技術(shù)特征：

1.一種改進(jìn)型壓控憶阻模擬器，其特征在于：包括運(yùn)算放大器U_a和U_b，乘法器M₁和M₂，電容C₀，電阻R_a、R_b和R_c等8個(gè)分立電路元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型壓控憶阻模擬器，其特征在于：第一級運(yùn)算放大器U_a構(gòu)成電壓跟隨電路，用于避免負(fù)載效應(yīng)；第二級運(yùn)算放大器U_b與電阻R_a和電容C₀連接構(gòu)成一個(gè)積分器，電阻R_b用于避免積分器的直流電壓漂移；乘法器M₁和M₂用作電壓信號的乘法運(yùn)算，電阻R_c為負(fù)載電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型壓控憶阻模擬器，其特征在于：憶阻模擬器的輸入端記為a端，輸入端電壓記為v，流經(jīng)憶阻模擬器的電流記為i，積分電容C₀的端電壓記為v₀。運(yùn)算放大器U_a的同相輸入端連接到a端；U_a的反相輸入端連接到U_a的輸出端，記為b端。電阻R_a的左端連接b端；R_a的右端連接運(yùn)算放大器U_b的反相輸入端，記為c端。電阻R_b的左端連接c端；R_b的右端連接運(yùn)算放大器U_b的輸出端，記為d端。電容C₀的左端連接c端；C₀的右端連接d端。模擬乘法器M₁的兩個(gè)輸入端均連接d端；M₁的輸出端記為e端。模擬乘法器M₂的一個(gè)輸入端連接a端；M₂的另一個(gè)輸入端連接e端；M₂的輸出端記為f端。電阻R_c的上端連接a端；R_c的下端連接f端。運(yùn)算放大器U_b的同相輸入端接“地”。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種改進(jìn)型壓控憶阻模擬器，其特征在于：滿足憶阻元件的三個(gè)本質(zhì)特征，1)在雙極性周期信號驅(qū)動下，該憶阻模擬器在v-i平面上為一條在原點(diǎn)收縮的緊磁滯回線，且響應(yīng)是周期的；2)從臨界頻率開始，磁滯旁瓣面積隨激勵(lì)頻率的增加而單調(diào)減??；3)隨著頻率增大，最終緊磁滯回線收縮為一個(gè)單值函數(shù)。