振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠與以往相比提高溫度補(bǔ)償型的振蕩器的頻率穩(wěn)定性的振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。振蕩器(1)包括：振動(dòng)元件(3)；振蕩電路(10)，其使振動(dòng)元件(3)進(jìn)行振蕩從而輸出振蕩信號(hào)；溫度補(bǔ)償電路(40)，其在所需的溫度范圍內(nèi)對(duì)振蕩信號(hào)的頻率的溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，所述振蕩器(1)的制造方法包括：第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序(S51、S52)其在多個(gè)溫度下對(duì)頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與頻率之間的關(guān)系而對(duì)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算；第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序(S53、S54)，其在第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序之后，在多個(gè)溫度下對(duì)通過溫度補(bǔ)償電路(40)并根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償之后的頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與頻率之間的關(guān)系而對(duì)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。
【專利說明】
振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種振蕩器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
【背景技術(shù)】
[0002]溫度補(bǔ)償型水晶振蕩器(TCXO:TemperatureCompensated Crystal Oscillator)具有水晶振子和用于使該水晶振子進(jìn)行振蕩的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)，該IC通過在預(yù)定的溫度范圍內(nèi)對(duì)水晶振子的振蕩頻率與所需的頻率(公稱頻率)的偏差(頻率偏差)進(jìn)行補(bǔ)償(溫度補(bǔ)償)，從而能夠獲得較高的頻率精度。這樣的溫度補(bǔ)償型水晶振蕩器(TCXO)例如在專利文獻(xiàn)I或?qū)＠墨I(xiàn)2中已被公開。
[0003]作為溫度補(bǔ)償型水晶振蕩器(TCXO)的振子，而利用一種AT切割振子。AT切割振子由于頻率溫度特性呈3次曲線，與其他切割振子相比，具有能夠在較大的溫度范圍內(nèi)獲得穩(wěn)定的頻率的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]—般而言，在溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，在多個(gè)溫度下對(duì)振蕩器的頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)測(cè)量所得的頻率而生成減小基準(zhǔn)溫度(例如，25°C)下的頻率偏差的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。因此，例如，在將溫度補(bǔ)償范圍設(shè)為一40°C至+85°C時(shí)，由于作為溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)與溫度補(bǔ)償范圍外的邊界的溫度(溫度補(bǔ)償范圍的一端的溫度)的一40°C以及+85°C與基準(zhǔn)溫度之差最大，因此在一40°C以及+85°C中的至少一方的溫度下，頻率將變得容易發(fā)生急劇變化。于是，由于在該溫度附近即使溫度稍微變化，溫度補(bǔ)償型振蕩器的頻率也會(huì)較大地變動(dòng)，因此存在頻率穩(wěn)定性較差的問題。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2014 —107862號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2010 —103802號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于如上的問題而完成的，根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)方式，能夠提供一種能夠與現(xiàn)有相比提高溫度補(bǔ)償型的振蕩器的頻率穩(wěn)定性的振蕩器的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)方式，能夠提供一種與以往相比提高頻率穩(wěn)定性的溫度補(bǔ)償型的振蕩器。另外，根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)方式，能夠提供一種使用了該振蕩器的電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
[0008]本發(fā)明為用于解決前述課題中的至少一部分而完成的發(fā)明，能夠作為以下的方式或應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。
[0009]應(yīng)用例I
[0010]本應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法，其中，所述振蕩器包括:振動(dòng)元件;振蕩電路，其使所述振動(dòng)元件進(jìn)行振蕩從而輸出振蕩信號(hào);溫度補(bǔ)償電路，其在所需的溫度范圍內(nèi)對(duì)所述振蕩信號(hào)的頻率的溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，所述振蕩器的制造方法包括:第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序，在多個(gè)溫度下對(duì)所述頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與所述頻率之間的關(guān)系而對(duì)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算;第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序，在所述第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序之后，在多個(gè)溫度下對(duì)通過所述溫度補(bǔ)償電路并根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償之后的所述頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與所述頻率之間的關(guān)系而對(duì)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。[0011 ]通過振動(dòng)元件和振蕩電路，例如，也可以構(gòu)成皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0012]根據(jù)本應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法，即使在根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償之后的頻率在所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下發(fā)生急劇變化的情況下，也能夠在根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償之后的頻率的基礎(chǔ)上對(duì)使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率變化變得較為平緩這樣的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。因此，根據(jù)本應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法，能夠與以往相比而提高溫度補(bǔ)償型的振蕩器的頻率穩(wěn)定性。
[0013]應(yīng)用例2
[0014]上述應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，對(duì)如下所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，即，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下，使通過所述溫度補(bǔ)償電路而被補(bǔ)償之后的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
[0015]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下溫度補(bǔ)償型的振蕩器，即，通過與以往相比減小所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率，從而與以往相比而提高頻率穩(wěn)定性的溫度補(bǔ)償型的振蕩器。
[0016]應(yīng)用例3
[0017]上述應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，對(duì)如下所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，即，使所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
