度方向上金屬支承基板2的寬度方向的一個(gè)端部11和金屬支承基板2的寬度方向的另一端部12露出的形態(tài)形成于金屬支承基板2的寬度方向之中。此外，如圖3所示，基底絕緣層3以在長(zhǎng)邊方向上金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部23和金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的另一端部28露出的形態(tài)形成于金屬支承基板2的長(zhǎng)度方向之中。
基底絕緣層3的長(zhǎng)度和寬度可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇以形成上述形狀。
導(dǎo)體布圖4作為布線電路圖形成在基底絕緣層3上，該布線電路圖一體具備上述相互隔開間隔并列配置的多條配線9、分別被連接于各配線9的前端部和后端部的磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B。以下，在不需要特別區(qū)分的情況下，將磁頭側(cè)連接端子部8A和外部側(cè)連接端子部8B統(tǒng)稱為端子部8進(jìn)行說明。
各配線9的寬度例如為10～100μm，較好為15～50μm，各配線9間的間隔例如為10～100μm，較好為15～50μm。
此外，各端子部8的寬度例如為50～1000μm，較好為80～500μm，各端子部8間的間隔例如為50～1000μm，較好為80～500μm。
第1半導(dǎo)電性層5形成于被被覆絕緣層6覆蓋的金屬支承基板2及基底絕緣層3上被覆導(dǎo)體布圖4。即，第1半導(dǎo)電性層5介于金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體布圖4和被覆絕緣層6之間形成。
如圖2所示，第1半導(dǎo)電性層5以在寬度方向上基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13及金屬支承基板2的寬度方向的另一端部12的端緣露出的形態(tài)形成。此外，如圖3所示，第1半導(dǎo)電性層5以在長(zhǎng)邊方向上基底絕緣層3的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部22及金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的另一端部28露出的形態(tài)形成。另外，第1半導(dǎo)電性層5以端子部8露出的形態(tài)形成。
更具體來講，如圖2及圖3所示，第1半導(dǎo)電性層5在導(dǎo)體布圖4的上表面及側(cè)面、從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的上表面(除去基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13及長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部22的上表面)及側(cè)面(除去基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13及長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部22的側(cè)面)和從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面(除去金屬支承基板2的寬度方向的一個(gè)端部11及長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部23的上表面)，沿寬度方向及長(zhǎng)邊方向連續(xù)地形成。
籍此，第1半導(dǎo)電性層5在其厚度方向下側(cè)，與金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體布圖4接觸而電連接。此外，第1半導(dǎo)電性層5在其厚度方向上側(cè)，與被覆絕緣層6接觸而電連接。
被覆絕緣層6形成于第1半導(dǎo)電性層5之上，更具體地從平面視圖來看，被設(shè)置于與第1半導(dǎo)電性層5相同的位置。
即，被覆絕緣層6在形成于導(dǎo)體布圖4的上表面及側(cè)面的第1半導(dǎo)電性層5的上表面及側(cè)面，形成于從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的上表面的第1半導(dǎo)電性層5的上表面，形成于從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的側(cè)面(基底絕緣層3的寬度方向的另一端部14的側(cè)面及基底絕緣層3的長(zhǎng)邊方向的另一端部27的側(cè)面)的第1半導(dǎo)電性層5的側(cè)面，以及形成于從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面的第1半導(dǎo)電性層5的上表面，沿寬度方向及長(zhǎng)邊方向連續(xù)地形成。
此外，如圖3所示，在被覆絕緣層6通過平面視圖中的與端子部8對(duì)應(yīng)的位置被開口而形成開口部17，使端子部8從該開口部17露出。
被覆絕緣層6的長(zhǎng)度和寬度可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇以形成上述形狀。
如圖2及圖3所示，第2半導(dǎo)電性層7形成于被覆絕緣層6的表面及從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面。即，如圖2所示，第2半導(dǎo)電性層7以在寬度方向上金屬支承基板2的寬度方向的一個(gè)端部11露出、且被覆金屬支承基板2的寬度方向的另一端部12的上表面的形態(tài)形成。此外，如圖3所示，第2半導(dǎo)電性層7以在長(zhǎng)邊方向上金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部23及金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的另一端部28露出的形態(tài)形成。
更具體來講，第2半導(dǎo)電性層7在被覆絕緣層6的上表面及側(cè)面(寬度方向的一個(gè)端部15的側(cè)面、寬度方向的另一端部16的側(cè)面、長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部31的側(cè)面及長(zhǎng)邊方向的另一端部32的側(cè)面)、從第1半導(dǎo)電性層5露出的基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13及長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部的22的上表面及側(cè)面，沿寬度方向及長(zhǎng)邊方向連續(xù)地形成。
