集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器厚膜生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]隔離器、環(huán)行器解決了雷達(dá)設(shè)備級(jí)間隔離、阻抗及天線共用等一系列技術(shù)問題，提高了雷達(dá)系統(tǒng)的戰(zhàn)術(shù)性能，是TR組件中不可缺少的關(guān)鍵單元。傳統(tǒng)的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器電路多采用薄膜生產(chǎn)工藝，即采用真空金屬漿濺射及光刻、蝕刻等工藝制成，其特點(diǎn)是精度高，但是其成本高。如圖1所示為傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器，橋接部分多采用金絲鍵合，對(duì)陶瓷與旋磁的粘接工藝難度較大，且陶瓷與旋磁的粘結(jié)面需要中心開孔，避免擠壓金絲，這樣既減少了粘接面積，且在操作過程中，在外力作用下，易造成金絲的型變及短路，可靠性一般，。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器厚膜生產(chǎn)工藝，該生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，且粘接可靠性好，質(zhì)量可靠性高，采用分步制作方法，維修方便。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，它包括如下步驟:
51:制作網(wǎng)板，制作底層電路網(wǎng)板、玻璃絕緣網(wǎng)板和層電路網(wǎng)板；
52:用金屬漿按底層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；
53:用絕緣的耐高溫、高壓的絕緣漿按玻璃絕緣網(wǎng)板印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)； S4:用金屬漿按頂層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)。
[0005]所述的步驟S2和步驟S4中的金屬漿為金漿或銀漿。
[0006]所述的步驟S2中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0007]所述的步驟S3中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0008]所述的步驟S4中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供了一種集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器厚膜生產(chǎn)工藝，該生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，且粘接性好，質(zhì)量可靠性高，采用分步制作方法，維修方便。
【附圖說明】
[0010]圖1為傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行器；
圖2為厚膜工藝流程圖；
圖3為底層電路網(wǎng)板結(jié)構(gòu)圖圖4為玻璃絕緣網(wǎng)板結(jié)構(gòu)圖圖5為頂層電路網(wǎng)板結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0012]如圖2所示，集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，它包括如下步驟:
51:制作網(wǎng)板，制作底層電路網(wǎng)板、玻璃絕緣網(wǎng)板和頂層電路網(wǎng)板；
52:用金屬漿按底層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；
53:用絕緣的耐高溫、高壓的絕緣漿料按玻璃絕緣網(wǎng)板印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；
S4:用金屬漿按頂層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)。
[0013]所述的步驟S2和步驟S4中的金屬漿為金漿或銀漿。
[0014]所述的步驟S2中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0015]所述的步驟S3中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0016]所述的步驟S4中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
[0017]如圖3所示的網(wǎng)板為底層電路網(wǎng)板，其主要印制主電路，網(wǎng)板采用325目數(shù)的金屬材料網(wǎng)板制成。
[0018]如圖4所示的網(wǎng)板為玻璃絕緣網(wǎng)板，其主要印制絕緣層，網(wǎng)板采用325目數(shù)的金屬材料網(wǎng)板制成；
如圖5所示的網(wǎng)板為頂層電路網(wǎng)板，其主要印制橋接電路，網(wǎng)板采用325目數(shù)的金屬材料網(wǎng)板制成。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，其特征在于:它包括如下步驟: 51:制作網(wǎng)板，制作底層電路網(wǎng)板、玻璃絕緣網(wǎng)板和頂層電路網(wǎng)板； 52:用金屬漿按底層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；53:用絕緣的耐高溫、高壓的絕緣漿料按玻璃絕緣網(wǎng)板印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)； S4:用金屬漿按頂層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的步驟S2和步驟S4中的金屬漿為金漿或銀漿。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的步驟S2中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的步驟S3中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的步驟S4中的燒結(jié)參數(shù)為850°C，lh。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種集總參數(shù)微帶隔離器、環(huán)行厚膜生產(chǎn)工藝，它包括如下步驟：S1：制作網(wǎng)板，制作底層電路網(wǎng)板、玻璃絕緣網(wǎng)板和頂層電路網(wǎng)板；S2：用金屬漿按底層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；S3：用絕緣的耐高溫、高壓的絕緣漿料按玻璃絕緣網(wǎng)板印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)；S4：用金屬漿按頂層電路網(wǎng)板的電路印刷在旋轉(zhuǎn)基片上，并進(jìn)行燒結(jié)。該生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，且粘接性好，質(zhì)量可靠性高，采用分步制作方法，維修方便。
【IPC分類】H01P1/38, H01P1/36, H05K3/12
【公開號(hào)】CN105050329
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510371058
【發(fā)明人】滿吉令, 陳湖月, 梁超
【申請(qǐng)人】成都八九九科技有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年6月30日