專利名稱：用于形成電子組件外殼的方法和以這種方法密封封裝的電子組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于形成電子組件外殼的方法，以及以這種方法密封封裝的電子組件，特別是傳感器、集成電路以及光電元件。
背景技術(shù)：
為了封裝集成電路和光電元件，公知的是使用有機(jī)粘合劑層來將薄玻璃板粘結(jié)到組件上，并且由此來覆蓋和保護(hù)靈敏的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)是在整個(gè)時(shí)間過程中，水能夠擴(kuò)散到有機(jī)粘合劑層中并且能夠達(dá)到以及損壞半導(dǎo)體組件。此外，有機(jī)粘結(jié)劑由于UV輻射會(huì)老化，該輻射尤其損壞光電組件。
作為有機(jī)粘結(jié)劑的替換，低溶解的玻璃焊劑也已經(jīng)用作為中間層，該中間層已經(jīng)被噴射上、濺射上或通過網(wǎng)印和分配技術(shù)而被施加。然而，用于溶解玻璃焊劑層的工藝溫度高于T＝300℃，它意味著溫度靈敏的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不能被封裝。

發(fā)明內(nèi)容
由此本發(fā)明基于這個(gè)目的，即提供一種用于封裝電子組件的方法，它使得能夠達(dá)到基本上抗水?dāng)U散的封裝，然而在合適的低于300℃，優(yōu)選低于150℃的溫度下進(jìn)行。
該組目的基于在權(quán)利要求1中所述的方法來達(dá)到，并且通過從屬權(quán)利要求的進(jìn)一步措施來構(gòu)成和擴(kuò)展。權(quán)利要求24涉及一種可按照本發(fā)明生產(chǎn)的電子組件，而有利的改進(jìn)和構(gòu)造在從屬于權(quán)利要求24的各權(quán)利要求中給出。
涂覆汽相淀積玻璃的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，在常溫到接近150℃時(shí)施加絕緣玻璃層，以便沒有基片表面的損壞或氧化的可能性，無論什么，甚至是金屬基片。在本上下文中，也可以參考以下面申請(qǐng)
DE 202 05 830.1，于04.15.2002提交；DE 102 22 964.3，于05.23.2002提交；DE 102 22 609.1，于05.23.2002提交；DE 102 22 958.9，于05.23.2002提交；DE 102 52 787.3，于11.13.2002提交；DE 103 01 559.0，于01.16.2003提交；以相同申請(qǐng)人的名義，在此特別結(jié)合其公開內(nèi)容以供參考。
關(guān)于汽相淀積玻璃層的阻隔性質(zhì)，測(cè)量已經(jīng)示出了在8μm到18μm范圍內(nèi)的汽相淀積玻璃層的層厚度，氦漏泄率小于10-7mbar l s-1或小于10-8mbar l s-1是可以可靠達(dá)到的。對(duì)于帶有8μm到18μm范圍內(nèi)層厚度的測(cè)量甚至具有在0到2×10-9mbar l s-1之間的氦泄漏率，并且甚至這些上限值是明顯受不精確測(cè)量值的影響。
按照本發(fā)明用于以汽相淀積玻璃封裝的方法，甚至當(dāng)它仍然生產(chǎn)時(shí)電子組件被腐蝕能夠被采用。
使通過汽相沉積玻璃層產(chǎn)生的電子組件基片變厚，用來在從未封裝側(cè)面在基片上進(jìn)行反應(yīng)時(shí)穩(wěn)定基片。另外完工的電子組件也可以從連接側(cè)面被封裝，而使連接本身敞露。為此目的，例如基片可以在與具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面相反的側(cè)面上設(shè)有鈍化層。作為實(shí)例，塑料層適用于此目的。鈍化層也可以包括玻璃層，該玻璃層優(yōu)選汽相淀積在此側(cè)面上。
本方法特別適用于封裝元件，該封裝元件仍然形成晶片一部分(晶片級(jí)封裝)，在這種情況下，基片包括一具有元件基片的晶片，在它們被封裝后可以與晶片分開。
取決于特殊的要求，汽相淀積玻璃層的厚度可以為0.01到100μm。如果它僅僅是將待保護(hù)組件密封的情況。優(yōu)選的是，玻璃層厚度在0.1和50μm之間的范圍內(nèi)。如果施加的負(fù)載較大，玻璃層厚度相應(yīng)增加，對(duì)于玻璃層厚度優(yōu)選的范圍在50到200μm之間。在與其它材料組合時(shí)，也可以建立多層。此外，也可以將玻璃層與施加的塑料層相組合，以便在結(jié)構(gòu)上加固電子組件。