[0018]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下的溫度補(bǔ)償型的振蕩器，即，通過進(jìn)一步減小所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率，從而進(jìn)一步提高頻率穩(wěn)定性的溫度補(bǔ)償型的振蕩器。
[0019]應(yīng)用例4
[0020]上述應(yīng)用例所涉及的振蕩器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述所需的溫度范圍內(nèi)，根據(jù)所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率的最大值，與根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。
[0021]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器的制造方法，能夠提供一種如下溫度補(bǔ)償型的振蕩器，即，所需的溫度范圍內(nèi)的各溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)的各溫度下的頻率穩(wěn)定度均良好的溫度補(bǔ)償型的振蕩器。
[0022]應(yīng)用例5
[0023]本應(yīng)用例所涉及的振蕩器，其具有:振動(dòng)元件;集成電路，其具有使所述振動(dòng)元件進(jìn)行振蕩從而輸出振蕩信號(hào)的振蕩電路、在所需的溫度范圍內(nèi)對(duì)所述振蕩信號(hào)的頻率的溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有與所述振動(dòng)元件電連接的端子;第一容器，其對(duì)所述振動(dòng)元件進(jìn)行收納，并且具有對(duì)所述振動(dòng)元件進(jìn)行覆蓋的第一蓋;第二容器，其對(duì)所述第一容器以及所述集成電路進(jìn)行收納，所述第一容器以與所述第一蓋側(cè)相反側(cè)的面面對(duì)所述第二容器的內(nèi)表面的方式而配置，所述集成電路與所述第一面相反側(cè)的面經(jīng)由粘合部件而與所述第一蓋相連接，通過所述溫度補(bǔ)償電路而被補(bǔ)償之后的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。
[0024]通過振動(dòng)元件和振蕩電路，例如，也可以構(gòu)成皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0025]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器，包括振蕩電路以及溫度補(bǔ)償電路的集成電路經(jīng)由粘合部件而被連接在對(duì)振動(dòng)元件進(jìn)行收納的第一容器的金屬制的第一蓋上。由此，本實(shí)施方式的振蕩器由于集成電路的發(fā)熱會(huì)在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)至振動(dòng)元件，因此集成電路與振動(dòng)元件的溫度差將變小，由溫度補(bǔ)償電路實(shí)施的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差將變小，從而能夠提高頻率穩(wěn)定性。因此，本實(shí)施方式的振蕩器能夠提供一種如下振蕩器，即，在所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率與以往相比而變小從而與以往相比而提高了頻率穩(wěn)定性的振蕩器。
[0026]應(yīng)用例6
[0027]上述應(yīng)用例所涉及的振蕩器也可以采用如下方式，S卩，所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。
[0028]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器，由于使所需的溫度范圍的端處的溫度、例如溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率進(jìn)一步變小，因此能夠進(jìn)一步提高頻率穩(wěn)定性。
[0029]應(yīng)用例7
[0030]上述應(yīng)用例所涉及的振蕩器也可以采用如下方式，S卩，所述第二容器具有在俯視觀察時(shí)與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋，所述內(nèi)表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面，所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。
[0031]根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器，能夠與以往相比而提高頻率穩(wěn)定性，并且振動(dòng)元件與集成電路之間的電連接的自由度提高。
[0032]應(yīng)用例8
[0033]本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備具備上述任一個(gè)振蕩器。
[0034]應(yīng)用例9
[0035]本應(yīng)用例所涉及的移動(dòng)體具備上述任一個(gè)振蕩器。
[0036]根據(jù)這些應(yīng)用例，由于使用與以往相比提高頻率穩(wěn)定性的溫度補(bǔ)償型的振蕩器，因此例如，還能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
【附圖說明】
[0037]圖1為本實(shí)施方式的振蕩器的立體圖。
[0038]圖2(A)為本實(shí)施方式的振蕩器的剖視圖，圖2(B)為本實(shí)施方式的振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。
[0039]圖3為本實(shí)施方式的振蕩器的功能框圖。
[0040]圖4為表示振蕩器的制造方法的步驟的一個(gè)示例的流程圖。
[0041]圖5為表示現(xiàn)有的溫度補(bǔ)償型振蕩器的頻率偏差的斜率的一個(gè)示例的圖。
[0042]圖6為表示本實(shí)施方式的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序的步驟的一個(gè)示例的流程圖。
[0043]圖7為表示本實(shí)施方式的振蕩器的頻率偏差的斜率的一個(gè)示例的圖。
[0044]圖8為關(guān)于振動(dòng)元件的頻率偏差的說明圖。
[0045]圖9為表不本實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一個(gè)不例的功能框圖。
[0046]圖10為表不本實(shí)施方式的電子設(shè)備的外觀的一個(gè)不例的圖。
[0047]圖11為表不本實(shí)施方式的移動(dòng)體的一個(gè)不例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]以下，利用附圖來對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。并且，以下所說明的實(shí)施方式并非對(duì)權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行不當(dāng)限定的方式。另外，以下所說明的結(jié)構(gòu)并不一定全部為本發(fā)明的必要結(jié)構(gòu)要件。
[0049]1.振蕩器
[0050]振蕩器的結(jié)構(gòu)
[0051]圖1以及圖2為表示本實(shí)施方式的振蕩器的構(gòu)造的一個(gè)示例的圖。圖1為振蕩器的立體圖，圖2(A)為圖1的A—A’剖視圖。另外，圖2(B)為振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。但是，圖2(B)在沒有圖2(A)的蓋5的狀態(tài)下進(jìn)行圖示。
[0052]如圖1以及圖2(A)所示，本實(shí)施方式的振蕩器I被構(gòu)成為，包括作為半導(dǎo)體裝置的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)2、振動(dòng)元件(振動(dòng)片)3、封裝件4、蓋(蓋)5以及外部端子(夕卜部電極)6。
[°°53] 作為振動(dòng)元件3，例如，能夠選用水晶振動(dòng)元件、SAW(Surface Acoustic Wave:表面聲波)共振元件、其他壓電振動(dòng)元件或者M(jìn)EMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機(jī)電系統(tǒng))振動(dòng)元件等。作為振動(dòng)元件3的基板材料，能夠使用水晶、鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電單晶、或鋯鈦酸鉛等壓電陶瓷等的壓電材料、或硅半導(dǎo)體材料等。作為振動(dòng)元件3的激勵(lì)方法，既可以利用由壓電效應(yīng)實(shí)施的方法，也可以利用由庫侖力實(shí)施的靜電驅(qū)動(dòng)。
[0054]封裝件4將集成電路(IC)2和振動(dòng)元件3收納于同一空間內(nèi)。具體而言，在封裝件4內(nèi)設(shè)置有凹部，并通過利用蓋5來對(duì)凹部進(jìn)行覆蓋，從而對(duì)集成電路(IC)2和振動(dòng)元件3進(jìn)行收納。在封裝件4的內(nèi)部或凹部的表面上，設(shè)置有未圖示的配線，所述未圖示的配線用于分別與集成電路(IC)2的兩個(gè)端子(后文所述的圖3的XO端子以及XI端子)和振動(dòng)元件3的兩個(gè)端子(激勵(lì)電極3a以及3b)電連接。另外，在封裝件4的內(nèi)部或凹部的表面上，設(shè)置有與各外部端子6電連接的未圖示的配線，各配線和集成電路(IC)2的各端子通過金等接合引線7而被引線接合。
[0055]如圖2(C)所示，振蕩器I在底面(封裝件4的背面)上設(shè)置有四個(gè)外部端子6，所述四個(gè)外部端子6分別為，作為電源端子的外部端子VDD1、作為接地端子的外部端子VSSldtS輸入有頻率控制用的信號(hào)的端子的外部端子VCl以及作為輸出端子的外部端子0UT1。電源電壓被供給至外部端子VDDl，外部端子VSSl被接地。
