制造增強(qiáng)層壓芯及其裝置的方法和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及制造增強(qiáng)層壓芯及其裝置的方法和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。一種裝置，具有插入到基底與第一導(dǎo)電跡線之間的電容率衰減層，其中電容率衰減層包括包含功能化的碳納米材料(諸如功能化的單壁碳納米管(f?SWNT))的樹脂基體。在一些實(shí)施例中，用于設(shè)計(jì)、制造或測(cè)試該裝置的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)被有形地體現(xiàn)在機(jī)器可讀介質(zhì)中。在一些實(shí)施例中，該裝置包括用在印刷線路板(PWB)中的增強(qiáng)層壓芯，該層壓芯包含具有內(nèi)腿導(dǎo)電跡線和外腿導(dǎo)電跡線的差分對(duì)。電容率衰減層被插入到內(nèi)腿導(dǎo)電跡線與層壓芯之間，其中電容率衰減層中的f?SWNT的裝載量被選擇為將內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。
【專利說(shuō)明】
制造増強(qiáng)層壓芯及其裝置的方法和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明一般涉及印刷線路板(PWB)和其它基底，并且涉及用于其的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。更具 體地，本發(fā)明涉及通過(guò)在PWB或其它基底的導(dǎo)電跡線與基底之間插入包含功能化的碳納米 材料(諸如功能化的單壁碳納米管(f-SWNT))的電容率衰減層來(lái)調(diào)整信號(hào)通過(guò)導(dǎo)電跡線的 傳播速度，并且涉及用于其的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0002] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，裝置具有插入到基底與第一導(dǎo)電跡線之間的電容率衰 減層，其中電容率衰減層包括包含功能化的碳納米材料(諸如功能化的單壁碳納米管(f_ SWNT))的樹脂基體。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，用于設(shè)計(jì)、制造或測(cè)試該裝置的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)被 有形地體現(xiàn)在機(jī)器可讀介質(zhì)中。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該裝置包括用在印刷線路板 (PWB)中的增強(qiáng)層壓芯，該增強(qiáng)層壓芯包含具有內(nèi)腿（inner-leg)導(dǎo)電跡線和外腿(outer-leg)導(dǎo)電跡線的差分對(duì)。電容率衰減層被插入到內(nèi)腿導(dǎo)電跡線與層壓芯之間，其中電容率 衰減層中的f-SWNT的裝載量(loading level)被選擇為將內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與 外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。因此，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，有可能消除或至少顯著地 減少對(duì)內(nèi)歪斜(in-pair skew)。
【附圖說(shuō)明】
[0003] 將在下文中結(jié)合附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
[0004] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的通過(guò)階段l(a)-l(f)的序列示出構(gòu)造具有電容 率衰減層的增強(qiáng)層壓芯的方法的流程圖，其中電容率衰減層包含功能化的碳納米材料，諸 如功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)，其中電容率衰減層被插入到層壓芯與差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo) 電跡線之間。
[0005] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的示出功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)的示例性 合成的化學(xué)反應(yīng)圖。
[0006] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的示出功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)的另一種 示例性合成的化學(xué)反應(yīng)圖。
[0007] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的示出用在印刷線路板(PWB)，層壓子復(fù)合物，互 連基底，柔性線纜，或半導(dǎo)體1C邏輯設(shè)計(jì)、制造和/或測(cè)試中的設(shè)計(jì)過(guò)程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008] 當(dāng)在電路板級(jí)的印刷線路板(PWB)上（或者在芯片級(jí)的芯片上）走線(rout e)的導(dǎo) 電跡線的差分對(duì)上傳播信號(hào)時(shí)，每個(gè)跡線傳播鏡像圖像波形。即，差分對(duì)是沿其長(zhǎng)度傳送相 等且相反的信號(hào)的兩個(gè)互補(bǔ)的導(dǎo)電跡線。差分對(duì)也被稱為"差分跡線對(duì)"。
[0009] 當(dāng)差分對(duì)走線通過(guò)轉(zhuǎn)彎（turn)時(shí)，產(chǎn)生長(zhǎng)度失配（即，差分對(duì)的外腿比差分對(duì)的內(nèi) 腿長(zhǎng)），從而導(dǎo)致劣化的信號(hào)完整性和增加的輻射電磁干擾(EMI)。對(duì)于本文檔，包括權(quán)利要 求在內(nèi)，術(shù)語(yǔ)"外腿導(dǎo)電跡線"是指差分對(duì)中位于由該差分對(duì)形成的轉(zhuǎn)彎的外部的導(dǎo)電跡線 (即，這是通過(guò)該轉(zhuǎn)彎的"較長(zhǎng)的"導(dǎo)電跡線），而術(shù)語(yǔ)"內(nèi)腿導(dǎo)電跡線"是指同一差分對(duì)中位 于由該差分對(duì)形成的轉(zhuǎn)彎的內(nèi)部的導(dǎo)電跡線（即，這是通過(guò)該轉(zhuǎn)彎的"較短"導(dǎo)電跡線）。 [0010]通常，電氣設(shè)計(jì)人員試圖通過(guò)利用相等數(shù)量的右轉(zhuǎn)彎補(bǔ)償左轉(zhuǎn)彎，或者經(jīng)由在較 短的腿（即，內(nèi)腿導(dǎo)電跡線)上包含一個(gè)或多個(gè)"環(huán)繞折疊線（trombone)"，來(lái)緩解在差分對(duì) 的走線中轉(zhuǎn)彎產(chǎn)生的影響。環(huán)繞折疊線增加導(dǎo)電跡線的長(zhǎng)度，其中環(huán)繞折疊線是從最直接 的路徑的偏離。包含環(huán)繞折疊線的導(dǎo)電跡線偏離到周圍的可用空間中，然后環(huán)回到其自身。 使用這樣的環(huán)回（loopback)的做法被稱為"環(huán)繞折疊(tromboning)"。關(guān)于環(huán)繞折疊線的附 加細(xì)節(jié)在美國(guó)專利No. 6，349，402B1中公開。