此外，第2半導(dǎo)電性層7以端子部8露出的形態(tài)形成。更具體來講，第2半導(dǎo)電性層7在端子部8的開口部17中形成于被覆絕緣層6的內(nèi)側(cè)面，形成于該被覆絕緣層6的內(nèi)側(cè)面的第2半導(dǎo)電性層7的下端部(后述的第5下端部26)被層積于端子部8的周緣的上表面。
籍此，第2半導(dǎo)電性層7如圖2所示，在寬度方向上，金屬支承基板2的寬度方向的一個(gè)端部11的上表面處的作為另一端的第1下端部24及金屬支承基板2的寬度方向的另一端部12的上表面處的作為另一端的第2下端部25與金屬支承基板2接觸而電連接。此外，第2半導(dǎo)電性層7如圖3所示，在長(zhǎng)邊方向上，金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部23的上表面處的作為另一端的第3下端部29及金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的另一端部28的上表面處的作為另一端的第4下端部30與金屬支承基板2接觸而電連接。另外，第2半導(dǎo)電性層7中，端子部8的周緣的上表面處的作為一端的第5下端部26與端子部8接觸而電連接。
此外，第2半導(dǎo)電性層7如圖2所示，在寬度方向上，形成于基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13的上表面的第2半導(dǎo)電性層7和形成于被覆絕緣層6的寬度方向的一個(gè)端部15的側(cè)面的第2半導(dǎo)電性層7的第1連接部分33與第1半導(dǎo)電性層5的寬度方向的一個(gè)端部18接觸而電連接。此外，第2半導(dǎo)電性層7如圖3所示，在長(zhǎng)邊方向上，形成于基底絕緣層3的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部22的上表面的第2半導(dǎo)電性層7和形成于被覆絕緣層6的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部31的側(cè)面的第2半導(dǎo)電性層7的第2連接部分34與第1半導(dǎo)電性層5的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部36接觸而電連接。
即，該第2半導(dǎo)電性層7與金屬支承基板2、基底絕緣層3、導(dǎo)體布圖4的端子部8、第1半導(dǎo)電性層5及被覆絕緣層6接觸而電連接。
此外，在該帶電路的懸掛基板1中，在端子部8的上表面(除去被第2半導(dǎo)電性層7的第5下端部26層積的上表面)形成有未圖示的金屬鍍層。
圖4及圖5是表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的寬度方向的截面圖。
以下，參照?qǐng)D4及圖5對(duì)該帶電路的懸掛基板的制造方法進(jìn)行說明。
首先，該方法如圖4(a)所示，準(zhǔn)備金屬支承基板2。
作為金屬支承基板2，例如可使用不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹、磷青銅等的金屬箔。優(yōu)選使用不銹鋼箔。金屬支承基板2的厚度例如為10～50μm，較好為15～30μm。
接著，該方法如圖4(b)所示，在金屬支承基板2上以與形成導(dǎo)體布圖4的部分對(duì)應(yīng)的上述布圖形成基底絕緣層3。
基底絕緣層3例如由聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等樹脂形成。從耐熱性的角度來看，較好是由聚酰亞胺樹脂形成。
以布圖形成基底絕緣層3時(shí)，沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如，將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在金屬支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成基底膜。接著，將基底膜介以光掩模曝光后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，再通過顯影形成布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
以上形成的基底絕緣層3的厚度例如為1～35μm，較好為8～15μm。
接著，該方法如圖4(c)所示，在基底絕緣層3的上表面形成作為布線電路圖的導(dǎo)體布圖4，該布線電路圖一體具備上述端子部8和配線9。
導(dǎo)體布圖4例如由銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等導(dǎo)體形成，較好是由銅形成。此外，形成導(dǎo)體布圖4時(shí)，通過例如減成法(subtractive method)、加成法(additive method)等公知的布圖形成法，較好是加成法，在基底絕緣層3的上表面形成作為布線電路圖的導(dǎo)體布圖4。
減成法中，首先在基底絕緣層3的上表面根據(jù)需要通過粘接劑層層積導(dǎo)體層。接著，在該導(dǎo)體層上形成與布線電路圖相同的布圖的抗蝕膜，以該抗蝕膜為保護(hù)膜對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，然后除去抗蝕膜。
加成法中，首先在基底絕緣層3的整個(gè)表面(上表面和側(cè)面)形成導(dǎo)體薄膜。導(dǎo)體薄膜采用濺射，較好是通過濺射鉻和濺射銅層積鉻薄膜和銅薄膜。
接著，在該導(dǎo)體薄膜的上表面形成與布線電路圖相反的布圖的抗鍍膜后，通過電鍍?cè)趶目瑰兡ぢ冻龅膶?dǎo)體薄膜的上表面形成作為布線電路圖的導(dǎo)體布圖4，然后將抗鍍膜和層積有抗鍍膜的部分的導(dǎo)體薄膜除去。
以上形成的導(dǎo)體布圖4的厚度例如為3～20μm，較好是5～20μm。
然后，該方法如圖4(d)所示，在導(dǎo)體布圖4的表面、從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的表面及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面，連續(xù)地形成第1半導(dǎo)電性層5。