[0056]振動(dòng)元件3在其表面以及背面處分別具有金屬的激勵(lì)電極3a以及3b，并以與包含激勵(lì)電極3a以及3b在內(nèi)的振動(dòng)元件3的質(zhì)量相對(duì)應(yīng)的所需的頻率(振蕩器I所要求的頻率)來進(jìn)行振蕩。
[0057]在本實(shí)施方式中，振動(dòng)元件3被收納于封裝件(容器)8內(nèi)(振動(dòng)元件3通過被配置于基座8a上的電極襯墊11和導(dǎo)電性粘合材料等的連接部件12而被固定)。封裝件8包括基座8a和對(duì)基座8a進(jìn)行密封的蓋(Iid)8b，基座8a通過樹脂等的粘合部件9而被接合于封裝件4中。另外，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合于蓋8b上。
[0058]S卩，如圖2(B)所示，在從上表面俯視觀察振蕩器I時(shí)，集成電路(IC)2與封裝件8(振動(dòng)元件3)重疊。在對(duì)振動(dòng)元件3進(jìn)行收納的封裝件8的蓋8b上直接安裝有集成電路(IC)2，因此，由于集成電路(IC)2的發(fā)熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)至振動(dòng)元件3，因此集成電路(IC)2和振動(dòng)元件3的溫度差將變小，從而由后文所述的溫度補(bǔ)償電路40實(shí)施的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差將變小。因此，為了提高頻率精度，圖2(A)?圖2(C)所示的振蕩器I的構(gòu)造更為有效。此外，蓋Sb的材料優(yōu)選為熱傳導(dǎo)率較高的金屬。
[0059]圖3為振蕩器I的功能框圖。如圖3所示，振蕩器I為，包含振動(dòng)元件3和用于使振動(dòng)元件3進(jìn)行振蕩的集成電路(IC)2在內(nèi)的振蕩器，集成電路(IC)2和振動(dòng)元件3被收納于封裝件4內(nèi)。
[0060]集成電路(IC)2設(shè)置有作為電源端子的VDD端子、作為接地端子的VSS端子、作為輸出端子的OUT端子、作為輸入有對(duì)頻率進(jìn)行控制的信號(hào)的端子的VC端子、作為與振動(dòng)元件3連接的連接端子的XI端子以及XO端子。VDD端子、VSS端子、OUT端子以及VC端子露出于集成電路(102的表面，并分別與被設(shè)置于封裝件4上的外部端子￥001、￥551、01]11、￥(:1相連接。另外，XI端子與振動(dòng)元件3的一端(一方的端子)相連接，XO端子與振動(dòng)元件3的另一端(另一方的端子)相連接。
[0061 ]在實(shí)施方式中，集成電路(I C) 2被構(gòu)成為，包括振蕩電路1、輸出電路20、頻率調(diào)節(jié)電路30、AFC(Automatic Frequency Control，自動(dòng)頻率控制)電路32、溫度補(bǔ)償電路40、溫度傳感器50、調(diào)壓電路60、存儲(chǔ)部70以及串行接口(I/F)電路80。并且，集成電路(IC)2附加也可以采用省略或變更這些要素的一部分、或者附加了其他要素的結(jié)構(gòu)。
[0062]調(diào)壓電路60根據(jù)從VDD端子被供給的電源電壓VDD(正的電壓)，而生成振蕩電路
1、頻率調(diào)節(jié)電路30、AFC電路32、溫度補(bǔ)償電路40、輸出電路20的一部分或全部的電源電壓，或生成成為基準(zhǔn)電壓的恒定電壓。
[0063]存儲(chǔ)部70具有非易失性存儲(chǔ)器72和寄存器74，并被構(gòu)成為，能夠從外部端子起經(jīng)由串行接口電路80而對(duì)非易失性存儲(chǔ)器72或寄存器74進(jìn)行讀取或?qū)懭搿Ｔ趯?shí)施方式中，由于與振蕩器I的外部端子相連接的集成電路(IC)2的端子僅為VDD、VSS、0UT、VC這四個(gè)端子，因此，串行接口電路80例如在VDD端子的電壓高于閾值時(shí)，接收從VC端子輸入的時(shí)鐘信號(hào)和從OUT端子輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)，并對(duì)非易失性存儲(chǔ)器72或者寄存器74實(shí)施數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br>[0064]非易失性存儲(chǔ)器72為用于對(duì)各種控制數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)部，例如，既可以為EEPROM(Electrically EraSable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)或閃存存儲(chǔ)器等的可改寫的各種非易失性存儲(chǔ)器，也可以為如一次性PR0M(0neTime Programmable Read Only Memory,一次性可編程只讀存儲(chǔ)器)的不可改寫的各種非易失性存儲(chǔ)器。
[0065]在非易失性存儲(chǔ)器72中，存儲(chǔ)有用于對(duì)頻率調(diào)節(jié)電路30進(jìn)行控制的頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)、或用于對(duì)溫度補(bǔ)償電路40進(jìn)行控制的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、11次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。而且，在非易失性存儲(chǔ)器72中，還存儲(chǔ)有用于分別對(duì)輸出電路20或AFC電路32進(jìn)行控制的數(shù)據(jù)(未圖示)。
[0066]頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)為用于對(duì)振蕩器I的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)的數(shù)據(jù)，在振蕩器I的頻率偏離所需的頻率的情況下，通過對(duì)頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)進(jìn)行改寫，從而能夠以使振蕩器I的頻率接近于所需的頻率的方式進(jìn)行微調(diào)節(jié)。
[0067]溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))為，在振蕩器I的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中被計(jì)算出的、振蕩器I的頻率溫度特性的補(bǔ)正用的數(shù)據(jù)，例如，也可以為與振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的各次數(shù)成分相對(duì)應(yīng)的I次?η次的系數(shù)值。在此，作為溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的最大次數(shù)η，而選擇如下的值，S卩，抵消振動(dòng)元件3的頻率溫度特性，而且，還能夠?qū)呻娐?IC)2的溫度特性的影響進(jìn)行補(bǔ)正的值。例如，η也可以為大于振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的主要次元數(shù)的整數(shù)值。例如，如果振動(dòng)元件3為AT切割水晶振動(dòng)元件，則由于頻率溫度特性呈3次曲線，且該主要次元數(shù)為3，因此，作為η，也可以選擇大于3的整數(shù)值(例如，5或6)。并且，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)既可以包括I次?η次的所有次元數(shù)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)，也可以僅僅包括I次?η次中的一部分次元數(shù)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
[0068]被存儲(chǔ)于非易失性存儲(chǔ)器72中的各數(shù)據(jù)在集成電路(IC)2的電源接通時(shí)(VDD端子的電壓從OV起上升至所需的電壓時(shí))從非易失性存儲(chǔ)器72被傳送至寄存器74，并被保持于寄存器74中。而且，在頻率調(diào)節(jié)電路30中輸入有被保持于寄存器74中的頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)，在溫度補(bǔ)償電路40中輸入有被保持于寄存器74中的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))，在輸出電路20或AFC電路32中，也輸入有被保持于寄存器74中的各控制用的數(shù)據(jù)。
[0069]在非易失性存儲(chǔ)器72為不可改寫的情況下，在振蕩器I的檢查時(shí)，從外部端子經(jīng)由串行接口電路80而將各數(shù)據(jù)直接寫入寄存器74的各個(gè)位中，所述寄存器74中保存有從非易失性存儲(chǔ)器72被傳送的各數(shù)據(jù)，并以使振蕩器I滿足所需的特性的方式，而對(duì)各數(shù)據(jù)被進(jìn)行調(diào)節(jié)或選擇，并將調(diào)節(jié)或選擇而得的各數(shù)據(jù)最終寫入非易失性存儲(chǔ)器72中。另外，在非易失性存儲(chǔ)器72為可改寫的情況下，也可以在振蕩器I的檢查時(shí)，從外部端子經(jīng)由串行接口電路80而將各數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲(chǔ)器72中。但是，由于向非易失性存儲(chǔ)器72的寫入一般很費(fèi)時(shí)間，因此，在振蕩器I的檢查時(shí)，為了縮短檢查時(shí)間，也可以采用如下方式，即，從外部端子經(jīng)由串行接口電路80而將各數(shù)據(jù)直接寫入寄存器74的各個(gè)位中，并將調(diào)節(jié)或選擇而得的各數(shù)據(jù)最終寫入非易失性存儲(chǔ)器72中。
