專利名稱：布線基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種布線基板的制造方法。
背景技術：
無電解電鍍法作為布線基板的制造方法而備受矚目。在無電解電鍍法中，由于可以通過將無電解電鍍液中的金屬離子發(fā)揮還原劑作用，使金屬析出，所以可以無需電流而使金屬析出到絕緣性基板上。尤其是近年來，隨著電子裝置的高密度化的不斷推進，需要通過無電解電鍍法形成微細的布線圖案。
但是，無電解電鍍反應是使金屬析出(沉積)在催化劑層上的反應，若該催化劑層的面積大到某種程度時，則該反應不會發(fā)生，所以使用無電解電鍍法形成微細布線圖案是非常困難的。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種布線基板的制造方法，該布線基板的制造方法可以使用無電解電鍍法形成微細的布線圖案。
本發(fā)明第一方面涉及的布線基板的制造方法是通過無電解電鍍，不使用電鍍抗蝕層而制造具有線狀的布線的布線基板的方法，其包括(a)在基板上形成多列線狀的催化劑層的步驟；以及(b)通過無電解電鍍使金屬析出到上述催化劑層上形成多列線狀的金屬層的步驟，其中，多列的上述線狀的催化劑層中的至少一列的線寬小于等于2μm，并且，上述基板上的該催化劑層的線寬合計大于等于10μm。
根據本發(fā)明的第一方面，即使是線寬小于等于2μm的微細布線，也可以形成均勻膜厚的金屬層，因此，可以提高布線基板的可靠性。
在本發(fā)明第一方面涉及的布線基板的制造方法中，上述基板上的該催化劑層的線寬合計可以大于等于20μm。
在本發(fā)明第一方面涉及的布線基板的制造方法中，多列的上述金屬層可以包括布線及虛擬布線兩者。
在本發(fā)明第一方面涉及的布線基板的制造方法中，上述虛擬布線可以形成于上述布線的兩側(兩個橫側)。
本發(fā)明第二方面涉及的布線基板的制造方法是通過無電解電鍍，不使用抗蝕層而制造布線基板的方法，其包括(a)在基板上的多個區(qū)域上形成催化劑層的步驟；以及(b)通過無電解電鍍使金屬析出到上述催化劑層上而在上述多個區(qū)域上形成金屬層的步驟，其中，在上述催化劑層中形成于至少一個區(qū)域上的催化劑層的面積小于等于4μm2，并且，上述催化劑層合計面積大于等于49μm2。
根據本發(fā)明的第二方面，即使獨立區(qū)域的面積小于等于4μm2也可以形成均勻膜厚的金屬層，所以可以提高布線基板的可靠性。
在本發(fā)明第二方面涉及的布線基板的制造方法中，在形成于上述一個區(qū)域上的催化劑層的周圍形成有用于形成虛擬布線的催化劑層。
在本發(fā)明涉及的布線基板的制造方法中，在上述步驟(a)之前，還包括將抗蝕層設置在上述基板上的希望的布線圖案以外的區(qū)域上的步驟；以及在上述基板上形成表面活化劑層的步驟，上述步驟(a)包括在上述表面活化劑層的上表面設置催化劑層的步驟；以及通過除去上述抗蝕層，從而除去希望的布線圖案以外的區(qū)域的表面活化劑層及催化劑層的步驟。
在本發(fā)明的布線基板的制造方法中，在上述步驟(b)中，通過將上述基板浸漬于包含鎳的無電解電鍍液中，從而能夠使鎳析出到上述催化劑層上。


圖1是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖2是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖3是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖4是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖5是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖6是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖7是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖8是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖9是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖10圖1是第一實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖11是第一實施例涉及的測量結果的示意圖。
圖12是應用本實施例涉及的布線基板的電子裝置的一例的示意圖。
圖13是第一實施例的變形例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖14是第二實施例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
圖15是第三實施例涉及的測量結果的示意圖。
圖16是第二實施例的變形例涉及的布線基板的制造方法的示意圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明。
1.第一實施例首先，對第一實施例進行說明。
1.1布線基板的制造方法圖1～圖10是第一實施例涉及的布線基板100(參照圖10)的制造方法的一例的示意圖。圖1及圖2是表示第一實施例涉及的布線基板的制造方法的一例的平面圖。圖2是圖1中的區(qū)域102的放大圖。圖3～圖10是與圖2中的布線基板的A-A剖面相對應的剖面圖。
(1)首先，準備基板10。如圖3所示，基板10可以是絕緣基板?；?0也可以是有機基板(例如塑性材料、樹脂基板)，也可以是無機基板(例如石英玻璃、硅片、氧化物層)。作為塑性材料例舉有聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚等?；蛘呋?0也可以是透光性基板(例如透明基板)?；?0不僅限于單層，還包括在基礎基板上至少形成有一層絕緣層的多層的情況。
然后，形成抗蝕層22。如圖3所示，當將抗蝕劑(未圖示)涂敷到基板10的上表面以后，通過光刻法將該抗蝕劑制造圖案，從而可以形成抗蝕層22。
形成有抗蝕層22的區(qū)域是形成有后述的催化劑層32的區(qū)域以外的區(qū)域?？刮g層22被設置為具有多個線狀的開口部，在該開口部上設置有后述的催化劑層32及金屬層34。如圖1所示，開口部被設置在例如，區(qū)域40及區(qū)域46上。
(2)接下來，洗凈基板10?；?0的洗凈可以是干洗，也可以是濕洗，但是優(yōu)選干洗。通過干洗，可以防止對抗蝕層22造成損害，如剝離等。
如圖4所示，干洗可以使用真空紫外線燈，并在氮氣環(huán)境下，照射真空紫外線30秒～900秒而進行。通過洗凈基板10，可以除去付著于基板10表面的油脂等污垢。而且，可使基板10及抗蝕層22的表面從疏水性變化為親水性。并且，若基板10的液中表面電位為負電位，則通過洗凈基板10可以形成均勻的負電位面。
濕洗是通過例如，將基板在室溫狀態(tài)下浸漬在臭氧水(臭氧濃度為10ppm～20ppm)中5分鐘～30分鐘左右而進行的。而且，干洗是使用真空紫外線燈(波長172nm、輸出10mW、樣品間距離1mm)并在氮氣環(huán)境下，照射真空紫外線30秒～900秒而進行的。
(3)接下來，如圖5所示，將基板10浸漬于表面活化劑溶液14中。作為表面活化劑溶液14中所包含的表面活化劑可以是陽離子表面活化劑或者陰離子表面活化劑。當基板10表面的液中表面電位為負電位時，優(yōu)選應用陽離子表面活化劑。這是因為陽離子表面活化劑與其他表面活化劑相比更容易吸附于基板10。另一方面，當基板10表面的液中表面電位為正電位時，作為表面活化劑溶液14中所包含的表面活化劑優(yōu)選使用陰離子表面活化劑。
