化合物、包括該化合物的有機發(fā)光器件和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】公開了一種由式1表示的化合物、一種包括該化合物的有機發(fā)光器件和一種顯示裝置，其中，在本說明書的詳細描述中提供了式1的描述。有機發(fā)光器件的有機層可以包括由式1表示的化合物。在有機層的發(fā)射層中可以包括由式1表示的化合物。式1
【專利說明】
化合物、包括該化合物的有機發(fā)光器件和顯示裝置
[0001 ] 本申請要求于2015年4月28日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0059635號韓 國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] -個或更多個示例實施例設(shè)及化合物和包括該化合物的有機發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機發(fā)光器件(0LED)是具有寬視角、高對比度和短響應(yīng)時間的自發(fā)射器件。0LED 還表現(xiàn)出優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓和響應(yīng)速度特性，并產(chǎn)生多色圖像。
[0004] 化抓可W包括設(shè)置在基底上的第一電極W及順序地設(shè)置在第一電極上的空穴傳 輸區(qū)域、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)域和第二電極。從第一電極提供的空穴穿過空穴傳輸區(qū)域移向 發(fā)射層，從第二電極提供的電子穿過電子傳輸區(qū)域移向發(fā)射層。諸如空穴和電子的載流子 在發(fā)射層中復(fù)合W產(chǎn)生激子。運些激子從激發(fā)態(tài)變成基態(tài)，從而產(chǎn)生光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] -個或更多個示例實施例包括具有改善的高效率、低驅(qū)動電壓、高亮度和長壽命 特性的藍色巧光滲雜劑化合物W及包括該藍色巧光滲雜劑化合物的有機發(fā)光器件。
[0006] 實施例的其它方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且部分地通過描述將是明顯 的，或者可W通過給出的實施例的實施來獲知。
[0007] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，提供了由式1表示的化合物：
[000引
[0009] 在式1中，
[0010] Ri至R4可W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的Ci-Cso烷基、取 代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Ci-Cso燒氧 基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的 C3-C1Q環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C1Q雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C6Q芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-CsO雜芳基、 取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基； [00川 Ari至Ar巧W均獨立地選自于取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的 Ci-Cso雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香 縮合雜多環(huán)基；
[0012] X可?選自于氧(0)、硫(S)和砸（Se);
[001引取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的C1-C60烷氧基、取 代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取 代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C2-C60雜芳基、取代的單 價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基的至少一個取代基可W選自于： [0014]気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[001引均取代有選自于気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[001 6] C3-C1肺烷基、C2-C1D雜環(huán)烷基、C3-C1肺締基、C2-C1D雜環(huán)締基、C6-C6D芳基、C6-C60芳 氧基、C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基； [0017]均取代有選自于気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、C2-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、C2-C6Q雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[001 引-Si(Q31)(跑 2)地3)，
[0019] 其中，Qll至化7、化適Q27和Q31至跑3可W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C60 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基。
[0020] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，提供了一種有機發(fā)光器件，所述有機發(fā)光器件包 括:第一電極;第二電極，面對第一電極；W及有機層，設(shè)置在第一電極與第二電極之間并包 括發(fā)射層，其中，有機層包括由式1表示的化合物。
[0021] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，提供了一種平板顯示裝置，所述平板顯示裝置包 括所述有機發(fā)光器件，所述有機發(fā)光器件的第一電極電結(jié)合到薄膜晶體管的源電極和漏電 極。
【附圖說明】
[0022] 通過W下結(jié)合附圖對示例實施例的描述，運些和/或其它方面將變得明顯且更容 易理解，其中：
[0023] 圖1是根據(jù)實施例的有機發(fā)光器件的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0024] 現(xiàn)在將更加詳細地參照示例實施例，在附圖中示出了示例實施例的示例。就運點 而言，本示例實施例可W具有不同的形式并且不應(yīng)被解釋為局限于運里所闡述的描述。因 此，通過參照附圖僅在下面描述示例實施例W解釋本描述的實施例的各方面。如運里使用 的，術(shù)語"和/或"包括一個或更多個相關(guān)所列項的任何組合和所有組合。當諸如"中的至少 一個(種）（者r的表述在一列元件之后時，修飾整列元件，而不是修飾該列的個別元件。另 夕h在描述本發(fā)明的實施例時"可的使用是指"本發(fā)明的一個或更多個實施例"。
[0025] 為了易于解釋，在運里可W使用諸如"在……下面"、"在……下方"、"下面的"、 "在……上方"、"上面的"等的空間相對術(shù)語來描述圖中所示出的一個元件或特征與其它元 件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了在附圖中描繪的方位之外，空間相對術(shù)語還意圖包含器 件在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其它元件或特 征"下方"或"下面"或"之下"的元件將隨后被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因此，示 例術(shù)語"在……下方"和巧……之下"可W包含"在……上方"和巧……下方"兩種方位。例 如，在本公開的上下文中，發(fā)射層可W在第一電極上方或下方。另外，器件可W被另外定位 (例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位），并且相應(yīng)地解釋運里使用的空間相對描述語。
[0026] 提供了由式1表示的化合物：
[0027] 式 1
[002引
[0029] 在式1中，
[0030] Ri至R4可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C60烷基、取 代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl-Cso燒氧 基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的 C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-Cso雜芳基、 取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0031] Ari至Ar4可W均獨立地選自于取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的 C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香 縮合雜多環(huán)基；
[0032] X可W選自于氧(0)、硫(S)和砸(Se);
[0033] 取代的Cl-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Cl-C60烷氧基、取 代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取 代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C2-C60雜芳基、取代的單 價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基的至少一個取代基可W選自于：