[0070]振蕩電路10通過使振動(dòng)元件3的輸出信號(hào)放大并反饋至振動(dòng)元件3，從而使振動(dòng)元件3進(jìn)行振蕩，并輸出基于振動(dòng)元件3的振蕩的振蕩信號(hào)。例如也可以通過被保存于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)，而對(duì)振蕩電路10的振蕩段電流進(jìn)行控制。
[0071]頻率調(diào)節(jié)電路30產(chǎn)生與被保持于寄存器74中的頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的電壓，并將其施加于作為振蕩電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，以使預(yù)定的溫度(例如，25°C)且VC端子的電壓成為預(yù)定的電壓(例如，VDD/2)的條件下的振蕩電路10的振蕩頻率(基準(zhǔn)頻率)大致為所需的頻率的方式進(jìn)行控制(微調(diào)節(jié))。
[0072]AFC電路32產(chǎn)生與VC端子的電壓相對(duì)應(yīng)的電壓，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率(振動(dòng)元件3的振蕩頻率)根據(jù)VC端子的電壓值而被控制。例如，也可以根據(jù)被保持于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)，而對(duì)AFC電路32的增益進(jìn)行控制。
[0073]溫度傳感器50為，輸出與其周圍的溫度相對(duì)應(yīng)的信號(hào)(例如，與溫度相對(duì)應(yīng)的電壓)的感溫元件。溫度傳感器50既可以為溫度越高則輸出電壓越高的正極性的傳感器，也可以為溫度越高則輸出電壓越低的負(fù)極性的傳感器。并且，作為溫度傳感器50，優(yōu)選為，在保證了振蕩器I的動(dòng)作的所需的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓盡可能相對(duì)于溫度變化而呈線形變化。
[0074]溫度補(bǔ)償電路40被輸入來自溫度傳感器50的輸出信號(hào)，并產(chǎn)生用于對(duì)振動(dòng)元件3的頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾妷?溫度補(bǔ)償電壓)，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率以不依賴于溫度而幾乎為恒定的方式而被控制。在本實(shí)施方式中，溫度補(bǔ)償電路40被構(gòu)成為，包括I次電壓產(chǎn)生電路41 一 I至η次電壓產(chǎn)生電路41 一 η以及加法運(yùn)算電路42。
[0075]I次電壓產(chǎn)生電路41 一 I至η次電壓產(chǎn)生電路41 一 η分別被輸入有來自溫度傳感器50的輸出信號(hào)，并根據(jù)與被保持于寄存器74中的I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)至η次補(bǔ)償數(shù)據(jù)，而產(chǎn)生用于對(duì)頻率溫度特性的I次成分至η次成分進(jìn)行補(bǔ)償?shù)腎次補(bǔ)償電壓至η次補(bǔ)償電壓。
[0076]加法運(yùn)算電路42對(duì)I次電壓產(chǎn)生電路41 一 I至η次電壓產(chǎn)生電路41 一 η分別產(chǎn)生的I次補(bǔ)償電壓至η次補(bǔ)償電壓進(jìn)行加法運(yùn)算并輸出。該加法運(yùn)算電路42的輸出電壓成為溫度補(bǔ)償電路40的輸出電壓(溫度補(bǔ)償電壓)。
[0077]輸出電路20被輸入有振蕩電路10所輸出的振蕩信號(hào)，而生成外部輸出用的振蕩信號(hào)，并經(jīng)由OUT端子而向外部輸出。例如，也可以通過被保存于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)，而對(duì)輸出電路20中的振蕩信號(hào)的分頻比或輸出電平進(jìn)行控制。
[0078]以該方式構(gòu)成的振蕩器I在所需的溫度范圍內(nèi)，不依賴于溫度，作為輸出與外部端子VCl的電壓相對(duì)應(yīng)的恒定的頻率的振蕩信號(hào)的電壓控制型的溫度補(bǔ)償型振蕩器(如果振動(dòng)元件3為水晶振動(dòng)元件，則為VC—TCX0(Voltage Controlled Temperature CompensatedCrystal OsciIlator:壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器))而發(fā)揮功能。
[0079]振蕩器的制造方法
[0080]圖4為表示本實(shí)施方式的振蕩器I的制造方法的步驟的一個(gè)示例的流程圖。也可以省略或變更圖4的工序SlO?S70的一部分，或者附加其他工序。另外，也可以在可能的范圍內(nèi)對(duì)各工序的順序進(jìn)行適當(dāng)變更。
[0081]在圖4的示例中，首先，將集成電路(IC)2和振動(dòng)元件3(對(duì)振動(dòng)元件3進(jìn)行收納的封裝件8)搭載于封裝件4中(SlO)。通過工序S10，從而使(IC)2和振動(dòng)元件3成為如下狀態(tài)，SP，通過設(shè)置于封裝件4的內(nèi)部或凹部的表面上的配線而被連接，從而在向集成電路(IC)2供給電源時(shí)，將使集成電路(I C) 2和振動(dòng)元件3電連接的狀態(tài)。
[0082]接下來，通過蓋5而對(duì)封裝件4進(jìn)行密封，并實(shí)施熱處理，從而將蓋5粘合于封裝件4上(S20)。通過該工序S20，從而完成振蕩器I的組裝。
[0083]接下來，對(duì)振蕩器I的基準(zhǔn)頻率(基準(zhǔn)溫度TO (例如，25 °C)的頻率)進(jìn)行調(diào)節(jié)(S30)。在該工序S30中，在基準(zhǔn)溫度TO下使振蕩器I進(jìn)行振蕩，從而對(duì)頻率進(jìn)行測(cè)量，并以頻率偏差接近于O的方式來確定頻率調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)，。
[0084]接下來，對(duì)振蕩器I的VC靈敏度進(jìn)行調(diào)節(jié)(S40)。在該工序S40中，在基準(zhǔn)溫度TO下，在對(duì)外部端子VCl施加預(yù)定的電壓(例如，OV或VDD)的狀態(tài)下，使振蕩器I進(jìn)行振蕩，從而對(duì)頻率進(jìn)行測(cè)量，并以獲得所需的VC靈敏度的方式來確定AFC電路32的調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)。
[0085]接下來，實(shí)施振蕩器I的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)(S50)。該溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序S50的詳細(xì)進(jìn)行后文敘述。
[0086]接下來，將通過工序S30、S40以及S50而獲得的各數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部70的非易失性存儲(chǔ)器72中(S60)。
[0087]最后，對(duì)振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行測(cè)量，對(duì)是否良好進(jìn)行判斷(S70)。在該工序S70中，在使溫度逐漸變化的同時(shí)對(duì)振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下)內(nèi)，對(duì)頻率偏差是否在預(yù)定范圍內(nèi)進(jìn)行評(píng)價(jià)，如果頻率偏差在預(yù)定范圍內(nèi)，則判斷為合格品，如果頻率偏差不在預(yù)定范圍內(nèi)，則判定非合格品。
[0088]振蕩器的頻率溫度特性
[0089]一般而言，在溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下)內(nèi)，于多個(gè)溫度下對(duì)振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量，使用測(cè)量結(jié)果，并通過以溫度(溫度傳感器的輸出電壓)為變量的η次式來對(duì)振蕩器的頻率溫度特性進(jìn)行擬合，并將基準(zhǔn)溫度TO的頻率偏差設(shè)為O，且生成減小在所需的溫度范圍內(nèi)的頻率偏差的幅度這樣的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、…、η次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。
[0090]圖5為，針對(duì)使用通過一般的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序而獲得的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)默F(xiàn)有的溫度補(bǔ)償型振蕩器的四個(gè)樣本，而對(duì)頻率偏差的斜率(頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率，且為以溫度對(duì)頻率偏差進(jìn)行微分(差分)所得的斜率)的一個(gè)示例進(jìn)行圖示的圖。在圖5中，橫軸為溫度(單位:°C)，縱軸為頻率偏差(單位:ppm)。如圖5所示，在任意一個(gè)的樣本中，頻率偏差的斜率(絕對(duì)值)在一40 °C處最大，所述一40 0C為溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)(一 40 °C以上且85°C以下)與溫度補(bǔ)償范圍外的邊界的溫度(溫度補(bǔ)償范圍的一端的溫度)，大于土
0.025ppm/°C ( = 土 25ppb/°C )。即，由于將基準(zhǔn)溫度TO (例如，25 °C)的頻率偏差設(shè)為O，因此在與基準(zhǔn)溫度TO之間的差最大的溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度附近，振蕩器相對(duì)于溫度變化的頻率變化量將會(huì)變得最大。