作為陽離子表面活化劑可以使用例如，包括氨基硅烷系列成分的水溶性表面活化劑或者、烷基銨系列的表面活化劑(例如，十六烷基三甲基銨氯化物、十六烷基三甲基銨溴化物、十六烷基二甲基銨溴化物等)等。作為陰離子表面活化劑可以使用聚氧乙烯烷基硫酸酯(十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸鋰、N-月桂酰肌氨酸)等。浸漬時間可以為例如1分鐘～10分鐘左右。
接著，從表面活化劑溶液中將基板10取出，并用超純水洗凈。然后，將基板10在例如室溫下自然干燥或者吹入壓縮空氣去除水滴后，在90℃～120℃的爐內放置10分鐘～1小時左右使其干燥。如圖6所示，通過以上的步驟，可以將表面活化劑層24設置到基板10上。此時，在應用陽離子表面活化劑作為表面活化劑的情況下，基板10的液中表面電位與吸附前相比向正電位層偏移。
(4)然后，如圖7所示，將基板10浸漬于催化劑溶液30中。催化劑溶液30包含作為無電解電鍍法的催化劑發(fā)揮作用的催化劑成分。作為催化劑成分可以使用例如鈀。
例如，可以通過下面的步驟制作催化劑溶液30。
(4a)使純度為99.99％的鈀顆粒(Palladium pellets)溶解于鹽酸、過氧化氫溶液和水的混合溶液中，并將其作為鈀濃度為0.1～0.5g/l的氯化鈀溶液。
(4b)將上述的氯化鈀溶液進一步通過水和過氧化氫溶液進行稀釋，從而將鈀濃度變?yōu)?.01～0.05g/l。
(4c)使用氫氧化鈉水溶液等，將氯化鈀溶液的pH值調整為4.5～6.8。
在催化劑溶液30中浸漬以后，也可以對基板10進行水洗。水洗可以通過純水進行。通過該水洗，可以防止催化劑的殘渣混入后述的無電解電鍍液中。
通過以上的步驟，形成催化劑層31。如圖8所示，催化劑層31被形成于基板10及抗蝕層22上的表面活化劑層24的上面。
接著，如圖9所示，除去抗蝕層22，并形成具有希望的布線圖案的表面活化劑層26及催化劑層32?？刮g層22可以使用例如丙酮等加以除去。與抗蝕層22一起還除去了設置于抗蝕層22上的表面活化劑層24及催化劑層31。
如圖1所示，催化劑層32可以具有線狀的平面形狀。催化劑層32在區(qū)域40及區(qū)域46上形成有多列，其中至少一列的線寬小于等于2μm。在圖2中，例如，形成于區(qū)域40的催化劑層32的線寬a可以小于等于2μm。而且，基板10上的全部催化劑層32的線寬合計可以大于等于10μm，優(yōu)選可以大于等于20μm。在圖1中，例如，當形成于基板10上的線數為n+1時，形成于區(qū)域40的催化劑層32的線寬a和形成于區(qū)域46的催化劑層32的線寬b合計(a+b)可以大于等于10μm。此外，a和b也可以是不同的長度，也可以是相同的長度。而且，催化劑層32的間隔c例如可以小于等于線寬a的兩倍。
(5)接下來，通過無電解電鍍法使金屬層34析出(沉積)在催化劑層32上。具體而言，通過使基板10浸漬于包含金屬的無電解電鍍液中，可以使金屬層34析出到催化劑層32上(參照圖10)。
無電解電鍍液包含金屬、還原劑和絡合劑等。若對例如使用鎳作為金屬的情況進行說明，則作為無電解電鍍液可以使用包括以硫酸鎳六水合物和氯化鎳六水合物為主體、以次磷酸鈉作為還原劑的溶液。通過例如，將基板10在包含硫酸鎳六水合物的無電解電鍍液(溫度為70～85℃)浸漬10秒～10分鐘左右，從而可以形成具有20nm～100nm厚度的鎳層。此外，金屬是通過催化劑引起電鍍反應的材料即可，并沒有特別的限定，也可以通過例如，鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)等而形成。如此，可以在基板10上的區(qū)域40及區(qū)域46上形成多列線狀的金屬層34(參照圖1)。
如圖10所示，通過以上的步驟，可以形成布線基板100。根據本實施例涉及的布線基板的制造方法，可以制造包含由線寬小于等于2μm的線狀金屬層組成的布線的布線基板。如上所述，由于基板10上的全部的催化劑層32的線寬合計大于等于10μm，所以可以均勻金屬層34的膜厚，并可以提高布線基板的可靠性。
