本申請要求于2015年1月29日提交的美國申請no.14/608,643的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文以用于所有目的。

背景技術(shù)：

除非另有說明，否則上述內(nèi)容不被認(rèn)為是本文所記載的權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)，并且不應(yīng)被如此解釋。

射頻(rf)電路通常需要無源器件的高功率開關(guān)以用于功率控制、多頻帶調(diào)諧等。rf應(yīng)用(例如，移動通信設(shè)備等)通常具有限制設(shè)計者可用的硅面積量的空間約束。

以高功率操作開關(guān)將開關(guān)暴露于跨越其源極、柵極、漏極和體極端子的高電壓擺幅。高電壓擺幅在將開關(guān)保持在關(guān)斷狀態(tài)方面面臨挑戰(zhàn)，從而影響高電壓開關(guān)的可靠性。

附圖說明

關(guān)于要進(jìn)行的討論、特別是附圖，強(qiáng)調(diào)所示出的細(xì)節(jié)代表用于示例性討論的示例，并且是提供本公開的原理和概念方面的描述的原因。在這方面，除了對本公開的基本理解所需要的內(nèi)容之外，未嘗試示出實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。以下討論結(jié)合附圖使得對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，可以如何實(shí)踐根據(jù)本公開的實(shí)施例變得明顯。在附圖中：

圖1示出了用于根據(jù)本公開的電路的示意圖。

圖1a示出了用于根據(jù)本公開的電路的備選實(shí)施例的示意圖。

圖2圖示了本公開的電路的一個具體實(shí)施例的示例。

圖2a圖示了圖2中所示的電路的一個備選實(shí)施例。

圖3圖示了本公開的備選電路的一個實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，為了解釋的目的，闡述了許多示例和具體細(xì)節(jié)，以提供對本公開的透徹理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在權(quán)利要求中表示的本公開可以包括這些示例中的一些特征或全部特征，單獨(dú)地或與下文描述的其他特征組合，并且還可以包括本文所描述的特征和概念的修改和等同物。

圖1示出了根據(jù)本公開的用于驅(qū)動負(fù)載10的電路100的高層級框圖。電路100包括差分輸入端子inp和inm以及輸出端子out1和out2。該圖圖示了可以輸入到電路100的輸入信號12a、12b的示例。在所示出的示例中，輸入信號12a、12b相對于彼此是180°異相的。峰間電壓擺幅可以是2vdd，約為vdd的中心電壓以及2vdd和0伏的峰值電壓。

在一些實(shí)施例中，電路100可以是包括串聯(lián)連接的第一和第二晶體管器件m1、m2的輸出電路。在特定實(shí)施例中，m1和m2是場效應(yīng)晶體管(fet)，特別是pmos型fet器件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，m1和m2可以是nmos器件。晶體管m1和m2可以是增強(qiáng)型晶體管或耗盡型晶體管。

在圖1所示的實(shí)施例中，m1的源極端子和m2的漏極端子與電壓源vdd具有公共連接。輸入端子inp、inm可以跨越晶體管m1和m2連接。例如，輸入端子inp可以被連接到m1的漏極端子，并且輸入端子inm可以被連接到m2的源極端子。

電路100可以包括第一和第二電感元件l，以將輸入端子inp、inm耦合到輸出端子out1、out2。例如，在圖1所示的實(shí)施例中，每個電感元件l可以將輸入端子inp、inm連接到相應(yīng)的輸出端子out1、out2。

根據(jù)本公開，電路100可以包括采樣電路102。采樣電路102的輸入可以被連接，以感測輸入信號(例如，12a、12b)。采樣電路102的輸入可以例如被連接到感測點(diǎn)104、106。根據(jù)本公開，感測點(diǎn)104、106可以是允許采樣電路102感測輸入信號的任何連接。例如，參考圖1a，通常，輸入端子inp、inm可以被圖中由阻抗z表示的一般性網(wǎng)絡(luò)114、116耦合到輸出。采樣電路102可以將其輸入連接到網(wǎng)絡(luò)114、116中沿信號路徑與輸入端子inp、inm電連通的感測點(diǎn)。

回到圖1，采樣電路102可以產(chǎn)生一個或多個電壓vg1、vg2、vb1、vb2。在一些實(shí)施例中，電壓vg1、vg2、vb1、vb2可以是相同的電壓；即vg1＝vg2＝vb1＝vb2。在其他實(shí)施例中，vg1、vg2、vb1、vb2可以是不同的電壓。在其他實(shí)施例中，電壓vg1、vg2、vb1、vb2中的一些可以是相同的，一些可以不同。

根據(jù)本公開，采樣102可以生成與輸入端子inp、inm處的電壓擺幅vsig成比例的電壓vg1、vg2、vb1、vb2。在一些實(shí)施例中，可以根據(jù)以下關(guān)系產(chǎn)生電壓vg1、vg2、vb1、vb2的電平：