[0091]因此，即使在溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)振蕩器的頻率偏差處于預(yù)定的范圍內(nèi)，在溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下相對(duì)于溫度變化的頻率變動(dòng)也較大，從而用作頻率穩(wěn)定度的評(píng)價(jià)指標(biāo)的、ADEV (Al Ian Deviat1n:阿倫方差)、TDEV (Time Deviat1n:時(shí)間偏差)、MT IE (MaximumTime Interval Error最大時(shí)間間隔誤差)等的特性較差。
[0092]因此，在本實(shí)施方式中，在圖4的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序S50中，生成減小溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。圖6為表示本實(shí)施方式的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序(圖4的S50)的步驟的一個(gè)示例的流程圖。此外，在圖6的流程的開始時(shí)，在寄存器74中存儲(chǔ)有通過圖4的工序S30以及S40而獲得的各數(shù)據(jù)。
[0093]在圖6的示例中，首先，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下的溫度范圍)中包含的多個(gè)溫度下對(duì)振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量(S51)，根據(jù)通過工序S51測(cè)量所得的頻率而生成第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))(S52)。在工序S51中，取得未進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幤鱅的頻率溫度特性。在工序S52中，例如，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的計(jì)算程序通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式，而對(duì)通過工序S51測(cè)量所得的振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行擬合，并將基準(zhǔn)溫度TO的頻率偏差設(shè)為0，且生成減小所需的溫度范圍內(nèi)的頻率偏差的幅度的第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。該工序S51以及S52(第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序)與上述的一般的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序相同。
[0094]接下來，在非易失性存儲(chǔ)器72中未存儲(chǔ)通過在多個(gè)溫度下對(duì)振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量而獲得的第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，而在多個(gè)溫度下對(duì)根據(jù)該第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)并通過溫度補(bǔ)償電路40而被溫度補(bǔ)償之后的振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量(S53)，并根據(jù)在工序S53中測(cè)量所得的頻率來生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))(S54)。在工序S53中，與工序S51相比，例如在較多的溫度下對(duì)根據(jù)在工序S52中生成的第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償之后的振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量，從而取得振蕩器I的頻率溫度特性。在工序S54中，例如，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的計(jì)算程序通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式而對(duì)在工序S53中測(cè)量所得的振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行擬合，從而生成減小溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。例如，在工序S54中，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的計(jì)算程序也可以生成如下溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，即，使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差接近于0(其結(jié)果為，頻率偏差的斜率將變小)，且在所需的溫度范圍內(nèi)的頻率偏差的幅度處于預(yù)定的范圍內(nèi)的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。在該工序S53以及S54(第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序)中，也可以以使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
[0095]而且，在工序S54中獲得的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)作為上述的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(I次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、……、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))，并通過圖6的工序S60而被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器72中。
[0096]而且，通過根據(jù)需要而被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器72中的數(shù)據(jù)，而使溫度補(bǔ)償電路40發(fā)揮功能從而對(duì)振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行確認(rèn)。
[0097]圖7為表示本實(shí)施方式的振蕩器I的頻率偏差的斜率(以溫度而對(duì)頻率偏差進(jìn)行微分(差分)所得的斜率)的一個(gè)示例的圖。在圖7中，橫軸為溫度(單位:°C)，縱軸為頻率偏差(單位:ppm)。在圖7中，針對(duì)如下的各種情況而圖示了頻率偏差的斜率的坐標(biāo)圖。所述情況為，根據(jù)在圖6的工序S51以及S52(第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序)中獲得的第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)那闆r和根據(jù)在圖6的工序S53以及S54(第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序)中獲得的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)那闆r。
[0098]如圖7所示，雖然在作為溫度補(bǔ)償范圍(一40°C以上且85°C以下)的端處的溫度的一40°C下根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下的頻率偏差的斜率大于+
0.03ppm/°C(=+30ppb/°C)，但是根據(jù)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下的頻率偏差的斜率被改善為+0.02ppm/°C(=+20ppb/°C)以下。因此，可以說，根據(jù)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)谋緦?shí)施方式的振蕩器I，與根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)囊话愕恼袷幤鬟M(jìn)行比較，作為溫度補(bǔ)償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的端處的溫度的一 40°C下的頻率穩(wěn)定度得到提高。
[0099]另外，在圖7的示例中，在根據(jù)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下，與根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償?shù)那闆r進(jìn)行比較，雖然基準(zhǔn)溫度(25°C)附近的頻率偏差的斜率變大，但是溫度補(bǔ)償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的頻率偏差的斜率的范圍將縮小至一0.025ppm/°C ( = — 25ppb/°C)以上且+0.025ppm/°C ( =+25ppb/°C )以下。即，在溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)，根據(jù)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的頻率偏差的斜率的最大值(0.025ppm/°C以下的值)與根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的頻率偏差的斜率的最大值(0.03ppm/°C以上的值)相比而較小。因此，可以說，使用第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)谋緦?shí)施方式的振蕩器I與使用第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)囊话愕恼袷幤鬟M(jìn)行比較，溫度補(bǔ)償范圍(一 40°C以上且85°C以下)的各溫度下的頻率穩(wěn)定度均較為良好。
