本發(fā)明涉及信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于RFID閱讀器的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路。

背景技術(shù)：

射頻識(shí)別(RadfoFrequencyIdentification，簡(jiǎn)稱RFID)技術(shù)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)電磁波或電感禍合方式傳遞信號(hào)，以完成對(duì)目標(biāo)對(duì)象的自動(dòng)識(shí)別。與條形碼、磁卡、接觸式IC卡等其它自動(dòng)識(shí)別技術(shù)相比，即RFID技術(shù)具有識(shí)別過(guò)程無(wú)須人工干預(yù)、可同時(shí)識(shí)別多個(gè)目標(biāo)、信息存儲(chǔ)量大、可工作于各種惡劣環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)。因此，RFID技術(shù)已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于固定資產(chǎn)管理、生產(chǎn)線自動(dòng)化、動(dòng)物和車輛識(shí)別、公路收費(fèi)、門禁系統(tǒng)、倉(cāng)儲(chǔ)、商品防偽、航空包裹管理、集裝箱管理等領(lǐng)域。典型的射頻識(shí)別系統(tǒng)可以分為標(biāo)簽、閱讀器和后端數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)三個(gè)部分。

RFID閱讀器通過(guò)電磁感應(yīng)的方式接收從卡片返回來(lái)的信號(hào)，因此該信號(hào)比較微弱，需要對(duì)其進(jìn)行信號(hào)放大處理。在信號(hào)放大處理過(guò)程中，為了高精度地還原信號(hào)，需要運(yùn)算放大器的開(kāi)環(huán)增益達(dá)到10000以上，然而隨著CMOS工藝特征尺寸的逐漸減小，單級(jí)放大器的增益也逐步降低，為了達(dá)到10000及以上的增益，需要將兩個(gè)及以上的增益級(jí)級(jí)聯(lián)。然而每個(gè)增益級(jí)都存在至少一個(gè)高阻節(jié)點(diǎn)，形成一個(gè)低頻極點(diǎn)，這些低頻極點(diǎn)會(huì)影響運(yùn)算放大器本身的穩(wěn)定性，因此需要對(duì)其進(jìn)行頻率補(bǔ)償。同時(shí)還需要滿足在RFID閱讀器芯片中需要驅(qū)動(dòng)較大的電容負(fù)載的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種用于RFID閱讀器的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路，提高了單位增益帶寬，同時(shí)能減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于RFID閱讀器的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路，所述信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路包括：偏置電路、第一級(jí)運(yùn)算放大電路和第二級(jí)運(yùn)算放大電路；

所述偏置電路用于為所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路和所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路工作提供與溫?zé)o關(guān)的穩(wěn)定電壓；

所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路用于接收待放大信號(hào)頻率，對(duì)所述待放大信號(hào)頻率進(jìn)行第一次運(yùn)算放大處理，獲取第一次放大信號(hào)頻率；

所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路用于對(duì)第一次放大信號(hào)頻率進(jìn)行第二次運(yùn)算放大處理，獲取放大信號(hào)頻率，將所述放大信號(hào)頻率輸出。

優(yōu)選地，所述偏置電路包括：第一P型場(chǎng)效應(yīng)管、第二P型場(chǎng)效應(yīng)管、第一N型場(chǎng)效應(yīng)管、第二N型場(chǎng)效應(yīng)管和直流電源；其中，

所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述直流電源一端連接，柵極與漏極連接，源極與電源連接；

所述第二P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第一N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管連接，源極與電源連接；

所述第一N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第二P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與漏極連接，源極與所述第二N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接；

所述第二N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與柵極連接，源極接地；

所述直流電源一端與所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，另一端接地。

優(yōu)選地，所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路包括電容倍增電路和運(yùn)算電路。

優(yōu)選地，所述運(yùn)算電路包括第三P型場(chǎng)效應(yīng)管、第四P型場(chǎng)效應(yīng)管、第五P型場(chǎng)效應(yīng)管、第六P型場(chǎng)效應(yīng)管、第七P型場(chǎng)效應(yīng)管、第六N型場(chǎng)效應(yīng)管、第八N型場(chǎng)效應(yīng)管、第九N型場(chǎng)效應(yīng)管和第十N型場(chǎng)效應(yīng)管；其中，

所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與第四P型場(chǎng)效應(yīng)管源極連接，柵極與所述偏置電路中的第一P型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接形成第一電流鏡，源極與電源連接；