[0011] 這些用于緩解差分對(duì)的走線中轉(zhuǎn)彎產(chǎn)生的影響的常規(guī)技術(shù)當(dāng)中的每一種（即，利 用相等數(shù)量的右轉(zhuǎn)彎補(bǔ)償左轉(zhuǎn)彎和"環(huán)繞折疊"）可能導(dǎo)致更復(fù)雜的布局和/或阻抗不連續(xù)。 一般而言并且在差分對(duì)的上下文中，由環(huán)繞折疊線引入的這些和其它有害影響在Brooks, "Adjusting Signal Timing(Part l)，"UltraCAD Design，Inc.，2003，ppl_9中公開。因此， 存在對(duì)用于消除或至少顯著地減少對(duì)內(nèi)歪斜的機(jī)制的需求，該機(jī)制不依賴于以上討論的常 規(guī)緩解技術(shù)(即，利用相等數(shù)量的右轉(zhuǎn)彎補(bǔ)償左轉(zhuǎn)彎和"環(huán)繞折疊"）中的任何一種。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，裝置具有插入到基底與第一導(dǎo)電跡線之間的電容率衰 減層，其中電容率衰減層包括包含功能化的碳納米材料(諸如功能化的單壁碳納米管(f_ SWNT))的樹脂基體。例如，該裝置可以采用印刷線路板(PWB)、芯片或其它基底的形式，諸如 層壓子復(fù)合物、互連基底(例如，內(nèi)插器（interposer)或模炔基底）、或柔性線纜。印刷線路 板(PWB)也被稱為印刷電路板(PCB)。
[0013] 在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，用于設(shè)計(jì)、制造或測(cè)試這種裝置的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)被有形地 體現(xiàn)在機(jī)器可讀介質(zhì)中。這些實(shí)施例涵蓋該裝置，因?yàn)樗v留在設(shè)計(jì)文件或設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)（例 如，GDSII、GL1或OASIS數(shù)據(jù)文件）中。
[0014] 在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該裝置包括用在印刷線路板(PWB)中的增強(qiáng)層壓芯，該 增強(qiáng)層壓芯包含具有內(nèi)腿導(dǎo)電跡線和外腿導(dǎo)電跡線的差分對(duì)。電容率衰減層被插入到內(nèi)腿 導(dǎo)電跡線與層壓芯之間，其中電容率衰減層中的f-SWNT的裝載量被選擇為將內(nèi)腿導(dǎo)電跡線 的電容率衰減到與外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。因此，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，有可能 消除或至少顯著地減少對(duì)內(nèi)歪斜，而不依賴于以上討論的常規(guī)緩解技術(shù)(即，利用相等數(shù)量 的右轉(zhuǎn)彎補(bǔ)償左轉(zhuǎn)彎和"環(huán)繞折疊"）中的任何一種。
[0015] 介電常數(shù)(Dk)是與PWB中的介電損耗相關(guān)的重要參數(shù)。Dk也被稱為相對(duì)電容率。在 PWB層壓板中，Dk是由介電材料(例如，環(huán)氧基樹脂)隔開的導(dǎo)體之間的一對(duì)電容相對(duì)于在真 空中該對(duì)導(dǎo)體之間的電容的比率。PWB層壓板的Dk會(huì)依賴于用來(lái)制造PWB層壓板的PWB基底 材料以及信號(hào)頻率而變化。具有較低的Dk值的PWB基底材料有助于較低的介電損耗。此外， 在由具有較高的Dk值的PWB基底材料制成的PWB層壓板中，信號(hào)會(huì)更緩慢地傳播通過(guò)導(dǎo)體。 事實(shí)上，傳播延遲時(shí)間是PWB基底材料的Dk值的平方根的函數(shù)。
[0016] 隨著信號(hào)速度增加（即，隨著信號(hào)頻率增加），對(duì)具有低Dk(例如，在l-3GHz，Dk< 4.0，優(yōu)選地Dk〈3.7，更優(yōu)選地Dk〈3.5)的PWB基底材料的需求變得關(guān)鍵。作為參考點(diǎn)，在1GHz 處FR4的Dk是近似4.3 AR4在許多PCB中被使用，它是由用環(huán)氧樹脂清漆浸漬的編織玻璃織 物(woven glass fabric)構(gòu)成的復(fù)合材料。
[0017]在這種具有低Dk的PWB基底材料的通用環(huán)境內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，較高Dk 的局部區(qū)域（即，這些局部區(qū)域的Dk相對(duì)于周圍PWB基底材料的Dk"較高"）被引入，以便在走 線通過(guò)這些區(qū)域的導(dǎo)電跡線的部分中產(chǎn)生預(yù)定量的信號(hào)傳播延遲。這些較高Dk的局部區(qū)域 用于使走線通過(guò)這些區(qū)域的導(dǎo)電跡線的部分的電容率衰減。因此，這些較高Dk的局部區(qū)域 在本文中被稱為"電容率衰減層"。本發(fā)明利用由插入到導(dǎo)電跡線與基底材料之間的電容率 衰減層引入的信號(hào)傳播延遲效應(yīng)，其中電容率衰減層包括包含功能化的碳納米材料(諸如 功能化的單壁碳納米管(F-SWNT))的樹脂基體?？蛇x地，除了功能化的碳納米材料以外，電 容率衰減層可以在樹脂基體中包含非功能化的（g卩，原始的）碳納米材料，諸如非功能化的 單壁碳納米管(SWNT)。
[0018] -般地，聚合物復(fù)合材料的電容率可以通過(guò)添加碳納米材料來(lái)調(diào)整。在聚合物復(fù) 合材料中增加碳納米材料的裝載量通常增大電容率。例如，在500MHZ-5.5GHz處，SWNT聚合 物復(fù)合材料的真實(shí)電容率(Er)可以通過(guò)從Owt %至23wt %改變非功能化的單壁碳納米管的 裝載量按近似35X的因子來(lái)調(diào)節(jié)(增大）。
[0019]通常，在聚合物復(fù)合材料中增加非功能化的碳納米材料的裝載量與在該相同的聚 合物復(fù)合材料中增加功能化的碳納米材料的裝載量相比以快得多的速率增大電容率。SWNT 的功能化，例如，破壞碳納米管中的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)并且由此極大地改變電容率及其它電特性。甚 至低程度的功能化(例如，SWNT被功能化為每100個(gè)碳原子包含單個(gè)官能團(tuán)）除去SWNT中的 類金屬Van Hove變換。因此，在給定的裝載量，包含功能化的納米材料的聚合物復(fù)合材料的 電容率會(huì)比包含非功能化的碳納米材料的相同聚合物復(fù)合材料的電容率低得多。其全部?jī)?nèi) 容通過(guò)引用的方式被并入本文的Higginbotham et al·，"Tunable Permittivity of Polymer Composites through Incremental Blending of Raw and Functionalized Single-Wall Carbon Nanotubes''，J.Phys.Chem.C，2007，Vol.lll，pp 17751-17754公開了 通過(guò)簡(jiǎn)單地將兩種類型的單壁碳納米管(f-SWNT和原始SWNT)以變化的比率一起混合到相 同的有機(jī)硅彈性體基體中，同時(shí)將作為結(jié)果的復(fù)合物所包括的SWNT的總重量百分比保持恒 定為0.5wt%，作為結(jié)果的復(fù)合物的真實(shí)電容率(Er)可以被調(diào)整為20和3之間的任何期望的 值。
[0020] 如上所示，本發(fā)明利用由插入到導(dǎo)電跡線與基底材料之間的電容率衰減層引入的 信號(hào)傳播延遲效應(yīng)，其中電容率衰減層包括包含功能化的碳納米材料(諸如f-SWNT)的樹脂 基體。可選地，除了功能化的碳納米材料以外，電容率衰減層可以包含非功能化的（即，原始 的)碳納米材料，諸如非功能化的SWNT。電容率可以依賴于電容率衰減層的樹脂基體中的功 能化的碳納米材料和非功能化的碳納米材料(如果有的話）的功能化的程度和/或(一個(gè)或 多個(gè))裝載量而變化。
[0021] 電容率衰減層可以例如被插入到差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線與基底之間以減緩信號(hào) 傳播通過(guò)內(nèi)腿導(dǎo)電跡線。優(yōu)選地，電容率衰減層只在差分對(duì)穿過(guò)的轉(zhuǎn)彎所限定的長(zhǎng)度失配 區(qū)域（即，這個(gè)長(zhǎng)度失配區(qū)域從外腿和內(nèi)腿導(dǎo)電跡線之間的長(zhǎng)度失配開始附近的位置延伸 到該長(zhǎng)度失配結(jié)束附近的位置）中被插入到差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線與基底之間。差分對(duì)穿 過(guò)的轉(zhuǎn)彎通常用角度來(lái)表示(例如，45°、90°等等）。