[0100]此外，在該工序S53以及S54(第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序)中，也可以以使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。在圖7的示例中，由于使用第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的一40°C下的頻率偏差的斜率為稍微大于+0.01ppm/°C(=+10ppb/°C)的程度，因此，例如，如果稍微增大溫度補(bǔ)償范圍(一40°C以上且85°C以下)內(nèi)的頻率偏差的斜率的范圍，則還可能為+0.0 lppm/°C ( =+1ppb/°C)以下。
[0101]效果
[0102]如以上所說明的那樣，在本實(shí)施方式中，在第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序(圖6的S53以及S54)中，在多個(gè)溫度下對(duì)根據(jù)在第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序(圖6的S51以及S52)中獲得的第一頻率數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償之后的振蕩器I的頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)測(cè)量所得的頻率來生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。因此，即使根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償之后的振蕩器I的頻率在溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下發(fā)生急劇變化的情況下，也能夠生成如下第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，即，在根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償之后的振蕩器I的頻率基礎(chǔ)上，使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率變化變得更為平緩的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。尤其，在第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，通過以使由溫度補(bǔ)償電路40實(shí)施的溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，從而能夠提供一種如下溫度補(bǔ)償型的振蕩器I，即，即使不使用能夠?qū)嵤┒啻胃膶懙拇鎯?chǔ)器，而使用非易失性存儲(chǔ)器72等的所謂僅能夠?qū)嵤┮淮螖?shù)據(jù)的改寫的存儲(chǔ)器(單次編程存儲(chǔ)器)，而也使溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率與以往相比而變小(一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下)、從而與以往相比提高頻率穩(wěn)定性(ADEV、TDEV、MTIE等的特性)的溫度補(bǔ)償型的振蕩器I。
[0103]另外，通過在第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，以使由溫度補(bǔ)償電路40實(shí)施的溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，從而能夠提供一種溫度補(bǔ)償范圍的端處的溫度下的頻率偏差的斜率進(jìn)一步變小(一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下)從而進(jìn)一步提高頻率穩(wěn)定性的溫度補(bǔ)償型的振蕩器I。
[0104]另外，通過在由溫度補(bǔ)償電路40實(shí)施的在溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)，使根據(jù)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償時(shí)的頻率偏差的斜率的最大值，與根據(jù)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償時(shí)的頻率偏差的斜率的最大值相比而較小，從而能夠提供一種在溫度補(bǔ)償范圍的各溫度下的頻率穩(wěn)定度均良好的溫度補(bǔ)償型的振蕩器I。
[0105]此外，在圖4的溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序S50中，優(yōu)選為，更加準(zhǔn)確地對(duì)振蕩器I的頻率溫度特性(包含振動(dòng)元件3的頻率溫度特性和集成電路(IC) 2的溫度特性在內(nèi))進(jìn)行擬合。在此，由于在振蕩器I的頻率溫度特性中振動(dòng)元件3的頻率溫度特性為支配性的，因此優(yōu)選為，更加準(zhǔn)確地對(duì)振動(dòng)元件3的頻率溫度特性進(jìn)行擬合，換言之，相對(duì)于振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的擬合式的頻率偏差較小。
[0106]例如，如果振動(dòng)元件3為AT切割振動(dòng)元件，則如圖8所示，由于其頻率溫度特性(圖8的實(shí)線)呈3次曲線(主要次數(shù)為3)，因此優(yōu)選為，相對(duì)于振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的3次以上的擬合式(圖8的虛線)的、振動(dòng)元件3的頻率偏差DF/F盡可能較小。如此，在溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序S50中，即使考慮集成電路(IC)2的溫度特性的偏差，也容易生成用于在溫度補(bǔ)償范圍(例如，一40°C以上且+85°C以下)內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率偏差較小的振蕩器I的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。其結(jié)果為，在圖4的工序S70中，由于當(dāng)對(duì)頻率偏差處于預(yù)定范圍內(nèi)進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)為合格品的概率將會(huì)變大，因此能夠提高成品率。
[0107]由于振動(dòng)元件3的頻率溫度特性根據(jù)激勵(lì)電極3a、3b的位置或形狀、振動(dòng)元件3的形狀或尺寸等的參數(shù)而變化，因此，在振動(dòng)元件3的設(shè)計(jì)階段中，例如，通過以即使在量產(chǎn)時(shí)的特性偏差的上限或下限處，在頻率溫度特性中也不產(chǎn)生傾斜的方式?jīng)Q定參數(shù)值，從而能夠?qū)崿F(xiàn)頻率偏差DF/F較小的振動(dòng)元件3。
[0108]而且，在溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序S50中，為了使所生成的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)一步反映集成電路(IC)2的溫度特性，而通過更高次式來對(duì)振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行擬合的方式也較為有效。例如，如果振動(dòng)元件3為AT切割振動(dòng)元件，則優(yōu)選為，通過5次以上的式子來對(duì)振蕩器I的頻率溫度特性進(jìn)行擬合。如此，在溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，容易生成如下第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)，即，用于實(shí)現(xiàn)在集成電路(IC)2的溫度特性的基礎(chǔ)上、溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)的頻率偏差還較小的振蕩器I的第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。其結(jié)果為，能夠進(jìn)一步提高成品率。
[0109]此外，雖然上述的本實(shí)施方式的振蕩器I為，具有溫度補(bǔ)償功能和電壓控制功能(頻率控制功能)的振蕩器(VC — TCXO等)，但是也可以為不具有電壓控制功能(頻率控制功能)的溫度補(bǔ)償型振蕩器(TCX0等)。
[0110]2.電子設(shè)備
[0?11 ]圖9為表不本實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一個(gè)不例的功能框圖。另外，圖10為表示作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備的一個(gè)示例的智能電話的外觀的一個(gè)示例的圖。
