本發(fā)明涉及電平移位電路、集成電路及功率半導體模塊。

背景技術：

作為代表性的電力用半導體裝置的逆變器裝置，在具有該裝置的基準電位(還稱為基準電位hgnd)的端子、和相對于此而被施加正的高電壓(還稱為電壓hvcc)的端子之間，具有相互串聯(lián)連接的高電位側開關元件及低電位側開關元件。將高電位側開關元件及低電位側開關元件之間的中點電位用作逆變器裝置的輸出電壓(還稱為電壓hvo)。如上所述的配線構造的結果是，低電位側開關元件的動作的基準電位為基準電位hgnd，另一方面，高電位側開關元件的基準電位是相對于基準電位hgnd而隨著電壓hvo變動的基準電位vs。因此，需要使向高電位側開關元件輸入的驅(qū)動信號(典型來說，是柵極信號)的基準電位與基準電位vs匹配。

為了得到基準電位vs下的驅(qū)動信號，在驅(qū)動高電位側開關元件的集成電路(所謂的hvic(highvoltageic))，設置對信號的基準電位進行變換的電平移位電路。電平移位電路具有：初級側電路，其接收表示高電位側開關元件的通斷定時的輸入信號；對來自初級側電路的信號的基準電位進行變換的電路(下面，稱為電平移位主電路)；以及次級側電路，其使用通過電平移位主電路變換了基準電位的信號，輸出實際上驅(qū)動高電位側開關元件的驅(qū)動信號。次級側電路以上述的基準電位vs作為基準通過電源電壓vb而動作。另一方面，初級側電路以基準電位gnd作為基準通過電源電壓vcc而動作。

如上述所示，在對正的電壓hvcc進行處理的逆變器裝置的動作中，在高電位側半導體開關元件截止時，由于電流的急劇的變化和配線的電感，次級側電路的基準電位vs發(fā)生負浪涌。次級側電路的基準電位vs由于負浪涌而降低，其結果，次級側電路中的由電源電壓vb形成的電位也降低。如果次級側電路的由電源電壓vb形成的電位變得低于初級側電路的基準電位gnd，則不能進行由電平移位主電路實現(xiàn)的從初級側電路向次級側電路的信號傳遞。另外，即使在沒有發(fā)生上述程度的電位降低的情況下，如果兩個電位之間的差異變得不充分，則電平移位主電路中的邏輯電路也變得不能正常地動作，從而依然有可能無法進行信號傳遞。

在不能進行信號傳遞的期間，即使切換了向hvic的輸入信號，其輸出信號也不進行切換，發(fā)生電平移位電路的閂鎖誤動作。然后，直至次級側電路的由電源電壓vb形成的電位變得比初級側電路的基準電位gnd充分高、且輸入信號再次被切換為止，該閂鎖誤動作得以繼續(xù)，有時會妨礙逆變器裝置的正常的動作。

根據(jù)日本特開2010－263116號公報(專利文獻1)，作為負浪涌對策，在基準電位vs和基準電位gnd之間插入鉗位二極管。該鉗位二極管的陽極與基準電位gnd連接，陰極與基準電位vs連接。在基準電位vs變得低于基準電位gnd的情況下，該鉗位二極管通過使電流從基準電位gnd向基準電位vs流動，從而將基準電位vs鉗位于比基準電位gnd低出鉗位二極管的正向電壓的量的電壓。另外，根據(jù)國際公開第01/59918號(專利文獻2)，鉗位二極管及保護電路設置于hvic的外部。

專利文獻1：日本特開2010－263116號公報

專利文獻2：國際公開第01/59918號

技術實現(xiàn)要素：

在上述日本特開2010－263116號公報的技術中，如果基準電位vs的每單位時間的變動dv/dt大，則有時不能充分地抑制基準電位vs的降低。另外，根據(jù)上述國際公開第01/59918號的技術，保護電路設置于hvic的外部，因此封裝的限制成為問題。另外，如上所述的向hvic外部的配線導致電感的增大，其本身成為發(fā)生負浪涌的主要原因。

如上所述，在現(xiàn)有技術中，針對由于負浪涌(在受到控制的高電壓為負的情況下，是作為反向浪涌的正浪涌)而無法進行電平移位電路的信號傳遞這一情況的對策并不充分。如果能夠?qū)o法進行信號傳遞這樣的狀態(tài)的發(fā)生進行檢測，則對于其對策是有用的。如上所述，為了進行由電平移位電路實現(xiàn)的信號傳遞，需要次級側電路的基準電位相對于初級側電路的基準電位是適當?shù)?，至少需要次級側電路的基準電位的相對于初級側電路的基準電位的符?正/負)處于適當?shù)臓顟B(tài)。因而，對初級側電路的基準電位和次級側電路的基準電位之間的關系進行檢測是有用的。但是，對于上述方法，至今為止并未進行充分的研究。

本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，其目的之一在于，提供能夠?qū)Τ跫墏入娐返幕鶞孰娢缓痛渭墏入娐返幕鶞孰娢恢g的關系進行檢測的電平移位電路。

本發(fā)明的電平移位電路具有初級側電路、電平移位主電路、次級側電路以及至少1個整流性元件電路。初級側電路對應于接收到的輸入信號，輸出第1基準電位下的第1信號。電平移位主電路通過將從初級側電路接收到的第1信號的基準電位從第1基準電位向第2基準電位變換，從而輸出第2基準電位下的第2信號。次級側電路通過使用從電平移位主電路接收到的第2信號，從而對應于輸入信號，生成第2基準電位下的輸出信號。整流性元件電路設置在初級側電路和次級側電路之間。初級側電路及次級側電路的至少任一者具有至少1個檢測電路，該至少1個檢測電路通過對在整流性元件電路流動的電流的變化進行檢測，從而對與第2基準電位相對應的電位是否小于或等于與第1基準電位相對應的電位進行檢測。

此外，“與第1基準電位相對應的電位”是指，與第1基準電位的變化相對應地變化的電位，也可以是第1基準電位本身。另外，“與第2基準電位相對應的電位”是指，與第2基準電位的變化相對應地變化的電位，也可以是第2基準電位本身。

另外，“整流性元件電路”可以由一個元件構成，或者也可以由多個元件構成。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，在初級側電路和次級側電路之間設置整流性元件電路，對在該整流性元件電路流動的電流的變化進行檢測。由此，能夠?qū)εc次級側電路的基準電位相對應的電位是否小于或等于與初級側電路的基準電位相對應的電位進行檢測。因而，能夠?qū)Τ跫墏入娐返幕鶞孰娢缓痛渭墏入娐返幕鶞孰娢恢g的關系進行檢測。

附圖說明

圖1是表示作為功率半導體模塊的逆變器裝置的結構的一個例子的電路圖，該逆變器裝置能夠應用本發(fā)明的各實施方式中的電平移位電路。

圖2是表示圖1的逆變器裝置所具有的hvic的結構的一個例子的電路圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施方式1中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖4是表示圖3的電平移位電路所具有的負電位檢測電路的結構的一個例子的電路圖。