[0034] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0035] 均取代有選自于気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[0036] C3-C1肺烷基、C2-C1日雜環(huán)烷基、C3-C1肺締基、C2-C1日雜環(huán)締基、C日-C日日芳基、C日-C60芳 氧基、C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0037] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、C2-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、C2-C6Q雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[0038] -Si(Q3i)(Q32)(Q33),
[0039] 其中，Q11至Qi7、Q2適Q27和Q31至跑3可W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-B;r、-I、美圣 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基。
[0040] 關(guān)于相關(guān)領(lǐng)域的藍色發(fā)光材料，已經(jīng)使用了具有二苯基蔥的核屯、結(jié)構(gòu)并包括在端 部處(例如，在末端處)取代的芳基的藍色發(fā)光化合物和包括藍色發(fā)光化合物的有機發(fā)光器 件。然而，運樣的有機發(fā)光器件未能表現(xiàn)出足夠的或合適的發(fā)光效率和亮度。
[0041] 在本領(lǐng)域中已經(jīng)使用了包括取代的巧類部分的化合物和包括巧類化合物的有機 發(fā)光器件。然而，由于藍色的低色純度，運樣的有機發(fā)光器件難W實現(xiàn)深藍色，因此在實現(xiàn) 多色的全色顯示方面存在問題。
[0042] 為了解決上面的問題，本公開的實施例包括新穎的化合物和包括該新穎的化合物 的有機發(fā)光器件。
[0043] 本公開的新穎的化合物具有優(yōu)異的電特性、高電子傳輸能力和發(fā)光能力。在一些 實施例中，新穎的化合物可W具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度并防止結(jié)晶（例如，化合物的結(jié)晶溫度 可W升高），因此，可W可適用于包括紅色、綠色、藍色和白色的所有顏色的巧光和憐光器 件。新穎的化合物還可W用來制造具有高效率、低電壓、高亮度和長壽命特性的有機發(fā)光器 件。
[0044] 將更加詳細地描述式1的取代基。
[0045] 根據(jù)示例實施例，在式1中，Ri至R4可W均獨立地為取代的或未取代的Ci-Cso烷基。
[0046] 根據(jù)示例實施例，在式1中，Ari至Ar4可W均獨立地選自于由式2a至式2d表示的基 團：
[0047]
[004引 在式2a至式2d中，
[0049] 出可W選自于CRiiRi2、0和S;
[0050] Rii、Ri2和Zi可W均獨立地選自于氨、気、面素基團、氯基、硝基、徑基、簇基、取代的 或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C廣C20雜芳基、取 代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基、取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基和- Si(Q31) (〇32) (〇33)，其中，跑適跑河W與關(guān)于式1描述的相同；
[0051] 在多個Zi的情況下，每個Zi可W彼此相同或彼此不同（例如，每個Zi與其它Zi相同 或不同）；
[0化2] P可W是選自于1至9的整數(shù)；
[0053] *可W指結(jié)合位。
[0054] 根據(jù)示例實施例，在式1中，X可W是0或S。
[0055] 根據(jù)示例實施例，由式1表示的化合物可W由式2至式4中的一個表示：
[0化6] 式2
[0化7]
[0化引式3
[0化9]
[0060]
[0061]
[0062] 式2至式4的取代基可W限定為上面描述的。根據(jù)示例實施例，由式1表示的化合物 可W是W下的化合物1-化合物128中的一個：
[0063]















[0079] 如運里使用的術(shù)語"有機層"指設(shè)置在有機發(fā)光器件的第一電極與第二電極之間 的單層和/或多個層。然而，在"有機層"中包括的材料不限于有機化合物。例如，"有機層"可 W包括無機化合物。
[0080] 圖1示出根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光器件10的示意性剖視圖。有機發(fā)光器件10具 有第一電極110、有機層150和第二電極190的結(jié)構(gòu)。
[0081] 在下文中，將結(jié)合附圖描述根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和根據(jù)示例實 施例的制造有機發(fā)光器件的方法。
[0082] 在附圖中示出的實施例中，基底可W另外地設(shè)置在第一電極110下方和/或第二電 極190上方。基底可W是均具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、易處理性 和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。
[0083] 第一電極110可W通過例如沉積或瓣射用于在基底上形成第一電極110的材料來 形成。當?shù)谝浑姌O110是陽極時，用于形成第一電極110的材料可W選自于具有高逸出功的 材料，W促進空穴注入。第一電極110可W是反射電極、半透射電極或透射電極。用于形成第 一電極110的材料可W是均具有透明度和優(yōu)異的導(dǎo)電性的氧化銅錫(ΙΤΟ)、氧化銅鋒(IZO)、 氧化錫(Sn〇2)或氧化鋒(ZnO)。在一些實施例中，當?shù)谝浑姌O110是半透明電極或反射電極 時，可W利用選自于儀(Mg)、侶(A1)、侶-裡(A^Li)、巧(Ca)、儀-銅(Mg-In)和儀-銀(Mg-Ag) 中的至少一種作為用于形成第一電極110的材料。
[0084] 第一電極110可W是單層結(jié)構(gòu)或包括多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可W 具有口 O/AgATO的Ξ層結(jié)構(gòu)，但是第一電極110的結(jié)構(gòu)不限于此。
[0085] 有機層150可W設(shè)置在第一電極110的頂部上，并可W包括發(fā)射層。
[0086] 有機層150還可W包括設(shè)置在第一電極110與發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)域W及設(shè) 置在發(fā)射層與第二電極190之間的電子傳輸區(qū)域。
[0087] 空穴傳輸區(qū)域可W包括選自于空穴傳輸層化化）、空穴注入層化IL)、緩沖層和電 子阻擋層中的至少一個，電子傳輸區(qū)域可W包括選自于空穴阻擋層皿L、電子傳輸層ETL和 電子注入層EIL中的至少一個，但是空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域不限于此。
[0088] 空穴傳輸區(qū)域可W具有包括單種材料的單層結(jié)構(gòu)、包括多種不同材料的單層結(jié)構(gòu) 或包括由多種不同材料形成的多個層的多層結(jié)構(gòu)。
[0089] 例如，空穴傳輸區(qū)域可W具有包括多種不同材料的單層結(jié)構(gòu)或HILATTL的結(jié)構(gòu)、 HIL/HTL/緩沖層的結(jié)構(gòu)、HIL/緩沖層的結(jié)構(gòu)、肌L/緩沖層的結(jié)構(gòu)或HIL/HTL/E化的結(jié)構(gòu)。在 上述結(jié)構(gòu)中，每種結(jié)構(gòu)的層從第一電極now陳述的次序順序地堆疊，但是空穴傳輸區(qū)域不 限于此。
[0090] 當空穴傳輸區(qū)域包括HIL時，HIL可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真 空沉積、旋涂、誘鑄、朗格繆爾-布吉特化B)方法、噴墨印刷、激光印刷或激光誘導(dǎo)熱成像 化口 I)方法)形成在第一電極110上。
[0091] 當HIL通過真空沉積形成時，考慮到用于形成待沉積的HIL的化合物和待形成的 HIL的結(jié)構(gòu)（例如，鑒于沉積的化合物的特性和形成的HIL的特性），真空沉積可W例如在大 約ioo°c至大約5〇o°c的沉積溫度、在大約?0-%至大約?0-%的真空度下和W大約〇:.αιΑ/ 秒至大約lOOA,/秒的沉積速率執(zhí)行。
[0092] 當HIL通過旋涂形成時，考慮到用于形成待沉積的HIL的化合物和待形成的HIL的 結(jié)構(gòu)（例如，鑒于涂覆的化合物的特性和形成的HIL的特性），涂覆可W例如在大約2,000rpm 至大約5,00化pm的涂覆速度下和在大約80°C至大約200°C的溫度下執(zhí)行。
[0093] 當空穴傳輸區(qū)域包括HTL時，肌L可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真 空沉積、旋涂、誘鑄、LB方法、噴墨印刷、激光印刷或LITI方法)形成在第一電極110或HIL上。 當HTL通過真空沉積和/或旋涂形成時，用于HTL的沉積和涂覆條件可W通過參照用于HIL的 沉積和涂覆條件確定。
[0094] 空穴傳輸區(qū)域可 W 包括選自于m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-ΝΡΒ、TPD、螺- TPD、螺-NPB、a-NPB、TAPC、HMTPD、4,4'，4"-Ξ(Ν-巧挫基)Ξ苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基 苯橫酸(PANI/DBSA)、聚（3,4-乙撐二氧嚷吩)/聚（4-苯乙締橫酸鹽）（陽0017?55)、聚苯胺/ 精腦橫酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙締橫酸鹽）（PANI/PSS)、由式201表示的化合物和 由式202表示的化合物中的至少一種：
[0101] 在式201和式202中，
[0102] xal至xa4可W均獨立地選自于0、1、2和3，
[0103] xa5可 W選自于1、2、3、4和 5，