有許多用于玻璃汽相淀積的選擇。優(yōu)選的是通過電子束從原料玻璃靶中產(chǎn)生玻璃蒸汽。可以產(chǎn)生高于4μm/min的汽相淀積率，并且所產(chǎn)生的玻璃被沉積有一可靠粘結(jié)在基片表面上，而沒有必要增加用于粘結(jié)作用的水含量，如具有低溶解玻璃粘結(jié)劑的情況那樣。優(yōu)選的汽相淀積玻璃是一種含有氧化鋁和堿金屬氧化物部分的硼硅玻璃，例如由Schott Glas生產(chǎn)的8329型汽相淀積玻璃。此外，該玻璃具有一個(gè)熱膨脹系數(shù)，它接近于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的基片的熱膨脹系數(shù)，或者能夠通過對(duì)元件適合的修改與基片的熱膨脹系數(shù)相匹配?？梢允褂闷渌煞值钠嗟矸e玻璃，特別是在彼此頂面的多層中，在這種情況下，各玻璃層可以具有關(guān)于折射率、密度、硬度等等不同的特性。
將基片汽相淀積上玻璃層可以有利也包括等離子區(qū)源離子輔助沉積(PIAD)。在這種情況下，離子束附加地指向在待涂覆的基片。離子束可以通過等離子體源產(chǎn)生，例如通過合適氣體的電離。等離子體導(dǎo)致層的附加密封作用以及從基片表面中去除松散粘附的顆粒。這導(dǎo)致特別密實(shí)的低缺陷的沉積層。
此外，通過選擇合適的材料組合，可以實(shí)現(xiàn)施加有機(jī)和無機(jī)成分混合層。該混合層的特征在于，降低了其脆性。
在該電子組件已經(jīng)被完全生產(chǎn)之前，如果玻璃層被施加于電子組件基片的第一側(cè)面上，可以有利地，在玻璃層上方施加一加固組件的塑料層，在生產(chǎn)完成期間用于處理目的。在這種情況下，玻璃層產(chǎn)生有一個(gè)厚度，它相對(duì)于擴(kuò)散物質(zhì)滲透的密封或封裝是足夠的，同時(shí)以一個(gè)厚度產(chǎn)生一塑料層，在組件的進(jìn)一步處理期間的穩(wěn)定性需要該厚度。
在這種情況下，可以從未封裝的基片第二側(cè)面上去除材料，以便能夠產(chǎn)生與組件的接頭，當(dāng)組件最后被安裝在其使用位置時(shí)，這些接頭從下側(cè)面延伸到組件中并且由此通過組件本身而被保護(hù)。這尤其在傳感器的情況下是有重要意義的。


參考附圖描述本發(fā)明，附圖中
圖1示出了帶有一汽相淀積玻璃層的晶片剖面圖；圖2示出了帶有玻璃層和塑料層的晶片剖面圖；圖3示出了與晶片有關(guān)的生產(chǎn)；圖4示出了晶片下側(cè)的附加塑料鈍化；圖5示出了帶有汽相淀積玻璃的晶片下側(cè)的涂層；圖6示出了將球狀柵極陣列施加到在圖5中所示的晶片上；圖7示出了應(yīng)用球狀柵極陣列的另一種方法；圖8示出了晶片下側(cè)的封裝；圖9示出了將球狀柵極陣列施加到在圖8中所示的晶片上；圖10示出了汽化裝置的簡圖；圖11示出了TOF-SIMS測(cè)量的結(jié)果，以及圖12示出了電子顯微鏡橫向顯微磨片圖像。
具體實(shí)施例方式
圖10示出了汽相淀積玻璃源20相對(duì)于基片1的布置，它包括電子束發(fā)生器21、電子束轉(zhuǎn)向器22以及電子束24撞擊在其上的玻璃靶23。在電子束撞擊所在的位置上，玻璃被汽化并且然后沉積到基片1的第一側(cè)面1a上。為了允許玻璃從靶23上盡可能均勻地被汽化，靶是旋轉(zhuǎn)的并且電子束24沿著它來回地掃描。此外，該布置也可以包括用于產(chǎn)生離子束的等離子體源，在操作中，它被指向待涂層的側(cè)面1a，以便通過等離子區(qū)源離子輔助沉積(PIAD)使基片涂上玻璃層。
關(guān)于可能的基片1更詳細(xì)的敘述，參考圖1。硅片作為基片1包括具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的區(qū)域2和具有連接結(jié)構(gòu)的區(qū)域3，例如由鋁制成。連接結(jié)構(gòu)例如可以包括粘結(jié)墊或其它連接表面。硅片構(gòu)成具有＜5μm的表面粗糙度的基片。基片的頂面1a是與底面1b相對(duì)的面。玻璃層4已經(jīng)被沉積在頂面1a上，優(yōu)選此玻璃層從由Schott生產(chǎn)的8329型的汽相淀積玻璃中獲得。這種類型的玻璃可以基本上通過電子束24的作用被汽化，在抽空的環(huán)境中10-4毫巴剩余壓力的條件下以及在100℃的汽化期間的偏壓溫度下執(zhí)行該工作。在這些條件下，產(chǎn)生一種了密實(shí)的、連續(xù)的玻璃層4，并且該層對(duì)于氣體和液體包括水基本上是不能透過的，但是能透過光，這在光電組件的情況下是重要的。
