本公開屬于顯示，具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(organiclight-emittingdisplay，簡稱為oled)相對于液晶顯示裝置具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點，被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。其中的自發(fā)光元件即oled器件主要由依次遠(yuǎn)離基板設(shè)置的陽極層、有機(jī)材料功能層(通常包括電子傳輸層、發(fā)光層以及空穴傳輸層等功能層)以及陰極層構(gòu)成。相關(guān)技術(shù)中，為了提高顯示面板的效能、亮度和壽命，引入了疊層設(shè)置兩個以上發(fā)光層的oled(organiclight-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)器件，即tandem?oled，應(yīng)用電荷產(chǎn)生層(chargegeneration?layer，cgl)串連上下兩個發(fā)光層，在器件上實現(xiàn)發(fā)光疊加的效果，成功提升了電流效率、輸出亮度、操作壽命等重要光電性能參數(shù)。但是，由于cgl導(dǎo)電率高，易導(dǎo)致像素之間的橫向串?dāng)_。相關(guān)技術(shù)中，采用隔斷結(jié)構(gòu)對cgl進(jìn)行隔斷，但隔斷結(jié)構(gòu)易造成像素內(nèi)電場分布不均、邊緣雜散光增加等問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種顯示基板，劃分為多個像素區(qū)和填充在所述像素區(qū)之間的間隔區(qū)；所述顯示基板包括：

2、襯底基板；

3、第一電極層，設(shè)置在所述襯底基板上，所述第一電極層包括各發(fā)光單元的第一電極；

4、像素限定層，設(shè)置在所述第一電極層背離所述襯底基板的一側(cè)，所述像素限定層包括位于所述像素區(qū)的像素開口，以及位于所述間隔區(qū)的像素?fù)鯄Γ?/p>

5、多層發(fā)光層，覆蓋在所述像素限定層背離所述第一電極層的一側(cè)，且多層所述發(fā)光層依次疊置；

6、連接層，在相鄰設(shè)置的所述發(fā)光層之間設(shè)置有所述連接層，且所述連接層覆蓋所述發(fā)光層；

7、第二電極層，設(shè)置在所述多層發(fā)光層中最遠(yuǎn)離所述襯底基板的一者背離所述襯底基板的一側(cè)；所述第二電極層包括各所述發(fā)光單元的第二電極；

8、其中，所述顯示基板還包括位于所述像素?fù)鯄退龆鄬影l(fā)光層中最靠近所述襯底基板的一者之間的阻擋件；所述阻擋件具有沿其厚度方向至少部分貫穿的第一槽部；所述連接層位于所述第一槽部內(nèi)的部分的導(dǎo)電率，小于位于所述像素區(qū)的部分的導(dǎo)電率。

9、在一些實施例中，對于所述第一槽部，其沿所述顯示基板的厚度方向的縱截面包括相對設(shè)置的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，以及連接所述第一側(cè)邊和所述第二側(cè)邊的連接底邊；

10、所述第一側(cè)邊與所述連接底邊之間的夾角為100°～120°，和/或，所述第二側(cè)邊與所述連接底邊之間的夾角為100°～120°。

11、在一些實施例中，所述第一槽部的深度與所述阻擋件的厚度之比為0.8～1。

12、在一些實施例中，所述像素?fù)鯄υ谒鲆r底基板上的正投影覆蓋所述阻擋件在所述襯底基板上的正投影，且二者的邊緣之間的距離為第一距離，所述第一距離大于零。

13、在一些實施例中，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影與所述阻擋件在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

14、在一些實施例中，所述阻擋件的厚度，大于各所述發(fā)光層和各所述連接層的總厚度的三分之二，且大于所述第一電極層與所述多層連接層中最遠(yuǎn)離所述襯底基板的一者之間的距離的二分之一。

15、在一些實施例中，所述第一槽部在其二分之一深度位置處的寬度，小于兩相鄰所述第一電極之間的距離的三分之二。

16、在一些實施例中，所述顯示基板還包括設(shè)置在多層所述發(fā)光層中最靠近所述襯底基板的一者與所述阻擋件之間的隔離層；所述隔離層覆蓋所述阻擋件和至少部分所述像素?fù)鯄Α?/p>

17、在一些實施例中，所述像素?fù)鯄哂醒仄浜穸确较蜇灤┑牡谝煌?，所述第一槽部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一通孔在所述襯底基板上的正投影；

