專利名稱：帶沖擊緩沖功能的電場(chǎng)發(fā)光器件及用于其中的密封構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電場(chǎng)發(fā)光器件，特別是涉及電場(chǎng)發(fā)光器件的密封部分的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
電場(chǎng)發(fā)光元件(例如場(chǎng)致發(fā)光元件，以下稱稱為“EL元件”)一般是指單一的元件，而另一方面，電場(chǎng)發(fā)光器件(例如場(chǎng)致發(fā)光器件，以下稱為“EL器件”)是指，包含上述EL元件在內(nèi)，在一個(gè)基片上形成有一個(gè)以上的EL元件的器件。此外，EL元件因供給發(fā)光層的物質(zhì)為無機(jī)化合物或者有機(jī)化合物而大不相同，前者稱為無機(jī)EL元件，后者稱為有機(jī)EL元件。圖6示出了以往的EL器件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。如圖6所示，在EL器件200中，例如在由玻璃基片構(gòu)成的基片10的發(fā)光區(qū)域中，形成了多個(gè)第1電極12，在該第1電極12上，形成了由無機(jī)化合物或有機(jī)化合物構(gòu)成的發(fā)光元件層16，而在發(fā)光元件層16之上又形成了單一的第2電極14。這樣，發(fā)光元件形成基片18由上述基片10、第1電極12、發(fā)光元件層16和第2電極14構(gòu)成。其中，第1電極12是例如由透明導(dǎo)電材料ITO(銦錫氧化物)構(gòu)成的電極(陽(yáng)極)，第2電極是金屬電極(陰極)。密封容器型的密封構(gòu)件42以從第2電極14一側(cè)覆蓋發(fā)光元件形成基片18的上方的形式進(jìn)行遮罩，并且在第2電極14和密封構(gòu)件42之間留有空隙30，密封構(gòu)件42的端部由樹脂等粘結(jié)到發(fā)光元件形成基片18上。在此，為了防止發(fā)光元件因吸濕而退化，在減壓狀態(tài)下向上述間隙30內(nèi)封入了氮?dú)獾榷栊詺怏w或硅油。此外，在上述EL器件200的發(fā)光元件層16中，從第1電極12注入空穴，從第2電極14注入電子。該被注入的空穴和電子因在發(fā)光元件層16內(nèi)移動(dòng)引起的沖撞、重新結(jié)合而消滅，借助重新結(jié)合產(chǎn)生的能量使發(fā)光分子處于激活狀態(tài)而進(jìn)行發(fā)光。發(fā)明內(nèi)容圖6所示的以往的EL元件以及EL器件200由于在第2電極14和密封構(gòu)件42之間具有間隙30，在受到外部的機(jī)械振動(dòng)或沖擊時(shí)，密封構(gòu)件42向第2電極14彎曲，有可能使密封構(gòu)件42碰撞第2電極14，從而給第2電極14和其下層的發(fā)光元件層16帶來?yè)p傷。另外，在調(diào)整為最終產(chǎn)品時(shí)，有時(shí)要用例如5個(gè)氣壓進(jìn)行加壓。在這種情況下，有可能使密封構(gòu)件42凹陷，從而也有可能給有機(jī)EL元件帶來?yè)p傷。而一旦有機(jī)EL元件受到損傷，就會(huì)使產(chǎn)生黑點(diǎn)或加速老化等導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低和裝置壽命縮短等弊端發(fā)生。本發(fā)明是為解決上述問題而提出的，其目的在于，提供一種可以保持穩(wěn)定的發(fā)光特性并能實(shí)現(xiàn)使用壽命長(zhǎng)的電場(chǎng)發(fā)光器件。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的帶有沖擊緩沖功能的電場(chǎng)發(fā)光器件以及電場(chǎng)發(fā)光器件用的帶有沖擊緩沖功能的密封構(gòu)件具有以下特征(1)一種帶有沖擊緩沖功能的電場(chǎng)發(fā)光器件，包括具有在基片上形成的第1電極和夾持發(fā)光層形成在上述第1電極上的第2電極的發(fā)光元件形成基片，覆蓋上述發(fā)光元件形成基片的元件形成面一側(cè)的密封構(gòu)件，和配置在上述發(fā)光元件形成基片與密封構(gòu)件的間隙中的沖擊緩沖構(gòu)件。通過在發(fā)光元件形成基片與密封構(gòu)件的間隙中配置沖擊緩沖構(gòu)件，即使有外部的振動(dòng)或沖擊施加到密封構(gòu)件上，也會(huì)因上述沖擊緩沖構(gòu)件而使振動(dòng)和沖擊得到緩沖，能夠抑制對(duì)發(fā)光元件形成基片一側(cè)帶來的損傷。據(jù)此，可以提供具有穩(wěn)定性且壽命長(zhǎng)的EL器件。(2)一種上述(1)所述的帶有沖擊緩沖功能的電場(chǎng)發(fā)光器件，上述沖擊緩沖構(gòu)件突出設(shè)置或固定在上述密封構(gòu)件上與上述發(fā)光元件形成基片的相向面一側(cè)上。上述沖擊緩沖構(gòu)件屬于軟質(zhì)物質(zhì)的話，可以在發(fā)光元件形成基片的上方全面上形成沖擊緩沖構(gòu)件，但如果是硬質(zhì)物質(zhì)的話，最好避開發(fā)光元件形成基片的發(fā)光區(qū)域，而將沖擊緩沖構(gòu)件配置在非發(fā)光區(qū)域上。由于硬質(zhì)沖擊緩沖構(gòu)件雖然可以分散外部施加的力，但不能完全緩沖沖擊等，所以最好不要配置在發(fā)光區(qū)域上。因此，特別是對(duì)硬質(zhì)沖擊緩沖構(gòu)件，為了能夠配置在偏離發(fā)光區(qū)域的區(qū)域上，最好固定或突出設(shè)置在密封構(gòu)件上與上述發(fā)光元件形成基片的相向面一側(cè)上。(3)一種電場(chǎng)發(fā)光器件用的帶有沖擊緩沖功能的密封構(gòu)件，是用于覆蓋具有在基片上形成的第1電極和夾持發(fā)光層形成在上述第全文摘要
本發(fā)明提供一種可以緩沖來自外部的沖擊、壽命長(zhǎng)的EL器件。在EL器件(100)中,發(fā)光元件形成基片(18)通過在透明玻璃基片(10)上形成第1電極(12),進(jìn)而在第1電極(12)上形成發(fā)光元件層(16),并進(jìn)而在發(fā)光元件層(16)上形成第2電極(14)而構(gòu)成。密封構(gòu)件(40)從第2電極(14)一側(cè)以覆蓋的方式遮罩發(fā)光元件形成基片(18)的上方,在第2電極(14)和密封構(gòu)件(40)的間隙(30)中配置柱狀或球狀或片狀的沖擊緩沖構(gòu)件(20)。在該沖擊緩沖構(gòu)件(20)由硬質(zhì)材料形成時(shí),最好配置在EL器件的非發(fā)光區(qū)域上。
文檔編號(hào)H05B33/04GK1382007SQ02104978
公開日2002年11月27日 申請(qǐng)日期2002年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者山田努, 西川龍司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社