此外，由于希望的布線條數很少，所以催化劑層32的線寬合計沒有大于等于10μm，此時，布線基板100除布線以外還可以包含虛擬布線(dummy interconnect)。在這種情況下，優(yōu)選虛擬布線被配置在布線兩側上。換言之，優(yōu)選布線以被虛擬布線夾持的方式配置。即，在圖1中，當例如，形成于區(qū)域40的金屬層34為布線時，形成于區(qū)域46的金屬層34可以全部為虛擬布線。而且，當形成于區(qū)域40、區(qū)域42及區(qū)域44的金屬層34為布線時，其他的金屬層34可以是虛擬布線。如此，通過具有虛擬布線，可以增大線寬合計值。
1.2.實驗例1通過第一實施例涉及的布線基板的制造方法，形成線狀的金屬層，從而進行測量該膜厚的實驗。圖11是表示與催化劑層的線寬相對的金屬層的厚度的圖表。具體的金屬層的形成方法如下所述。
(1)在玻璃基板上形成光致抗蝕膜(photoresist film)，然后，通過直寫方式，以大約1～100μm寬度的直線狀的形式對光致抗蝕膜進行曝光、顯影，從而形成具有約1～100μm寬度的直線狀的開口部的光致抗蝕層。
(2)然后，將該玻璃基板切成1×1cm的正方形，并浸漬于陽離子表面活化劑溶液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDコンデイシヨナ一，Technic Japan(株)制FPD調節(jié)劑)中，接著，將該玻璃基板浸漬于鈀催化劑溶液中。然后，使用丙酮等有機溶劑除去玻璃基板上的光致抗蝕層。由此，形成約1～100μm寬度的直線狀的催化劑層。
(3)接下來，將形成有催化劑層的玻璃基板浸漬在83℃、80℃、75℃的鎳無電解電鍍液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDニツケル，Technic Japan(株)制FPD鎳)中2分鐘左右，從而形成金屬層。
如圖11所示，可以確認線寬越大，金屬層的厚度就形成越厚。當線寬為大約大于等于10μm時，即使線寬變大金屬層的厚度也不會有變化，當線寬不足大約10μm時，金屬層的厚度依存于線寬。而且，根據實驗可以知曉當線寬小于等于2μm時，幾乎不析出金屬，從而難以形成金屬層。
1.3.實驗例2(1)在玻璃基板上形成光致抗蝕膜，然后，通過直寫方式，以大約0.2μm寬度的直線狀的形式對光致抗蝕膜進行曝光、顯影，從而形成光致抗蝕層，該光致抗蝕層具有約0.8μm寬度的直線狀的線和多列約0.2μm間隔的線狀的開口部。該線寬合計約為16μm。
(2)接著，將該玻璃基板成1×1cm的正方形，并浸漬于陽離子表面活化劑溶液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDコンデイシヨナ一，Technic Japan(株)制FPD調節(jié)劑)中。接著，將該玻璃基板浸漬于鈀催化劑溶液中。然后，使用丙酮等有機溶劑除去玻璃基板上的光致抗蝕層。由此，形成線狀的催化劑層，該線狀的催化劑層具有約0.8μm寬度的直線狀的線和約0.2μm間隔。
(3)接下來，將形成有催化劑層的玻璃基板浸漬在80℃的鎳無電解電鍍液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDニツケル，Technic Japan(株)制FPD鎳)中2分鐘左右，從而形成金屬層。金屬層的膜厚約為150nm。
如此，根據第一實施例涉及的布線基板的制造方法，可以確認由于催化劑層32的線寬合計大于等于10μm，所以即使線寬小于等于2μm，也可以形成均勻膜厚的金屬層。而且，也可以確認若線間隔小于等于線寬的兩倍，則即使線寬小于等于2μm，也可以形成均勻膜厚的金屬層。
