1.一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于，包括自下而上設(shè)置的底電極、襯底、緩沖層、ε相氧化鎵層和頂電極；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于：所述緩沖層為氧化鎳（111），所述緩沖層的厚度為1~50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于：所述ε相氧化鎵層的厚度為0.1~10μm；所述襯底為硅（111）襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于：所述頂電極為點(diǎn)電極，所述點(diǎn)電極的材料為導(dǎo)電率高于5×106?s/m、粘附性強(qiáng)的電極材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于：所述點(diǎn)電極的直徑為10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器，其特征在于：所述底電極和所述頂電極的電極厚度為10~200nm；所述頂電極的材料為鎳、金、鈦、鉑或?qū)щ娿y漿；所述底電極的材料為導(dǎo)電銀漿。
7.權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器的制備方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟s3中ε相氧化鎵層的生長溫度為600~700℃，生長時(shí)間為100~150分鐘，生長壓強(qiáng)為750~850pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟s2中磁控濺射的射頻功率為130~180w，濺射時(shí)氣壓為0.3~1pa，氧氣流量為10~15sccm，氬氣流量為5~10sccm，生長時(shí)間10~30分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟s4中的沉積溫度為室溫，金屬靶材為鉑，預(yù)濺射時(shí)間為1~5分鐘，沉積時(shí)間為15~25分鐘。