[0104] R2日適R204可W均獨立地選自于取代的或未取代的C3-C1日環(huán)烷基、取代的或未取代 的C2-C1Q雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C1Q環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C1Q雜環(huán)締基、取 代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫 基、取代的或未取代的C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或 未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基。
[0105] 例如，在式201和式202中，
[0106] L2日適L2日日可W均獨立地選自于：
[0107] 亞苯基、亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、 亞巧基、亞蔵.基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔 嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基和亞Ξ嗦基；W及
[0108] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的亞苯基、 亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、亞巧基、亞歳:基、 亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟 基、亞巧挫基和亞Ξ嗦基，
[0109] xal至xa4可W均獨立地為0、1或2，
[0110] xa5可 W是 1、2或 3，
[01川 R2日適R2日河W均獨立地選自于：
[0112] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、遠基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0113] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、甘菊環(huán) 基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、恵基、化晚基、化嗦基、喀晚基、 化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞 基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、農(nóng):基、化晚基、化嗦基、喀晚基、 化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基。
[0114] 由式201表示的化合物可W由式201A表示：
[0115] 式201A
[0116]
[0117] 例如，由式201表示的化合物可W由式201A-1表示，但化合物不限于此：
[011 引 式 201A-1
[0119]
[0120] 由式202表示的化合物可W由式202A表示，但化合物不限于此：
[0121] 式202A
[0122]
[0123] 在式 201A、式 201A-1 和式 202A 中，L201 至 L2〇3、xal 至 xa3、xa5 和 R202 至 1?2日4可^ 通過參 照本說明書中提供的描述來理解，R211和R212可W通過參照結(jié)合R203提供的描述來理解，R213 至R21河W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-CSQ烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、Cl-Cso {元氧基、。-〔1〇環(huán){元基、。-〔1〇雜環(huán){元基、抗-打〇環(huán)備基、。-Cif)雜環(huán)備基、Cfj-Cfif)芳基、Cfj-Cfio芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基。
[0124] 例如，在式201A、式201A-1和式202A中，
[0125] L201至L203可W均獨立地選自于：
[01%] 亞苯基、亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、 亞巧基、亞歲基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔 嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基和亞Ξ嗦基；W及
[0127]均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的亞苯基、亞糞基、亞 巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、亞巧基、亞趙:基、亞化晚基、 亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基 和亞Ξ嗦基，
[012引 xal至xa3可W均獨立地為0或1，
[01 29] R203、R211和R212可W均獨立地選自于：
[0130] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、證;基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0131] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、庸基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、藤基、菲基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦 基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和=嗦基，
[0132] R213和R214可W均獨立地選自于：
[013引打-C2日烷基和打-C2日烷氧基；
[0134] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基、歲;基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、 哇挫嘟基、巧挫基和S嗦基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基；
[0135] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0136] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、鹿基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0137] R2化和R216可W均獨立地選自于：
[013引氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、 橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C2G烷基和C廣C2G烷氧基；
[0139] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基、藏基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、 哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基；
[0140] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、唐基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基和Ξ嗦基；W及
[0141] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、鹿基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0142] xa5可 W是 1或2。
[0143] 在式201A和式201A-1中，R213和R214可W彼此結(jié)合(例如，組合在一起）W形成飽和 的或不飽和的環(huán)。
[0144] 由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可W均包括選自于下面的化合物 HT1至化合物HT20中的至少一種，但是化合物不限于此。
[0145]
[0146]
[0147]
[014引空穴傳輸區(qū)域的厚度可W在大約IOQA至大約ΙΟ,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)，例如，在大約 100Α至大約Ι,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)域包括HIL和HTL時，HIL的厚度可W在大約 1ΟΟΑ至小于大約10,000蓋的范圍內(nèi)，例如，在大約100 A至大約1 ,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)，HTL的 厚度可W在大約50Α至大約2,000Α的范圍內(nèi)，例如，在大約100Α至大約1，500Α的范圍 內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)域、HIL和HTL的厚度在運些范圍之內(nèi)時，獲得令人滿意的或合適的空穴傳 輸特性而不顯著增大驅(qū)動電壓。
[0149] 除了上述材料之外，空穴傳輸區(qū)域還可W包括用于改善導(dǎo)電性能的電荷產(chǎn)生材 料。電荷產(chǎn)生材料可W均勻地或不均勻地分散在空穴傳輸區(qū)域中。
[0150] 電荷產(chǎn)生材料可W是例如Ρ滲雜劑。Ρ滲雜劑可W是(例如，可W選自于)釀衍生物、 金屬氧化物和含氯基化合物中的一種，但Ρ滲雜劑不限于此。例如，Ρ滲雜劑的非限制性示例 包括：釀衍生物，諸如四氯基釀二甲燒（TCNQ)和2,3,5,6-四氣-四氯基-1,4-苯釀二甲燒 (F4-TCNQ);金屬氧化物，諸如氧化鶴和氧化鋼；W及下面的化合物HT-D1，但是Ρ滲雜劑不限 于此。
[0151] 化合物 HT-D1 F4-TCNQ
[0152]
[0153] 除了 HIL和HTL之外，空穴傳輸區(qū)域還可W包括邸L和緩沖層。緩沖層可W根據(jù)從發(fā) 射層發(fā)射的光的波長來補償光學(xué)諧振距離，從而改善形成的有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。對 于用作在緩沖層中包括的材料，可W使用在空穴傳輸區(qū)域中包括的材料。邸L可W減少或防 止電子從電子傳輸區(qū)域的注入。