2.電子裝置圖12表示應用由第一實施例涉及的布線基板的制造方法而制造的布線基板的電子裝置的一個例子。電子裝置1000包括布線基板100、集成電路芯片90和其他基板92。
形成于布線基板100上的布線圖案可以用于電連接電子元件。布線基板100通過上述的制造方法制造。在圖12所示的例子中，集成電路芯片90被電連接于布線基板100，布線基板100的一側端部電連接于其他基板92(例如顯示板)。電子裝置1000可以是液晶顯示裝置、等離子顯示裝置、EL(Electro luminescent電致發(fā)光)顯示裝置等顯示裝置。
3.變形例下面，對第一實施例涉及的變形例進行說明。圖13是表示變形例涉及的布線基板的制造方法的平面圖，圖13與圖1相對應。變形例涉及的布線基板110上形成的催化劑層及金屬層的平面形狀與第一實施例涉及的布線基板100有所不同。
布線基板110在區(qū)域140、區(qū)域142及區(qū)域144上形成有催化劑層32及金屬層34。區(qū)域140的催化劑層32的線寬可以小于等于2μm。形成于區(qū)域142及區(qū)域144上的金屬層34可以是例如虛擬布線，在這種情況下，形成于區(qū)域142及區(qū)域144上的金屬層34的線寬可以不小于等于2μm。如此，通過在布線的兩側配置線寬大于等于2μm的虛擬布線，可以均勻在區(qū)域140上形成的金屬層34的厚度。
對于變形例涉及的布線基板的其他的結構及制造方法，由于與上述的第一實施例涉及的布線基板的結構及制造方法相同，所以省略對其的說明。
4.第二實施例4.1.布線基板下面，對第二實施例進行說明。第二實施例涉及的布線基板200上形成的催化劑層及金屬層的平面形狀與第一實施例涉及的布線基板100有所不同。圖14是表示第二實施例涉及的布線基板的制造方法的平面圖，圖14與圖1相對應。
如圖14所示，在布線基板200上，在焊盤狀(島狀)的多個區(qū)域240、242上形成有催化劑層32及金屬層34。如圖14所示，多個區(qū)域240、242也可以分別獨立存在。形成于區(qū)域240、244中至少一個區(qū)域上的催化劑層可以具有例如，一邊是小于等于2μm的正方形的平面形狀，其面積可以小于等于4μm2。該其中一個區(qū)域的周圍優(yōu)選被多個催化劑層包圍，例如，該其中一個區(qū)域可以是區(qū)域240。而且，基板10上的催化劑層合計面積可以大于等于49μm2。因此，當例如形成于區(qū)域240、242上的催化劑層是一邊0.5μm的正方形時，由于各催化劑層的面積為0.25μm2，所以在基板10上，0.25μm2面積的催化劑層被設置有大于等于196處。而且，催化劑層的間隔可以例如小于等于正方形的一邊長度的兩倍。
此外，由于希望的焊盤數很少，所以催化劑層32合計面積不能大于等于49μm2，此時，布線基板200在布線以外還可以包括虛擬布線。在這種情況下，優(yōu)選虛擬布線被配置在布線的周圍。換言之，優(yōu)選以被虛擬布線包圍的方式配置布線。即，在圖14中，基板10上的區(qū)域240以外的正方形區(qū)域全部都是區(qū)域242，并且，形成于全部這些區(qū)域242上的金屬層34可以是虛擬布線，形成于區(qū)域242中的任一區(qū)域上的金屬層34可也以是虛擬布線。如此，通過具有虛擬布線，可以增大催化劑層合計面積。
對于第二實施例涉及的布線基板的其他結構及制造方法，由于與上述第一實施例涉及的布線基板的結構及制造方法相同，所以省略對其的說明。
4.2.實驗例3通過第二實施例涉及的布線基板的制造方法，形成焊盤狀的金屬層，并進行測量該膜厚的實驗。圖15是表示與催化劑層的焊盤寬度(正方形的一邊)相對的金屬層的厚度的圖表。具體的金屬層的形成方法如下所述。
(1)在玻璃基板上形成光致抗蝕膜，然后，通過直寫方式，以大約1～100μm寬度的焊盤狀的形式對光致抗蝕膜進行曝光、顯影，從而形成具有約1～100μm寬度的焊盤狀的開口部的光致抗蝕層。