玻璃層4也可以包括多層單獨(dú)的層，例如由帶有不同組分的玻璃制成。玻璃層也可以包括由無機(jī)成分和有機(jī)成分形成的混合層，例如為了達(dá)到增加的層撓性。
晶片的下側(cè)1b可用于進(jìn)一步的工藝步驟，它包括濕、干和等離子腐蝕或清洗。
如在圖1和其它的圖2到9中所示，如果所使用的基片是晶片，按照本發(fā)明的方法可以有利地用于仍然形成晶片一部分的包裝元件。然而，該方法也可以以類似的方式應(yīng)用在這些小晶片中，它們已經(jīng)與晶片分離并且包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)。
圖2示出了用于基片1的覆蓋層，它包括一玻璃層4和一塑料層5。玻璃層4具有在1到50μm區(qū)域內(nèi)的厚度，該厚度對(duì)于密封或封裝是足夠的，而塑料層5較厚，以便為作為后續(xù)處理步驟的工件的晶片賦予更大的穩(wěn)定性。
圖3示出了晶片的更進(jìn)一步處理。晶片在下側(cè)是變薄的，以使能夠按照本發(fā)明生產(chǎn)的元件具有變薄的基片，并且產(chǎn)生了腐蝕坑6，該腐蝕坑延伸遠(yuǎn)到連接結(jié)構(gòu)3，該連接結(jié)構(gòu)3作為蝕刻止擋。晶片下側(cè)1b設(shè)有塑料平版，而連接結(jié)構(gòu)3的區(qū)域仍然敞露。然后，在下側(cè)產(chǎn)生線接觸7，例如通過噴涂或?yàn)R射，結(jié)果是在腐蝕坑6的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生了傳導(dǎo)層7。然后，用于平版的塑料從晶片下側(cè)1b被去除。接著，球狀柵極陣列8被施加于傳導(dǎo)層7上，并且晶片沿著平面9被分開。結(jié)果是其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2可靠地嵌入在覆蓋層4和基片1之間的多個(gè)電子組件，以便它們可以被密封。
圖4示出了一個(gè)相對(duì)于圖3中所示實(shí)施例的變型。執(zhí)行如上所述那些同樣的工序，但是在晶片下側(cè)1b上的塑料沒有被去除并且作為鈍化和保護(hù)層10來覆蓋下側(cè)。
圖5示出了一實(shí)施例，其中汽相淀積的玻璃層11要被施加在基片的下側(cè)1b上而不是塑料層10上。如在圖3中所示的實(shí)施例，用于平版的塑料從晶片下側(cè)1b上被去除，并且晶片的整個(gè)下側(cè)1b被蒸發(fā)涂敷有玻璃，產(chǎn)生了一1到50μm厚的玻璃層11。
在圖5中所示的玻璃層用作為保護(hù)或鈍化層，如在圖4中所示的塑料層10。
如在11b處所示，該玻璃層也覆蓋線接觸7的外向突出的那些部分。為了施加球狀柵極陣列8，這些區(qū)域11b由于被接地和/或被腐蝕掉而暴露。然后如在圖6中所示，施加球狀柵極陣列，并且然后晶片被分割以便形成單個(gè)的組件，并且在9處標(biāo)出。這些靈敏的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2在頂面和底面上由各自的玻璃層4和11保護(hù)。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，晶片在分離面9上被分割，該分離面9不能穿過連接結(jié)構(gòu)。其優(yōu)點(diǎn)是，也能夠確保用于組件的橫向鈍化保護(hù)。圖7示出了分隔晶片的實(shí)例，它僅僅影響覆蓋層4和基片1的材料。該過程開始與上述用于示例性實(shí)施例相同，亦即，晶片從下側(cè)變薄并且產(chǎn)生的腐蝕坑6，它延伸遠(yuǎn)到連接結(jié)構(gòu)3的下側(cè)。晶片下側(cè)1b被平版印刷(lithograph)，而連接結(jié)構(gòu)的區(qū)域仍然是敞露的。在腐蝕坑6的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生接觸線7，而腐蝕坑也充滿有導(dǎo)電材料12。在該上下文中，通過使用Ni(P)電鍍來變厚是可以考慮的?？砂凑毡景l(fā)明的這個(gè)實(shí)施例生產(chǎn)的元件相應(yīng)地具有穿過基片的貫穿接觸。
至少在接觸7的區(qū)域內(nèi)，在塑料已經(jīng)從晶片下側(cè)被去除后，施加球狀柵極陣列8。接下來沿著平面9分割晶片。結(jié)果是帶有密封的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的電子組件，而取決于所采用的過程存在或不存在一層類似的塑料層10。