[0022] 因此，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，有可能改變復(fù)合層壓材料的電容率來(lái)考慮這種 差分對(duì)穿過(guò)的角度。因此，有可能改變復(fù)合層壓材料的電容率以消除或至少顯著地減少對(duì) 內(nèi)歪斜。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，樹脂基體中的碳納米材料的功能性可以匹配到復(fù) 合層壓材料，并且因此功能化的碳納米材料變成基體的一部分(共價(jià)鍵合到該基體）。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例可以使用的碳納米材料（以非功能化和/或功能化的形 式)可以是或者中空的(例如，碳納米管(CNT))
[0024] 或者實(shí)心的（例如，碳納米纖維(CNF))。碳納米管包括單壁碳納米管(SWNT)和多壁 碳納米管(MWNT)。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例可以使用的市售SWNT(以非功能化和/或功能化的形式） 包括但不限于可以從美國(guó)加州31111115^316的1]11丨(15〇]1公司獲得的把？〇〇3￥1'11'。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例可以使用的市售MWNT(以非功能化和/或功能化的形式） 包括但不限于可以從日本東京的Showa Denko K.K獲得的VGCF和VGCF-H以及可以從美國(guó)加 州San Francisco的CNano Technology獲得的FloTube 9000。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例可以使用的市售CNF(以非功能化和/或功能化的形式） 包括但不限于可以從美國(guó)Cedarvi 1 le，0H的Pyrograf Products公司獲得的Pyrograf-111 (PR-19-XT-LHT)〇
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，電容率衰減層的樹脂基體中的功能化的碳納米材料的 裝載量（以及可選地，非功能化的碳納米材料的裝載量)可以基于期望的電容率衰減/信號(hào) 傳播延遲的量根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定。通常，功能化和非功能化的碳納米材料兩者的總裝載量會(huì) 在從0. lwt%至25wt%的范圍內(nèi)。功能化的碳納米材料的裝載量可以表示總裝載量的任何 部分或整體。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，線路圖（例如，示出PWB、層壓子復(fù)合物或其它基底的差 分對(duì)的各個(gè)導(dǎo)電跡線的走線)可以被用來(lái)確定功能化的SWNT(和/或其它功能化的碳納米材 料以及，可選地，非功能化的碳納米材料)需要被包含的位置。功能化的SWNT(和/或其它功 能化的碳納米材料以及，可選地，非功能化的碳納米材料)可以經(jīng)由常規(guī)的光刻技術(shù)被包含 在需要的地方(例如，在差分對(duì)穿過(guò)的轉(zhuǎn)彎限定的長(zhǎng)度失配區(qū)域中的差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡 線的下面）。圖1示出了一種這樣的實(shí)施例。
[0030] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、通過(guò)階段l(a)-l(f)的序列示出構(gòu)造具有電容率 衰減層的增強(qiáng)層壓芯的方法1〇〇的流程圖，其中電容率衰減層包含功能化的碳納米材料，諸 如功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)，其中電容率衰減層被插入到層壓芯與差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo) 電跡線之間。在圖1中，階段l(a)-l(f)當(dāng)中的每一個(gè)是相同部分在增強(qiáng)層壓芯的構(gòu)造的相 繼階段的部分截面視圖，其中增強(qiáng)層壓芯被進(jìn)一步處理以產(chǎn)生PWB。
[0031] 在方法100中，下面討論的步驟(步驟105、110、115、120和125)被執(zhí)行。按這些步驟 的優(yōu)先次序?qū)λ鼈冞M(jìn)行闡述。但是，必須理解的是，各個(gè)步驟可以同時(shí)發(fā)生或者相對(duì)于彼此 在其它時(shí)間發(fā)生。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，一個(gè)或多個(gè)步驟可以被省略。
[0032] 圖1的階段1(a)示出了層壓芯102的部分截面圖。層壓芯102可以例如由清漆涂層 浸漬的玻璃布或其它玻璃纖維基底構(gòu)成。玻璃布通常由按正交方式編織在一起的玻璃纖維 束構(gòu)成，這些束通常彼此垂直。清漆涂層可以是任何合適的樹脂，包括但不限于，環(huán)氧基樹 月旨、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪（BT)樹脂、聚苯醚（ΡΡ0) (polyphenylene oxide)/異氰尿酸三稀 (TAIC) (triallylisocyanurate)復(fù)合物以及它們的組合。合適的環(huán)氧基樹脂包括但不限 于，雙酸A型環(huán)氧樹脂(bisphenol-A type epoxy resin)、聚乙二醇二環(huán)氧化物液態(tài)樹脂 (polyglycol di-epoxide liquid resin)等等。由雙酸A和環(huán)氧氯丙烷產(chǎn)生的雙酸A型環(huán)氧 樹脂是市售的。依賴于應(yīng)用，諸如聚乙二醇雙環(huán)氧化物液態(tài)樹脂之類的柔性樹脂可以是優(yōu) 選的，以便賦予柔性。由聚丙二醇和表氯醇產(chǎn)生的聚乙二醇雙環(huán)氧化物液態(tài)樹脂是市售的。 [00 33] 方法100以將光致抗蝕劑(photoresist)(在下面描述的階段1(b)中示為104)層壓 到層壓芯102開始，隨后是常規(guī)的曝光和顯影工藝，以打開層壓芯102上的各個(gè)區(qū)域(例如， 在下面描述的階段1(b)中示出的區(qū)域108)，包括層壓芯102上將需要電容率修改的那些區(qū) 域(步驟105)。
[0034] 圖1的階段1(b)示出了具有層壓在其上的光致抗蝕劑104并且具有通過(guò)常規(guī)的曝 光和顯影工藝在光致抗蝕劑104中被打開的區(qū)域108的層壓芯102的部分截面圖。開口區(qū)域 108對(duì)應(yīng)于將形成差分對(duì)(在下面描述的階段1(f)中示為122)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線(在下面描述 的階段1(f)中示為120)并且需要經(jīng)由電容率衰減層(在下面描述的階段1(c)中示為114)的 形成對(duì)電容率進(jìn)行修改的區(qū)域。因此，開口區(qū)域108在本文中也被稱為"電容率衰減層形成 區(qū)域"。
[0035] 開口區(qū)域108需要電容率修改，但將形成差分對(duì)122的外腿導(dǎo)電跡線(在下面描述 的階段1(f)中示為118)的相鄰區(qū)域不需要電容率修改。因此，包含功能化的納米材料，諸如 f-SWNT(以及，可選地，非功能化的碳納米材料，諸如非功能化的SWNT)的電容率衰減層114 被施加到開口區(qū)域108。此后在方法100的描述中，f-SWNT和非功能化的SWNT將被用作示例 性功能化和非功能化的碳納米材料。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，代替f-SWNT和非功能 化的SWNT或者除了f-SWNT和非功能化的SWNT以外，任何合適的功能化和非功能化的碳納米 材料都可以被使用。
[0036] 優(yōu)選地，電容率衰減層114只在由差分對(duì)穿過(guò)的轉(zhuǎn)彎限定的長(zhǎng)度失配區(qū)域中被插 入到差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線與基底之間，即，這個(gè)長(zhǎng)度失配區(qū)域從外腿和內(nèi)腿導(dǎo)電跡線之 間的長(zhǎng)度失配開始附近的位置延伸到該長(zhǎng)度失配結(jié)束附近的位置。因此，對(duì)于走線通過(guò)多 個(gè)轉(zhuǎn)彎（即，導(dǎo)電跡線是差分對(duì)的內(nèi)腿的轉(zhuǎn)彎）的導(dǎo)電跡線，有可能由單獨(dú)的電容率衰減層 使其電容率在每個(gè)這樣的轉(zhuǎn)彎處衰減。此外，在差分對(duì)走線通過(guò)多個(gè)轉(zhuǎn)彎的情況下，差分對(duì) 的兩個(gè)導(dǎo)電跡線均有可能使其電容率被衰減(例如，導(dǎo)電跡線中的一個(gè)是第一轉(zhuǎn)彎中的內(nèi) 腿并且導(dǎo)電跡線中的另一個(gè)是第二轉(zhuǎn)彎中的內(nèi)腿）。