圖5是表示本發(fā)明的實施方式2中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖6是表示本發(fā)明的實施方式3中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖7是表示本發(fā)明的實施方式4中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖8是表示圖7的電平移位電路所具有的負電位檢測電路的結構的一個例子的電路圖。

圖9是表示本發(fā)明的實施方式5中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖10是表示本發(fā)明的實施方式6中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖11是表示本發(fā)明的實施方式7中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖12是表示本發(fā)明的實施方式8中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖13是表示本發(fā)明的實施方式9中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖14是表示本發(fā)明的實施方式11中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖15是表示本發(fā)明的實施方式12中的電平移位電路的結構的一個例子的框圖。

圖16是表示參考例的電平移位電路的結構的框圖。

圖17是表示圖16的電平移位電路所具有的電平移位主電路的結構的電路圖。

具體實施方式

下面，基于附圖，進行本發(fā)明的實施方式的說明和為了使其理解變得容易的預備性說明。此外，在以下的附圖中對相同或相應的部分標注相同的參照編號，不重復其說明。

(功率半導體模塊)

首先參照圖1，在下面對能夠應用本發(fā)明的各實施方式中的電平移位電路的逆變器裝置900(功率半導體模塊)進行說明。

逆變器裝置900具有高電位側開關元件102、低電位側開關元件103和驅(qū)動模塊800。典型來說，這些結構由絕緣性的封裝材料(未圖示)進行封裝而被一體化。

逆變器裝置900具有：被施加成為其控制對象的正的電壓hvcc的端子；被施加該電壓hvcc的基準電位hgnd的端子；以及作為逆變器輸出而輸出電壓hvo的端子。高電位側開關元件102及低電位側開關元件103相互串聯(lián)連接，設置在基準電位hgnd的端子和電壓hvcc的端子之間。電壓hvo的端子是高電位側開關元件102及低電位側開關元件103之間的中點電位的端子。高電位側開關元件102及低電位側開關元件103分別是例如設置有續(xù)流二極管的igbt(insulatedgatebipolartransistor)。

驅(qū)動模塊800具有hvic600和lvic(lowvoltageic)芯片700。即，在本例子中，hvic600和lvic700作為彼此獨立的芯片而形成。此外，作為變形例，也可以是hvic600和lvic700形成于一個芯片。

驅(qū)動模塊800具有：作為向hvic600的輸入信號in而接收輸入信號hin的端子；以及作為向lvic700的輸入信號in而接收輸入信號lin的端子。另外，驅(qū)動模塊800具有：被施加基準電位gnd的端子和以基準電位gnd作為基準電位而被施加電源電壓vcc的端子。另外，驅(qū)動模塊800具有：被施加隨著逆變器裝置900的電壓hvo而變動的基準電位vs的端子和以基準電位vs作為基準電位而被施加電源電壓vb的端子。另外，驅(qū)動模塊800具有：將來自hvic600的輸出信號out作為向高電位側開關元件102的驅(qū)動電壓ho而輸出的端子；以及將來自lvic700的輸出信號out作為向低電位側開關元件103的驅(qū)動電壓lo而輸出的端子。驅(qū)動電壓ho的基準電位是基準電位vs，驅(qū)動電壓lo的基準電位是基準電位hgnd。此外，基準電位hgnd也可以與基準電位gnd相同。

參照圖2，在hvic600設置有用于上述的輸入信號in、輸出信號out、基準電位gnd及vs、電源電壓vcc及vb的端子。在hvic600設置有電平移位電路500，該電平移位電路500為了從基準電位gnd下的輸入信號in得到基準電位vs下的輸出信號out而對基準電位進行變換。

下面，對能夠用作電平移位電路500的作為參考例的電平移位電路、和本發(fā)明的各實施方式中的電平移位電路具體地進行說明。

(電平移位電路的參考例)

參照圖16，參考例的電平移位電路590具有初級側信號傳遞電路2、電平移位主電路3以及次級側信號傳遞電路4。初級側信號傳遞電路2具有輸入電路5、on單觸發(fā)脈沖電路6和off單觸發(fā)脈沖電路7。次級側信號傳遞電路4具有聯(lián)鎖電路8和驅(qū)動電路9。初級側信號傳遞電路2是根據(jù)輸入信號in生成脈沖信號onlv及offlv的電路。電平移位主電路3是將脈沖信號onlv及offlv分別作為脈沖信號onhv及offhv而傳遞至次級側信號傳遞電路4的電路。次級側信號傳遞電路4是生成輸出信號out的電路。

初級側信號傳遞電路2以基準電位gnd為基準由電源電壓vcc進行驅(qū)動。初級側信號傳遞電路2是與輸入信號in同步地產(chǎn)生脈沖信號onlv及offlv的電路。脈沖信號onlv與輸入信號in的上升沿同步地上升，脈沖信號offlv與輸入信號in的下降沿同步地上升。

輸入電路5是與輸入信號in同步地生成信號inon及inoff的電路。信號inon是與輸入信號in同步的信號，信號inoff是與使輸入信號in反轉(zhuǎn)而得到的信號同步的信號。即，對于取on狀態(tài)或者off狀態(tài)中的任一個狀態(tài)的輸入信號in的信息，on狀態(tài)通過信號inon表示，off狀態(tài)通過信號inoff表示。在信號inon及inoff這兩者正確地反映出輸入信號in的內(nèi)容的情況下，信號inon與信號inoff的反轉(zhuǎn)信號相對應，信號inoff與信號inon的反轉(zhuǎn)信號相對應。

on單觸發(fā)脈沖電路6是與信號inon同步地產(chǎn)生脈沖信號onlv的電路。脈沖信號onlv是與信號inon的上升沿同步地上升的信號。off單觸發(fā)脈沖電路7是與信號inoff同步地產(chǎn)生脈沖信號offlv的電路。脈沖信號offlv是與信號inoff的上升沿同步地上升的信號。

電平移位主電路3是與脈沖信號onlv及offlv分別同步地，將與基準電位gnd不同的基準電位vs作為基準，生成脈沖信號onhv及offhv的電路。

次級側信號傳遞電路4以基準電位vs為基準由電源電壓vb進行驅(qū)動。次級側信號傳遞電路4是與脈沖信號onhv及offhv同步地生成輸出信號out的電路。輸出信號out與脈沖信號onhv的上升沿同步地上升，且與脈沖信號offhv的上升沿同步地下降。

聯(lián)鎖電路8是與脈沖信號onhv及offhv分別同步地生成脈沖信號outon及outoff的電路。具體地說，與脈沖信號onhv的h(高電平)及l(fā)(低電平)相對應地，切換脈沖信號outon的h及l(fā)，同樣地，與脈沖信號offhv的h及l(fā)相對應地，切換脈沖信號outoff的h及l(fā)。但是，在脈沖信號onhv及offhv均為h的情況下，脈沖信號outon及outoff雙方均為l。

驅(qū)動電路9是與脈沖信號outon及outoff同步地，生成基準電位vs下的輸出信號out的電路。具體地說，輸出信號out是與脈沖信號outon的上升沿同步地上升，與脈沖信號outoff的上升沿同步地下降的信號。