作為形成第1半導(dǎo)電性層5的半導(dǎo)電性材料，可采用金屬或樹脂。較好的是采用金屬。
金屬例如可采用氧化金屬等，作為氧化金屬，例如可采用氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鈦、氧化鋯、氧化銦、氧化鋁、氧化鋅等金屬氧化物。較好的是采用氧化鉻。
對(duì)于由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5無特別限定，例如可采用以金屬為靶進(jìn)行濺射后根據(jù)需要通過加熱而氧化的方法，反應(yīng)性濺射法及以氧化金屬為靶進(jìn)行濺射的方法等。
以金屬為靶進(jìn)行濺射后根據(jù)需要通過加熱而氧化的方法中，例如利用以鉻等金屬為靶、導(dǎo)入作為導(dǎo)入氣體的氬等惰性氣體的濺射法進(jìn)行濺射后，根據(jù)需要通過采用加熱爐等在大氣中于50～400℃、加熱1分鐘～12小時(shí)而實(shí)施氧化，由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5。
反應(yīng)性濺射法中，例如在濺射裝置中以鉻等金屬為靶，導(dǎo)入作為導(dǎo)入氣體的含氧反應(yīng)性氣體，通過濺射由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5。
以氧化金屬為靶的濺射法中，例如在濺射裝置中以氧化鉻等氧化金屬為靶，作為導(dǎo)入氣體導(dǎo)入氬等惰性氣體，通過濺射由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5。
由上述金屬(氧化金屬等)形成的第1半導(dǎo)電性層5例如可以按照日本專利特開2004-335700號(hào)公報(bào)的記載形成。
作為樹脂，例如可采用分散有導(dǎo)電性粒子的半導(dǎo)電性樹脂組合物等。
半導(dǎo)電性樹脂組合物例如含有酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體、導(dǎo)電性粒子及溶劑。
作為酰亞胺樹脂，可采用公知的酰亞胺樹脂，例如，聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺等。
作為酰亞胺樹脂前體，例如可采用日本專利特開2004-35825號(hào)公報(bào)記載的酰亞胺樹脂前體，例如可采用聚酰胺酸樹脂。
作為導(dǎo)電性粒子，例如可采用導(dǎo)電性聚合物粒子、碳粒子、金屬粒子、氧化金屬粒子等。
作為導(dǎo)電性聚合物粒子，例如可采用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等的粒子或它們的衍生物的粒子。較好的是采用聚苯胺粒子。此外，導(dǎo)電性聚合物粒子通過利用摻雜劑(doping agent)的摻雜(doping)被賦予導(dǎo)電性。
作為摻雜劑，例如可采用對(duì)甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、聚苯乙烯磺酸、對(duì)甲苯磺酸酚醛清漆樹脂、對(duì)苯酚磺酸酚醛清漆樹脂、β-萘磺酸福爾馬林縮合物等。
摻雜可以是預(yù)先在分散(溶解)導(dǎo)電性聚合物粒子的溶劑中摻入；也可以是在形成第1半導(dǎo)電性層5后，將形成了第1半導(dǎo)電性層5的制造過程中的帶電路的懸掛基板1浸在摻雜劑的溶液中。
作為碳粒子，例如可采用炭黑粒子、碳納纖維等。
作為金屬粒子，例如可采用鉻、鎳、銅、鈦、鋯、銦、鋁、鋅等的粒子。
作為氧化金屬粒子，例如可采用氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鈦、氧化鋯、氧化銦、氧化鋁、氧化鋅等的粒子或它們的復(fù)合氧化物的粒子，具體可采用氧化銦和氧化錫的復(fù)合氧化物的粒子(ITO粒子)、氧化錫和氧化磷的復(fù)合氧化物的粒子(PTO粒子)等粒子。
這些導(dǎo)電性粒子可單獨(dú)使用或2種以上并用，優(yōu)選ITO粒子。
導(dǎo)電性粒子的平均粒徑例如為10nm～1μm，較好為10nm～400nm，更好為10nm～100nm。另外，導(dǎo)電性粒子為碳納纖維時(shí)，例如其直徑為100～200nm，其長(zhǎng)度為5～20μm。平均粒徑(直徑)如果小于上述值，則有時(shí)很難進(jìn)行平均粒徑(直徑)的調(diào)整，如果大于上述值，則有時(shí)不利于涂布。
溶劑只要能夠分散(溶解)酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體及導(dǎo)電性粒子即可，無特別限定，例如可采用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜等非質(zhì)子性極性溶劑。這些溶劑可單獨(dú)使用或2種以上并用。
通過摻合上述酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體、導(dǎo)電性粒子及溶劑可調(diào)制半導(dǎo)電性樹脂組合物。
相對(duì)于100重量份酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體，導(dǎo)電性粒子的配比例如為1～300重量份，優(yōu)選5～100重量份。導(dǎo)電性粒子的配比如果少于上述值，則有時(shí)導(dǎo)電性不夠。如果多于上述值，則有時(shí)會(huì)有損酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體的良好的膜特性。
溶劑的摻入量以使酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體及導(dǎo)電性粒子的總量相對(duì)于半導(dǎo)電性樹脂組合物例如達(dá)到1～40重量％(固形成分濃度)、優(yōu)選5～30重量％(固形成分濃度)為宜。固形成分濃度不管小于或大于上述值，都可能會(huì)使目的膜厚變得難以控制。
通過例如輥涂法、凹印涂敷法、旋涂法、棒涂法等公知的涂布方法，將以上調(diào)制的半導(dǎo)電性樹脂組合物均一地涂布于導(dǎo)體布圖4的表面、從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的表面及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面的整個(gè)表面。然后，例如于60～250℃、優(yōu)選80～200℃，加熱干燥例如1～30分鐘，優(yōu)選3～15分鐘。