[0112]本實(shí)施方式的電子設(shè)備300被構(gòu)成為，包括振蕩器310、CPU(Central ProcessingUnit:中央處理器)320、操作部 330、R0M(Read Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)340、RAM (RandomAccess Memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)350、通信部360、顯示部370。并且，本實(shí)施方式的電子設(shè)備也可以采用省略或變更圖9的結(jié)構(gòu)要素(各部)的一部分，或者附加了其他結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。
[0113]振蕩器310具備集成電路(IC)312和振動(dòng)元件313。集成電路(IC)312使振動(dòng)元件313進(jìn)行振蕩從而產(chǎn)生振蕩信號(hào)。該振蕩信號(hào)從振蕩器310的外部端子起向CPU320進(jìn)行輸出。
[0114]0?1]320根據(jù)存儲(chǔ)于如1340等中的程序，而將從振蕩器310輸入的振蕩信號(hào)作為時(shí)鐘信號(hào)，來進(jìn)行各種計(jì)算處理或控制處理。具體而言，CPU320實(shí)施與來自操作部330的操作信號(hào)相對(duì)應(yīng)的各種處理、為了與外部裝置實(shí)施數(shù)據(jù)通信而對(duì)通信部360進(jìn)行控制的處理、發(fā)送用于使顯示部370顯示各種信息的顯示信號(hào)的處理等。
[0115]操作部330為通過操作鍵或按鈕開關(guān)等而被構(gòu)成的輸入裝置，并將與用戶的操作相對(duì)應(yīng)的操作信號(hào)輸出至CPU320。
[0116]R0M340對(duì)供CPU320實(shí)施各種計(jì)算處理或控制處理的程序或數(shù)據(jù)等進(jìn)行存儲(chǔ)。
[0117]RAM350對(duì)作為CPU320的工作區(qū)域而被使用的、從R0M340讀出的程序或數(shù)據(jù)、從操作部330輸入的數(shù)據(jù)、CPU320根據(jù)各種程序而執(zhí)行的運(yùn)算結(jié)果等進(jìn)行臨時(shí)存儲(chǔ)。
[0118]通信部360實(shí)施用于使CPU320與外部裝置之間的數(shù)據(jù)通信成立的各種控制。
[ΟΙ19] 顯示部370為，由IXD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等構(gòu)成的顯示裝置，根據(jù)從CPU320輸入的顯示信號(hào)來對(duì)各種信息進(jìn)行顯示。在顯示部370中也可以設(shè)置作為操作部330而發(fā)揮功能的觸摸屏。
[0120]作為振蕩器310，例如通過應(yīng)用上述的各實(shí)施方式的振蕩器I，從而能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的電子設(shè)備。
[0121]作為這種電子設(shè)備300而考慮到各種電子設(shè)備。例如，可列舉出個(gè)人計(jì)算機(jī)(例如，便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板型個(gè)人計(jì)算機(jī))、智能電話或移動(dòng)電話機(jī)等的移動(dòng)體終端、數(shù)碼照相機(jī)、噴墨式噴出裝置(例如，噴墨式打印機(jī))，路由器或開關(guān)等存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、局域網(wǎng)設(shè)備、移動(dòng)體終端基站用設(shè)備、電視機(jī)、攝像機(jī)、錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、實(shí)時(shí)時(shí)鐘裝置、尋呼機(jī)、電子記事本(也包含附帶通信功能的產(chǎn)品)、電子辭典、臺(tái)式電子計(jì)算器、電子游戲設(shè)備、游戲用控制器、文字處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監(jiān)視器、電子雙筒望遠(yuǎn)鏡、POS(Point of Sale:銷售點(diǎn))終端、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖儀、心電圖測(cè)量裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚群探測(cè)器、各種測(cè)量設(shè)備、計(jì)量?jī)x器類(例如，車輛、飛機(jī)、船舶的計(jì)量?jī)x器類)、飛行模擬器、頭戴式顯示器、動(dòng)作軌跡、動(dòng)作跟蹤、運(yùn)動(dòng)控制器、PDR(Precis1n Depth Recorder:步行者航位推算)等。
[0122]作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備300的一個(gè)示例，可舉出將上述的振蕩器310作為基準(zhǔn)信號(hào)源或者電壓可變型振蕩器(VCO)等而使用，例如，作為通過有線或無線而與終端之間實(shí)施通信的終端基站用裝置等而發(fā)揮功能的傳送裝置。作為振蕩器310，例如通過應(yīng)用上述的本實(shí)施方式的振蕩器I，從而能夠以與以往相比而較低的成本來實(shí)現(xiàn)例如通信基站等能夠利用的、可期望頻率精度$父尚、尚性能、尚可靠性的電子設(shè)備300。
[0123]另外，作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備300的另一個(gè)示例，也可以為包括如下頻率控制部的通信裝置，即，通信部360接收外部時(shí)鐘信號(hào)，CPU320(處理部)根據(jù)該外部時(shí)鐘信號(hào)和振蕩器310的輸出信號(hào)(內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào))而對(duì)振蕩器310的頻率進(jìn)行控制的頻率控制部。該通信裝置例如也可以為，Stratum 3等的基干網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或飛蜂窩基站(Femto cell)所使用的通信設(shè)備。
[0124]網(wǎng)絡(luò)設(shè)備由于互連著時(shí)間同步網(wǎng)絡(luò)，因此獲取著準(zhǔn)確的時(shí)間。越位于時(shí)間同步網(wǎng)絡(luò)的終端的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備則越容易產(chǎn)生同步切斷或時(shí)間波動(dòng)(時(shí)間偏離)。本實(shí)施方式的振蕩器310由于能夠?qū)崿F(xiàn)0.1ppm以下的極高精度的頻率溫度特性，因此對(duì)該時(shí)間波動(dòng)進(jìn)行補(bǔ)正，作為同步切斷時(shí)的代替的時(shí)鐘源較為合適。例如，通過具備與Stratum3標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的振蕩器310，從而能夠?qū)崿F(xiàn)如下網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，S卩，能夠?qū)崿F(xiàn)由對(duì)同步以太網(wǎng)的通信方法等進(jìn)行規(guī)定的SyncE(Synchronous Ethernet:同步以太網(wǎng))標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的干擾、波動(dòng)以及延遲等條件的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
[0125]另外，飛蜂窩基站為，移動(dòng)電話基站(單元)中的、可設(shè)想設(shè)置在辦公室或家庭內(nèi)的極小規(guī)模的基站，飛蜂窩基站所覆蓋的電波輸出范圍的半徑為數(shù)十米左右。飛蜂窩基站通過寬帶回線而連接至移動(dòng)電話網(wǎng)。即使是建筑物所包圍的辦公室空間這種的、在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中無法確保充分的電波狀態(tài)的場(chǎng)所，通過設(shè)置飛蜂窩基站，也能夠確保通話。另外，從利用固定通信回線而使移動(dòng)電話與固定電話融合的服務(wù)即FMC(Fixed Mobile Convergence:固定網(wǎng)絡(luò)與移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)融合)的導(dǎo)入變得可能的觀點(diǎn)出發(fā)，飛蜂窩基站也將引起廣泛關(guān)注。
[0126]3.移動(dòng)體
[0127]圖11為表不本實(shí)施方式的移動(dòng)體的一個(gè)不例的圖(俯視圖)O圖11所不的移動(dòng)體400被構(gòu)成為，包括振蕩器410、實(shí)施發(fā)動(dòng)機(jī)系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)、無鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)等各種控制的控制器420、430、440、蓄電池450以及備用蓄電池460。并且，本實(shí)施方式的移動(dòng)體也可以采用省略或變更圖11的結(jié)構(gòu)要素(各部分)的一部分或者附加了其他結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。
[0128]振蕩器410具備未圖示的集成電路(IC)和振動(dòng)元件，集成電路(IC)使振動(dòng)元件進(jìn)行振蕩從而產(chǎn)生振蕩信號(hào)。該振蕩信號(hào)從振蕩器410的外部端子向控制器420、430、440進(jìn)行輸出，例如，作為時(shí)鐘信號(hào)而被使用。
[0129]蓄電池450向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。備用蓄電池460在蓄電池450的輸出電壓與閾值相比較低時(shí)，向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。