所述第四P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述電容倍增電路連接，柵極與正待放大信號(hào)頻率輸入端連接，源極與所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接；

所述第五P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述電容倍增電路連接，柵極與負(fù)待放大信號(hào)頻率輸入端連接，源極與所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接；

所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與柵極連接，源極與電源連接；

所述第七P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接，源極與電源連接；

所述第六N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管源極連接，柵極與所述電容倍增電路連接，源極接地；

所述第八N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管源極連接，柵極與所述電容倍增電路連接，源極接地；

所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述偏置電路的第一N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，源極與所述第六N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接；

所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第七P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接，源極與所述第八N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接。

優(yōu)選地，所述電容倍增電路包括第三N型場(chǎng)效應(yīng)管、第四N型場(chǎng)效應(yīng)管、第五N型場(chǎng)效應(yīng)管、第七N型場(chǎng)效應(yīng)管和第一電容；其中，

所述第三N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第五N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，源極接地；

所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述運(yùn)算電路的第五P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第三N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極，源極接地；

所述第五N型場(chǎng)效應(yīng)管源極與柵極連接，柵極與所述運(yùn)算電路的第六N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接形成第二電流鏡；

所述第七N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述運(yùn)算電路的第八N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接形成第三電流鏡，源極接地；

所述第一電容一端與所述運(yùn)算電路的第四P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，另一端與所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路連接。

優(yōu)選地，所述電容倍增電路用于提高直流增益，使次極點(diǎn)處于更高頻率處，提升驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的能力，同時(shí)提高單位增益帶寬，減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

優(yōu)選地，所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路包括第八P型場(chǎng)效應(yīng)管、第九P型場(chǎng)效應(yīng)管、第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管和第二電容；其中，

所述第八P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接，柵極與漏極連接，源極與所述偏置電路的第二N型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接；

所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路的第七P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，源極與電源連接，所述放大信號(hào)頻率從所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極輸出；

所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管漏極與所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，柵極與所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，源極接地；

所述第二電容一端與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路的第七P型場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，另一端與所述第八P型場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接。

在本發(fā)明實(shí)施例中，信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路主要以驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載為主，為了進(jìn)一步提高電容倍增系數(shù)，本發(fā)明在傳統(tǒng)電容倍增技術(shù)上設(shè)計(jì)一種帶電壓控制電流源的電容倍增技術(shù)，在電流放大器的輸入端并聯(lián)了一個(gè)轉(zhuǎn)移電導(dǎo)為負(fù)的電壓控制電流源，增加了流入電壓控制電流源的等效電流，提高了單位增益帶寬，同時(shí)能減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)的，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)組成圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的帶電壓控制電流的電容倍增技術(shù)原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)組成圖，如圖1所示，所述信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路包括：偏置電路、第一級(jí)運(yùn)算放大電路和第二級(jí)運(yùn)算放大電路；

所述偏置電路用于為所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路和所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路工作提供與溫?zé)o關(guān)的穩(wěn)定電壓；

所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路用于接收待放大信號(hào)頻率，對(duì)所述待放大信號(hào)頻率進(jìn)行第一次運(yùn)算放大處理，獲取第一次放大信號(hào)頻率；

所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路用于對(duì)第一次放大信號(hào)頻率進(jìn)行第二次運(yùn)算放大處理，獲取放大信號(hào)頻率，將所述放大信號(hào)頻率輸出。

優(yōu)選地，所述偏置電路包括：第一P型場(chǎng)效應(yīng)管PM1、第二P型場(chǎng)效應(yīng)管PM2、第一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM1、第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2和直流電源I；其中，

所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管PM1漏極與所述直流電源一端連接，柵極與漏極連接，源極與電源連接；

所述第二P型場(chǎng)效應(yīng)管PM2漏極與所述第一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM1漏極連接，柵極與所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管PM1連接，源極與電源連接；

所述第一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM1漏極與所述第二P型場(chǎng)效應(yīng)管PM2漏極連接，柵極與漏極連接，源極與所述第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2漏極連接；

所述第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2漏極與柵極連接，源極接地；

所述直流電源I一端與所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)管PM1漏極連接，另一端接地。

優(yōu)選地，所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路包括電容倍增電路和運(yùn)算電路。

優(yōu)選地，所述運(yùn)算電路包括第三P型場(chǎng)效應(yīng)管PM3、第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4、第五P型場(chǎng)效應(yīng)管PM5、第六P型場(chǎng)效應(yīng)管PM6、第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7、第六N型場(chǎng)效應(yīng)管NM6、第八N型場(chǎng)效應(yīng)管NM8、第九N型場(chǎng)效應(yīng)管NM9和第十N型場(chǎng)效應(yīng)管NM10；其中，

