1.一種晶振元件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽；
對開設(shè)的所述凹槽的槽壁進行金屬化處理；
通過波峰焊對金屬化處理的所述晶振元件進行處理，使得晶振外殼與所述主控晶振上的金屬化槽連接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽，包括：
在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置開設(shè)第一凹槽，其中，所述第一凹槽為圓弧形凹槽；
在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置開設(shè)第二凹槽，其中，所述第二凹槽為圓弧形凹槽；
其中，所述第一凹槽與第二凹槽為對稱凹槽。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽，具體為：
按照設(shè)定的凹槽深度以及設(shè)定的晶振罩到的凹槽的間隙開設(shè)所述凹槽。
4.一種晶振元件，其特征在于，所述晶振元件包括：
外殼；
主控晶振，所述主控晶振設(shè)置于所述外殼內(nèi)，所述主控晶振設(shè)置第一連接端以及第二連端，所述主控晶振上設(shè)置有凹槽。
5.如權(quán)利要求4所述的晶振元件，其特征在于，在所述主控晶振的凹槽內(nèi)壁設(shè)置金屬層。
6.如權(quán)利要求4所述的晶振元件，其特征在于，所述第一凹槽開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置，所述第二凹槽開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置。
7.如權(quán)利要求4所述的晶振元件，其特征在于，所述第一凹槽為圓弧形凹槽，所述第二凹槽為圓弧形凹槽，所述第一凹槽與所述第二凹槽對稱設(shè)置在所述主控晶振上。