[0130]作為振蕩器410，例如通過應(yīng)用上述的各實(shí)施方式的振蕩器I，從而能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性較高的移動(dòng)體。
[0131]作為這樣的移動(dòng)體400，考慮到各種移動(dòng)體，例如，汽車(也包含電動(dòng)汽車)，噴氣式飛機(jī)或直升機(jī)等飛機(jī)、船舶、火箭、人造衛(wèi)星等。
[0132]本發(fā)明并不限于本實(shí)施方式，能夠在本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形實(shí)施。
[0133]上述的實(shí)施方式和改變例為一個(gè)示例，但并限定于此。例如，還能夠?qū)Ω鲗?shí)施方式和各改變例進(jìn)行適當(dāng)組合。
[0134]本發(fā)明包含與實(shí)施方式所說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或者目的以及效果相同的結(jié)構(gòu))。此外，本發(fā)明包含對(duì)實(shí)施方式所說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分進(jìn)行置換的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含與實(shí)施方式所說明的結(jié)構(gòu)起同樣作用效果的結(jié)構(gòu)或者能夠?qū)崿F(xiàn)相同目的的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含向?qū)嵤┓绞剿f明的結(jié)構(gòu)中附加了公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
[0135]符號(hào)說明
[0136]I振蕩器;2集成電路(IC) ;3振動(dòng)元件;3a、3b激勵(lì)電極;4封裝件；5蓋;6外部端子(外部電極)；7接合引線;8封裝件;8a基座;8b蓋;9粘合部件；1振蕩電路;11電極襯墊；12連接部件;20輸出電路;30頻率調(diào)節(jié)電路;32AFC電路;40溫度補(bǔ)償電路;41 一I I次電壓產(chǎn)生電路;41 一η η次電壓產(chǎn)生電路;42加法運(yùn)算電路;50溫度傳感器;60調(diào)壓電路;70存儲(chǔ)部;72非易失性存儲(chǔ)器;74寄存器、80串行接口(I/F)電路;300電子設(shè)備；310振蕩器;312集成電路(IC); 313振動(dòng)元件；320CPU ； 330操作部；340R0M ； 350RAM; 360通信部；370顯示部；400移動(dòng)體;410振蕩器;420、430、440控制器;450蓄電池;460備用蓄電池。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種振蕩器的制造方法，其中，所述振蕩器包括: 振動(dòng)元件； 振蕩電路，其使所述振動(dòng)元件進(jìn)行振蕩從而輸出振蕩信號(hào)； 溫度補(bǔ)償電路，其在所需的溫度范圍內(nèi)對(duì)所述振蕩信號(hào)的頻率的溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償， 所述振蕩器的制造方法包括: 第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序，在多個(gè)溫度下對(duì)所述頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與所述頻率之間的關(guān)系而對(duì)第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算； 第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序，在所述第一溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序之后，在多個(gè)溫度下對(duì)通過所述溫度補(bǔ)償電路并根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而被溫度補(bǔ)償之后的所述頻率進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)溫度與所述頻率之間的關(guān)系而對(duì)第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。2.如權(quán)利要求1所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，對(duì)如下所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，即，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下，使通過所述溫度補(bǔ)償電路而被補(bǔ)償之后的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率為一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。3.如權(quán)利要求2所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述第二溫度補(bǔ)償調(diào)節(jié)工序中，對(duì)如下所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，即，使所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)。4.如權(quán)利要求1所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內(nèi)，根據(jù)所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率的最大值，與根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。5.如權(quán)利要求2所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內(nèi)，根據(jù)所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值，與根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。6.如權(quán)利要求3所述的振蕩器的制造方法，其中， 在所述所需的溫度范圍內(nèi)，根據(jù)所述第二溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值，與根據(jù)所述第一溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)而進(jìn)行了溫度補(bǔ)償時(shí)的所述頻率偏差的斜率的最大值相比而較小。7.一種振蕩器，其具有: 振動(dòng)元件； 集成電路，其具有使所述振動(dòng)元件進(jìn)行振蕩從而輸出振蕩信號(hào)的振蕩電路、在所需的溫度范圍內(nèi)對(duì)所述振蕩信號(hào)的頻率的溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有與所述振動(dòng)元件電連接的端子； 第一容器，其對(duì)所述振動(dòng)元件進(jìn)行收納，并且具有對(duì)所述振動(dòng)元件進(jìn)行覆蓋的第一蓋； 第二容器，其對(duì)所述第一容器以及所述集成電路進(jìn)行收納， 所述第一容器以與所述第一蓋側(cè)相反側(cè)的面面對(duì)所述第二容器的內(nèi)表面的方式而被配置， 所述集成電路的與所述第一面相反側(cè)的面經(jīng)由粘合部件而與所述第一蓋相連接，通過所述溫度補(bǔ)償電路而被補(bǔ)償之后的所述振蕩信號(hào)的、頻率偏差相對(duì)于溫度的斜率，在所述所需的溫度范圍的端處的溫度下為一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。8.如權(quán)利要求7所述的振蕩器，其中， 所述端處的溫度下的所述頻率偏差的斜率為一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。9.如權(quán)利要求7所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時(shí)與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋， 所述內(nèi)表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。10.如權(quán)利要求8所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時(shí)與所述第一容器以及所述集成電路重疊的第二蓋， 所述內(nèi)表面具有配置有配線的面和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配線的面上。11.一種電子設(shè)備，其中， 具備權(quán)利要求7所述的振蕩器。12.—種電子設(shè)備，其中， 具備權(quán)利要求8所述的振蕩器。13.—種電子設(shè)備，其中， 具備權(quán)利要求9所述的振蕩器。14.一種電子設(shè)備，其中， 具備權(quán)利要求10所述的振蕩器。15.—種移動(dòng)體，其中， 具備權(quán)利要求7所述的振蕩器。16.—種移動(dòng)體，其中， 具備權(quán)利要求8所述的振蕩器。17.—種移動(dòng)體，其中， 具備權(quán)利要求9所述的振蕩器。18.—種移動(dòng)體，其中， 具備權(quán)利要求10所述的振蕩器。
【文檔編號(hào)】H03L1/02GK106027036SQ201610173083
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】高向真, 大脇卓彌, 小林剛
【申請(qǐng)人】精工愛普生株式會(huì)社