[0037] 在圖1所示的實(shí)施例中，通過(guò)激光燒蝕層壓芯102以及向在開口區(qū)域108中暴露的 層壓芯102的激光燒蝕表面施加電容率衰減層114 (步驟110 )，方法100繼續(xù)，其中電容率衰 減層114包含f-SWNT以及可選地包含非功能化的SWNT。
[0038] 在步驟110中，層壓芯102在區(qū)域108中被激光燒蝕到合適的深度。本領(lǐng)域技術(shù)人員 將認(rèn)識(shí)到，激光燒蝕的深度會(huì)依賴于應(yīng)用而變化。通常，在不會(huì)不利地影響基底的情況下， 期望激光盡可能深地?zé)g到基底中。
[0039] 而且在步驟110中，f-SWNT以及，可選地，非功能化的SWNT可以按足以實(shí)現(xiàn)合適的 裝載量的量混入到合適的樹脂載體(例如，未固化的環(huán)氧基樹脂）中，然后經(jīng)由本領(lǐng)域中眾 所周知的任何數(shù)量的常規(guī)技術(shù)沉積在開口區(qū)域108上以形成樹脂涂層（即，電容率衰減層 114，處于至少部分未固化的狀態(tài)）。用于施加具有混合在其中的f-SWNT和非功能化的SWNT (如果有的話）的樹脂載體的合適技術(shù)包括但不限于網(wǎng)涂（screen coating)、噴涂和浸涂/ 化學(xué)涂。優(yōu)選地，當(dāng)被固化時(shí)，樹脂載體鍵合到層壓芯102的清漆涂層。
[0040] 合適的樹脂載體包括但不限于，環(huán)氧基樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(BT)樹脂、聚苯醚 (ΡΡ0)/異氰尿酸三烯(TAIC)復(fù)合物以及它們的組合。
[0041] 樹脂載體中f-SWNT和非功能化的SWNT(如果有的話）的裝載量可以基于期望的電 容率衰減/信號(hào)傳播延遲的量根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定。
[0042] 具有混合在其中的f-SWNT和非功能化的SWNT(如果有的話)的樹脂載體被施加，以 形成具有合適厚度的樹脂涂層電容率衰減層114。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，電容率衰減 層114的厚度會(huì)依賴于應(yīng)用而變化。通常，期望形成與基底的表面齊平的電容率衰減層114， 在這種情況下，電容率衰減層114的厚度是由激光燒蝕的深度限定的。優(yōu)選地，（由在光致抗 蝕劑104中開口的區(qū)域108限定的）電容率衰減層114的寬度被選擇為對(duì)應(yīng)于內(nèi)腿導(dǎo)電跡線 120的寬度。
[0043]圖1的階段1(c)示出了層壓芯102的部分截面圖，在光致抗蝕劑104中開口的區(qū)域 108中具有應(yīng)用到其中的電容率衰減層114。
[0044] 方法100通過(guò)固化樹脂涂層（即，電容率衰減層114,處于至少部分未固化的狀態(tài)） 然后剝離光致抗蝕劑1〇4(步驟115)繼續(xù)。固化和剝離可以通過(guò)利用本領(lǐng)域中眾所周知的各 種常規(guī)技術(shù)中的任何一種來(lái)完成。在步驟115中，固化電容率衰減層114中的樹脂既用于將 電容率衰減層114鍵合到層壓芯102又將功能化的SWNT和非功能化的SWNT(如果有的話)鍵 合到芯材料。
[0045] 圖1的階段1(d)示出了在光致抗蝕劑被剝離之后層壓芯102和電容率衰減層114的 部分截面圖。
[0046] 方法100通過(guò)將銅箱(在下面描述的階段1(e)中是116)層壓到層壓芯102和電容率 衰減層114上(步驟120)繼續(xù)。銅層壓可以通過(guò)利用本領(lǐng)域中眾所周知的各種常規(guī)的銅箱層 壓技術(shù)中的任何一種來(lái)完成。
[0047] 圖1的階段1(e)示出了在銅箱116被層壓到層壓芯102和電容率衰減層114之后層 壓芯102和電容率衰減層114的部分截面圖。
[0048] 方法100通過(guò)蝕刻銅箱（步驟125)繼續(xù)。這形成銅跡線，即，層壓芯102上的外腿導(dǎo) 電跡線120和電容率衰減層114上的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線118。銅蝕刻可以通過(guò)利用本領(lǐng)域中眾所 周知的各種常規(guī)銅蝕刻技術(shù)中的任何一種來(lái)完成。
[0049] 圖1的階段1(f)示出了增強(qiáng)層壓芯117的部分截面圖，增強(qiáng)層壓芯117包括層壓芯 102、在層壓芯102上形成的外腿導(dǎo)電跡線118、以及與電容率衰減層114物理且電氣接觸而 形成的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線120。外腿導(dǎo)電跡線118的走線的一部分和內(nèi)腿導(dǎo)電跡線120的走線的 一部分在階段1(f)中以虛線示出。外腿導(dǎo)電跡線118和內(nèi)腿導(dǎo)電跡線120-起定義差分對(duì) 122的一部分。
[0050] 因?yàn)閮?nèi)腿導(dǎo)電跡線120在包含f-SWNT以及可選地包含非功能化的SWNT的電容率衰 減層114上形成并與其電接觸，因此內(nèi)腿導(dǎo)電跡線120的電容率可以被衰減到與外腿導(dǎo)電跡 線118的電容率相匹配。這種電容率修改可以例如通過(guò)更改用于產(chǎn)生電容率衰減層114的樹 脂載體中的f-SWNT的裝載量和非功能化的SWNT(如果有的話)的裝載量來(lái)容易地實(shí)現(xiàn)。以這 種方式，電容率可以被修改以適應(yīng)跡線的幾何結(jié)構(gòu)，以確保對(duì)內(nèi)歪斜被消除或至少顯著地 減少。
[0051 ]用來(lái)產(chǎn)生電容率衰減層的樹脂載體中f-SWNT的裝載量和非功能化的SWNT(如果有 的話)的裝載量可以基于期望的電容率衰減/信號(hào)傳播延遲的量根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定。
[0052] 在步驟125之后，增強(qiáng)層壓芯117可以經(jīng)受本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)的內(nèi)芯處理步 驟以完成PWB的構(gòu)造。例如，可以通過(guò)利用溫度和壓力使用部分固化的清漆/玻璃層(通常處 于一種或多種"預(yù)浸料"的形式)將多個(gè)芯(其中的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)于增強(qiáng)層壓芯117)層壓 到一起，從而使清漆涂層在層之間流動(dòng)，以形成穩(wěn)健的復(fù)合層壓結(jié)構(gòu)。被稱為"預(yù)浸料"的片 材是利用或者干燥或者至少部分固化的樹脂溶液浸漬的玻璃布。
[0053] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、示出功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)的示例性 合成的化學(xué)反應(yīng)圖。使用圖2中所示的示例性合成、圖3中所示的示例性合成、或者本領(lǐng)域技 術(shù)人員已知的各種其它合成流程中的任何一種，SWNT可以被容易地功能化。圖2中所示的反 應(yīng)方案有三個(gè)步驟。
[0054] 在圖2中所示的反應(yīng)方案中的第一步中，通過(guò)將SWNT在硝酸(HN〇3)和硫酸(H2S〇4) 的混合物(1:3- 3:1)中在140 °C下反應(yīng)近似5個(gè)小時(shí)，SWNT被功能化為包括羧酸官能團(tuán)。 [0055]在圖2中所示的反應(yīng)方案的第二步中，通過(guò)將在第一步中制備的功能化的SWNT與 亞硫酰氯(S0C12)在80°C反應(yīng)近似24小時(shí)，在第一步中制備的功能化的SWNT被進(jìn)一步功能 化為包括氯官能團(tuán)。