參照圖17，上述的電平移位主電路3具有高耐壓nmosfet(n-channelmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)11、12及電阻13、14。通過脈沖信號onlv及offlv分別對高耐壓nmosfet11及12的on/off進行切換，從而從初級側信號傳遞電路2向次級側信號傳遞電路4傳遞信號。

在高耐壓nmosfet11、12為off時，電流不會流過高耐壓nmosfet11、12及電阻13、14。因此，電阻13和高耐壓nmosfet11的中間點電位通過電阻13被上拉，另外同樣地，電阻14和高耐壓nmosfet12的中間點電位通過電阻14被上拉。其結果，反相器15及16各自的輸入電壓信號成為h。因而，從反相器15及16各自輸出的脈沖信號onhv及offhv成為l。

另一方面，在高耐壓nmosfet11、12為on時，經(jīng)由高耐壓nmosfet11及12各自和電阻13及14，電流從電源電壓vb向基準電位gnd流動。因此，電阻13和高耐壓nmosfet11的中間點電位、以及電阻14和高耐壓nmosfet12的中間點電位各自降低。其結果，反相器15及16各自的輸入電壓信號成為l。因此，從反相器15及16各自輸出的脈沖信號onhv及offhv成為h。

因此，在電平移位主電路3中為了對基于脈沖信號onlv及offlv的信號進行傳遞，需要對電阻13及14供給電流。因而，電源電壓vb必須高于基準電位gnd。在電源電壓vb低于基準電位gnd的情況下，電流不會從電源電壓vb向基準電位gnd流動，因此不能進行信號傳遞。如前述所示，上述的狀況有可能由于在逆變器裝置900(圖1)的動作中向基準電位vs產(chǎn)生負浪涌而發(fā)生。

接下來，下面適當省略針對與上述的電平移位電路590(圖16)相同或者相應的部分的說明而對本發(fā)明的各實施方式進行說明。

(實施方式1)

首先參照圖3，對電平移位電路501的概要進行說明。電平移位電路501具有初級側電路2a、電平移位主電路3、次級側電路4a和整流性元件電路23。

初級側電路2a以基準電位gnd(第1基準電位)為基準由電源電壓vcc(第1電源電壓)進行驅(qū)動，該初級側電路2a接收輸入信號in。次級側電路4a以基準電位vs(第2基準電位)為基準由電源電壓vb(第2電源電壓)進行驅(qū)動，該次級側電路4a生成輸出信號out。這些情況在其他實施方式中也相同。

初級側電路2a是包含初級側信號傳遞電路2(圖16)，且與接收到的輸入信號in相對應地，輸出基準電位gnd下的脈沖信號onlv及offlv(第1信號)的電路。電平移位主電路3是與參考例(圖16)同樣地，將從初級側信號傳遞電路2接收到的脈沖信號onlv及offlv的基準電位從基準電位gnd向基準電位vs進行變換，由此輸出基準電位vs下的脈沖信號onhv及offhv(第2信號)的電路。次級側電路是包含前述的次級側信號傳遞電路4(圖16)、且通過使用從電平移位主電路3接收到的脈沖信號onhv及offhv而與輸入信號in相對應地生成基準電位vs下的輸出信號out的電路。

整流性元件電路23包含具有整流性的元件，將初級側電路2a和次級側電路4a之間連接。由此，整流性元件電路23具有在初級側電路2a和次級側電路4a之間與一個方向的電流的流動相比而對另一個方向的電流的流動進行阻礙的整流性。在如逆變器裝置900(圖1)所示地以基準電位hgnd為基準而處理正的電壓hvcc的情況下，換言之在沒有發(fā)生由逆變器裝置900的動作引起的反向浪涌的通常狀態(tài)下使用比基準電位gnd高的基準電位vs的情況下，優(yōu)選上述的整流性的方向是容許從初級側電路2a向次級側電路4a的電流的流動，換言之阻礙從次級側電路4a向初級側電路2a的電流的流動。此外，在以基準電位hgnd為基準而處理負的電壓hvcc的情況下，整流性的方向也設為相反。

初級側電路2a及次級側電路4a的至少任一者具有檢測電路，該檢測電路通過對在整流性元件電路23流動的電流的變化進行檢測而對作為次級側電路4a的基準電位的基準電位vs是否小于或等于作為初級側電路2a的基準電位的基準電位gnd進行檢測。作為該檢測電路，在圖3的結構中，設置有初級側電路2a所包含的初級側負電位檢測電路24、和次級側電路4a所包含的次級側負電位檢測電路25。整流性元件電路23、初級側負電位檢測電路24和次級側負電位檢測電路25構成負電位檢測部22。此外，能夠省略初級側負電位檢測電路24及次級側負電位檢測電路25中的任一者。

對于負電位檢測部22，詳細內(nèi)容會參照圖4而在后面記述，該負電位檢測部22是對與次級側電路4a的基準電位vs相對應的電位ve2為小于或等于與初級側電路2a的基準電位gnd相對應的電位ve1的電位(下面，為了方便而稱為“負電位”)這一情況進行檢測，生成負電位檢測信號vmvslv及vmvshv中的至少任一者的電路。整流性元件電路23插入于初級側電路2a和次級側電路4a之間，與初級側負電位檢測電路24及次級側負電位檢測電路25中的至少任一者連接。初級側負電位檢測電路24及次級側負電位檢測電路25中的某一個是對在整流性元件電路23流動的電流進行檢測的電路，但在負電位檢測部22具有初級側負電位檢測電路24及次級側負電位檢測電路25這兩者的情況下，能夠?qū)⑷我徽咴O為對在整流性元件電路23流動的電流進行控制的電路。對在整流性元件電路23流動的電流進行檢測的方式可以是任意方式，例如也可以是將電流變換為電壓等而進行檢測，但至少是對電位ve2為負電位時和正電位(大于或等于電位ve1的電位)時在整流性元件電路23流動的電流的變化進行檢測。

根據(jù)本實施方式，能夠通過初級側負電位檢測電路24或者次級側負電位檢測電路25，對電位ve2為負電位時和正電位時在整流性元件電路23流動的電流的變化進行檢測，從而對電位ve2為負電位這一情況進行檢測，生成負電位檢測信號vmvslv及vmvshv中的至少任一者。例如，在通過初級側電路2a對負電位進行檢測的情況下，通過初級側負電位檢測電路24對供給至整流性元件電路23的電流進行檢測，由此生成負電位檢測信號vmvslv，另外，在通過次級側電路4a對負電位進行檢測的情況下，通過次級側負電位檢測電路25對供給至整流性元件電路23的電流進行檢測，由此生成負電位檢測信號vmvshv。此時，也可以通過另一個負電位檢測電路對在整流性元件電路23流動的電流的值進行控制。

所生成的負電位檢測信號vmvslv及vmvshv既可以如圖3所示，在電平移位電路501內(nèi)部進行處理，也可以通過外部端子(未圖示)而輸出至外部。例如，也能夠?qū)z測出負電位的信號輸出至微機，通過該微機對電平移位電路501進行控制。