偏置電壓＝α×vsig+k

其中，α是實(shí)常數(shù)，

k是實(shí)常數(shù)，

vsig是輸入端子處的電壓擺幅(例如，峰間值)，

vdd是電源軌電壓。

在一些實(shí)施例中，電壓vg1和vg2可以分別連接到m1和m2的柵極端子。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，電壓vb1和vb2可以分別連接到m1和m2的體極端子。術(shù)語“體極端子”可以被不同地稱為主體端子、基極端子、襯底端子、“第四”端子等。

現(xiàn)在參考圖2來描述根據(jù)本公開的特定電路實(shí)施例。在圖2所示的特定實(shí)施例中，電路200包括采樣電路202，采樣電路202具有連接到晶體管m1和m2的柵極端子g(經(jīng)由電阻器rg)和體極端子b(經(jīng)由電阻器rb)的輸出212。采樣電路202的輸入被連接到感測點(diǎn)204和206。圖2a示出了電路200'的示例，其中采樣電路202的輸入直接連接到輸入端子inp、inm。

回到圖2，在一些實(shí)施例中，采樣電路202可以是全波整流器電路。輸入信號12a、12b可以由采樣電路202進(jìn)行全波整流，以產(chǎn)生圖2所示出的輸出波形214。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知，輸出波形214的等效直流電平vdc為：

在圖2所示的實(shí)施例中，vpeak＝(2vdd-vdd)＝vdd。因此所計算的等效直流電平vdc為0.64vdd。然而，輸出被直流偏移了vdd，并且因此實(shí)際的vdc為(vdd+0.64vdd)。

根據(jù)本公開，例如使用電阻器rg和rb，可以將輸出212提供給晶體管m1、m2的柵極端子g和體極端子b，以偏置柵極端子和體極端子。因此，晶體管m1和m2的柵極端子g和體極端子b可以在電壓電平(vdd+0.64vdd)處被偏置。因此，對于晶體管m1，柵極端子g處的電位和體極端子b的電位將始終比m1的漏極端子d處的電位高0.64vdd。這確保了體二極管的適當(dāng)?shù)姆聪蚱煤蚼1的關(guān)斷。類似地，柵極端子g處的電位和晶體管m2的體極端子b處的電位將始終比m2的源極端子s處的電位高0.64vdd，以確保體二極管的適當(dāng)?shù)姆聪蚱煤蚼2的關(guān)斷。

根據(jù)本公開的電路確保了可靠性，因?yàn)樵陉P(guān)斷模式下跨越任何兩個端子的電壓小于vdd。與常規(guī)解決方案相比，根據(jù)本公開的電路需要更少的開關(guān)，以實(shí)現(xiàn)相同或更好的關(guān)斷性能。由于柵極和體極一直保持在比源極/漏極更高的電壓電平，所以根據(jù)本公開的電路中使用的開關(guān)與在常規(guī)解決方案中使用的開關(guān)相比，在關(guān)斷狀態(tài)下顯示更好的失真性能。

如圖2所示，在一些實(shí)施例中，采樣電路202包括全波整流器。應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，采樣電路202可以包括備選電路系統(tǒng)。例如，采樣電路202可以包括峰值檢測電路。在其他實(shí)施例中，采樣電路可以包括自混頻本地振蕩器設(shè)計等。這些電路的設(shè)計是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的。在一些實(shí)施例中，取決于輸入被感測的位置，采樣電路202可以包括放大電路系統(tǒng)，以生成具有合適電平的輸出。通常，如結(jié)合圖1所解釋的，采樣電路102可以操作以提供與輸入端子處的電壓擺幅成比例的一個或多個輸出電壓。

圖3圖示了根據(jù)本公開的另一電路實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，電路300可以包括單個晶體管器件m。電路300的電路特性與圖2中結(jié)合電路200所解釋的基本相同。采樣電路302可以包括全波整流器、峰值檢測器、自混頻本地振蕩器等。在采樣電路312包括全波整流器的實(shí)施例中，如上所述，輸出波形314具有可用于偏置晶體管m的柵極端子g和體極端子b的等效直流電平vdc。

上面的描述說明了本公開的各種實(shí)施例，以及可以如何實(shí)現(xiàn)特定實(shí)施例的各方面的示例。上述示例不應(yīng)被認(rèn)為是僅有的實(shí)施例，并且上述示例被呈現(xiàn)以說明由所附權(quán)利要求限定的特定實(shí)施例的靈活性和優(yōu)點(diǎn)?；谏鲜龉_內(nèi)容和所附權(quán)利要求，在不脫離由權(quán)利要求限定的本公開的范圍的情況下，可以采用其他布置、實(shí)施例、實(shí)現(xiàn)方式和等同物。

我們要求保護(hù)以下內(nèi)容：