(2)然后，將該玻璃基板切成1×1cm的正方形，并浸漬于陽離子表面活化劑溶液(テクニツクヅヤパン(株)製F P Dコンデイシヨナ一，Technic Japan(株)制FPD調節(jié)劑)中。接著，將該玻璃基板浸漬于鈀催化劑溶液中。然后，使用丙酮等有機溶劑除去玻璃基板上的光致抗蝕層。由此，形成約1～100μm寬度的焊盤狀的催化劑層。
(3)接下來，將形成有催化劑層的玻璃基板浸漬在80℃的鎳無電解電鍍液(テクニツクヅヤパン(株)製F P Dニツケル，Technic Japan(株)制FPD鎳)中2分鐘左右，從而形成金屬層。
如圖15所示，焊盤寬度越大，金屬層的厚度就形成得越厚。當焊盤寬度不足約7μm，即焊盤面積不足49μm2時，隨著焊盤寬度得增大，金屬層的厚度也大幅增加，當焊盤寬度大于等于約7μm，即焊盤面積大于等于49μm2時，即使焊盤面積增大金屬層的面積也幾乎沒有變化。而且，當焊盤寬度小于等于2μm，即焊盤面積小于等于4μm2時，不析出金屬，從而難以形成金屬層。
4.3.實驗例4(1)在玻璃基板上形成光致抗蝕膜，然后，通過直寫方式，對光致抗蝕膜進行曝光、顯影，形成具有約500nm寬度的多個焊盤狀的區(qū)域的開口部的光致抗蝕層。該焊盤寬度合計大約為7μm。
(2)然后，將該玻璃基板切成1×1cm的正方形，并浸漬于陽離子表面活化劑溶液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDコンデイシヨナ一，Technic Japan(株)制FPD調節(jié)劑)中。接著，將該玻璃基板浸漬于鈀催化劑溶液中。然后，使用丙酮等有機溶劑除去玻璃基板上的光致抗蝕層。由此，如圖14所示，在約500nm寬度的焊盤狀的多個區(qū)域上形成催化劑層。此外，焊盤間隔大約為500nm。
(3)接下來，將形成有催化劑層的玻璃基板浸漬在80℃的鎳無電解電鍍液(テクニツクヅヤパン(株)製FPDニツケル，Technic Japan(株)制FPD鎳)中2分鐘左右，從而形成金屬層。金屬層的膜厚大約為150nm。
如此，根據第二實施例涉及的布線基板的制造方法，可以確認由于催化劑層32的焊盤面積合計大于等于49μm2，所以即使焊盤面積小于等于4μm2，也可以形成均勻膜厚的金屬層。
4.4.變形例下面，對第二實施例涉及的變形例進行說明。圖16是表示變形例涉及的布線基板的制造方法的平面圖，圖16與圖1相對應。變形例涉及的布線基板300上形成的催化劑層及金屬層的平面形狀與第二實施例涉及的布線基板200有所不同。
布線基板300在區(qū)域340、區(qū)域342上形成有催化劑層32及金屬層34。區(qū)域340的催化劑層32的焊盤寬度可以小于等于2μm。形成于區(qū)域342上的金屬層34可以是例如虛擬布線，在這種情況下，形成于區(qū)域342上的金屬層34的焊盤寬度也可以不小于等于2μm。如此，通過在布線的兩側配置焊盤寬度大于等于2μm的虛擬布線，可以均勻在區(qū)域340上形成的金屬層34的厚度。
對于變形例涉及的布線基板的其他的結構及制造方法，由于與上述的第二實施例涉及的布線基板的結構及制造方法相同，所以省略對其的說明。
本發(fā)明并不僅限于上述的實施例，可以進一步具有各種變形。例如，在上述的實施例中，預先在基板的希望的圖案區(qū)域以外的區(qū)域上設置抗蝕層，并全面地形成表面活化劑層及催化劑層，然后，除去抗蝕層，從而將催化劑層形成在規(guī)定的區(qū)域上，但是也可以代替這個，不使用抗蝕層而形成催化劑層。具體而言，例如，在基板的整個表面形成表面活化劑層，并將該表面活化劑層的一部分進行光分解，僅在希望的圖案區(qū)域上殘留表面活化劑。由此，可以僅在希望的圖案區(qū)域上形成催化劑層。表面活化劑層的光分解可以使用真空紫外線(VUV；vacuum ultraviolet)進行。通過將光的波長定為例如，170nm～260nm，可以切斷原子間的鍵(例如，C-C、C＝C、C-H、C-F、C-Cl、C-O、C-N、C＝O、O＝O、O-H、H-F、H-Cl、N-H等)。通過使用該波段，無需黃色室(yellow room)等的設備，就可以在例如，白色燈下進行本實施例涉及的一系列步驟。
