技術(shù)編號：40817474
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電探測器，尤其涉及一種氧化鎵基垂直結(jié)構(gòu)紫外探測器及其制備方法。背景技術(shù)、日盲紫外光電探測器因其在軍用和民用領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景，近年來受到研究者們的廣泛關(guān)注。基于寬帶隙半導(dǎo)體材料的日盲紫外光電探測器已經(jīng)成為新一代的紫外探測器件。作為寬帶隙半導(dǎo)體材料之一的氧化鎵有
α相、
β相、
γ相、
δ相、
ε相、
κ相等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。