[0154] 發(fā)射層可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB方 法、噴墨印刷、激光印刷或LITI方法)形成在第一電極110上或在空穴傳輸區(qū)域上。當發(fā)射層 通過真空沉積和/或旋涂形成時，用于發(fā)射層的沉積和涂覆條件可W通過參照用于HIL的沉 積和涂覆條件來確定。
[0155] 當有機發(fā)光器件10是全色有機發(fā)光器件時，發(fā)射層可W分別根據(jù)單個的子像素圖 案化為紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層或藍色發(fā)射層。發(fā)射層可W具有各種合適的結(jié)構(gòu)的變型，例 如，可W具有紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層的堆疊結(jié)構(gòu)或在層之間沒有區(qū)分的情 況下混合的紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料和藍色發(fā)光材料的混合結(jié)構(gòu)，因此，發(fā)射層可W發(fā) 射白光。
[0156] 發(fā)射層可W包括主體和滲雜劑。
[0157] 主體可W包括例如選自于TPBi、TBADN、AND(也稱作'咖心'）、〔8口、〔08口和1'〔口中的一 個：
[015 引
[0159] 在一些實施例中，主體可W包括由式301表示的化合物：
[0160] 式301
[0161] ΑΓ301-[ (L301)xb廣R301]xb2
[0162] 在式 301 中，
[0163] Anoi可W選自于：
[0164] 糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥 基、苯并[9，10]菲基、巧基、蔚基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并蔥基；W及
[01化]均取代有選自于気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Ci-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-Si ( Q301) (化02 ) ( Q303 )(其中，Q301至化日3可W均獨立地選自于氨、扣-C60烷基、C2-C60締基、C6-C60芳基和 Ci-Cso雜芳基）中的至少一者的糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那 締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、盧基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧 并蔥基，
[0166] L301可W通過參照結(jié)合L201提供的描述來理解，
[0167] R301可W選自于：
[016引打-C20烷基和打-C20烷氧基；
[0169] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基、蔚基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、 哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基，
[0170] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0171] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、鹿基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中至少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、鹿:基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0172] xbl 可 W 選自于0、1、2和3，
[0173] xb2可 W選自于1、2、3和4。
[0174] 例如，在式301中，
[0175] L301可W選自于：
[0176] 亞苯基、亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、 亞巧基和亞歳基；W及
[0177] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基和歳基中的至少一者的亞苯基、亞糞基、亞巧 基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、亞巧基和亞愚基，
[017引 R301可W選自于：
[0179] 打-C2日烷基和打-C2日烷氧基；
[0180] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基和窟基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基；
[0181] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基和窟基；W及
[0182] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基和蔵基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基和盧基，但是由式301表示的化合物不限于 此。
[0183] 例如，主體可W包括由式301A表示的化合物：
[0184] 式301A
[0185]
[0186] 式301A的取代基可W通過參照本說明書中提供的描述來理解。
[0187] 由式301表示的化合物可W包括選自于下面的化合物H1至化合物H42中的至少一 種，但是由式301表示的化合物不限于此：


[0191] 在一些實施例中，主體可W包括選自于下面的化合物H43至化合物H49中的至少一 種，但是主體不限于此：
[0192]

[0194]根據(jù)示例實施例，滲雜劑可W包括由式1表示的化合物。
[01M]基于100重量份的主體，發(fā)射層中包括的滲雜劑的量一般可W在大約0.01重量份 至大約15重量份的范圍內(nèi)，但是滲雜劑不限于此。
[0196] 發(fā)射層的厚度可W在大約100A至大約1，〇膊某的范圍內(nèi)，例如，在大約200A至大 約600Λ的范圍內(nèi)。當發(fā)射層的厚度在上面描述的范圍之內(nèi)時，獲得優(yōu)異的發(fā)光特性而不顯 著增大驅(qū)動電壓。
[0197] 接著，電子傳輸區(qū)域可W設(shè)置在發(fā)射層上。
[0198] 電子傳輸區(qū)域可W包括選自于皿L、ETL和EIL中的至少一個，但是電子傳輸區(qū)域不 限于此。
[0199] 當電子傳輸區(qū)域包括皿L時，皿L可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真 空沉積、旋涂、誘鑄、LB方法、噴墨印刷、激光印刷或LITI方法)形成在發(fā)射層上。當皿L通過 真空沉積和/或旋涂形成時，用于皿L的沉積和涂覆條件可W通過參照用于HIL的沉積和涂 覆條件來確定。
[0200] 皿L可W包括例如選自于下面的BCP和化hen中的至少一個，但是皿L不限于此：
[0202] 冊L的厚度可w在大約20A至大約Ι,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)，例如，在大約30A至大約 30化y勺范圍內(nèi)。當皿L的厚度在上面描述的范圍之內(nèi)時，獲得優(yōu)異的空穴阻擋特性而不顯 著增大驅(qū)動電壓。
[0203] 電子傳輸區(qū)域可W具有ETL/EIL的結(jié)構(gòu)或皿L/ETL/EIL的結(jié)構(gòu)。在上述結(jié)構(gòu)中，每 種結(jié)構(gòu)的層從發(fā)射層順序地堆疊，但是電子傳輸區(qū)域不限于此。
[0204] 根據(jù)示例實施例，有機發(fā)光器件10的有機層150可W包括位于發(fā)射層與第二電極 190之間的電子傳輸區(qū)域，電子傳輸區(qū)域可W包括ETLdE化可W包括多個層。例如，電子傳輸 區(qū)域可W包括第一電子傳輸層和第二電子傳輸層。
[0205] ETL可W包括選自于下面的BCP、B地611、4193、8曰19、了42和饑'42中的至少一種：
[0206]
[0207] 在一些實施例中，E化可W包括選自于由式601表示的化合物和由式602表示的化 合物中的至少一種：
[020引 式 601
[0209] ΑΓ601-[ (LsoOxe廣E601]xe2
[0210] 在式 601 中，
[0別。Are日河W選自于：
[0212] 糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥 基、苯并[9，10]菲基、巧基、蔑基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并蔥基；
[0213] 均取代有選自于気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-CsO烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Ci-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C3-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C3-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-SKQ301) (化02 ) ( Q303 )(其中，Q301至Q3日巧W均獨立地選自于氨、扣-C60烷基、C2-C60締基、C6-C60芳基和 C2-C60雜芳基）中的至少一者的糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那 締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、感基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧 并蔥基，
[0214] L6(n可W通過參照在此結(jié)合L203提供的描述來理解，
[0215] Ε6(Π 可W選自于：