[0056]在圖2中所示的反應(yīng)方案的第三步中，通過(guò)與最后的試劑(例如，或者胺(R-NH2)或 者醇(R-OH))反應(yīng)，在第二步中制備的功能化的SWNT被進(jìn)一步功能化為包括或者胺官能團(tuán) 或烷氧基官能團(tuán)。R可以是任何合適的有機(jī)官能團(tuán)。R優(yōu)選地是包括至少一個(gè)能夠與樹脂基 體反應(yīng)并結(jié)合到樹脂基體的部分(例如，乙烯基-、烯丙基-、胺-、酰胺-、或含環(huán)氧基的部分） 的基體反應(yīng)團(tuán)。通過(guò)對(duì)最終試劑的明智選擇，SWNT可以被功能化以結(jié)合到樹脂基體。
[0057] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、示出功能化的單壁碳納米管(f-SWNT)的另一種 示例性合成的化學(xué)反應(yīng)圖。如上所示，通過(guò)使用圖2中所示的示例性合成、圖3中所示的示例 性合成、或者本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的各種其它合成流程中的任何一種，SWNT可以被容易地 功能化。圖3中所示的反應(yīng)方案有利地通過(guò)使用單個(gè)步驟在無(wú)溶劑條件下制備f-SWNT。
[0058] 在圖3中所示的反應(yīng)方案中，通過(guò)在過(guò)量的亞硝酸異戊酯中使用4-叔-R-苯胺， SWNT被功能化。這些反應(yīng)組分被加熱到在80 °C回流2小時(shí)。R可以是Cl、Br、N02或任何合適的 有機(jī)官能團(tuán)。合適的有機(jī)官能團(tuán)包括但不限于，叔丁基和C0 2CH3。圖3中所示的反應(yīng)方案基于 全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式并入本文的Dyke et al·，"Solvent-Free Functionalization of Carbon Nanotubes，"J.Am.Chem.Soc.，2003，Vol.l25，No.5，pp 1156-1157所公開的流 程。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，R優(yōu)選地是包括至少一個(gè)能夠與樹脂基體反應(yīng)并結(jié)合到樹脂 基體的部分(例如，乙烯基-、烯丙基-、胺-、酰胺-或包含環(huán)氧基的部分)的基體反應(yīng)團(tuán)。通過(guò) 對(duì)最終試劑的明智選擇，SWNT可以被功能化以結(jié)合到樹脂基體。
[0059] 預(yù)言性示例
[0060] 功能化。在這個(gè)預(yù)言性示例中，f-SWNT在無(wú)溶劑狀況下制備。通過(guò)在過(guò)量的亞硝酸 異戊酯中使用4-叔丁基苯胺（2.5相當(dāng)于SWNT碳），Hipco SWNT(美國(guó)加州Sunnyvale的 Unidym公司）被功能化。這些反應(yīng)組分被加熱到在80 °C回流2小時(shí)。在反應(yīng)后，將反應(yīng)產(chǎn)物冷 卻至室溫(r.t.)，之后通過(guò)使用本領(lǐng)域中眾所周知的技術(shù)進(jìn)行提純。
[0061] 混合。在這個(gè)預(yù)言性示例中，使用環(huán)氧樹脂制劑。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到， 代替這個(gè)預(yù)言性示例中使用的特定環(huán)氧樹脂制劑或除了這個(gè)預(yù)言性示例中使用的特定環(huán) 氧樹脂制劑以外，任何合適的樹脂都可以被使用。在該預(yù)言性示例中使用的環(huán)氧樹脂制劑 包括:EPIKOTE樹脂828LVEL(可以從俄亥俄州Columbus的Momentive Specialty Chemicals 公司獲得）（100份）；雙氰胺(5份）；和2-乙基-4-甲基咪唑（1份hEPIKOTE樹脂828LVEL是從 雙酸A和表氯醇產(chǎn)生的雙酸A型環(huán)氧樹脂。雙氰胺和2-乙基-4-甲基咪唑是常用的固化劑。
[0062]而且，在這個(gè)預(yù)言性示例中，作為結(jié)果的復(fù)合物中所包括的SWNT(f_SWNT單獨(dú)、非 功能化的SWNT單獨(dú)、或兩者兼有)的總重量百分比保持恒定為近似lwt%。但是，本領(lǐng)域技術(shù) 人員將認(rèn)識(shí)到，SWNT的總重量百分比可以是任何合適的值(例如，O.lwt%至25wt%)。優(yōu)選 地，SWNT的總重量百分比被選擇以適應(yīng)不同的電容率衰減層所需要的電容率衰減/信號(hào)傳 播延遲的預(yù)期范圍（即，從最小預(yù)期電容率衰減/信號(hào)傳播延遲到最大預(yù)期電容率衰減/信 號(hào)傳播延遲KSWNT的總重量百分比可以例如基于這樣的電容率衰減/信號(hào)傳播延遲的預(yù)期 范圍根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定。在這個(gè)預(yù)言性示例的SWNT的lwt %總重量百分比內(nèi)工作，電容率衰減 層的樹脂基體中f_SWNT(0wt%至lwt% )和非功能化的SWNT(lwt%至Owt% )的各裝載量可 以基于特定電容率衰減層所需要的電容率衰減/信號(hào)傳播延遲的特定量根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定。 [0063]而且，在這個(gè)預(yù)言性示例中，氯仿被用作在其中要分散SWNT的溶劑。氯仿僅僅是適 合與環(huán)氧樹脂共同使用的示例性溶劑。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，代替氯仿或除了氯仿以 外，任何適合的溶劑都可以被使用。適于與環(huán)氧樹脂共同使用的溶劑包括但不限于氯仿、二 甲苯、正丁醇、甲苯、THF、以及它們的組合。
[0064]在這個(gè)預(yù)言性示例中，對(duì)于若干樣本當(dāng)中的每一個(gè)，由浴超聲處理（bath sonication)將25mg總碳重量的SWNT(f-SWNT單獨(dú)、非功能化的SWNT、或兩者兼有)分散到最 小量的氯仿中。在每個(gè)樣本中，f-SWNT的裝載量相對(duì)于非功能化的SWNT的裝載量被表示為 一個(gè)比率。例如，在這個(gè)預(yù)言性示例的1:0樣本中，在功能化步驟中制備的一些f-SWNT (25mg)被分散到氯仿中。在這個(gè)預(yù)言性示例的1:1樣本中，在功能化步驟中制備的一些f-SWNT( 12 · 5mg)和Hipco SWNT(美國(guó)加州Sunnyvale的Unidym公司）（12 · 5mg)被分散到氯仿 中。在這個(gè)預(yù)言性示例的0:1樣本中，Hipco SWNT(美國(guó)加州Sunnyvale的Unidym公司）（25毫 克)被分散到氯仿中。然后，這種氯仿混合物與ΕΡΙΚ0ΤΕ樹脂828LVEL(2.50g)組合。然后，利 用連續(xù)攪拌將氯仿溶劑從該混合物中蒸發(fā)。這種蒸發(fā)通過(guò)在連續(xù)攪拌的混合物之上引導(dǎo)氣 流很容易完成（在具有尚效通風(fēng)的通風(fēng)樹中）。然后在真空爐中將混合物加熱至60°C持續(xù)2 小時(shí)，以除去任何殘留的氯仿溶劑。然后，雙氰胺（125mg)和2-乙基-4-甲基咪唑(25mg)作為 固化劑被添加，并且在其中混合了 SWNT的作為結(jié)果的環(huán)氧樹脂制劑被充分?jǐn)嚢琛?br>[0065]施加、固化等。在其中混合了 SWNT的環(huán)氧樹脂制劑經(jīng)由網(wǎng)涂被施加到層壓芯，以形 成樹脂涂層（即，上述圖1中所示的方法100的步驟110)。樹脂涂層最初在100°c被固化1小 時(shí)，隨后在150°c被固化1小時(shí)，以形成電容率衰減層（即，上述圖1中所示的方法100的步驟 115)。隨后利用本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)銅箱層壓和蝕刻技術(shù)在電容率衰減層上形成銅跡 線（即，上述圖1中所示的方法100的步驟120和125)。1:0樣本產(chǎn)生最小量的電容率衰減/信 號(hào)傳播延遲。1:1樣本產(chǎn)生中間量的電容率衰減/信號(hào)傳播延遲。0:1樣本產(chǎn)生最大量的電容 率衰減/信號(hào)傳播延遲。
[0066]預(yù)言性示例結(jié)束。