半導(dǎo)電性樹脂組合物含有酰亞胺樹脂前體時(shí)，干燥后例如在減壓下于250℃以上對(duì)該酰亞胺樹脂前體加熱，可使其固化(酰亞胺化)。
籍此，可在導(dǎo)體布圖4的表面、從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3的表面及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面，連續(xù)地形成第1半導(dǎo)電性層5。
以上形成的第1半導(dǎo)電性層5的厚度例如為1～40nm，優(yōu)選3～20nm。
該第1半導(dǎo)電性層5的表面電阻值例如設(shè)定在105～1013Ω/□，較好為105～1011Ω/□，更好為106～109Ω/□的范圍內(nèi)。第1半導(dǎo)電性層5的表面電阻值如果小于上述值，則有時(shí)會(huì)引發(fā)所安裝的電子零部件的誤操作。第1半導(dǎo)電性層5的表面電阻值如果小于上述值，則有時(shí)無法防止靜電破壞。
接著該方法如圖5(e)所示，在第1半導(dǎo)電性層5上以上述布圖形成被覆絕緣層6。
作為形成被覆絕緣層6的絕緣體，可采用與基底絕緣層3同樣的絕緣體，優(yōu)選采用感光性合成樹脂，更好的是采用感光性聚酰亞胺。
在第1半導(dǎo)電性層5上以上述布圖形成被覆絕緣層6時(shí)，首先，按照與上述同樣的方法，在第1半導(dǎo)電性層5的整個(gè)表面均一地涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆。然后，與上述同樣地干燥所涂布的清漆，形成被覆膜。
然后，按照與上述同樣的方法，介以光掩模將被覆膜曝光后，根據(jù)需要以規(guī)定溫度加熱，再按照與上述同樣的方法，通過顯影除去未形成被覆絕緣層6的部分。接著，在減壓下于250℃以上對(duì)被覆膜進(jìn)行加熱，籍此使其固化(酰亞胺化)，形成被覆絕緣層6。
這樣，可在第1半導(dǎo)電性層5上以上述布圖形成被覆絕緣層6。
以上形成的被覆絕緣層6的厚度例如為1～40μm，優(yōu)選3～5μm。
然后，該方法如圖(f)所示，除去從被覆絕緣層6露出的第1半導(dǎo)電性層5。
從被覆絕緣層6露出的第1半導(dǎo)電性層5例如通過蝕刻被除去。
從被覆絕緣層6露出的第1半導(dǎo)電性層5的除去例如通過采用氫氧化鉀水溶液等堿性水溶液作為蝕刻液的浸漬法或噴霧法，以被覆絕緣層6為抗蝕膜進(jìn)行濕式蝕刻。
籍此，能夠在平面視圖中與被覆絕緣層6相同的位置形成第1半導(dǎo)電性層5。被被覆絕緣層6覆蓋而未被除去的第1半導(dǎo)電性層5與金屬支承基板2接觸而電連接。
然后，該方法如圖5(g)所示，在被覆絕緣層6的表面及從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面，以上述布圖形成第2半導(dǎo)電性層7。
作為形成第2半導(dǎo)電性層7的半導(dǎo)電性材料，除了上述金屬及樹脂(半導(dǎo)電性樹脂組合物)以外，例如可采用由導(dǎo)電性聚合物形成的樹脂。優(yōu)選使用金屬、導(dǎo)電性聚合物。
作為導(dǎo)電性聚合物，例如可使用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩或它們的衍生物等。優(yōu)選采用聚苯胺。這些導(dǎo)電性聚合物可單獨(dú)使用1種或2種以上并用。
由導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7時(shí)，可采用例如將帶電路的懸掛基板1浸漬于導(dǎo)電性聚合物的聚合液進(jìn)行聚合使聚合物析出的方法，或者將導(dǎo)電性聚合物的溶液涂布于帶電路的懸掛基板1再使溶劑干燥的方法等。
通過將帶電路的懸掛基板1浸漬于導(dǎo)電性聚合物的聚合液進(jìn)行聚合使聚合物析出的方法中，例如首先將圖5(f)所示的制造過程中的帶電路的懸掛基板1浸漬于導(dǎo)電性聚合物的聚合液，同時(shí)在該聚合液中摻入聚合引發(fā)劑。
例如通過摻合用于聚合形成導(dǎo)電性聚合物的單體及溶劑，可調(diào)制出導(dǎo)電性聚合物的聚合液。
作為單體，例如可采用苯胺、吡咯、噻吩等，優(yōu)選使用苯胺。這些單體可單獨(dú)使用或2種以上并用。
作為溶劑，例如可采用水、酸性水溶液等，優(yōu)選使用酸性水溶液。作為形成酸性水溶液的酸性成分，例如可采用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等無機(jī)酸，甲酸、乙酸、草酸等有機(jī)酸等。這些溶劑可單獨(dú)使用1種或2種以上并用。
作為聚合引發(fā)劑，例如可采用2，2’-偶氮二異丁腈、2，2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2，2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二鹽酸鹽等偶氮類引發(fā)劑，過硫酸鉀(過二硫酸鉀)、過硫酸銨(過二硫酸銨)等過硫酸鹽類引發(fā)劑，過氧化苯甲酰、過氧化叔丁基、過氧化氫等過氧化物類引發(fā)劑，苯基取代的乙烷等取代乙烷類引發(fā)劑，芳香族羰基化合物等羰基類引發(fā)劑，過硫酸鹽和亞硫酸氫鈉的組合、過氧化物和抗壞血酸鈉的組合等氧化還原類引發(fā)劑等。這些聚合引發(fā)劑可單獨(dú)使用1種或2種以上并用。
將聚合引發(fā)劑摻入導(dǎo)電性聚合物的聚合液時(shí)，還可根據(jù)需要調(diào)制聚合引發(fā)劑溶于溶劑的聚合引發(fā)劑溶液，再摻入該聚合引發(fā)劑溶液。被用于聚合引發(fā)劑溶液的調(diào)制的溶劑可采用與被用于聚合液的調(diào)制同樣的溶劑。
導(dǎo)電性聚合物的聚合液中，單體濃度例如為0.005～0.5mol/L，較好為0.01～0.1mol/L，溶劑為酸性水溶液時(shí)的酸性成分濃度例如為0.002～0.1mol/L，較好為0.005～0.05mol/L。此外，摻入了聚合引發(fā)劑(或聚合引發(fā)劑溶液)時(shí)的聚合液中，聚合引發(fā)劑的濃度例如為0.002～0.2mol/L，較好為0.005～0.1mol/L。
將上述帶電路的懸掛基板1浸漬于導(dǎo)電性聚合物的聚合液，摻入聚合引發(fā)劑后，將帶電路的懸掛基板1在導(dǎo)電性聚合物的聚合液中浸漬例如5～180分鐘，較好為10～100分鐘。該浸漬中，導(dǎo)電性聚合物的聚合液的浸漬溫度例如被設(shè)定為1～40℃，較好的是被設(shè)定為5～25℃。