[0216] 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并 哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、 吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、 =挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫 基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；W及
[0217] 均取代有選自于気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C2G烷基、C1-C2G烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚 基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊^締基、印基、奈基、甘鋼環(huán)基、庚搭締基、引達省基、 起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲 基、巧基、窟基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟 基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦 基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫 基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、 嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基中的至少一者的化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、 化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、 嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚 基，
[0218] xel 可 W 選自于0、1、2和3，
[0219] xe2可 W選自于1、2、3和4。
[0220] 式602
[0221]
[0222] 在式602 中，
[0223] Xsil可 W為N或C-(X611)xe611-R611，Xsi2可 W為N或C-(X612)xe612-R612，Xsi3可 W為N或C- (L613)xe613-R613,其中，Xsil至X613中的至少一個為氮(N)。
[0224] Lm至L616可W通過參照在此結(jié)合L203提供的描述來理解，
[02巧]R611至R616可W均獨立地選自于：
[02%] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0227] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、趨基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇 嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0228] xe611至xe616可W均獨立地選自于0、1、2和3。
[0229] 由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可W均包括選自于下面的化合物 ET1至化合物ET15中的至少一種：
[0230]
[0231]
[023^ E化的厚度可W在大約lOOA至大約1為00惠的范圍內(nèi)，例如，在大約1洗A至大約 500人的范圍內(nèi)。當ETL的厚度在上面描述的范圍之內(nèi)時，E化具有令人滿意的或合適的電子 傳輸特性而不顯著增大驅(qū)動電壓。
[0233] 除了上面描述的材料之外，E化還可W包括含金屬材料。
[0234] 含金屬材料可W包括Li配合物。Li配合物可W包括例如化合物ET-D1(^基哇嘟 裡，LiQ))或下面的化合物ET-D2:
[0235]
[0236] 電子傳輸區(qū)域可W包括促進從第二電極190注入電子的EIL。
[0237] EIL可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB方法、 噴墨印刷、激光印刷或LITI方法)形成在ETL上。當EIL通過真空沉積和/或旋涂形成時，用于 EIL的沉積和涂覆條件可W通過參照用于HIL的沉積和涂覆條件來確定。
[0238] EIL可W包括選自于^。、船(：1、〔3。、^2〇、8曰0和^9中的至少一種。
[0239] EIL的厚度可W在大約1.A至大約100A的范圍內(nèi)，例如，在大約3A至大約90A的 范圍內(nèi)。當EIL的厚度在上面描述的范圍之內(nèi)時，EIL具有令人滿意的或合適的電子注入特 性而不顯著增大驅(qū)動電壓。
[0240] 第二電極190設(shè)置在有機層150上。第二電極190可W是作為電子注入電極的陰極。 運里，用于形成第二電極190的材料可W包括具有相對低的逸出功的金屬、合金、導(dǎo)電化合 物或它們的混合物。用于形成第二電極190的材料的示例包括裡化i)、儀(Mg)、侶(41)、侶- 裡(Al-Li)、巧(Ca)和儀-銅(Mg-In)、儀-銀(Mg-Ag)。在一些實施例中，用于形成第二電極 190的材料可W為IT0或IZ0。第二電極190可W為反射電極、半透明電極或透明電極。
[0241] 有機發(fā)光器件10的有機層150可W利用根據(jù)示例實施例的化合物通過沉積方法形 成或利用根據(jù)示例實施例的在溶液中制備的化合物通過濕涂覆方法形成。
[0242] 可W在各種合適類型的平板顯示裝置(諸如無源矩陣化抓顯示裝置和有源矩陣 OLm)顯示裝置）中包括根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光器件10。例如，當有機發(fā)光器件10配備有 有源矩陣OLm)顯示裝置，設(shè)置在基底的一側(cè)上的第一電極110可W用作像素電極，并可W電 結(jié)合到薄膜晶體管的源電極和漏電極。在一些實施例中，有機發(fā)光器件10可W配備有可在 兩側(cè)具有顯示屏的平板顯示裝置。
[0243] 在上文中，已經(jīng)參照附圖描述了有機發(fā)光器件10,但有機發(fā)光器件不限于此。
[0244] 在下文中，用在本公開中的所有取代基之中的代表性取代基可W如下限定（限定 取代基的碳數(shù)是非限制性的并不限制取代基的特性，如果在取代基的一般限定中找到在本 公開中未描述的取代基，則不包括運些取代基，例如，運里未描述的取代基應(yīng)具有與本公開 所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義）。
[0245] 如運里使用的，術(shù)語乂 1-C60烷基"指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈脂肪控單價 基團，其示例包括甲基、乙基、丙基、異下基、仲下基、叔下基、戊基、異戊基和己基。如運里使 用的，除了C1-C60亞烷基是二價而不是單價之外，術(shù)語乂 1-C60亞烷基"指與C1-C60烷基具有基 本相同的結(jié)構(gòu)。
[0246] 如運里使用的，術(shù)語乂廣C60烷氧基"指由-OAioi (其中，Aioi與Ci-Cso烷基相同）表示 的單價基團，其示例包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。
[0247] 如運里使用的，術(shù)語乂2-C60締堂'指通過在C2-C60烷基的主鏈中（例如，在鏈的中 間）或在末端處取代至少一個碳-碳雙鍵形成的控基，其示例包括乙締基、丙締基和下締基。 如運里使用的，除了C2-C60亞締基為二價而不是單價之外，術(shù)語乂2-C60亞締基"指與C2-C60締 基具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[024引如運里使用的，術(shù)語乂2-C60烘堂'指通過在C2-C60烷基的主鏈中（例如，在鏈的中 間）或在末端處取代至少一個碳-碳Ξ鍵形成的控基，其示例包括乙烘基和丙烘基。如運里 使用的，除了C2-C60亞烘基為二價而不是單價之外，術(shù)語"C2-C60亞烘基"指與C2-C60烘基具有 基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0249] 如運里使用的，術(shù)語乂3-Cio環(huán)烷基"指具有3至10個碳原子的單價單環(huán)控基，其示 例包括環(huán)丙基、環(huán)下基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如運里使用的，除了 C3-C10亞環(huán)烷基為二 價而不是單價之外，術(shù)語乂 3-ClO亞環(huán)烷基"指與C3-C10環(huán)烷基具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基 團。
[0250] 如運里使用的，術(shù)語乂i-Cio雜環(huán)烷基"指具有作為成環(huán)原子的N、0、P和S中的至少 一種雜原子和1至10的碳原子的單價單環(huán)基團，其示例包括四氨巧喃基和四氨嚷吩基。如運 里使用的，除了 C2-C10亞雜環(huán)烷基為二價而不是單價之外，術(shù)語乂2-ClO亞雜環(huán)烷基"指與C2- Cio雜環(huán)烷基具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0251]如運里使用的，術(shù)語乂3-Cio環(huán)締基"指在其環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個雙 鍵(例如，至少一個碳-碳雙鍵)而不具有芳香性(例如，環(huán)或C3-C10環(huán)締基無芳香性）的單價 單環(huán)基團，其示例包括環(huán)戊締基、環(huán)己締基和環(huán)庚締基。如運里使用的，除了C3-C10亞環(huán)締基 為二價而不是單價之外，術(shù)語乂3-ClO亞環(huán)締基"指與C3-C10環(huán)締基具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二 價基團。
