一種晶體振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及正弦信號(hào)產(chǎn)生電路，特別涉及一種晶體振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]正弦信號(hào)是電子電路中應(yīng)用最為廣泛的信號(hào)，目前常用利用晶體振子來(lái)構(gòu)成晶體振蕩器。一般的晶體振蕩器使用邏輯們和一個(gè)晶振組成，其具有很大的噪聲，并對(duì)晶體有過(guò)激勵(lì)的趨勢(shì)，這將影響電路長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于一種晶體振蕩器，以便降低噪聲。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種晶體振蕩器，包括N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl和晶體振子X(jué)I，其中:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的漏極接電源正端V+，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極經(jīng)電阻Rl接至地，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極經(jīng)電阻R2接地；晶體振子X(jué)l接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2串聯(lián)后接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極之間短接，并引出輸出端子OUT。
[0005]較優(yōu)地，電容C3和電容C4并聯(lián)后接入電源正端V+與地之間。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型晶體振蕩器器中，諧振電流通過(guò)電容Cl、C2作電容性反饋，就不會(huì)出現(xiàn)晶體過(guò)激勵(lì)的問(wèn)題。由于本晶體振蕩器為輸出正弦波，因此相位噪聲較低。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型晶體振蕩器的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0009]參見(jiàn)圖1，為本實(shí)用新型晶體振蕩器的電路圖。該晶體振蕩器包括N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl和晶體振子X(jué)l:電容C3和電容C4并聯(lián)后接入電源正端V+與地之間；N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的漏極接電源正端V+，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極經(jīng)電阻Rl接至地，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極經(jīng)電阻R2接地；晶體振子X(jué)l接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2串聯(lián)后接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極之間短接，并引出輸出端子OUT。
[0010]本實(shí)施例的晶體振蕩器電路適可適用于16M晶振，其驅(qū)動(dòng)電流2mA，其中的諧振電流通過(guò)電容Cl、C2作電容性反饋，就不會(huì)出現(xiàn)晶體過(guò)激勵(lì)的問(wèn)題；此外，由于晶體振蕩器為輸出正弦波，因此相位噪聲較低。
[0011]本實(shí)用新型雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體振蕩器，其特征在于，包括N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl和晶體振子X(jué)I，其中:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的漏極接電源正端V+，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極經(jīng)電阻Rl接至地，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極經(jīng)電阻R2接地；晶體振子X(jué)l接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2串聯(lián)后接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的柵極與地之間；電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管Tl的源極之間短接，并引出輸出端子OUT。2.如權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，電容C3和電容C4并聯(lián)后接入電源正端V+與地之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種晶體振蕩器，包括N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1和晶體振子X(jué)1，其中：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的漏極接電源正端V+，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的柵極經(jīng)電阻R1接至地，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的源極經(jīng)電阻R2接地；晶體振子X(jué)1接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的柵極與地之間；電容C1與電容C2串聯(lián)后接于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的柵極與地之間；電容C1與電容C2的連接點(diǎn)與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管T1的源極之間短接，并引出輸出端子OUT。本實(shí)用新型晶體振蕩器不會(huì)出現(xiàn)晶體過(guò)激勵(lì)的問(wèn)題，其相位噪聲較低。
【IPC分類】H03B5/04
【公開(kāi)號(hào)】CN204886872
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520680327
【發(fā)明人】周磊
【申請(qǐng)人】衢州市沃思電子技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年9月6日