[0067]圖4是在例如印刷線路板(PWB)、層壓子復(fù)合物、互連基底或半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和/ 或測(cè)試中使用的設(shè)計(jì)過(guò)程的流程圖。設(shè)計(jì)流程400包括用于處理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)或器件以產(chǎn)生上 述以及圖1中示出的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和/或器件的邏輯上或其他功能上等效表示的過(guò)程、機(jī)器和/ 或機(jī)制。由設(shè)計(jì)流程400處理和/或產(chǎn)生的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)可以在機(jī)器可讀傳輸或存儲(chǔ)介質(zhì)上被編 碼以包括數(shù)據(jù)和/或指令，所述數(shù)據(jù)和/或指令在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)上執(zhí)行或以其他方式處理 時(shí)，產(chǎn)生硬件組件、電路、器件或系統(tǒng)的邏輯上、結(jié)構(gòu)上、機(jī)械上或其他功能上的等效表示。 機(jī)器包括但不限于用于印刷線路板、層壓子復(fù)合物、互連基底或1C設(shè)計(jì)過(guò)程(例如設(shè)計(jì)、制 造或仿真電路、組件、器件或系統(tǒng)）的任何機(jī)器。例如，機(jī)器可以包括：用于產(chǎn)生掩模的光刻 機(jī)、機(jī)器和/或設(shè)備(例如電子束直寫儀）、用于仿真設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)或設(shè)備、用于制造或 測(cè)試過(guò)程的任何裝置，或用于將所述設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的功能上的等效表示編程到任何介質(zhì)中的任 何機(jī)器(例如，用于對(duì)可編程門陣列進(jìn)行編程的機(jī)器）。
[0068] 設(shè)計(jì)流程400可隨被設(shè)計(jì)的表示類型而不同。例如，用于構(gòu)建專用IC(ASIC)的設(shè)計(jì) 流程400可能不同于用于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)組件的設(shè)計(jì)流程400,或不同于用于將設(shè)計(jì)實(shí)例化到可編 程陣列(例如，由Altera?In C.或Xilinx?InC.提供的可編程門陣列(PGA)或現(xiàn)場(chǎng)可編程 門陣列(FPGA))中的設(shè)計(jì)流程400。
[0069] 圖4示出了多個(gè)此類設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中包括優(yōu)選地由設(shè)計(jì)過(guò)程410處理的輸入設(shè)計(jì)結(jié) 構(gòu)420。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420可以是由設(shè)計(jì)過(guò)程410生成和處理以產(chǎn)生硬件器件的邏輯上等效的功 能表示的邏輯仿真設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420還可以或備選地包括數(shù)據(jù)和/或程序指令，所述 數(shù)據(jù)和/或程序指令由設(shè)計(jì)過(guò)程410處理時(shí)，生成硬件器件的物理結(jié)構(gòu)的功能表示。無(wú)論表 示功能和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特性，均可以使用例如由芯開發(fā)人員/設(shè)計(jì)人員實(shí)施的電子計(jì)算機(jī)輔 助設(shè)計(jì)(ECAD)生成設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420。當(dāng)編碼在機(jī)器可讀數(shù)據(jù)傳輸、門陣列或存儲(chǔ)介質(zhì)上時(shí)，設(shè) 計(jì)結(jié)構(gòu)420可以由設(shè)計(jì)過(guò)程410內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)硬件和/或軟件模塊訪問(wèn)和處理以仿真或以 其他方式在功能上表示例如圖1中示出的那些電子組件、電路、電子或邏輯模塊、裝置、器件 或系統(tǒng)。因此，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420可以包括文件或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，其中包括人類和/或機(jī)器可讀源 代碼、編譯結(jié)構(gòu)和計(jì)算機(jī)可執(zhí)行代碼結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述文件或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)由設(shè)計(jì)或仿真數(shù)據(jù) 處理系統(tǒng)處理時(shí)，在功能上仿真或以其他方式表示電路或其他級(jí)別的硬件邏輯設(shè)計(jì)。此類 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以包括硬件描述語(yǔ)言(HDL)設(shè)計(jì)實(shí)體或遵循和/或兼容低級(jí)HDL設(shè)計(jì)語(yǔ)言（例如 Verilog和VHDL)和/或高級(jí)設(shè)計(jì)語(yǔ)言(例如C或C++)的其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
[0070] 設(shè)計(jì)過(guò)程410優(yōu)選地采用和結(jié)合硬件和/或軟件模塊，所述模塊用于合成、轉(zhuǎn)換或 以其他方式處理圖1中示出的組件、電路、器件或邏輯結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)/仿真功能等價(jià)物以生成 可以包含設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)（例如設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420)的網(wǎng)表480。網(wǎng)表480例如可以包括編譯或以其他方 式處理的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)表示描述與印刷線路板、層壓子復(fù)合物、互連基底或集成 電路設(shè)計(jì)中的其他元件和電路的連接的線纜、分離組件、邏輯門、控制電路、I/O設(shè)備、模型 等的列表。網(wǎng)表480可以使用迭代過(guò)程合成，其中網(wǎng)表480被重新合成一次或多次，具體取決 于器件的設(shè)計(jì)規(guī)范和參數(shù)。對(duì)于在此所述的其他設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)類型，網(wǎng)表480可以記錄在機(jī)器可 讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上或編程到可編程門陣列中。所述介質(zhì)可以是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，例如磁 或光盤驅(qū)動(dòng)器、可編程門陣列、壓縮閃存或其他閃存。此外或備選地，所述介質(zhì)可以是可在 其上經(jīng)由因特網(wǎng)或其他適合聯(lián)網(wǎng)手段傳輸和中間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)分組的系統(tǒng)或高速緩沖存儲(chǔ)器、 緩沖器空間或?qū)щ娀蚬鈱?dǎo)器件和材料。