[02對如運里使用的，術(shù)語"C2-C10雜環(huán)締基"指在其環(huán)中具有選自于N、0、P和S的至少一 種雜原子作為成環(huán)原子、2至10個碳原子和至少一個雙鍵(例如，至少一個碳-碳雙鍵）的單 價單環(huán)基團。C2-C10雜環(huán)締基的示例包括2,3-氨巧喃基和2,3-氨嚷吩基。如運里使用的，除 了 C2-C1G亞雜環(huán)締基為二價而不是單價之外，術(shù)語"C2-C1G亞雜環(huán)締基"指與C2-C1G雜環(huán)締基 具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0253]如運里使用的，術(shù)語乂6-C60芳基"指具有包括6至60個碳原子的碳環(huán)芳香系的單價 基團，如運里使用的，術(shù)語"C6-C60亞芳基"指具有包括6至60個碳原子的碳環(huán)芳香系的二價 基團。C6-C60芳基的示例包括苯基、糞基、蔥基、菲基、巧基和蔑基。當C6-C60芳基和C6-C60亞 芳基均包括兩個或更多個環(huán)時，運些環(huán)可W彼此稠合(例如，結(jié)合在一起）。
[0254]如運里使用的，術(shù)語"C1-C60雜芳基"指具有包括選自于N、0、P和S中的至少一個雜 原子作為成環(huán)原子和1至60個碳原子的碳環(huán)芳香系的單價基團。如運里使用的，術(shù)語乂 1-C60 亞雜芳基"指具有包括選自于N、0、p和S中的至少一個雜原子作為成環(huán)原子和1至60個碳原 子的碳環(huán)芳香系的二價基團。Ci-Cso雜芳基的示例包括化晚基、喀晚基、化嗦基、化嗦基、Ξ 嗦基、哇嘟基和異哇嘟基。當Ci-Cso雜芳基和Ci-Cso亞雜芳基均包括兩個或更多個環(huán)時，運些 環(huán)可W彼此稠合(例如，結(jié)合在一起）。
[0255] 如運里使用的，術(shù)語"C6-C60芳氧基"指-〇Ai〇2(其中，Ai〇2為C6-C60芳基），如運里使用 的，術(shù)語乂6-C60芳硫堂'指-SAi〇3 (其中，Ai〇3為C6-C60芳基）。
[0256] 如運里使用的，術(shù)語"單價非芳香縮合多環(huán)基"（例如，具有8至60個碳原子的基團） 指具有彼此稠合(例如，結(jié)合在一起）的兩個或更多個環(huán)、僅具有僅作為成環(huán)原子的碳原子 并在整個分子結(jié)構(gòu)中具有非芳香性(例如，盡管基團可W結(jié)合到具有芳香性的另一基團，但 是整個單價非芳香縮合多環(huán)基無芳香性）的單價基團。單價非芳香縮合多環(huán)基的示例為巧 基。如運里使用的，除了二價非芳香縮合多環(huán)基為二價而不是單價之外，術(shù)語"二價非芳香 縮合多環(huán)基"指與單價非芳香縮合多環(huán)基具有基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0257] 如運里使用的，術(shù)語"單價非芳香縮合雜多環(huán)基"（例如，具有2至60個碳原子的基 團）指具有兩個或更多個彼此稠合(例如，結(jié)合在一起)的環(huán)、除了 C之外具有選自于N、0、P和 S的雜原子作為成環(huán)原子并在整個分子結(jié)構(gòu)中具有非芳香性(例如，盡管基團可W結(jié)合到具 有芳香性的另一基團，但是整個單價非芳香縮合多環(huán)基無芳香性)的單價基團。單價非芳香 縮合雜多環(huán)基的示例為巧挫基。如運里使用的，除了二價非芳香性縮合雜多環(huán)基為二價而 不是單價之外，術(shù)語"二價非芳香性縮合雜多環(huán)基"指與單價非芳香縮合雜多環(huán)基具有基本 相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0258] 取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C2-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)締基、取代的 C2-C10亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的Cl-Cso亞雜芳基、取代的二價非芳香縮合多 環(huán)基、取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基、取代的Cl-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60 烘基、取代的Cl-Cso烷氧基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締 基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取 代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基的至 少一個取代基可W選自于：
[0259] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0260] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[0261 ]肺烷基、Cs-ClD雜環(huán)烷基、肺締基、Cs-ClD雜環(huán)締基、Cs-CsD芳基、Cs-Cso芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基； [0262]均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、Cl-CsQ雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[0%；3] -N(跑1) (Q32)、-Si (Q33) (Q34) (Q35)和-B(Q36) (Q37)，
[0264] 其中，Q11至化7、化適Q27和Q31至跑7可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C60 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基。
[02化]例如，取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C2-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)締基、取 代的C2-C10亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的C1-C60亞雜芳基、取代的二價非芳香縮 合多環(huán)基、取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的 C2-C6D烘基、取代的Cl-Ceo烷氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10 環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫 基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基 的至少一個取代基可W選自于：
[0266] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0267] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、 苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9，10]菲基、巧基、疆基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基、 咪挫并喀晚基、-N(Qll) (Qi2)、-Si(Ql3) (Qi4) (Qi5)和-B(Qi6) (Qi7)中的至少一者的Cl-Cs偏基、 Cs-Cso締基、Cs-Cso烘基和C廣Cso烷氧基；
[0268] 環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘 菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、 蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、猜基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五 苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、 嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇 嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚 基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并 嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、 苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0269] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Ci-Cs日燒氧 基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán) 基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、 巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、歲基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、 玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫 基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚 基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、 異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫 基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-N(化1)(Q22)、-Si (化3)(924) 地5)和-B(Q26)(Q27)中的至少一者的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并 環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二 苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、遮基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、 化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、 嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚 基；w及