圖8和9示出了包括在底面上產(chǎn)生玻璃層11的示例性實(shí)施例。該過程與在圖5連同圖7中所示的實(shí)施例類似，亦即，在連接結(jié)構(gòu)下面產(chǎn)生已填充的區(qū)域，并且晶片的整個(gè)下側(cè)1b涂有玻璃層11，該玻璃層在已填充的腐蝕坑6區(qū)域內(nèi)被去除，以便將球狀柵極陣列應(yīng)用在其上，如在圖9中所示。在晶片已經(jīng)沿著平面9被分割之后，得到了帶有封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的組件。
層4或11的玻璃系統(tǒng)應(yīng)該形成至少二元系統(tǒng)。優(yōu)選為多元件系統(tǒng)。
具有下面成分(百分比重量)的汽相淀積玻璃，已經(jīng)證明是特別適合的成分重量百分比SiO275-85B2O310-15Na2O1-5Li2O0.1-1K2O 0.1-1Al2O31-5這種類型的優(yōu)選汽相淀積玻璃是由Schott生產(chǎn)的8329玻璃，具有下面的成分SiO284.1％B2O311.0％Na2O≈2.0％]Li2O≈0.3％}2.3％(在層中？3.3％)K2O ≈0.3％]Al2O3≈2.6％(在層中＜0.5％)在括號(hào)中所給出的數(shù)值表示在汽相淀積層中各自元件的重量比。
電阻接近1010Ω/cm(在100℃)，折射率接近1.470，介電常數(shù)ε接近4.7(在25℃，1MHz)，并且tgδ接近45×10-4(在25℃，1MHz)。
另一組適合的汽相淀積玻璃具有下面的成分，重量百分比為成分重量百分比SiO265-75B2O320-30Na2O0.1-1Li2O0.1-1K2O 0.5-5
Al2O30.5-5該組中優(yōu)選的汽相淀積玻璃是由Schott生產(chǎn)的G018-189玻璃，具有下面的成分成分 重量百分比SiO271B2O326Na2O 0.5Li2O 0.5K2O 1.0Al2O31.0優(yōu)選使用的玻璃8329和G018-189尤其具有在下面表格中列出的特性

為了在組件中產(chǎn)生特殊的性質(zhì)，對(duì)于在頂面和底面上的玻璃層可以有利地使用不同成分的玻璃。對(duì)于具有不同特性例如關(guān)于折射率、密度、E模量、努氏硬度、介電常數(shù)、tgδ的多種玻璃，也可以連續(xù)地沉積在基片上。作為對(duì)電子束沉積的替換，也可以使用其它方式，用于傳送在玻璃形成中沉積的材料。例如，蒸發(fā)涂敷的材料可以在坩堝中，該坩堝通過電子沖擊加熱而被加熱。這種類型的電子沖擊加熱基于加速到坩堝上的熱離子放電，以便沖擊待蒸發(fā)的材料而具有預(yù)定的能。，這些過程同樣也能夠產(chǎn)生玻璃層，而在玻璃沉積所在的基片上沒有過量的熱負(fù)荷。
下文給出對(duì)由玻璃8329形成的汽相淀積玻璃層進(jìn)行的各種測(cè)試的結(jié)果。
圖11示出了TOF-SIMS測(cè)量的結(jié)果，其中計(jì)算速度是作為濺射時(shí)間函數(shù)的曲線。測(cè)量值描繪了在垂直于基片表面的方向上元件集中的曲線圖。測(cè)定小于層厚1％的玻璃框架的厚度恒定性。
圖12示出了涂覆有汽相淀積玻璃8329的硅片的電子顯微鏡橫向顯微磨片圖像。汽相淀積玻璃和硅片表面可靠地以一種方式彼此粘結(jié)，它甚至通過包含在準(zhǔn)備試樣中的橫向顯微磨片操作也沒有被松開。
此外，按照DIN/ISO，對(duì)由汽相淀積玻璃8329形成的汽相淀積玻璃層進(jìn)行電阻和穩(wěn)定性測(cè)定。結(jié)果在表格1中給出。

權(quán)利要求
1.一種用于形成電子組件，特別是傳感器、集成電路以及光電元件外殼的方法，包括以下步驟-設(shè)置一個(gè)基片(1)，它的至少一個(gè)基片第一側(cè)面(1a)要被封裝，-設(shè)置一個(gè)汽相淀積玻璃源(20)，-以這種方式相對(duì)于汽相淀積玻璃源設(shè)置基片第一側(cè)面(1a)，使基片第一側(cè)面(1a)可以被蒸發(fā)涂敷；-將基片第一側(cè)面蒸發(fā)涂敷上一玻璃層(4)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所設(shè)置的基片具有一個(gè)或多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)并且包括連接結(jié)構(gòu)或用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)和連接結(jié)構(gòu)(3)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域設(shè)置在基片第一側(cè)面(1a)上。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，基片在一第二側(cè)面(1b)上設(shè)有一鈍化層(10，11)，該第二側(cè)面在與第一側(cè)面(1a)相對(duì)的那側(cè)。