18、所述第一通孔內(nèi)填充有導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。

19、在一些實施例中，所述顯示基板還包括設(shè)置在所述第二電極層背離所述襯底基板一側(cè)的封裝層。

20、本公開還提供了一種上述的顯示基板的制備方法，包括：

21、提供一襯底基板；所述襯底基板劃分為多個像素區(qū)和填充在所述像素區(qū)之間的間隔區(qū)；

22、在所述襯底基板上形成一金屬層并對其進(jìn)行圖案化處理，以形成包括多個第一電極的第一電極層；所述第一電極覆蓋所述像素區(qū)和至少部分所述間隔區(qū)；

23、在第一電極層背離所述襯底基板的一側(cè)形成一層像素限定層并對其進(jìn)行圖案化處理，以形成位于所述像素區(qū)的像素開口和位于所述間隔區(qū)的像素?fù)鯄?；所述像素開口使至少部分所述第一電極裸露，所述像素?fù)鯄Ω采w所述第一電極的至少部分；

24、在所述像素?fù)鯄Ρ畴x所述襯底基板的一側(cè)形成阻擋件并對其進(jìn)行圖案化處理，以形成第一槽部；所述第一槽部沿其厚度方向貫穿至少部分所述阻擋件；所述像素?fù)鯄υ谒鲆r底基板上的正投影覆蓋所述阻擋件在所述襯底基板上的正投影；

25、在所述阻擋件背離所述襯底基板的一側(cè)形成多層發(fā)光層和設(shè)置在相鄰所述發(fā)光層之間的連接層；所述發(fā)光層覆蓋所述像素限定層，所述連接層覆蓋所述發(fā)光層；

26、在多層所述發(fā)光層中最遠(yuǎn)離所述襯底基板的一者背離所述襯底基板的一側(cè)形成第二電極層；所述第二電極層包括多個第二電極。

27、在一些實施例中，所述制備方法還包括形成隔離層；所述隔離層位于多層所述發(fā)光層中最靠近所述襯底基板的一者與所述阻擋件之間，且所述隔離層覆蓋所述阻擋件和至少部分所述像素?fù)鯄Α?/p>

28、在一些實施例中，所述制備方法還包括在所述第二電極層背離所述襯底基板的一側(cè)形成封裝層。

29、在一些實施例中，所述制備方法還包括在所述封裝層背離所述襯底基板的一側(cè)形成第一掩膜，并對所述第一掩膜進(jìn)行圖案化處理，去除位于所述第一槽部在所述襯底基板上的正投影所限定范圍內(nèi)的至少部分所述第一掩膜；

30、在所述顯示基板的出光面?zhèn)冗M(jìn)行激光照射或者離子注入，以使位于所述第一槽部內(nèi)的所述連接層部分的導(dǎo)電率，小于位于所述像素區(qū)的連接層部分的導(dǎo)電率。

31、在一些實施例中，當(dāng)對所述顯示基板進(jìn)行激光照射時，構(gòu)成所述第一掩膜和所述阻擋件的材料包括光刻膠，構(gòu)成所述隔離層的材料包括隔熱材料。

32、在一些實施例中，當(dāng)對所述顯示基板進(jìn)行離子注入時，構(gòu)成所述第一掩膜和所述阻擋件的材料包括黑色矩陣膠，構(gòu)成所述隔離層的材料包括阻擋離子擴(kuò)散的材料。

33、在一些實施例中，在對所述第一掩膜進(jìn)行圖案化處理時，被去除的所述第一掩膜在所述第一槽部的寬度方向上的長度，小于所述第一槽部在其二分之一深度位置處的寬度。

34、在一些實施例中，所述制備方法還包括形成第一通孔，以及在所述第一通孔內(nèi)形成導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；所述第一通孔沿所述像素?fù)鯄Φ暮穸确较蜇灤┧鱿袼負(fù)鯄?，且所述第一槽部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一通孔在所述襯底基板上的正投影。

35、在一些實施例中，所述第一通孔在所述第一槽部的寬度方向上的長度為a，a∈(b-0.15um，b+0.15um)；b為所述被去除的所述第一掩膜在所述第一槽部的寬度方向上的長度。

36、本公開還提供了一種顯示面板，包括上述實施例的顯示基板。