特別是在負電位檢測電路22(圖3)如負電位檢測電路22z(圖4)那樣設置在電位gnd和電位vs之間的情況下，能夠直接檢測基準電位gnd和基準電位vs之間的關系。該情況對于其他實施方式中的負電位檢測電路也相同。

此外，在圖3中，示出在電平移位電路501內(nèi)具有整流性元件電路23的實施例。由此，能夠緩和封裝限制，另外能夠抑制配線的電感的影響。但是在它們不會特別成為問題的情況下，整流性元件電路也可以設置在電平移位電路的外部。在其他實施方式中也相同。

并且，接下來參照圖4，在下面對作為負電位檢測部22的具體例的負電位檢測部22z進行說明。

負電位檢測部22z具有上述的初級側負電位檢測電路24及次級側負電位檢測電路25中的后者。負電位檢測部22z是在電位ve2為負電位時生成成為h的次級側負電位檢測信號vmvshv的電路。在本例子中作為整流性元件電路23而使用高耐壓二極管23z。高耐壓二極管23z的陽極電位設為電位ve1，陰極電位設為電位ve2。高耐壓二極管23z的陽極部與基準電位gnd連接，陰極部經(jīng)由電阻31與基準電位vs連接。在電位ve2高于電位ve1的情況下，高耐壓二極管23z成為反向偏置，因此在初級側電路2a及次級側電路4a之間不流過電流，高耐壓二極管23z的陰極電位ve2通過電阻31被下拉至基準電位vs。即，電位ve2變得與基準電位vs相等。在該情況下，nmosfet32處于off狀態(tài)，因此nmosfet32的漏極電位通過電阻33被上拉至電源電壓vb，反相器34的輸出vmvshv成為l。如果由于基準電位vs降低而使電位ve2小于或等于電位ve1，則高耐壓二極管23z成為正向偏置，從而電流從基準電位gnd向基準電位vs流動。高耐壓二極管23z的陰極電位ve2成為比基準電位vs高出電阻31的電壓降的量的電位，因此將源極電位作為基準電位vs的nmosfet32成為on，反相器34的輸出vmvshv成為h。通過上述電路動作，能夠檢測出與基準電位vs相對應的電位ve2為負電位這一情況。此外，雖然未圖示，但負電位檢測部22z也可以具有對在nmosfet32的柵極和源極之間施加過大的電壓進行阻止的保護元件。例如，也可以具有陽極部與nmosfet32的柵極連接、陰極部與電源電壓vb連接的二極管，或者陽極部與基準電位vs連接、陰極部與nmosfet32的柵極連接的齊納二極管。

此外，在圖4中，示出作為整流性元件電路23而使用高耐壓二極管23z的例子，但整流性元件電路23也可以由多個元件構成，例如也可以是通過二極管和用于對其耐壓性進行補償?shù)母吣蛪弘娮璐?lián)連接而構成。另外，也可以使用二極管以外的半導體元件，例如還能夠使用高耐壓mosfet等。此外，“高耐壓”是指能夠承受電平移位電路501所處理的電壓的程度的耐壓，例如大于或等于100v左右。

另外，在圖4中，不經(jīng)由初級側負電位檢測電路24(圖2)而是將高耐壓二極管23z的陽極部連接于基準電位gnd，但也可以通過在初級側負電位檢測電路24的位置插入恒定電流源等，從而對在高耐壓二極管23z流動的電流進行控制。

此外，上述的負電位檢測部22z(圖4)的電路只是負電位檢測部22(圖3)的電路的一個例子，也可以使用其他電路結構。

(實施方式2)

如上所述，在實施方式1中，生成負電位檢測信號vmvslv及vmvshv中的至少任一者，該負電位檢測信號vmvslv及vmvshv表示檢測到與基準電位vs相對應的電位ve2為負電位這一情況。在本實施方式中，使用檢測信號vmvslv，生成對輸入信號in的on狀態(tài)及off狀態(tài)的至少任一者進行傳遞的信號。

參照圖5，電平移位電路502的負電位檢測部22b具有初級側負電位檢測電路24b，該初級側負電位檢測電路24b生成負電位檢測信號vmvslv，該負電位檢測信號vmvslv表示與基準電位vs相對應的電位ve2為負電位這一情況。輸入電路5a與輸入電路5(圖16)同樣地，與輸入信號in同步地生成信號inon及inoff。即，生成與輸入信號in的on狀態(tài)及off狀態(tài)分別對應的信號inon及inoff。信號inon及inoff中的至少任一者還通過負電位檢測信號vmvslv生成。即，信號inon及inoff中的至少任一者還通過與輸入信號in不同的至少1個信號生成。

根據(jù)本實施方式，通過向輸入電路5a輸入負電位檢測信號vmvslv，從而通過負電位檢測信號vmvslv也能夠生成信號inon及inoff中的至少任一者。例如，在電位ve2為負電位、且不能通過電平移位主電路3進行信號傳遞時，生成負電位檢測信號vmvslv。該負電位檢測信號vmvslv也可以是如果由于電位ve2上升而變得能夠通過電平移位主電路3進行信號傳遞則反轉(zhuǎn)的信號，例如是，不能通過電平移位主電路3進行信號傳遞時成為h、能夠進行信號傳遞時成為l的信號(在具有相同結構的其他實施方式中也相同)。在該情況下，輸入電路5a是在輸入信號in為h、且負電位檢測信號vmvslv進行了反轉(zhuǎn)時生成信號inon，或者在輸入信號in為l、且負電位檢測信號vmvslv進行了反轉(zhuǎn)時生成信號inoff的電路。由此，可以在電位ve2上升，變得能夠通過電平移位主電路3進行信號傳遞時，產(chǎn)生與輸入信號同步的信號onlv及offlv中的至少任一者。由此，能夠?qū)⑤斎胄盘柕臓顟B(tài)中的至少任一者經(jīng)由電平移位主電路3向次級側電路4b傳遞。由此，在對電位ve2的負電位進行檢測后，變得能夠通過電平移位主電路3進行信號傳遞時，無需等待輸入信號in的切換，即可將輸入信號in的狀態(tài)傳遞至次級側電路4a。例如，在電位ve2為負電位時發(fā)生了閂鎖誤動作的情況下，能夠縮短誤動作的期間。

此外，在圖5中，示出通過初級側負電位檢測電路24b生成負電位檢測信號vmvslv的例子，但也可以是將在次級側電路4b中由次級側負電位檢測電路25生成的負電位檢測信號vmvshv傳遞至初級側電路2b。另外，輸入至輸入電路5a的負電位檢測信號vmvslv的形式可以是任意形式，例如也可以設為脈沖信號。在具有相同結構的其他實施方式中也相同。

(實施方式3)

如上所述，在實施方式1或者2中，生成負電位檢測信號vmvslv及vmvshv中的至少任一者，該負電位檢測信號vmvslv及vmvshv表示檢測到與基準電位vs相對應的電位ve2為負電位這一情況。在本實施方式中，使用該檢測信號將輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者從次級側電路傳遞至初級側電路。通過該信號，能夠考慮輸出信號out的狀態(tài)而生成對輸入信號in的狀態(tài)中的至少任一者進行傳遞的信號。