5.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，所述基片包括一晶片，其特征在于，所述方法包括封裝仍然形成晶片一部分的元件。
6.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述基片(1)在兩個(gè)側(cè)面(1a，1b)上蒸發(fā)涂敷上一玻璃層(4，10，11)。
7.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，設(shè)置一個(gè)產(chǎn)生至少一個(gè)二元玻璃系統(tǒng)的汽相淀積玻璃源(20)。
8.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，操作汽相淀積玻璃源，直到玻璃層(4)具有在0.01到1000μm區(qū)域內(nèi)的厚度為止，特別是在基片第一側(cè)面上。
9.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，作為設(shè)置汽相淀積玻璃源(20)的步驟一部分，設(shè)置一個(gè)包括有機(jī)成分的容器，并且這些有機(jī)成分通過施加真空或加熱被轉(zhuǎn)換為蒸汽狀態(tài)，以便在蒸發(fā)涂敷期間，能夠在基片側(cè)面上形成包括無機(jī)和有機(jī)成分的混合層。
10.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，玻璃層厚度在0.1和50μm之間的范圍內(nèi)。
11.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，玻璃層厚度在50和200μm之間的范圍內(nèi)。
12.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，汽相淀積玻璃源(20)通過電子束(24)從玻璃靶(23)中產(chǎn)生。
13.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所使用的汽相淀積玻璃是一種含有氧化鋁和堿金屬氧化物部分的硼硅玻璃。
14.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，汽相淀積玻璃具有與基片熱膨脹系數(shù)實(shí)際上相等的熱膨脹系數(shù)。
15.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，玻璃層(4)產(chǎn)生具有密封所需要的厚度，并且一塑料層(5)施加在上述玻璃層(4)之上，以方便進(jìn)一步處理基片(1)。
16.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，許多玻璃層被汽相淀積到基片(1)上，對(duì)于各玻璃層可以由各種玻璃成分組成。
17.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，基片(1)的進(jìn)一步處理包括從一個(gè)基片第而側(cè)面(1b)上去除材料，該基片第而側(cè)面位于與基片第一側(cè)面(1a)相反的側(cè)面。
18.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，基片(1)包括一個(gè)具有多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)和連接結(jié)構(gòu)(3)的晶片，而基片第而側(cè)面(1b)被變薄，它在與基片第一側(cè)面(1a)相反的側(cè)面；在待產(chǎn)生的連接結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)在基片第而側(cè)面(1b)上蝕刻出腐蝕坑(6)；用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)的區(qū)域被使用塑料層來平版印刷；在具有連接結(jié)構(gòu)(3)的區(qū)域內(nèi)在基片第而側(cè)面(1b)上生產(chǎn)線接觸(7)；從基片第而側(cè)面(1b)上去除塑料；在線接觸(7)處施加一球狀柵極陣列(8)；以及分割晶片以便形成多個(gè)備具有第一封裝側(cè)面(1a)的電子組件。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，基片第而側(cè)面(1b)設(shè)有一塑料覆蓋層(10)而使球狀柵極區(qū)域(8)是透明的。