籍此，在被覆絕緣層6的表面及從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面聚合析出導(dǎo)電性聚合物，由該導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7。該第2半導(dǎo)電性層7與金屬支承基板2接觸而電連接。
然后，對(duì)形成有第2半導(dǎo)電性層7的制造過程中的帶電路的懸掛基板1進(jìn)行水洗。
接著，該方法的工序是第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物根據(jù)需要通過摻雜被賦予導(dǎo)電性。
對(duì)第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物進(jìn)行摻雜是將上述形成有第2半導(dǎo)電性層7的帶電路的懸掛基板1浸漬于溶有摻雜劑的溶液(摻雜劑溶液)。
摻雜劑采用與上述同樣的試劑。用于溶解摻雜劑的溶劑例如可采用水、甲醇等。
在摻雜劑溶液的調(diào)制中摻入溶劑使摻雜劑的濃度達(dá)到例如5～100重量％，優(yōu)選10～50重量％。
形成有第2半導(dǎo)電性層7的帶電路的懸掛基板1在摻雜劑溶液中的浸漬時(shí)間例如被設(shè)定為30秒～30分鐘，較好的是被設(shè)定為1～10分鐘。此外，摻雜劑溶液的浸漬溫度例如被設(shè)定為10～70℃，較好的是被設(shè)定為20～60℃。
通過上述第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物的摻雜，賦予導(dǎo)電性聚合物以導(dǎo)電性。
然后，該方法的工序是對(duì)形成有摻雜了導(dǎo)電性聚合物的第2半導(dǎo)電性層7的制造過程中的帶電路的懸掛基板1進(jìn)行水洗。
上述由導(dǎo)電性聚合物形成的第2半導(dǎo)電性層7也可以按照例如日本專利特開平5-331431號(hào)公報(bào)、日本專利特開平9-207259號(hào)公報(bào)、日本專利特開2003-124581號(hào)公報(bào)、日本專利特開2003-203436號(hào)公報(bào)、日本專利特開2003-204130號(hào)公報(bào)、日本專利特開2004-158480號(hào)公報(bào)的記載等形成。
此外，在帶電路的懸掛基板1上涂布導(dǎo)電性聚合物的溶液使溶劑干燥的方法例如首先調(diào)制導(dǎo)電性聚合物的溶液。
調(diào)制導(dǎo)電性聚合物的溶液時(shí)，例如在單體溶液中摻入聚合引發(fā)劑溶液使單體聚合，獲得導(dǎo)電性聚合物。然后，將所得的導(dǎo)電性聚合物溶于溶劑，籍此調(diào)制導(dǎo)電性聚合物的溶液。
單體溶液例如通過摻合單體和溶劑而調(diào)制。另外，單體可采用與上述同樣的單體。作為溶劑可采用與上述導(dǎo)電性聚合物的聚合液的調(diào)制所用的溶劑同樣的溶劑。聚合引發(fā)劑溶液可采用與上述同樣的溶液。
單體溶液的單體濃度例如為0.001～1mol/L，較好為0.01～0.1mol/L，溶劑為酸性水溶液時(shí)的酸性成分的濃度例如為0.001～1mol/L，較好為0.01～0.1mol/L。摻入了聚合引發(fā)劑時(shí)的單體溶液中的聚合引發(fā)劑的濃度例如為0.001～1mol/L，較好為0.01～0.1mol/L。
通過上述單體的聚合獲得導(dǎo)電性聚合物，例如通過過濾所得粉末并進(jìn)行充分地洗滌，可獲得導(dǎo)電性聚合物的粉末。
作為調(diào)制導(dǎo)電性聚合物的溶液的溶劑，只要可溶解導(dǎo)電性聚合物即可，無特別限定，例如可采用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜、1，3-二甲基-2-咪唑烷二酮、環(huán)丁砜等非質(zhì)子性極性溶劑。
導(dǎo)電性聚合物的溶液的調(diào)制中，摻入溶劑使導(dǎo)電性聚合物的濃度達(dá)到例如10～200g/L，更好的是達(dá)到50～150g/L。
然后，例如通過澆鑄法等公知的涂布方法，將調(diào)制的導(dǎo)電性聚合物的溶液涂布于圖5(f)所示的制造過程中的帶電路的懸掛基板1，然后例如在50～150℃、優(yōu)選60～120℃加熱例如1分鐘～2小時(shí)，使溶劑干燥。
籍此，在被覆絕緣層6的表面及從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面析出導(dǎo)電性聚合物，由該導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7。該第2半導(dǎo)電性層7與金屬支承基板2接觸而電連接。
接著，對(duì)形成有第2半導(dǎo)電性層7的制造過程中的帶電路的懸掛基板1進(jìn)行水洗。
然后，該方法的工序是第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物根據(jù)需要通過摻雜被賦予導(dǎo)電性。對(duì)第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物進(jìn)行摻雜可采用與上述同樣的方法。
接著，該方法的工序是對(duì)形成有摻雜了導(dǎo)電性聚合物的第2半導(dǎo)電性層7的制造過程中的帶電路的懸掛基板1進(jìn)行水洗。
以上由導(dǎo)電性聚合物形成的第2半導(dǎo)電性層7還可以按照例如日本專利特開2002-275261號(hào)公報(bào)的記載等形成。
第2半導(dǎo)電性層7由金屬或樹脂(半導(dǎo)電性樹脂組合物)形成時(shí)可采用與上述第1半導(dǎo)電性層5的形成同樣的方法。
例如，由金屬或半導(dǎo)電性樹脂組合物形成第2半導(dǎo)電性層7時(shí)，首先按照與上述第1半導(dǎo)電性層5同樣的方法，在被覆絕緣層6、第1半導(dǎo)電性層5、基底絕緣層3和金屬支承基板2的整個(gè)表面形成第2半導(dǎo)電性層7。
然后，在形成于上述各層的整個(gè)面的第2半導(dǎo)電性層7上以與上述布圖的第2半導(dǎo)電性層7同樣的布圖形成抗蝕膜。接著，對(duì)從該抗蝕膜露出的第2半導(dǎo)電性層7進(jìn)行蝕刻。然后，除去抗蝕膜形成上述布圖的第2半導(dǎo)電性層7。
籍此，能夠在被覆絕緣層6的表面及從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面以上述布圖形成由金屬或半導(dǎo)電性樹脂組合物構(gòu)成的第2半導(dǎo)電性層7。該第2半導(dǎo)電性層7與金屬支承基板2接觸而電連接。
以上形成的第2半導(dǎo)電性層7的厚度例如為1～40nm，優(yōu)選3～20nm。