而且，本發(fā)明包括與在實施例中說明的結構實質上相同的結構(例如，功能、方法以及結果相同的結構，或者，目的以及結果相同的結構)。并且，本發(fā)明還包括置換了實施例中說明的結構中的非本質部分的結構。此外，本發(fā)明還包括與實施例中說明的結構發(fā)揮相同作用效果的結構，或者可以實現相同目的的結構。并且，本發(fā)明還包括在實施例說明的結構中添加現有技術的結構。
附圖標記說明10 基板14 表面活化劑溶液18 光源20 光22 抗蝕層 24 表面活化劑層26 表面活化劑層30 催化劑溶液31 催化劑層32 催化劑層34 金屬層 90 集成電路芯片92 其他基板100、110、200、300 布線基板1000 電子裝置
權利要求
1.一種布線基板的制造方法，通過無電解電鍍，不使用電鍍抗蝕層而制造具有線狀的布線的布線基板，包括(a)在基板上形成多列線狀的催化劑層的步驟；以及(b)通過無電解電鍍使金屬析出到所述催化劑層上形成多列線狀的金屬層的步驟，其中，多列的所述線狀的催化劑層中的至少一列的線寬小于等于2μm，并且，所述基板上的該催化劑層的線寬合計大于等于10μm。
2.根據權利要求1所述的布線基板的制造方法，其中，所述基板上的該催化劑層的線寬合計大于等于20μm。
3.根據權利要求1或2所述的布線基板的制造方法，其中，多列的所述金屬層包括布線及虛擬布線兩者。
4.根據權利要求3所述的布線基板的制造方法，其中，所述虛擬布線形成于所述布線的兩側。
5.一種布線基板的制造方法，通過無電解電鍍，不使用電鍍抗蝕層而制造布線基板，包括(a)在基板上的多個區(qū)域上形成催化劑層的步驟；以及(b)通過無電解電鍍使金屬析出到所述催化劑層上，而在所述多個區(qū)域上形成金屬層的步驟，其中，在所述催化劑層中形成于至少一個區(qū)域上的催化劑層的面積小于等于4μm2，并且，所述催化劑層合計面積大于等于49μm2。
6.根據權利要求5所述的布線基板的制造方法，其中，在形成于所述一個區(qū)域上的催化劑層的周圍形成有用于形成虛擬布線的催化劑層。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的布線基板的制造方法，其中，在所述步驟(a)之前，還包括將抗蝕層設置在所述基板上的希望的布線圖案以外的區(qū)域上的步驟；以及在所述基板上形成表面活化劑層的步驟，所述步驟(a)包括在所述表面活化劑層的上表面設置催化劑層的步驟；以及通過除去所述抗蝕層，從而除去希望的布線圖案以外的區(qū)域的表面活化劑層及催化劑層的步驟。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的布線基板的制造方法，其中，在所述步驟(b)中，通過將所述基板浸漬于包含鎳的無電解電鍍液中，從而使鎳析出到所述催化劑層上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種使用無電解電鍍法，形成微細布線圖案的布線基板的制造方法。在通過無電解電鍍法，不使用電鍍抗蝕層而制造具有線狀的布線的布線基板的方法中，包括(a)在基板上形成多列線狀催化劑層的步驟；以及(b)通過無電解電鍍法使金屬析出到上述催化劑層上，并形成多列線狀的金屬層的步驟，其中，多列的上述線狀的催化劑層中的至少一列的線寬小于等于2μm，并且，上述基板上的該催化劑層的線寬合計大于等于10μm。
文檔編號H05K3/18GK101035413SQ200710087309
公開日2007年9月12日 申請日期2007年3月9日 優(yōu)先權日2006年3月10日
發(fā)明者木村里至, 降旗榮道, 金田敏彥 申請人:精工愛普生株式會社