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電平轉(zhuǎn)換器電路的制作方法與工藝

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電平轉(zhuǎn)換器電路的制作方法與工藝

技術(shù)特征:
1.一種電平轉(zhuǎn)換器電路,包括:電平轉(zhuǎn)換器單元,包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)以及用以輸出與所述輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn);其中,所述電平轉(zhuǎn)換器單元還包括一對(duì)輸入晶體管,所述一對(duì)輸入晶體管中的至少一個(gè)輸入晶體管耦接于用以接收所述輸入信號(hào)的所述輸入節(jié)點(diǎn);以及第一控制單元,耦接至所述電平轉(zhuǎn)換器單元,并且包括:第一晶體管,耦接于所述反相輸出節(jié)點(diǎn)以及用以接收第一控制信號(hào)的第一控制節(jié)點(diǎn)之間,所述第一晶體管包括一閘極,耦接至所述第一控制節(jié)點(diǎn);以及第二晶體管,耦接于用以接收所述輸入信號(hào)的所述輸入節(jié)點(diǎn)與接地點(diǎn)之間。2.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第一晶體管與所述第二晶體管串聯(lián)耦接。3.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,更包括:第二控制單元,耦接至所述電平轉(zhuǎn)換器單元,并且包括:第三晶體管,耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)以及用以接收所述第一控制信號(hào)的所述第一控制節(jié)點(diǎn)之間;以及第四晶體管,耦接于所述電平轉(zhuǎn)換器單元的用以接收與所述輸入信號(hào)反相的反相輸入信號(hào)的反相輸入節(jié)點(diǎn)與所述接地點(diǎn)之間。4.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,更包括:第二控制單元,耦接至所述電平轉(zhuǎn)換器單元,并且包括:第三晶體管,耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)以及用以接收第二控制信號(hào)的第二控制節(jié)點(diǎn)之間;以及第四晶體管,耦接于所述電平轉(zhuǎn)換器單元的用以接收與所述輸入信號(hào)反相的反相輸入信號(hào)的反相輸入節(jié)點(diǎn)與所述接地點(diǎn)之間。5.如權(quán)利要求4所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第一控制單元更包括:第五晶體管,耦接于所述反相輸出節(jié)點(diǎn)與用以接收第三控制信號(hào)的第三控制節(jié)點(diǎn)之間;以及第六晶體管,耦接于用以接收所述輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)與所述接地點(diǎn)之間,并且其中所述第二控制單元更包括:第七晶體管,耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)與用以接收第四控制信號(hào)的第四控制節(jié)點(diǎn)之間;以及第八晶體管,耦接于用以接收所述反相輸入信號(hào)的所述反相輸入節(jié)點(diǎn)與所述接地點(diǎn)之間。6.如權(quán)利要求5所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第一晶體管與所述第二晶體管串聯(lián)耦接,所述第三晶體管與所述第四晶體管串聯(lián)耦接,所述第五晶體管與所述第六晶體管串聯(lián)耦接,并且所述第七晶體管與所述第八晶體管串聯(lián)耦接。7.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一晶體管為厚氧化層晶體管,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第二晶體管為厚氧化層晶體管。8.如權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述厚氧化層晶體管為輸入/輸出器件或原生器件。9.如權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第二晶體管為薄氧化層晶體管,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一晶體管為薄氧化層晶體管。10.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一控制信號(hào)具有所述既定電平,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一控制信號(hào)具有所述所需電平。11.一種電平轉(zhuǎn)換器電路,包括:電平轉(zhuǎn)換器單元,包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)、用以接收與所述輸入信號(hào)反相的反相輸入信號(hào)的反相輸入節(jié)點(diǎn)、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)以及用以輸出與所述輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn);其中,所述電平轉(zhuǎn)換器單元還包括一對(duì)輸入晶體管,所述一對(duì)輸入晶體管中的其中一個(gè)輸入晶體管耦接于用以接收所述輸入信號(hào)的所述輸入節(jié)點(diǎn),所述一對(duì)輸入晶體管中的另一個(gè)輸入晶體管耦接于用以接收所述反相輸入信號(hào)的所述反相輸入節(jié)點(diǎn);第一控制單元,耦接于所述輸入節(jié)點(diǎn)與所述反相輸出節(jié)點(diǎn)之間,并且包括包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管的第一晶體管串;以及第二控制單元,耦接于所述反相輸入節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)之間,并且包括包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管的第二晶體管串;其中,所述第一晶體管串包括:第一晶體管,耦接至所述反相輸出節(jié)點(diǎn);以及第二晶體管,耦接于所述第一晶體管與接地點(diǎn)之間,并且所述第二晶體管串包括:第三晶體管,耦接至所述輸出節(jié)點(diǎn);以及第四晶體管,耦接于所述第三晶體管與所述接地點(diǎn)之間,并且其中所述第一晶體管包括閘極,耦接至用以接收第一控制信號(hào)的第一控制節(jié)點(diǎn),以及所述第二晶體管包括閘極,耦接至用以接收所述輸入信號(hào)的所述輸入節(jié)點(diǎn)。12.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第三晶體管包括閘極,耦接至用以接收所述第一控制信號(hào)的所述第一控制節(jié)點(diǎn),以及所述第四晶體管包括閘極,耦接至用以接收所述反相輸入信號(hào)的所述反相輸入節(jié)點(diǎn)。13.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第三晶體管包括閘極,耦接至用以接收第二控制信號(hào)的第二控制節(jié)點(diǎn),以及所述第四晶體管包括閘極,耦接至用以接收所述反相輸入信號(hào)的所述反相輸入節(jié)點(diǎn)。14.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第一控制單元更包括一個(gè)或多個(gè)第三晶體管串,各第三晶體管串包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管,并且其中所述第一晶體管串與所述一個(gè)或多個(gè)第三晶體管串并聯(lián)耦接于所述輸入節(jié)點(diǎn)與所述反相輸出節(jié)點(diǎn)之間。15.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述第二控制單元更包括一個(gè)或多個(gè)第四晶體管串,各第四晶體管串包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管,并且其中所述第二晶體管串與所述一個(gè)或多個(gè)第四晶體管串并聯(lián)耦接于所述反相輸入節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)之間。16.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一晶體管與所述第三晶體管為厚氧化層晶體管,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第二晶體管與所述第四晶體管為厚氧化層晶體管。17.如權(quán)利要求16所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,所述厚氧化層晶體管為輸入/輸出器件或原生器件。18.如權(quán)利要求16所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第二晶體管與所述第四晶體管為薄氧化層晶體管,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一晶體管與所述第三晶體管為薄氧化層晶體管。19.如權(quán)利要求16所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第二晶體管與所述第四晶體管為核心器件,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一晶體管與所述第三晶體管為核心器件。20.如權(quán)利要求11所述的電平轉(zhuǎn)換器電路,其特征在于,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一控制信號(hào)具有所述既定電平,并且當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換器單元為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器時(shí),所述第一控制信號(hào)具有所述所需電平。
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