此外，第2半導(dǎo)電性層7由導(dǎo)電性聚合物形成時(shí)，該第2半導(dǎo)電性層7的表面電阻值例如被設(shè)定為104～1012Ω/□，較好為105～1011Ω/□，更好為106～1010Ω/□的范圍。此外，第2半導(dǎo)電性層7由金屬或半導(dǎo)電性樹脂組合物形成時(shí)，第2半導(dǎo)電性層7的表面電阻值例如被設(shè)定為105～1013Ω/□，較好為105～1011Ω/□，更好為106～109Ω/□的范圍。第2半導(dǎo)電性層7的表面電阻值如果小于上述值，則有時(shí)會(huì)出現(xiàn)所安裝的電子零部件的誤操作。第2半導(dǎo)電性層7的表面電阻值如果大于上述值，則有時(shí)無法防止靜電破壞。
然后，該方法的工序是在端子部8的上表面根據(jù)需要形成未圖示的金屬鍍層，再如圖1所示，通過化學(xué)蝕刻切削金屬支承基板2，形成萬(wàn)向接頭10，同時(shí)通過外形加工，獲得帶電路的懸掛基板1。
該帶電路的懸掛基板1具備在導(dǎo)體布圖4上形成的第1半導(dǎo)電性層5和在被覆絕緣層6上形成的第2半導(dǎo)電性層7，該第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7與金屬支承基板2接觸而電連接。而且，第1半導(dǎo)電性層5以介于金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體布圖4和被覆絕緣層6之間的形態(tài)形成，第2半導(dǎo)電性層7也形成于從被覆絕緣層6露出的基底絕緣層3的表面。因此，通過第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7，使導(dǎo)體布圖4、基底絕緣層3和被覆絕緣層6所帶的靜電向金屬支承基板2轉(zhuǎn)移(接地)，可有效地除去所帶靜電，從而切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。
另外，該帶電路的懸掛基板1中的導(dǎo)體布圖4包含被覆絕緣層6被開口而露出的端子部8，第2半導(dǎo)電性層7的第5下端部26與端子部8接觸而電連接，其第1下端部24、第2下端部25、第3下端部29及第4下端部30與金屬支承基板2接觸而電連接。因此，可使端子部8所帶的靜電通過第2半導(dǎo)電性層7向金屬支承基板2轉(zhuǎn)移(接地)，將其有效地除去，能夠切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。
該帶電路的懸掛基板1中，第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7互相接觸。即，在寬度方向的一側(cè)，第2半導(dǎo)電性層7的第1連接部分33與第1半導(dǎo)電性層5的寬度方向的一個(gè)端部18接觸，在長(zhǎng)邊方向的一側(cè)，第2半導(dǎo)電性層7的第2連接部分34與第1半導(dǎo)電性層5的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部36接觸。因此，通過該接觸能夠使靜電的轉(zhuǎn)移(接地)的有效性提高，從而更有效地除去靜電。
上述說明中，第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7由互不相同的半導(dǎo)電性材料形成，例如，第1半導(dǎo)電性層5由金屬形成，第2半導(dǎo)電性層7由樹脂形成。也可以相反，即，第1半導(dǎo)電性層5由樹脂形成，第2半導(dǎo)電性層7由金屬形成。此外，第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7也可以由同類的半導(dǎo)電性材料形成，即，第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7都由金屬或都由樹脂形成。
較好的是第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7都由氧化金屬形成，更好的是都由氧化鉻形成。
更具體來講，第1半導(dǎo)電性層5和第2半導(dǎo)電性層7都由氧化金屬形成時(shí)，無需摻雜等導(dǎo)電處理及水洗等洗滌處理，因此能夠簡(jiǎn)單地形成第1半導(dǎo)電性層5及第2半導(dǎo)電性層7。因此，能夠容易地實(shí)施帶電路的懸掛基板1的制造工序。
較好的是由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5，且由導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7。更好的是由氧化鉻形成第1半導(dǎo)電性層5，且由聚苯胺形成第2半導(dǎo)電性層7。
更具體來講，由氧化金屬形成第1半導(dǎo)電性層5，且由導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7時(shí)，由于第1半導(dǎo)電性層5被被覆絕緣層6覆蓋，所以能夠切實(shí)地在基底絕緣層3表面形成第1半導(dǎo)電性層5。此外，由于第2半導(dǎo)電性層7的導(dǎo)電性聚合物和被覆絕緣層6(樹脂)的密合力高，所以能夠在被覆絕緣層6的表面切實(shí)地形成第2半導(dǎo)電性層7。另外，由導(dǎo)電性聚合物形成第2半導(dǎo)電性層7時(shí)，無需蝕刻等除去處理，因此能夠簡(jiǎn)單地形成第2半導(dǎo)電性層7。所以能夠容易地實(shí)施帶電路的懸掛基板1的制造工序。
上述說明中，第1半導(dǎo)電性層5以與金屬支承基板2接觸的形態(tài)形成，但第1半導(dǎo)電性層5例如也能夠以不與金屬支承基板2直接接觸而是與金屬支承基板2電連接的形態(tài)形成。
更具體的情況未圖示，即，第1半導(dǎo)電性層5在寬度方向上未形成于金屬支承基板2的寬度方向的另一端部12的上表面及基底絕緣層3的寬度方向的另一端部14的側(cè)面，而是介以第2半導(dǎo)電性層7(第1連接部分33)與金屬支承基板2電連接。此外，第1半導(dǎo)電性層5在長(zhǎng)邊方向上未形成于金屬支承基板2的長(zhǎng)邊方向的另一端部28的上表面及基底絕緣層3的長(zhǎng)邊方向的另一端部27的側(cè)面，而是介以第2半導(dǎo)電性層7(第2連接部分34)與金屬支承基板2電連接。
上述說明中，第2半導(dǎo)電性層7以與金屬支承基板2接觸的形態(tài)形成，但第2半導(dǎo)電性層7例如也能夠以不與金屬支承基板2直接接觸而是與金屬支承基板2電連接的形態(tài)形成。