[0071] 設(shè)計(jì)過(guò)程410可以包括用于處理包括網(wǎng)表480在內(nèi)的各種輸入數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型的硬 件和軟件模塊。此類數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型例如可以駐留在庫(kù)元件430內(nèi)并包括一組常用元件、電路 和器件，其中包括給定制造技術(shù)(例如，不同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，32納米、45納米、90納米等）的模 型、布圖和符號(hào)表示。所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型還可包括設(shè)計(jì)規(guī)范440、特征數(shù)據(jù)450、檢驗(yàn)數(shù)據(jù) 460、設(shè)計(jì)規(guī)則470和測(cè)試數(shù)據(jù)文件485,它們可以包括輸入測(cè)試模式、輸出測(cè)試結(jié)果和其他 測(cè)試信息。設(shè)計(jì)過(guò)程410還可例如包括標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械設(shè)計(jì)過(guò)程，例如用于諸如層壓、鑄造、成型和 模壓成形等操作的應(yīng)力分析、熱分析、機(jī)械事件仿真、過(guò)程仿真。機(jī)械設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員 可以在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下理解在設(shè)計(jì)過(guò)程410中使用的可能機(jī)械設(shè)計(jì)工 具和應(yīng)用的范圍。設(shè)計(jì)過(guò)程410還可包括用于執(zhí)行諸如定時(shí)分析、檢驗(yàn)、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、放置 和走線操作之類的標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)過(guò)程的模塊。
[0072] 設(shè)計(jì)過(guò)程410采用和結(jié)合邏輯和物理設(shè)計(jì)工具（例如HDL編譯器）以及仿真建模工 具以便與任何其他機(jī)械設(shè)計(jì)或數(shù)據(jù)(如果適用)一起處理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420連同示出的部分或全 部支持?jǐn)?shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，從而生成第二設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490以用于機(jī)械設(shè)備和結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù) 交換的數(shù)據(jù)格式(例如以IGES、DXF、Parasolid XT、JT、DRC或任何其他用于存儲(chǔ)或呈現(xiàn)此類 機(jī)械設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的適合格式)駐留在存儲(chǔ)介質(zhì)或可編程門陣列上。類似于設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)420,設(shè)計(jì) 結(jié)構(gòu)490優(yōu)選地包括一個(gè)或多個(gè)文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)或其他計(jì)算機(jī)編碼的數(shù)據(jù)或指令，它們駐留 在傳輸或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上，并且由ECAD系統(tǒng)處理時(shí)生成圖1中示出的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè) 實(shí)施例的邏輯上或以其他方式在功能上等效的形式。在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490可以包 括在功能上仿真圖1中示出的器件的編譯后的可執(zhí)行HDL仿真模型。
[0073] 設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490還可以采用用于集成電路的布圖數(shù)據(jù)交換的數(shù)據(jù)格式和/或符號(hào)數(shù) 據(jù)格式(例如以GDSII(GDS2)、GL1、0ASIS、圖文件或任何其他用于存儲(chǔ)此類設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的 適合格式存儲(chǔ)的信息）。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490可以包括信息，例如符號(hào)數(shù)據(jù)、圖文件、測(cè)試數(shù)據(jù)文件、 設(shè)計(jì)內(nèi)容文件、制造數(shù)據(jù)、布圖參數(shù)、線纜、金屬級(jí)別、通孔、形狀、用于在整個(gè)生產(chǎn)線中走線 的數(shù)據(jù)，以及制造商或其他設(shè)計(jì)人員/開發(fā)人員制造上述以及圖1中示出的器件或結(jié)構(gòu)所需 的任何其他數(shù)據(jù)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490然后可以繼續(xù)到階段495，例如，在階段495，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)490:繼 續(xù)到流片(tape-out)，被發(fā)布到制造公司、被發(fā)布到掩模室(mask house)、被發(fā)送到其他設(shè) 計(jì)室，被發(fā)回給客戶等。
[0074] 本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，許多變化是可能的。例如，雖然本 發(fā)明的一些實(shí)施例在本文中是在印刷線路板(PWB)的上下文中描述的，但是本發(fā)明可以在 其它基底的上下文中使用，這些基底諸如層壓子復(fù)合物、互連基底(例如，內(nèi)插器或模炔基 底）、柔性線纜或1C。因此，雖然參考一些實(shí)施例已經(jīng)特定示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域 技術(shù)人員將理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上 的這些和其它改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種裝置，包括： 基底； 第一導(dǎo)電跡線； 電容率衰減層，被插入到所述第一導(dǎo)電跡線與所述基底之間，其中所述電容率衰減層 包括包含功能化的碳納米材料的樹脂基體。2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括第二導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì) 的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。3. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納米管f-SWNT，并且其中所述f-SWNT的裝載量被選擇為將所述內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與所述 外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電容率衰減層還包括在樹脂基體中與功能化的 碳納米材料混合的非功能化的碳納米材料。5. 如權(quán)利要求4所述的裝置，還包括第二導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì) 的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納米管f-SWNT，其中非功能化的碳納米材料包括非功能化的單壁碳納米管SWNT，并且其中所述f-SWNT的裝載量和非功能化的SWNT的裝載量被選擇為將所述內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到 與所述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。7. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中基底是用在印刷線路板PWB中的層壓芯，其中所述層 壓芯包括用清漆涂層浸漬的玻璃纖維基底，并且其中電容率衰減層的樹脂基體和層壓芯的 清漆涂層每個(gè)都包括環(huán)氧基樹脂。8. 