[0270] -N(跑 1) (Q32)、-Si (Q33) (Q34) (Q35)和-B(Q36) (Q37)，
[0^。 其中，Qii至Qi7、化適Q27和Q31至跑7可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso 烷基、〔2-〔6日締基、〔2-〔6日烘基、打-〔6日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、 苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9，10]菲基、巧基、感基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基 和咪挫并喀晚基。
[0272] 如運里使用的，術(shù)語"Ph"指苯基，如運里使用的，術(shù)語"Me"指甲基，如運里使用的， 術(shù)語巧t"指乙基，如運里使用的，術(shù)語"ter-Bu"或巧U"'指叔下基。
[0273] 在下文中，將參照合成示例和示例更加詳細地描述根據(jù)實施例的有機發(fā)光器件。 腳4] 合成示例 腳引[合成示例1:中間體A的合成]
[0276]
腳7] 中間體A-1的合成
[027引在氮氣氛中，將5.13g(30mmol)的嚷吩-2,5-二基二棚酸、7.472g(30mmol)的2-漠- 5-氯苯甲酸甲醋、1.732g( 1.5mmo 1)的Pd(PPh3)4和6.21g(45mmol)的K2CO3溶解在500mL的 THF/此0的混合溶液（W2/1的體積比）中，然后在80°C的溫度下攬拌12小時。在反應(yīng)溶液冷 卻到室溫之后，向其添加 lOOmL的水，并將得到的溶液用150mL的乙酸萃取3次。用硫酸儀干 燥從其收集的有機溶劑，然后，通過蒸發(fā)溶劑獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法分離純化，從 而獲得6.21g的中間體A-l(21mmol，產(chǎn)率:83%)。 腳9] 中間體A-2的合成
[0280]除了使用中間體A-1和5-漠-2-艦苯甲酸甲醋分別代替嚷吩-2,5-二基二棚酸和2- 漠-5-氯苯甲酸甲醋之外，W與中間體A-1的合成中的方式相同的方式獲得6.97g的中間體 A-2(15mmol，產(chǎn)率：71%)。
[誦]中間體A-3的合成
[0282] 在氮氣氛中，將6.97g( 15mmol)的中間體A-1溶解在500mL的無水THF中，然后在0°C 的溫度下攬拌1小時。向其緩慢地逐滴地加入30mL的1.6M甲基漠化儀己燒溶液達1小時，然 后，在室溫下攬拌24小時。連續(xù)地，向其添加50mL的1N肥1，并用150mL的乙酸將所得溶液萃 取3次。用硫酸儀干燥從其收集的有機溶劑層，然后，通過蒸發(fā)溶劑獲得的殘余物通過硅膠 柱色譜法分離純化，從而獲得6.51 g的中間體A-3 (14mmo 1，產(chǎn)率:93 % )。
[0巧引中間體A的合成
[0284] 在氮氣氛中，將6.51g(14mmol)的中間體A-3溶解在lOOmL的二氯甲燒中，然后，在0 °C的溫度下攬拌1小時。向其緩慢地逐滴地加入5mL的甲橫酸達30分鐘。在反應(yīng)溶液在室溫 下攬拌1小時之后，向其添加50mL的碳酸鋼水溶液，并用50mL的二氯甲燒將所得溶液萃取3 次。用硫酸儀干燥從其收集的有機溶劑層，然后將通過蒸發(fā)溶劑獲得的殘余物通過硅膠柱 色譜法分離純化，從而獲得4.29g的中間體A(10mmol，產(chǎn)率:71%)。
[0285] [合成示例2:中間體B的合成] Γ02861
[0巧7] 中間體B-1的合成
[0288] 除了使用巧喃-2，5-二基二棚酸代替嚷吩-2，5-二基二棚酸之外，W與關(guān)于中間體 A-1的合成描述的方式相同的方式獲得6.16g的中間體B-1 (22mmol，
[0289] 產(chǎn)率:73%)。
[0巧0] 中間體B-2的合成
[0291]除了使用中間體B-1代替中間體A-1之外，W與關(guān)于中間體A-2的合成的方式相同 的方式獲得7.1始的中間體B-2 (16mmo 1，產(chǎn)率:72 % )。
[0巧。中間體B-3的合成
[0293]除了使用中間體B-2代替中間體A-2之外，W與關(guān)于中間體A-3的合成描述的方式 相同的方式獲得6.26g的中間體B-3(13mmol，產(chǎn)率:81 % )。
[0巧4] 中間體B的合成
[0295]除了使用中間體B-3代替中間體A-2之外，W與關(guān)于中間體A的合成描述的方式相 同的方式獲得4.54g的中間體B( 1 Immol，產(chǎn)率:84% )。
[0296] [合成示例3:化合物1的合成]
[0297]
[029引在氮氣氛中，將0.429g( Immol)的中間體A、0.507g(3mmol)的聯(lián)苯胺、0.091g (0.1臟01)的^(二亞芐基丙酬)二鈕(0)。(12(化曰)3)、0.020邑(0.111111101)的^叔下基麟。(1- Bu)3)和0.288g(3mmol)的化化Bu溶解在60mL的甲苯中，然后在90°C的溫度下攬拌4小時。在 反應(yīng)溶液冷卻到室溫之后，將所得溶液均用50mL的水和50mL的二乙酸萃取3次。用硫酸儀干 燥從其收集的有機層，然后，通過蒸發(fā)溶劑獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法分離純化，從而 獲得0.520g的化合物1 (0.8mmol，產(chǎn)率:80% )。
[0299] [合成示例4:化合物39的合成]
[0300]
[0301] 中間體39-1的合成
[0302] 除了使用N-苯基-4-(Ξ甲基甲娃烷基)苯胺代替聯(lián)苯胺之外，W與關(guān)于化合物1的 合成描述的方式相同的方式獲得0.500g的中間體39-1 (0.87mmol，產(chǎn)率:87% )。
[030引化合物39的合成
[0304] 除了分別使用中間體39-1和N-苯基糞-2-胺代替中間體A和聯(lián)苯胺之外，W與關(guān)于 化合物1的合成描述的方式相同的方式獲得0.540g的化合物39(0.7mmol，產(chǎn)率:80%)。
[0305] 除了在附加的合成中使用適合用于每個合成的中間體材料之外，根據(jù)與上面描述 的相同的合成途徑和相同的合成方法合成其它另外的化合物。除了本說明書中描述的化合 物之外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還可W鑒于本說明書通過參照上面描述的合成途徑和原材料 容易地合成其它化合物。
[03(?]示例 1
[0307] 作為陽極基底，將15 Ω /cm2 ( 1，200Λ ) ITO玻璃基底（由Corning制造)切割成50mm X 50mm X 0.7mm的尺寸，并用異丙醇和純水超聲清洗各5分鐘。通過紫外光(UV)照射IT0玻璃 基底30分鐘，通過暴露于臭氧進行清洗，然后，傳送到真空蒸發(fā)器。
[030引在IT0陽極上真空沉積2-TNATAW形成具有600A的厚度的HIL，在HIL上沉積4， 4'-雙[N-(l-糞基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)W形成具有300A的厚度的HTL。
[0309] 然后，在肌L上W98: 2的重量比共沉積下面的9,10-二糞-2-基-蔥基(DNA)和化合 物形成具有3OQA的厚度的發(fā)射層。
[0310] 然后，在發(fā)射層上沉積AlqsW形成具有300A的厚度的ETL，并在ETL上沉積LiFW 形成具有l(wèi)OA的厚度的EIL。在EIL上沉積A1W形成具有3,000A的厚度的第二電極（即，陰 極），從而制造有機發(fā)光器件。
[0311]
[0312] 示例2
[0313] 除了形成EML時使用化合物20代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[0：314]示例3
[0315] 除了形成EML時使用化合物39代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[0316] 示例4
[0317] 除了形成EML時使用化合物49代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[031引示例5
[0319]除了形成EML時使用化合物70代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[0；320]示例6
[0321]除了形成EML時使用化合物93代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[cm。 示例7
[0323]除了形成EML時使用化合物98代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[0；324]示例8
[0325]除了形成EML時使用化合物125代替化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同 的方式制造有機發(fā)光器件。
[0：32引 對比示例1
[0327]除了形成發(fā)射層時使用在本領(lǐng)域中已經(jīng)作為藍色巧光滲雜劑使用的DPAVBi代替 化合物1之外，W與關(guān)于示例1描述的方式相同的方式制造有機發(fā)光器件。
[032引在示例1至示例8和對比示例1中制造的有機發(fā)光器件的特性示出在下面的表1中。
[0329] 表 1
[0330]
[0331] 參照表1，可W確認的是，當使用式1的化合物作為用于形成發(fā)射層的滲雜劑時，包 括由式1表示的化合物的發(fā)光器件的驅(qū)動電壓低于對比示例1的發(fā)光器件的驅(qū)動電壓。包括 由式1表示的化合物的發(fā)光器件還呈現(xiàn)顯著改善的效率和I-V-L特性，具體地，示出了優(yōu)異 的壽命特性。
[0332] 如上面描述的，包括根據(jù)上面描述的一個或更多個實施例的化合物的有機發(fā)光器 件可W具有良好的發(fā)射特性，因此可W適合于包括紅色、綠色、藍色和白色的所有顏色的巧 光器件和/或憐光器件。因此，可W制造具有高效率、低驅(qū)動電壓、高亮度和長壽命特性的有 機發(fā)光器件。