更具體的情況未圖示，即，第2半導(dǎo)電性層7在寬度方向上未形成于基底絕緣層3的寬度方向的一個(gè)端部13的側(cè)面和被覆絕緣層6的寬度方向的另一端部16的側(cè)面，而是介以第1半導(dǎo)電性層5(第1半導(dǎo)電性層5的寬度方向的一個(gè)端部18)與金屬支承基板2電連接。此外，第2半導(dǎo)電性層7在長(zhǎng)邊方向上未形成于基底絕緣層3的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部22的側(cè)面和被覆絕緣層6的長(zhǎng)邊方向的另一端部32的側(cè)面，而是介以第1半導(dǎo)電性層5(第1半導(dǎo)電性層5的長(zhǎng)邊方向的一個(gè)端部36)與金屬支承基板2電連接。
以下例示實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體地說明，但本發(fā)明并不限定于任何實(shí)施例。
實(shí)施例1(第1半導(dǎo)電性層和第2半導(dǎo)電性層都由氧化鉻形成的例子)準(zhǔn)備厚20μm的由不銹鋼箔形成的金屬支承基板(參照?qǐng)D4(a))。
然后，用旋涂器在該金屬支承基板的表面均一地涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，于90℃對(duì)涂布的清漆加熱15分鐘，籍此形成基底膜。接著，介以光掩模使該基底膜以700mJ/cm2曝光，再于190℃加熱10分鐘，用堿性顯影液顯影。然后，以壓力減至1.33Pa的減壓狀態(tài)下于385℃使其固化，在金屬支承基板上以與形成導(dǎo)體布圖的部分對(duì)應(yīng)的布圖由感光性聚酰亞胺形成基底絕緣層(參照?qǐng)D4(b))。該基底絕緣層的厚度為10μm。
接著，利用加成法，在基底絕緣層的上表面作為布線電路圖由銅箔形成厚10μm的導(dǎo)體布圖，該布線電路圖一體具備端子部和配線(參照?qǐng)D4(c))。
然后，在導(dǎo)體布圖的表面、從導(dǎo)體布圖露出的基底絕緣層的表面和從基底絕緣層露出的金屬支承基板的表面的整個(gè)面，以鉻為靶進(jìn)行濺射，連續(xù)地形成由鉻薄膜構(gòu)成的濺射膜作為第1半導(dǎo)電性層。
濺射按照以日本專利特開2004-335700號(hào)公報(bào)的記載為基準(zhǔn)的方法以下述條件實(shí)施。
靶Cr極限真空度1.33×10-3Pa導(dǎo)入氣體流量(氬氣)2.0×10-3m3/h工作壓力0.16Pa接地電極溫度20℃
電力DC180W濺射時(shí)間5秒濺射膜的厚度0.01μm然后，于125℃在大氣中加熱12小時(shí)，籍此氧化由鉻薄膜形成的濺射膜的表面，形成由氧化鉻構(gòu)成的第1半導(dǎo)電性層(參照?qǐng)D4(d))。第1半導(dǎo)電性層的厚度為0.005μm。
通過ESCA確認(rèn)由氧化鉻形成第1半導(dǎo)電性層。此外，采用表面電阻測(cè)定裝置(三菱化學(xué)(株)制，Hiresta-up MCP-HT450)，以25℃的溫度和15％的濕度測(cè)得該第1半導(dǎo)電性層的表面電阻值為3×108Ω/□。
然后，用旋涂器在第1半導(dǎo)電性層的整個(gè)表面均一地涂布上述感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，于90℃加熱10分鐘，形成厚7μm的被覆膜。接著，介以光掩模使該被覆膜以700mJ/cm2曝光，于180℃加熱10分鐘后用堿性顯影液顯影，形成被覆膜布圖。然后，以壓力減至1.33Pa的減壓狀態(tài)下于385℃使其固化，在第1半導(dǎo)電性層上以上述布圖由感光性聚酰亞胺形成被覆絕緣層(參照?qǐng)D5(e))。被覆絕緣層的厚度為5μm。
接著，以被覆絕緣層為抗蝕膜，通過使用了氫氧化鉀水溶液的濕式蝕刻除去從被覆絕緣層露出的第1半導(dǎo)電性層(參照?qǐng)D5(f))。
然后，按照與第1半導(dǎo)電性層的形成同樣的方法，在被覆絕緣層、第1半導(dǎo)電性層、基底絕緣層及金屬支承基板的整個(gè)表面連續(xù)地形成第2半導(dǎo)電性層，再于第2半導(dǎo)電性層上形成抗蝕膜，然后通過蝕刻除去從抗蝕膜露出的第2半導(dǎo)電性層，籍此形成上述布圖的第2半導(dǎo)電性層(參照?qǐng)D5(g))。第2半導(dǎo)電性層的厚度為0.005μm。
通過ESCA確認(rèn)由氧化鉻形成第2半導(dǎo)電性層。此外，采用表面電阻測(cè)定裝置(三菱化學(xué)(株)制，Hiresta-up MCP-HT450)，以25℃的溫度和15％的濕度測(cè)得該第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為2×108Ω/□。
然后，在端子部的表面形成金屬鍍層，再通過化學(xué)蝕刻進(jìn)行切削形成萬(wàn)向接頭，同時(shí)通過外形加工，獲得帶電路的懸掛基板(參照?qǐng)D1)。
實(shí)施例2(第1半導(dǎo)電性層由氧化鉻形成，第2半導(dǎo)電性層由聚吡咯形成的例子)除了由以吡咯為單體進(jìn)行聚合而獲得的聚吡咯形成第2半導(dǎo)電性層，以替代由氧化鉻形成第2半導(dǎo)電性層以外，其它與實(shí)施例1同樣操作，獲得帶電路的懸掛基板(參照?qǐng)D1)。第2半導(dǎo)電性層按照日本專利特開2004-158480號(hào)公報(bào)的實(shí)施例1的記載形成。
該第2半導(dǎo)電性層的厚度為0.01μm。
采用表面電阻測(cè)定裝置(三菱化學(xué)(株)制，Hiresta-up MCP-HT450)，以25℃的溫度和15％的濕度測(cè)得該第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為5×106Ω/□。
實(shí)施例3(第1半導(dǎo)電性層由氧化鉻形成，第2半導(dǎo)電性層由聚苯胺形成的例子)除了由聚苯胺形成第2半導(dǎo)電性層以替代由氧化鉻形成第2半導(dǎo)電性層以外，其它與實(shí)施例1同樣操作，獲得帶電路的懸掛基板(參照?qǐng)D1)。
涂布聚苯胺的NMP溶液，使NMP干燥，籍此形成第2半導(dǎo)電性層。
第2半導(dǎo)電性層的形成中，首先調(diào)制聚苯胺粉末。
聚苯胺粉末的調(diào)制中，在具備攪拌裝置、溫度計(jì)及直管接頭的10L容量的分離式燒瓶(separable flask)中裝入蒸餾水6000g、36％鹽酸360mL和苯胺400g(4.295摩爾)，攪拌，調(diào)制出苯胺的單體溶液。在對(duì)28％硫酸水溶液1927g(硫酸4.295摩爾)進(jìn)行冷卻的同時(shí)將其加入上述苯胺的單體溶液中，然后在進(jìn)行冷卻將苯胺的單體溶液的溫度保持為-3℃以下的同時(shí)，攪拌下慢慢地滴加30％聚合引發(fā)劑溶液3273g(過二硫酸銨4.295摩爾)。接著，在將反應(yīng)溶液的溫度保持為-3℃以下的狀態(tài)下再攪拌1小時(shí)，籍此使聚苯胺粉末析出。