參照圖6，電平移位電路503為了從次級側電路4c向初級側電路2c傳遞輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者，具有反向電平移位驅(qū)動電路42和反向電平移位主電路41。

反向電平移位驅(qū)動電路42是生成對輸出信號out的on狀態(tài)及off狀態(tài)中的至少任一個狀態(tài)進行傳遞的信號的電路。具體地說，反向電平移位驅(qū)動電路42使用來自次級側負電位檢測電路25c的負電位檢測信號vmvshv，生成信號outonhv及outoffhv中的至少任一者。在圖6中，信號outonhv表示輸出信號out的狀態(tài)為h，信號outoffhv表示輸出信號out的狀態(tài)為l。

反向電平移位主電路41是將以基準電位vs作為基準電位的信號向以基準電位gnd作為基準電位的信號進行電平移位的電路。反向電平移位主電路41對次級側信號outonhv及outoffhv中的至少任一者進行電平移位，生成初級側信號outonlv及outofflv中的至少任一者。

輸入電路5b與輸入信號in同步地生成信號inon及inoff。另外，輸入電路5b是還通過從反向電平移位主電路41傳遞來的初級側信號outonlv及outofflv的至少任一者，生成信號inon及inoff中的至少任一者的電路。即，輸入電路5b是還通過與輸入信號in不同的至少1個信號，生成信號inon及inoff中的至少任一者的電路。

根據(jù)本實施方式，能夠通過將電位ve2為負電位時的輸出信號out的狀態(tài)向初級側電路2c傳遞，從而實施考慮了輸出信號out的狀態(tài)后的控制。例如，在電位ve2為負電位且無法通過電平移位主電路3及反向電平移位主電路41進行信號傳遞時，生成負電位檢測信號vmvshv。該負電位檢測信號vmvshv也可以是如果由于電位ve2上升而變得能夠通過電平移位主電路3及反向電平移位主電路41進行信號傳遞則反轉(zhuǎn)的信號。將該信號的反轉(zhuǎn)作為觸發(fā)而生成信號outonhv及outoffhv中的至少任一者，由此能夠?qū)⒃撔盘柕姆崔D(zhuǎn)時的輸出信號out的狀態(tài)傳遞至初級側電路2c。另外，將傳遞至初級側電路2c的信號outonlv及outofflv中的至少任一者輸入至輸入電路5b，由此能夠生成信號inon及inoff中的至少任一者，傳遞至次級側電路4c。

并且，通過將輸入電路5b設為在輸入信號in＝h時使用信號outofflv而生成信號inon，在輸入信號in＝l時使用信號outonlv而生成信號inoff的電路，從而能夠在輸入信號in和輸出信號out的狀態(tài)不同的情況下，生成信號inon及inoff中的至少任一者。由此，在電位ve2為負電位且發(fā)生了閂鎖誤動作的情況下，能夠縮短誤動作的期間。并且，與此同時，在輸入信號in及輸出信號out的狀態(tài)相同的情況、即沒有發(fā)生閂鎖誤動作的情況下，能夠抑制電平移位主電路3的不必要的動作，因此能夠抑制消耗電流及發(fā)熱。

此外，在圖6中作為表示輸出信號out的狀態(tài)的信號而將輸出信號out本身輸入至反向電平移位驅(qū)動電路42，但作為表示輸出信號out的狀態(tài)的信號，也能夠使用信號outon及outoff。該情況在包含相同結構的其他實施方式中也相同。

(實施方式4)

在本實施方式中，使在實施方式1中說明的整流性元件電路23流動的電流的值可相應于初級側電路或者次級側電路中的任意信號而變化。由此，在電位ve2為負電位時，在初級側電路和次級側電路之間能夠傳遞任意信號狀態(tài)中的至少任一者。

參照圖7，電平移位電路504的負電位檢測部22d具有整流性元件電路23、次級側負電位檢測電路25及電流可變電路26d。電流可變電路26d是將可相應于被賦予的任意信號vab而變化的電流供給至整流性元件電路23的電路。該電路只要能夠與信號vab的不同的狀態(tài)相對應地對整流性元件電路23供給不同值的電流，則可以是任意的電路。另外，次級側負電位檢測電路25只要能夠?qū)εc信號vab的不同狀態(tài)相對應地供給至整流性元件電路23的電流的變化進行檢測，則可以是任意的電路。

根據(jù)本實施方式，通過電流可變電路26d，將可相應于信號vab的狀態(tài)而變化的電流向整流性元件電路23供給，通過次級側負電位檢測電路25，在電位ve2為負電位時檢測該電流的變化。因此，在電位ve2為負電位的期間能夠?qū)⑿盘杤ab的狀態(tài)中的至少任一者從初級側電路2d向次級側電路4d傳遞。即，即使在電位ve2為負電位且無法通過電平移位主電路3進行信號傳遞的情況下，也能夠經(jīng)由整流性元件電路23從初級側電路2d向次級側電路4d進行信號傳遞。

此外，在上述結構中，使用的是次級側負電位檢測電路25和設置于初級側電路2d的電流可變電路26d，但也可以使該結構逆轉(zhuǎn)。即，也可以使用初級側負電位檢測電路24(圖3)和設置于次級側電路4d的電流可變電路26d。在該情況下，能夠從次級側電路4d向初級側電路2d進行與上述同樣的信號傳遞。

并且，接下來參照圖8，在下面對作為負電位檢測部22d(圖7)的具體例的負電位檢測部22y進行說明。

負電位檢測部22y是在電位ve2小于或等于電位ve1、且信號vab＝l時將檢測信號vmvshv設為h的電路。關于負電位檢測部22y，向?qū)嵤┓绞?例示出的負電位檢測部22z連接有pmosfet26z而作為電流可變電路26d(圖7)，該pmosfet26z將以基準電位gnd作為基準的電源電壓vcc(也可以是通過初級側電路生成的內(nèi)部電源電壓vreg)的電位作為源極電位。對pmosfet26z的柵極輸入任意信號vab。

根據(jù)本例子，在電位ve2小于或等于電位ve1時，高耐壓二極管23z成為正向偏置，電流能夠從初級側電路2d向次級側電路4d流動。此時，根據(jù)輸入至pmosfet26z的柵極的任意信號vab而使供給至高耐壓二極管23z的電流變化，由此能夠?qū)⑿盘杤ab的狀態(tài)中的至少任一者從初級側電路2d向次級側電路4d傳遞。

在電位ve2小于或等于電位ve1、且信號vab＝l的情況下，高耐壓二極管23z成為正向偏置、且pmosfet26z成為on狀態(tài)。因而，電流從初級側電路2d向次級側電路4d流動，因此通過次級側負電位檢測電路25z，檢測信號vmvshv＝h。在電位ve2小于或等于電位ve1、且信號vab＝h的情況下，高耐壓二極管23z為正向偏置，但pmosfet26z為off狀態(tài)，因此電流不會從初級側電路2d向次級側電路4d供給。因此，通過次級側負電位檢測電路25z，檢測信號vmvshv＝l。在電位ve2大于或等于電位ve1的情況下，高耐壓二極管23z為反向偏置，因此不依賴于信號vab的狀態(tài)，檢測信號vmvshv＝l。通過上述電路動作，在圖8的例子中，僅在電位ve2小于或等于電位ve1、且信號vab＝l的情況下，檢測信號vmvshv＝h。因此，在電位ve2為負電位時能夠傳遞信號vab＝l的狀態(tài)。