所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管PM3漏極與第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4源極連接，柵極與所述偏置電路中的第一P型場(chǎng)效應(yīng)管PM1柵極連接形成第一電流鏡，源極與電源連接；

所述第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4漏極與所述電容倍增電路連接，柵極與正待放大信號(hào)頻率輸入端連接，源極與所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管PM3漏極連接；

所述第五P型場(chǎng)效應(yīng)管PM5漏極與所述電容倍增電路連接，柵極與負(fù)待放大信號(hào)頻率輸入端連接，源極與所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)管PM3漏極連接；

所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管PM6漏極與柵極連接，源極與電源連接；

所述第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7漏極與所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管NM10漏極連接，柵極與所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管PM6柵極連接，源極與電源連接；

所述第六N型場(chǎng)效應(yīng)管NM6漏極與所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管NM9源極連接，柵極與所述電容倍增電路連接，源極接地；

所述第八N型場(chǎng)效應(yīng)管NM8漏極與所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管NM10源極連接，柵極與所述電容倍增電路連接，源極接地；

所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管NM9漏極與所述第六P型場(chǎng)效應(yīng)管PM6漏極連接，柵極與所述偏置電路的第一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM1漏極連接，源極與所述第六N型場(chǎng)效應(yīng)管NM6漏極連接；

所述第十N型場(chǎng)效應(yīng)管NM10漏極與所述第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7漏極連接，柵極與所述第九N型場(chǎng)效應(yīng)管NM9柵極連接，源極與所述第八N型場(chǎng)效應(yīng)管NM8漏極連接。

優(yōu)選地，所述電容倍增電路包括第三N型場(chǎng)效應(yīng)管NM3、第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4、第五N型場(chǎng)效應(yīng)管NM5、第七N型場(chǎng)效應(yīng)管NM7和第一電容C1；其中，

所述第三N型場(chǎng)效應(yīng)管NM3漏極與所述第五N型場(chǎng)效應(yīng)管NM5漏極連接，柵極與所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4漏極連接，源極接地；

所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4漏極與所述運(yùn)算電路的第五P型場(chǎng)效應(yīng)管PM5漏極連接，柵極與所述第三N型場(chǎng)效應(yīng)管NM3漏極，源極接地；

所述第五N型場(chǎng)效應(yīng)管NM5源極與柵極連接，柵極與所述運(yùn)算電路的第六N型場(chǎng)效應(yīng)管NM6漏極連接形成第二電流鏡；

所述第七N型場(chǎng)效應(yīng)管NM7漏極與所述第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4漏極連接，柵極與所述運(yùn)算電路的第八N型場(chǎng)效應(yīng)管NM8漏極連接形成第三電流鏡，源極接地；

所述第一電容C1一端與所述運(yùn)算電路的第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4漏極連接，另一端與所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路連接。

優(yōu)選地，所述電容倍增電路用于提高直流增益，使次極點(diǎn)處于更高頻率處，提升驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的能力，同時(shí)提高單位增益帶寬，減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

優(yōu)選地，所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路包括第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8、第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9、第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11和第二電容C2；其中，

所述第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8漏極與所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11柵極連接，柵極與漏極連接，源極與所述偏置電路的第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2柵極連接；

所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9漏極與所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11漏極連接，柵極與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路的第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7漏極連接，源極與電源連接，所述放大信號(hào)頻率從所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9漏極輸出；

所述第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11漏極與所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9漏極連接，柵極與所述第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9漏極連接，源極接地；

所述第二電容C2一端與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路的第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7漏極連接，另一端與所述第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8柵極連接。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的帶電壓控制電流的電容倍增技術(shù)原理圖，結(jié)合圖2對(duì)上述作進(jìn)一步說(shuō)明：