[0333] 將理解的是，當元件或?qū)颖环Q作"在"另一元件或?qū)?上"、"連接到"或"結(jié)合到"另 一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌蒞直接在所述另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到或結(jié)合到所述另 一元件或?qū)?，或者可W存在一個或更多個中間元件或中間層。例如，在本公開的上下文中， 發(fā)射層可W直接或間接在空穴傳輸區(qū)域上。此外，還將理解的是，當元件或?qū)颖环Q作"在"兩 個元件或?qū)?之間"時，該元件或?qū)涌蒞是兩個元件或兩個層之間的唯一元件或?qū)?，或者還 可W存在一個或更多個中間元件或中間層。
[0334] 應(yīng)理解的是，運里描述的示例實施例應(yīng)僅W描述性的含義來考慮，而不是出于限 制性的目的。在每個示例實施例內(nèi)的特征或方面的描述通常被認為可用于其它示例實施例 中的其它相似特征或方面。
[0335] 雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個或更多個示例實施例，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理 解的是，不脫離如權(quán)利要求和它們的等同物限定的本公開的精神和范圍的情況下，可W在 此做出形式和細節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項】
1. 一種化合物，所述化合物由式1表示： 式1其中， 化至R4均獨立地選自于： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60締基、取 代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的C廣C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)燒 基、取代的或未取代的C2-C1G雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C1G環(huán)締基、取代的或未取代的 C2-C10雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或 未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮 合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基， Ari至Ar4均獨立地選自于取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的Ci-Cso雜芳 基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán) 基； X選自于氧、硫和砸， 取代的Cl-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Cl-Cso烷氧基、取代的 C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的 C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C2-C60雜芳基、取代的單價非 芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基的至少一個取代基選自于： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或 其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣C60烷氧基； 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基 或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、C2-C10 雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、 單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(Qll) (Qi2)、-Si (Qi3) (Qw) (Qi5)和-B(Qi6) (Qi7)中的至少一者的 C廣Cso烷基、Cs-Cso締基、Cs-Cso烘基和C廣Cso烷氧基； C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧 基、C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基； 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基 或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、扣-C60烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-C6日烷氧基、 C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs- C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、C2-C6Q雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)， 其中，Q1I至化7、化1至化7和化1至化3均獨立地選自于氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、 硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-C日日烷基、C2- CsO締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán) 締基、C6-C60芳基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，Ri至R4均獨立地為取代的或未取代的 C廣Cso烷基。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，Ari至Ar期獨立地選自于由式2a至式 2d表不的基團：其中，在式2a至式2d中， 化選自于CRiiRi2、0和S， Rii、Ri2和Zi均獨立地選自于氨、気、面素基團、氯基、硝基、徑基、簇基、取代的或未取代 的C廣C20烷基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20雜芳基、取代的或未 取代的單價非芳香縮合多環(huán)基、取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-Si(化1) (跑2)(跑3)， 其中，當化合物包括多個Zi時，每個Zi與其它Zi相同或不同， P是選自于1至9的整數(shù)， *指結(jié)合位。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，X是0或S。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，式1的化合物由式2表示： 式28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，由式1表示的化合物是W下化合物中的一個：ο,9. 一種有機發(fā)光器件，所述有機發(fā)光器件包括： 第一電極； 第二電極，面對所述第一電極；W及 有機層，位于所述第一電極與所述第二電極之間，其中，所述有機層包括發(fā)射層和根據(jù) 權(quán)利要求1所述的化合物。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光器件，其中，所述有機層通過濕涂覆方法形成。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光器件，其中，所述第一電極是陽極， 所述第二電極是陰極， 所述有機層包括:i)空穴傳輸區(qū)域，位于所述第一電極與所述發(fā)射層之間，并包括選自 于空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一個；W及ii)電子傳輸區(qū)域，位于所述 發(fā)射層與所述第二電極之間并包括選自于空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少 一個。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述發(fā)射層包括根據(jù)權(quán)利要求1所述 的化合物。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述發(fā)射層包括根據(jù)權(quán)利要求1所述 的化合物作為滲雜劑。14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸區(qū)域包括電荷產(chǎn)生材 料。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電荷產(chǎn)生材料是P滲雜劑。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光器件，其中，所述P滲雜劑選自于釀衍生物、金屬氧 化物和含氯基化合物。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸區(qū)域包括金屬配合物。18. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸區(qū)域包括Li配合物。19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸區(qū)域包括W下的ET-D1 或ET-D2:20. -種顯示裝置，所述顯示裝置包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光器件，其中，所述 有機發(fā)光器件的第一電極電結(jié)合到薄膜晶體管的源電極和漏電極。
【文檔編號】C07D333/78GK106083809SQ201610274823
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月28日 公開號201610274823.2, CN 106083809 A, CN 106083809A, CN 201610274823, CN-A-106083809, CN106083809 A, CN106083809A, CN201610274823, CN201610274823.2
【發(fā)明人】韓相鉉, 金秀娟, 金榮國, 黃皙煥
【申請人】三星顯示有限公司