此外，當然，只要是在信號vab＝h時pmosfet26z成為on狀態(tài)的電路結構，就能夠在電位ve2為負電位時傳遞信號vab＝h的狀態(tài)。

(實施方式5)

在本實施方式中，通過使用在實施方式4中說明的具有電流可變電路的負電位檢測電路，從而在電位ve2為負電位的期間將輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者從次級側電路向初級側電路傳遞。能夠根據(jù)該信號，考慮輸出信號的狀態(tài)而生成對輸入信號的狀態(tài)中的至少任一者進行傳遞的信號。

參照圖9，電平移位電路505的負電位檢測部22e具有初級側負電位檢測電路24e和電流可變電路26e。

電流可變電路26e是相對于輸出信號out的狀態(tài)而使在整流性元件電路23流動的電流的值變化的電路。初級側負電位檢測電路24e是通過對該電流值的變化進行檢測，從而在電位ve2為負電位的期間檢測出輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者作為信號vmvsoutsig的電路。通過向輸入電路5a輸入從次級側電路4e傳遞來的信號vmvsoutsig，從而通過信號vmvsoutsig也能夠生成信號inon及inoff中的至少任一者。信號vmvsoutsig設為例如下述信號，即，在電位ve2為負電位、且無法通過電平移位主電路3進行信號傳遞時產(chǎn)生，如果電位ve2上升，變?yōu)槟軌蛲ㄟ^電平移位主電路3進行信號傳遞，則反轉(zhuǎn)。將該信號的反轉(zhuǎn)作為觸發(fā)而生成信號inon及inoff中的至少任一者，由此能夠?qū)⑤斎胄盘杋n的狀態(tài)中的至少任一者傳遞至次級側電路4e。

輸入電路5a也可以是在信號vmvsoutsig表示的是輸出信號out＝l的狀態(tài)、且輸入信號in＝h時，使用信號vmvsoutsig而生成信號inon的電路?；蛘?，輸入電路5a也可以是在信號vmvsoutsig表示的是輸出信號out＝h的狀態(tài)、且輸入信號in＝l時，使用信號vmvsoutsig而生成信號inoff。由此，能夠在輸入信號in的狀態(tài)和輸出信號out的狀態(tài)不同的情況下，生成信號inon及inoff中的至少任一者。

根據(jù)本實施方式，在電位ve2為負電位的期間將輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者從次級側電路4e傳遞至初級側電路2e，將該信號的反轉(zhuǎn)作為觸發(fā)而生成對輸入信號in的狀態(tài)中的至少任一者進行傳遞的信號。由此，能夠抑制輸入信號in的狀態(tài)和輸出信號out的狀態(tài)相同的情況、即沒有發(fā)生閂鎖誤動作的情況下的電平移位電路505的不必要的動作。另外，與此同時，在電位ve2為負電位時的閂鎖誤動作中，能夠比實施方式3縮短閂鎖誤動作的期間。

(實施方式6)

在本實施方式中，通過使用在實施方式4說明的具有電流可變電路的負電位檢測電路，從而在電位ve2為負電位的期間將輸入信號in的狀態(tài)中的至少任一者從初級側電路向次級側電路傳遞。

參照圖10，電平移位電路506的負電位檢測部22f具有電流可變電路26f和次級側負電位檢測電路25f。電流可變電路26f是使在整流性元件電路23流動的電流的值相應于輸入信號in的狀態(tài)而變化的電路。次級側負電位檢測電路25f是通過對該電流值的變化進行檢測，從而在電位ve2為負電位期間檢測出輸入信號in的狀態(tài)中的至少任一者作為信號vmvsinsig的電路。

驅(qū)動電路9a是與脈沖信號outon及outoff同步地生成輸出信號out的電路。特別地，本實施方式的驅(qū)動電路9a還通過與脈沖信號outon及outoff不同的至少1個信號，生成輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者。具體地說，驅(qū)動電路9a是還通過信號vmvsinsig，生成輸出信號out的狀態(tài)中的至少任一者的電路。由此，能夠?qū)⑿盘杤mvsinsig反映至輸出信號out。

例如，驅(qū)動電路9a構成為，在電位ve2為負電位、且檢測出vmvsinsig時，將信號vmvsinsig反映至輸出信號out。具體地說，驅(qū)動電路9a構成為，在信號vmvsinsig表示輸入信號in＝h的情況下設為輸出信號out＝h，或者，在信號vmvsinsig表示輸入信號in＝l的情況下設為輸出信號out＝l。由此，能夠在電位ve2為負電位的期間將輸入信號in的狀態(tài)中的至少任一者反映至輸出信號out。

根據(jù)本實施方式，即使在電位ve2為負電位且無法通過電平移位主電路3進行信號傳遞的情況下，也能夠從初級側電路2f向次級側電路4f經(jīng)由整流性元件電路23而傳遞輸入信號in。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)在電位ve2為負電位時的閂鎖誤動作的防止或者誤動作期間的縮短。

(實施方式7)

參照圖11，電平移位電路507所具有的負電位檢測部22g包含負電位檢測部22b(圖5：實施方式2)和負電位檢測部22f(圖10：實施方式6)。由此，配置有負電位檢測部22b的整流性元件電路231(第1整流性元件電路)和負電位檢測部22f的整流性元件電路232(第2整流性元件電路)。整流性元件電路231的電流變化是通過初級側負電位檢測電路24b(第1檢測電路)進行檢測的。整流性元件電路232的電流變化是通過次級側負電位檢測電路25f(第2檢測電路)進行檢測的。

此外，整流性元件電路231的端部的電位ve1和整流性元件電路232的端部的電位ve1并不需要相互相同。對于電位ve2也同樣如此。

根據(jù)本實施方式，與實施方式6同樣地，即使在不能進行電平移位主電路3的信號傳遞的狀態(tài)下，也從初級側電路2g向次級側電路4g經(jīng)由整流性元件電路232而傳遞輸入信號in。另外，即使不能進行該傳遞，也與實施方式2同樣地，在解除了不能進行電平移位主電路3的信號傳遞的狀態(tài)時，無需等待輸入信號in的切換，即可將輸入信號in的狀態(tài)傳遞至次級側電路4g。因而，能夠更可靠地實現(xiàn)電平移位主電路3的閂鎖誤動作的防止或者誤動作期間的縮短。

(實施方式8)