需要說(shuō)明的是，一種用于RFID閱讀器的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路由偏置電路、第一級(jí)運(yùn)算放大電路和第二級(jí)運(yùn)算放大電路組成，輸入差分由第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4和第五P型場(chǎng)效應(yīng)管PM5構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)同樣的跨導(dǎo)，P型場(chǎng)效應(yīng)管需要更大的面積，但是有利于減小1/f噪聲，第一級(jí)運(yùn)算放大電路由第三P型場(chǎng)效應(yīng)管PM3、第四P型場(chǎng)效應(yīng)管PM4、第五P型場(chǎng)效應(yīng)管PM5、第六P型場(chǎng)效應(yīng)管PM6、第七P型場(chǎng)效應(yīng)管PM7、第六N型場(chǎng)效應(yīng)管NM6、第八N型場(chǎng)效應(yīng)管NM8、第九N型場(chǎng)效應(yīng)管NM9、第十N型場(chǎng)效應(yīng)管NM10、第三N型場(chǎng)效應(yīng)管NM3、第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4、第五N型場(chǎng)效應(yīng)管NM5、第七N型場(chǎng)效應(yīng)管NM7和第一電容C1組成，A點(diǎn)和B電為相位相反的差分信號(hào)，第三N型場(chǎng)效應(yīng)管NM3和第四N型場(chǎng)效應(yīng)管NM4即為圖2中的電壓控制電流源，電流放大電路由最簡(jiǎn)單的第二電流鏡和第三電流鏡組成，且嵌入到第一級(jí)運(yùn)算放大電路中；第一級(jí)運(yùn)算放大電路呈全對(duì)稱結(jié)構(gòu)，因此具有較小的失調(diào)電壓；第二級(jí)運(yùn)算放大電路采用AB累輸出結(jié)構(gòu)來(lái)提升大信號(hào)轉(zhuǎn)換能力，輸出級(jí)由第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8、第九P型場(chǎng)效應(yīng)管PM9、第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11和第二電容C2組成，二極管連接的第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8充當(dāng)一個(gè)大電阻的作用，靜態(tài)時(shí)，沒(méi)有電流流過(guò)第二電容C2和第八P型場(chǎng)效應(yīng)管PM8，因此第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11柵極電壓和第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2的柵極電壓相同，第二級(jí)運(yùn)算放大電路的靜態(tài)電流由第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11柵極電壓和第二N型場(chǎng)效應(yīng)管NM2的比值決定。大信號(hào)轉(zhuǎn)換時(shí)，假設(shè)Vin+增加，第一級(jí)運(yùn)算放大電路的輸出點(diǎn)C減小，假設(shè)C點(diǎn)電壓變化為△V，經(jīng)C2和第十一N型場(chǎng)效應(yīng)管NM11的柵源電容CgsNM11組成的分壓電路后，D點(diǎn)電壓變化量為C2ΔV/(C2+CgsNM11)，當(dāng)C2大于CgsPM9時(shí)，A點(diǎn)將跟隨B點(diǎn)的變化而變化，C2就像普通的AB類中的恒壓源一樣，以實(shí)現(xiàn)AB類輸出。

綜上所述，為了滿足RFID閱讀器信號(hào)處理中需要驅(qū)動(dòng)大的容性負(fù)載，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路，它將電流放大器嵌入第一級(jí)中，在提高直流增益的同時(shí)，使次極點(diǎn)處于更高頻率處，能提升驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的能力；和普通的帶電流放大器的米勒補(bǔ)償兩級(jí)運(yùn)算放大器相比，提高了單位增益帶寬，同時(shí)能減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

需要說(shuō)明的是，上述P型場(chǎng)效應(yīng)管是指P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(P-Mental-Oxide-Semiconductor，PMOS)晶體管，每個(gè)PMOS晶體管包括四個(gè)引腳，即漏極D，源極S，襯底，柵極G。

需要說(shuō)明的是，上述N型場(chǎng)效應(yīng)管是N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(N-Mental-Oxide-Semiconductor，NMOS)晶體管，每個(gè)NMOS晶體管包括四個(gè)引腳，即漏極D，源極S，襯底，柵極G。

在本發(fā)明實(shí)施例中，信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路主要以驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載為主，為了進(jìn)一步提高電容倍增系數(shù)，本發(fā)明在傳統(tǒng)電容倍增技術(shù)上設(shè)計(jì)一種帶電壓控制電流源的電容倍增技術(shù)，在電流放大器的輸入端并聯(lián)了一個(gè)轉(zhuǎn)移電導(dǎo)為負(fù)的電壓控制電流源，增加了流入電壓控制電流源的等效電流，提高了單位增益帶寬，同時(shí)能減小失調(diào)電壓和獲得更大的擺率，讓環(huán)路更加穩(wěn)定可靠和精確。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，該程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括：只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁盤或光盤等。

另外，以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種用于RFID閱讀器的信號(hào)放大頻率補(bǔ)償電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)采用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。