如權(quán)利要求7所述的裝置，還包括第二導(dǎo)電跡線，其中第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì)的內(nèi) 腿導(dǎo)電跡線，而第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納米管f-SWNT，并且其中所述f-SWNT的裝載量被選擇為將內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與外腿導(dǎo)電 跡線的電容率相匹配。10. -種制造用在印刷線路板PWB中的增強(qiáng)層壓芯的方法，所述方法包括： 提供層壓芯； 將電容率衰減層施加到所述層壓芯上，其中所述電容率衰減層包括包含功能化的碳納 米材料的樹脂基體； 將第一導(dǎo)電跡線施加到所述電容率衰減層上。11. 如權(quán)利要求10所述的方法，還包括： 將第二導(dǎo)電跡線施加到所述層壓芯上，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電 跡線，而第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納米管 f-SWNT，其中將電容率衰減層施加到層壓芯上包括選擇f-SWNT的裝載量以便將所述內(nèi)腿導(dǎo) 電跡線的電容率衰減到與所述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述層壓芯包括用清漆涂層浸漬的玻璃纖維基底， 并且其中所述電容率衰減層的樹脂基體和所述層壓芯的清漆涂層每個(gè)都包括環(huán)氧基樹脂。14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中將電容率衰減層施加到層壓芯上還包括： 將功能化的SWNT混合到樹脂載體中； 將其中混合了功能化的SWNT的樹脂載體沉積到所述層壓芯上，以形成樹脂涂層；以及 固化樹脂涂層，其中固化樹脂涂層將所述電容率衰減層鍵合到所述層壓芯。15. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中電容率衰減層還包括在樹脂基體中與功能化的碳 納米材料混合的非功能化的碳納米材料。16. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括： 將第二導(dǎo)電跡線施加到層壓芯上，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡 線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納米管 f-SWNT，其中非功能化的碳納米材料包括非功能化的單壁碳納米管SWNT，并且其中將電容 率衰減層施加到層壓芯上包括選擇f-SWNT的裝載量和非功能化SWNT的裝載量以便將所述 內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與所述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。18. -種有形地體現(xiàn)在機(jī)器可讀介質(zhì)中的、用于制造印刷線路板PWB、層壓子復(fù)合物、互 連基底或半導(dǎo)體1C的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，所述設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括： 基底； 第一導(dǎo)電跡線； 電容率衰減層，被插入到所述第一導(dǎo)電跡線與所述基底之間，其中所述電容率衰減層 包括包含功能化的碳納米材料的樹脂基體。19. 如權(quán)利要求18所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中所述設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)還包括第二導(dǎo)電跡線，其中所述 第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo) 電跡線。 2 0.如權(quán)利要求19所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納 米管f-SWNT，并且其中f-SWNT的裝載量被選擇為將所述內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與所 述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。21. 如權(quán)利要求18所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中電容率衰減層還包括在樹脂基體中與功能化 的碳納米材料混合的非功能化的碳納米材料。22. 如權(quán)利要求20所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，還包括第二導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括 差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。 2 3.如權(quán)利要求2 2所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納 米管f-SWNT，其中非功能化碳納米材料包括非功能化的單壁碳納米管SWNT，并且其中f-SWNT的裝載量和非功能化SWNT的裝載量被選擇為將所述內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與 所述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。24. 如權(quán)利要求18所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中基底是用在印刷線路板PWB中的層壓芯，其中 該層壓芯包括用清漆涂層浸漬的玻璃纖維基底，并且其中電容率衰減層的樹脂基體和層壓 芯的清漆涂層每個(gè)都包括環(huán)氧基樹脂。25. 如權(quán)利要求24所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，還包括第二導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括 差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線，而所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線。 2 6.如權(quán)利要求2 5所述的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其中功能化的碳納米材料包括功能化的單壁碳納 米管f-SWNT，并且其中f-SWNT的裝載量被選擇為將內(nèi)腿導(dǎo)電跡線的電容率衰減到與外腿導(dǎo) 電跡線的電容率相匹配。27. -種裝置，包括： 基底； 第一導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括差分對(duì)的內(nèi)腿導(dǎo)電跡線； 第二導(dǎo)電跡線，其中所述第二導(dǎo)電跡線包括所述差分對(duì)的外腿導(dǎo)電跡線； 電容率衰減層，被插入到所述第一導(dǎo)電跡線與所述基底之間，其中所述電容率衰減層 包括包含功能化的碳納米材料和與功能化的碳納米材料混合的非功能化的碳納米材料的 樹脂基體，其中功能化的碳納米材料包括被功能化為包括或者胺官能團(tuán)或者烷氧基官能團(tuán) 的功能化的單壁碳納米管f-SWNT，其中非功能化的碳納米材料包括非功能化的單壁碳納米 管SWNT，并且其中f-SWNT的裝載量和非功能化的SWNT的裝載量被選擇為將所述內(nèi)腿導(dǎo)電跡 線的電容率衰減到與所述外腿導(dǎo)電跡線的電容率相匹配。28. 如權(quán)利要求19所述的裝置，其中基底是用在印刷線路板PWB中的層壓芯，其中所述 層壓芯包括用清漆涂層浸漬的玻璃纖維基底，并且其中電容率衰減層的樹脂基體和層壓芯 的清漆涂層每個(gè)都包括環(huán)氧基樹脂。
【文檔編號(hào)】H05K1/03GK106028634SQ201610190395
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月30日
【發(fā)明人】D·J·波戴, S·R·考恩爾, J·庫(kù)茲尼斯奇
【申請(qǐng)人】國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司