參照圖12，電平移位電路508所具有的負電位檢測部22h包含：具有電流可變電路26e(第1電流可變電路)的負電位檢測部22e(圖9：實施方式5)；以及具有電流可變電路26f(第2電流可變電路)的負電位檢測部22f(圖10：實施方式6)。由此，配置有負電位檢測部22e的整流性元件電路231(第1整流性元件電路)和負電位檢測部22f的整流性元件電路232(第2整流性元件電路)。整流性元件電路231的電流變化是通過初級側電路2h所具有的初級側負電位檢測電路24e(第1檢測電路)進行檢測的。整流性元件電路232的電流變化是通過次級側電路4h所具有的次級側負電位檢測電路25f(第2檢測電路)進行檢測的。

此外，整流性元件電路231的端部的電位ve1和整流性元件電路232的端部的電位ve1并不需要相互相同。對于電位ve2也同樣如此。

根據(jù)本實施方式，通過負電位檢測部22e檢測出負電位期間中的輸出信號的狀態(tài)作為信號vmvsoutsig。由此，能夠?qū)ω撾娢粰z測部22f在負電位期間中的輸入信號的傳遞的有無進行檢測。因而，能夠使用該信息而對檢測出負電位后的動作進行控制。

例如，當通過負電位檢測部22f在負電位期間中傳遞了輸入信號in的情況下，在負電位期間結束時成為輸入信號in和輸出信號out相同的狀態(tài)，因此不生成信號inon、inoff。另外，當沒有通過負電位檢測部22f在負電位期間中傳遞輸入信號、且在負電位期間結束時成為輸入信號in和輸出信號out不同的狀態(tài)的情況下，生成信號inon、inoff。由此，在負電位期間中沒能解除閂鎖誤動作的情況下，能夠經(jīng)由電平移位主電路3而傳遞輸入信號。由此，能夠在負電位期間中實現(xiàn)閂鎖誤動作的防止或者誤動作期間的縮短，并且能夠在負電位期間中對解除了閂鎖誤動作的情況下的不必要的動作進行抑制。

(實施方式9)

參照圖13，電平移位電路509的初級側電路2i具有輸入電路5c。輸入電路5c是與輸入信號in同步地生成信號inon及inoff，且還通過來自負電位檢測部22e的初級側負電位檢測電路24e的信號vmvsoutsig生成信號inon、inoff或者vmvsinlv的電路。

此外，對于上述以外的結構，與上述的實施方式8的結構大致相同，因此，對相同或者相應的要素標注相同標號，不重復其說明。

根據(jù)本實施方式，通過負電位檢測部22e將負電位期間中的輸出信號out的狀態(tài)傳遞至初級側電路2i，由此能夠僅在處于負電位狀態(tài)、且輸入信號in和輸出信號out的狀態(tài)不同的情況下，通過負電位檢測部22f傳遞輸入信號in。由此，能夠?qū)]有閂鎖誤動作的情況下的不必要的動作進行抑制。

例如，僅在通過信號vmvsoutsig傳遞的輸出信號out的狀態(tài)和輸入信號in的狀態(tài)不同的情況下，由輸入電路5c生成對輸入信號in的狀態(tài)進行傳遞的信號vmvsinlv。信號vmvsinlv由負電位檢測部22f傳遞至次級側電路4h，由此能夠抑制不必要的動作，并且實現(xiàn)閂鎖誤動作的防止或者誤動作期間的縮短。

另外，與實施方式8同樣地，能夠通過負電位檢測部22e對由負電位檢測部22f實現(xiàn)的信號傳遞的有無進行確認。因此，在負電位期間中沒能消除閂鎖誤動作的情況下，能夠經(jīng)由電平移位主電路3傳遞輸入信號。

(實施方式10)

在本實施方式中，由驅(qū)動電路9a(圖10～圖13：實施方式6～9)對反映至輸出信號out的信號設置優(yōu)先級。在電位ve2小于或等于電位ve1且能夠通過電平移位主電路3進行信號傳遞的狀態(tài)、即在電平移位主電路3中由電源電壓vb形成的電位高于基準電位gnd的狀態(tài)下，有時經(jīng)由電平移位主電路3傳遞的信號outon、outoff與經(jīng)由整流性元件電路23、231或者232傳遞的信號同時輸入至驅(qū)動電路9a。此時，如果經(jīng)由電平移位主電路3傳遞的信號outon及outoff的狀態(tài)與經(jīng)由整流性元件電路23、231或者232傳遞的信號的狀態(tài)不同，則驅(qū)動電路9a有可能進行誤動作。

在本實施方式中，通過將經(jīng)由電平移位主電路3傳遞的信號outon及outoff優(yōu)先地反映至輸出信號out，從而能夠防止驅(qū)動電路9a的誤動作。具體地說，僅在沒有向驅(qū)動電路9a輸入脈沖信號outon、outoff的情況下，將信號vmvsinsig反映至輸出信號out。由此，在經(jīng)由電平移位主電路3傳遞來的輸入信號、和經(jīng)由負電位檢測部22f傳遞來的輸入信號同時輸入的情況下，能夠?qū)⒔?jīng)由電平移位主電路3傳遞的信號優(yōu)先地反映至輸出信號out。

根據(jù)本實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)電位ve2為負電位時的信號傳遞，并且能夠防止與該信號傳遞相伴的誤動作。

(實施方式11)

參照圖14，電平移位電路511的負電位檢測部22j在電平移位電路504的負電位檢測部22d(圖7：實施方式4)的結構的基礎上，包含負電位檢測部22c和次級側信號生成電路51。在本實施方式中，次級側信號生成電路51包含于次級側電路4j。

負電位檢測部22j是在負電位檢測部22c及22d各自的電位ve2均為負電位時，將表示任意信號vab的信號從初級側電路2j向次級側電路4j傳遞的電路。在這里，任意信號vab是取h狀態(tài)及l(fā)狀態(tài)(第1及第2狀態(tài))中的任一狀態(tài)的信號。負電位檢測部22d的次級側負電位檢測電路25是生成表示上述h狀態(tài)及l(fā)狀態(tài)中的一者的信號(一個信號)的電路。次級側信號生成電路51是使用該信號而生成分別表示h狀態(tài)及l(fā)狀態(tài)的信號vmvsonhv及vmvsoffhv的電路。通過次級側信號生成電路51進行的信號vmvsonhv及vmvsoffhv的生成是在不僅負電位檢測部22d的電位ve2為負電位，而且負電位檢測部22c的電位ve2也為負電位時進行的?；谏鲜瞿康?，次級側信號生成電路51還參照負電位檢測部22c中的次級側負電位檢測電路25c的檢測信號vmvs。

例如，信號vmvshv設為表示信號vab＝h的狀態(tài)的信號。在該情況下，與信號vmvshv同步地生成信號vmvsonhv，另外，與使信號vmvshv反轉(zhuǎn)得到的信號同步地生成信號vmvsoffhv。由此，在負電位檢測部22c及22d各自的電位ve2均為負電位時，能夠在信號vab＝h的情況下生成信號vmvsonhv，在信號vab＝l的情況下生成信號vmvsoffhv。

根據(jù)本實施方式，在次級側電路4j的基準電位vs為負電位、且無法通過電平移位主電路3進行信號傳遞的情況下，能夠經(jīng)由整流性元件電路232而在初級側電路2j和次級側電路4j之間，傳遞取2個狀態(tài)中的任一者(h或者l)的任意信號vab的信息。