然后，過濾聚苯胺粉末，水洗及用丙酮洗滌后，將其投入2N氨水4L中，用自動(dòng)均質(zhì)混合機(jī)以轉(zhuǎn)數(shù)5000rpm攪拌5小時(shí)。接著，過濾聚苯胺粉末，再充分水洗和用丙酮洗滌，籍此調(diào)制出聚苯胺粉末。
將所調(diào)制的聚苯胺粉末中的10g溶于90g的NMP，調(diào)制出聚苯胺的NMP溶液。
接著，通過澆鑄法將該聚苯胺的NMP溶液涂布于上述帶電路的懸掛基板。
然后，于80℃干燥1小時(shí)，由聚苯胺形成第2半導(dǎo)電性層。接著，于80℃將形成有第2半導(dǎo)電性層的帶電路的懸掛基板在20重量％對(duì)苯酚磺酸酚醛清漆樹脂水溶液中浸漬10分鐘，對(duì)第2半導(dǎo)電性層進(jìn)行摻雜處理。然后對(duì)其進(jìn)行水洗(參照?qǐng)D5(g))。
經(jīng)過上述摻雜處理的由聚苯胺形成的第2半導(dǎo)電性層的厚度為30nm。采用表面電阻測(cè)定裝置(三菱化學(xué)(株)制，Hiresta-up MCP-HT450)，以25℃的溫度和15％的濕度測(cè)得經(jīng)過摻雜處理的由聚苯胺形成的第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為1×107Ω/□。
(評(píng)價(jià))帶電衰減性利用毫微庫(kù)侖計(jì)(春日電機(jī)(株)制)評(píng)價(jià)實(shí)施例1～3獲得的帶電路的懸掛基板的帶電衰減性。
其結(jié)果是，被覆絕緣層衰減0.1nC(毫微庫(kù)侖)的電荷，實(shí)施例1～3的任一帶電路的懸掛基板的衰減時(shí)間都為0.10秒，其標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.01。
此外，基底絕緣層衰減0.1nC(毫微庫(kù)侖)的電荷，實(shí)施例1～3的任一帶電路的懸掛基板的衰減時(shí)間都為0.10秒，其標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.01。
可以確認(rèn)，實(shí)施例1～3的任一帶電路的懸掛基板均能夠有效地除去被覆絕緣層和基底絕緣層中的靜電帶電。
上述說明作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供，它們僅是示例，并不進(jìn)行限定性地解釋。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所進(jìn)行的本發(fā)明的明顯的變形例也包括在后述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.布線電路基板，其特征在于，具備金屬支承基板、形成于前述金屬支承基板上的基底絕緣層、形成于前述基底絕緣層上的導(dǎo)體布圖、形成于前述導(dǎo)體布圖上的第1半導(dǎo)電性層、形成于前述第1半導(dǎo)電性層上的被覆絕緣層及形成于前述被覆絕緣層上的第2半導(dǎo)電性層，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述導(dǎo)體布圖包含通過將前述被覆絕緣層開口而露出的端子部，前述第2半導(dǎo)電性層的至少一端與前述端子部電連接，至少另一端與前述金屬支承基板電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層互相接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導(dǎo)電性層的表面電阻值為105～1013Ω/□。
5.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為105～1013Ω/□。
6.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導(dǎo)電性層和前述第2半導(dǎo)電性層都由氧化金屬形成。
7.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第2半導(dǎo)電性層的表面電阻值為104～1012Ω/□。
8.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導(dǎo)電性層由氧化金屬形成，前述第2半導(dǎo)電性層由導(dǎo)電性聚合物形成。
9.布線電路基板的制造方法，其特征在于，具備準(zhǔn)備金屬支承基板，在前述金屬支承基板上形成基底絕緣層并在前述基底絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序；在前述導(dǎo)體布圖的表面及從前述導(dǎo)體布圖露出的前述基底絕緣層的表面形成第1半導(dǎo)電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序；在前述第1半導(dǎo)電性層上形成被覆絕緣層的工序；除去從前述被覆絕緣層露出的前述第1半導(dǎo)電性層的工序；以及在前述被覆絕緣層的表面及從前述被覆絕緣層露出的前述基底絕緣層的表面形成第2半導(dǎo)電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的布線電路基板的制造方法，其特征在于，在前述形成第1半導(dǎo)電性層的工序中，前述第1半導(dǎo)電性層由氧化金屬形成，在前述形成第2半導(dǎo)電性層的工序中，前述第2半導(dǎo)電性層由導(dǎo)電性聚合物形成。
全文摘要
布線電路基板具備金屬支承基板、形成于金屬支承基板上的基底絕緣層、形成于基底絕緣層上的導(dǎo)體布圖、形成于導(dǎo)體布圖上的第1半導(dǎo)電性層、形成于第1半導(dǎo)電性層上的被覆絕緣層及形成于被覆絕緣層上的第2半導(dǎo)電性層。第1半導(dǎo)電性層和第2半導(dǎo)電性層與金屬支承基板電連接。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101052269SQ20071009682
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月5日
發(fā)明者石井淳, 大藪恭也 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社