20.如權(quán)利要求18或19所述的方法，其特征在于，在已經(jīng)從基片第而側(cè)面(1b)上去除塑料之后，整個(gè)基片第而側(cè)面蒸發(fā)涂敷上一玻璃層(11)，并且線接觸(7)通過局部除去玻璃層(11)而敞露，在其后進(jìn)行施加球狀柵極陣列(8)和分割晶片的步驟，以便得到在兩側(cè)面上都封裝的電子組件。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，整個(gè)基片第而側(cè)面都蒸發(fā)涂敷有一厚度在1到500μm范圍內(nèi)的玻璃層(11)。
22.如權(quán)利要求18到21之一所述的方法，其特征在于，導(dǎo)致連接結(jié)構(gòu)(3)的腐蝕坑(6)填充有導(dǎo)電材料(12)，在其后，從基片第而側(cè)面(1b)上去除或不去除塑料以及在基片第而側(cè)面(1b)上帶有或不帶玻璃層(11)，并且使線接觸(7)是透明的，球狀柵極陣列(8)被施加在線接觸(7)上和/或在填充材料上。
23.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，將基片第一側(cè)面(1a)蒸發(fā)涂敷上一玻璃層(4)包括等離子區(qū)源離子輔助沉積(PIAD)。
24.一種電子組件，特別是作為傳感器或作為集成電路或作為光電元件，可通過上述權(quán)利要求之一所述的方法生產(chǎn)。
25.如權(quán)利要求24所述的電子組件，它在第一側(cè)面(1a)上具有一個(gè)或多個(gè)帶有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)和連接結(jié)構(gòu)(3)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，在至少一個(gè)側(cè)面上涂有一汽相淀積玻璃層(4)。
26.如權(quán)利要求25所述的電子組件，其特征在于，一加強(qiáng)組件的塑料層(5)被施加于玻璃層(4)上。
27.如權(quán)利要求25或26之一所述的電子組件，其特征在于，基片是變薄的。
28.如權(quán)利要求25到27之一所述的電子組件，其特征在于，基片在第二側(cè)面(1b)上設(shè)有一鈍化層(10，11)，它位于與具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面(1a)相反的側(cè)面上。
29.如權(quán)利要求25到28之一所述的電子組件，其特征在于，玻璃層(4)包括一無機(jī)和有機(jī)成分的混合層。
30.如權(quán)利要求25到29之一所述的電子組件，其特征在于，它包括一多層玻璃層(4)。
31.如權(quán)利要求30所述的電子組件，其特征在于，玻璃層的各層具有不同的成分。
32.如權(quán)利要求25到31之一所述的電子組件，其特征在于，基片(1)在第二側(cè)面(1b)上具有線接觸，這些線接觸與第一側(cè)面(1a)上的連接結(jié)構(gòu)相連。
33.如權(quán)利要求32所述的電子組件，它包括一在線接觸處的球狀柵極陣列(8)。
全文摘要
為了以一種方式封裝電子組件，它基本上是抗水?dāng)U散的，然而在適當(dāng)?shù)牡陀?00℃，優(yōu)選低于150℃的溫度下進(jìn)行，本發(fā)明提供一種用于形成電子組件，特別是傳感器、集成電路以及光電元件外殼的方法，包括以下步驟設(shè)置一個(gè)基片(1)，它的至少一個(gè)基片第一側(cè)面(1a)要被封裝；設(shè)置一個(gè)汽相淀積玻璃源(20)；以這種方式相對(duì)于汽相淀積玻璃源設(shè)置基片第一側(cè)面(1a)，使基片第一側(cè)面(1a)可以被蒸發(fā)涂敷；將基片第一側(cè)面蒸發(fā)涂敷上一玻璃層(4)。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1646721SQ03808583
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者杰根·雷布, 迪特里?！ぢ?申請(qǐng)人:肖特股份公司