此外，在上面對任意信號vab從初級側電路2j向次級側電路4j傳遞的情況詳細地進行了說明，但與實施方式4同樣地，也能夠?qū)⑷我庑盘枏拇渭墏入娐?j向初級側電路2j傳遞。

(實施方式12)

參照圖15，電平移位電路512具有負電位檢測部22k以取代電平移位電路504(圖7：實施方式4)中的負電位檢測部22d。負電位檢測部22k具有電流可變電路26k、整流性元件電路231(第1整流性元件電路)及232(第2整流性元件電路)、和次級側負電位檢測電路25k。

整流性元件電路231及232設置在電流可變電路26k及次級側負電位檢測電路25k之間。電流可變電路26k從初級側信號傳遞電路2接收分別表示任意信號的h狀態(tài)(第1狀態(tài))及l(fā)狀態(tài)(第2狀態(tài))的信號vabon及vaboff。而且，相應于信號vabon及vaboff各自而使在整流性元件電路231及232流動的電流變化。次級側負電位檢測電路25k通過對在整流性元件電路231及232各自中流動的電流進行檢測，從而將信號vmvsonhv及vmvsoffhv向次級側信號傳遞電路4輸出。

通過上述結構，負電位檢測部22k具有分別傳遞任意信號的h狀態(tài)及l(fā)狀態(tài)的路徑。具體地說，在整流性元件電路231的電位ve2為負電位、且上述任意信號為h狀態(tài)時，電流在整流性元件電路231流動，另外，在整流性元件電路232的電位ve2為負電位、且上述任意信號為l狀態(tài)時，電流在整流性元件電路232流動。通過分別對這些電流進行檢測，從而將任意信號的h狀態(tài)及l(fā)狀態(tài)這兩者向次級側電路4k分別傳遞。

根據(jù)本實施方式，即使在次級側電路4k的基準電位vs為負電位、且無法通過電平移位主電路3進行信號傳遞的情況下，也能夠經(jīng)由整流性元件電路231及232而從初級側電路2k向次級側電路4k傳遞任意信號。

另外，也可以是由本實施方式的負電位檢測部22k，替換前述的實施方式11的電平移位電路511中的負電位檢測部22d。由此，用于傳遞任意信號的信息的路徑成為2個。由此，即使一個路徑發(fā)生故障，也能進行通過另一個路徑實現(xiàn)的傳遞。另外，通過經(jīng)由另一個路徑得到的信號，能夠?qū)Ρ緫ㄟ^一個路徑進行傳遞的信號進行補充。

此外，在上面對任意信號的信息從初級側電路2k向次級側電路4k傳遞的情況詳細地進行了說明，但與實施方式4或11同樣，也能夠?qū)⑷我庑盘枏拇渭墏入娐?k向初級側電路2k傳遞。

(實施方式13)

再次參照圖2，本實施方式的hvic(集成電路)600具有電平移位電路500、和通過配線而與該電平移位電路500連接的其他電路400。作為電平移位電路500，具體地說，能夠使用上述的各實施方式的電平移位電路501～509、511、512中的任意者。其他電路400也可以包含用于確?？煽啃缘谋Ｗo電路。另外，其他電路400也可以包含具有與lvic700(圖1)相同的功能的電路。

根據(jù)本實施方式，能夠縮短電平移位電路500和其他電路400之間的配線。由此，能夠抑制配線的電感。因此，能夠?qū)ω摾擞康陌l(fā)生進行抑制。

另外，在hvic600中，也可以使電平移位電路500和其他電路400所具有的保護電路進行聯(lián)動。由此，能夠進一步提高集成電路的可靠性。

(實施方式14)

再次參照圖1，本實施方式的逆變器裝置900(功率半導體模塊)具有：實施方式13的hvic600(集成電路)；lvic700；高電位側開關元件102(半導體開關元件)；以及低電位側開關元件103。高電位側開關元件102由hvic600驅(qū)動，低電位側開關元件103由lvic700驅(qū)動。

根據(jù)本實施方式，高電位側開關元件102和hvic600成為一體，因此能夠縮短兩者之間的配線。由此，能夠?qū)ε渚€的電感進行抑制。因此，能夠?qū)ω摾擞康陌l(fā)生進行抑制。

此外，功率半導體模塊并不限定于上述模塊，只要包含具有在上述實施方式中說明的電平移位電路的集成電路和通過該集成電路進行驅(qū)動的半導體開關元件即可。

(實施方式15)

在本實施方式中，高電位側開關元件102(圖1)及低電位側開關元件103(圖1)的至少任一者的至少一部分是由碳化硅(sic)半導體元件構成的。例如，在由igbt及續(xù)流二極管構成高電位側開關元件102的情況下，至少任一者是碳化硅(sic)半導體元件，優(yōu)選，至少承擔開關功能的元件(上述例子中igbt)是sic半導體元件。

搭載有sic半導體元件的裝置大多在前述的基準電位vs的每單位時間的變動dv/dt劇烈的條件下動作。因此，具有負浪涌變大的傾向，另外，還具有其發(fā)生期間變長的傾向。因而，在實施方式14敘述的負浪涌的抑制的益處增大。另外，電平移位主電路3的通過通常動作進行的信號傳遞由于負浪涌而變得不能進行的期間變長，因此當設置有即使在負浪涌時也能進行信號傳遞的電平移位電路的情況下，其有效性增大。

此外，也可以使用對正負與在上述各實施方式的結構中處理的信號的正負相反的信號進行處理的結構。在該情況下，將各實施方式的說明中的“正”及“負”相互替換這一作法大致成立。

本發(fā)明能夠在其發(fā)明的范圍內(nèi)，將各實施方式自由地組合，或?qū)⒏鲗嵤┓绞竭m當變形、省略。對本發(fā)明詳細地進行了說明，但上述的說明在所有方面都是例示，本發(fā)明并不限定于此?？山忉尀樵跊]有脫離本發(fā)明的范圍能夠設想出沒有例示的無數(shù)的變形例。

標號的說明

2初級側信號傳遞電路，2a～2k初級側電路，3電平移位主電路，4次級側信號傳遞電路，4a～4h、4j、4k次級側電路，5、5a～5c輸入電路，6on單觸發(fā)脈沖電路，7off單觸發(fā)脈沖電路，8聯(lián)鎖電路，9、9a驅(qū)動電路，11、12高耐壓nmosfet，13、14、31、33電阻，15、16、34反相器，22、22b～22h、22j、22k、22y、22z負電位檢測部，23、231、232整流性元件電路，23z高耐壓二極管，24、24b、24e初級側負電位檢測電路，25、25c、25f、25k、25z次級側負電位檢測電路，26d、26e、26f、26k電流可變電路，26zpmosfet，32nmosfet，41反向電平移位主電路，42反向電平移位驅(qū)動電路，51次級側信號生成電路，102高電位側開關元件(半導體開關元件)，103低電位側開關元件，500～508、511、512、590電平移位電路，600hvic(集成電路)，700lvic，800驅(qū)動模塊，900逆變器裝置(功率半導體模塊)。