專利名稱：一種電動汽車igbt驅(qū)動模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力電子領(lǐng)域，尤其涉及一種電動汽車IGBT驅(qū)動模塊。
背景技術(shù)：
電動汽車電機控制器作為電動汽車發(fā)展的核心部件之一，關(guān)系到未來中國新能源技術(shù)的發(fā)展，是衡量中國電動汽車領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)能力的重要指標(biāo)。電動汽車電機控制器集成了主控模塊、IGBT模塊、IGBT驅(qū)動模塊以及冷卻系統(tǒng)。其中，IGBT驅(qū)動模塊的設(shè)計是硬件設(shè)計較難的部分，因為涉及到高壓大電流以及低壓小電流，所以必須對高、低壓進(jìn)行隔離，各個驅(qū)動模塊也必須隔離，以保證所有器件互不干擾、安全工作。電機控制器作為電動汽車的動力模塊組成部分，必須符合汽車安全等級的要求，以保證使用者的安全。而IGBT驅(qū)動模塊的設(shè)計是電機控制器中要求較高的。電動汽車電驅(qū)動電子產(chǎn)品工作環(huán)境條件惡劣，溫度范圍要求-40° (?！?125。C，抗震防水等等。此外，IGBT驅(qū)動模塊要求工作效率高，待機情況下耗能少。現(xiàn)有技術(shù)存在以下的問題:
專利201020184721.X提及采用驅(qū)動芯片IR2085S專門為工業(yè)產(chǎn)品市場而設(shè)計，未能通過汽車級體系認(rèn)證，不能確保通過汽車電子產(chǎn)品相關(guān)試驗，可能在惡劣條件下會失效或發(fā)生錯誤，危及使用者安全。專利201020184721.X采用的直流總線方式半橋結(jié)構(gòu)DC/DC變換電路，難以提供穩(wěn)定的正負(fù)電源來驅(qū)動IGBT和降低IGBT開關(guān)損耗。電動汽車電機驅(qū)動模塊工況轉(zhuǎn)換頻繁，在IGBT負(fù)載變化迅速的情況下，此專利產(chǎn)品也無法高效運轉(zhuǎn)，難以在實際的電動汽車工況下正常工作。IGBT最佳開通電壓為+15V，關(guān)斷電壓在_9'6V為佳。常用的正負(fù)分壓技術(shù)方案采用圖1所示的方法，利用穩(wěn)壓二極管和電阻構(gòu)成+15V和-8V的正負(fù)電源，用來控制IGBT的開通和關(guān)斷。但此方案在常溫條件下、IGBT工作輕載情況下，發(fā)熱厲害，在IGBT滿載情況下，溫度很高，難以確保器件能長時間正常工作。專利201020184721.X采用的分壓電路技術(shù)方案如圖2所示，也存在類似的問題，不能解決分壓電路二極管的散熱問題。此外未見相關(guān)專利涉及如何進(jìn)入低功耗模式，在電動汽車上相關(guān)的要求必須滿足，特在本發(fā)明專利設(shè)計了此功能，可在必要時候讓驅(qū)動模塊進(jìn)入休眠狀態(tài)，降低系統(tǒng)功耗。本發(fā)明專門為電動汽車設(shè)計，達(dá)到汽車等級要求，通過汽車級認(rèn)證，可用在永磁同步電機或交流異步電機控制器上，實現(xiàn)高效地控制IGBT開通關(guān)斷控制和驅(qū)動IGBT正常工作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:構(gòu)建一種適用于三相異步電機或永磁同步電機控制器中的IGBT驅(qū)動模塊，解決分壓電路二極管的散熱問題、提供穩(wěn)定的正負(fù)電源來驅(qū)動IGBT和降低IGBT開關(guān)損耗，并能進(jìn)入低功耗模式。本發(fā)明采取的技術(shù)方案為構(gòu)建一種電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，包括連接器、開關(guān)電源模塊電路、正負(fù)分壓電路及三相六路IGBT驅(qū)動電路，所述開關(guān)電源模塊電路給所述連接器提供電源，所述正負(fù)分壓電路處理所述開關(guān)電源模塊電路輸出的電源，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路輸入端與所述開關(guān)電源模塊連接，輸出端與IGBT集電極連接。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路包括DSP控制電路、光耦隔離芯片及與之連接的IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路和推挽驅(qū)動電路及，所述光耦隔離芯片的驅(qū)動輸出端與所述DSP控制電路的控制信號輸入端相接，實現(xiàn)驅(qū)動信號的控制和及驅(qū)動電流的放大。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述開關(guān)電源模塊電路包括開關(guān)電源芯片、電解電容Cl、二極管、三極管、MOSFET管、高頻變壓器及MOSFET吸收回路，所述電解電容Cl的一端與所述高頻變壓器相接，另一端與所述開關(guān)電源芯片連接，所述二極管位于所述高壓變頻器輸出正端，與所述高頻變壓·器直接相連后與輸出電容正端相連，所述MOSFET管的S極的一端通過MOSFET吸收回路接地、另一端接所述高頻變壓器，D極通過電阻R5接地，G極連接所述開關(guān)電源芯片。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述正負(fù)分壓電路包括隔離電源電路，該電路包括穩(wěn)壓芯片、二極管、電阻、穩(wěn)壓電容、高頻變壓器及分壓電容，所述穩(wěn)壓芯片與所述高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，所述穩(wěn)壓芯片與所述二極管相接，所述二極管通過所述穩(wěn)壓電容與電源的正負(fù)極連接，所述電阻的一端設(shè)置于所述二極管和所述穩(wěn)壓電容之間，另一端與所述穩(wěn)壓芯片連接，所述分壓電容設(shè)置于所述高頻變壓器與所述穩(wěn)壓芯片之間，通過所述開關(guān)電源模塊電路的開關(guān)電源芯片，控制所述MOSFET管的開通與關(guān)斷，實現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)，達(dá)到所述高頻變壓器副邊輸出電壓的穩(wěn)定，并利用穩(wěn)壓芯片，實現(xiàn)準(zhǔn)確分壓。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路中的六路包括與所述開關(guān)電源芯片連接的反饋回路、檢測回路、軟啟動電路、低功耗使能信號電路、驅(qū)動信號電路及MOSFET管吸收電路，所述MOSFET管吸收電路一端連接所述MOSFET管，另一端接地。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述推挽驅(qū)動電路包括三極管Q2、三極管Q3、驅(qū)動電阻R6、驅(qū)動電阻R7、電容C14及電容C15，三極管Q3的C極與負(fù)電源相接，E極通過驅(qū)動電阻R7與IGBT門極相接，三極管Q2的C極與+15V電源相接，E極通過驅(qū)動電阻R6與IGBT的門極相接，三極管Q2和三極管Q3的B極與所述光耦隔離芯片驅(qū)動輸出端相接，電容C14和電容C15串聯(lián)與所述光耦隔離芯片相接，并通過電容C15接地，電容C14接+15V電源輸出端。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路包括二極管D5、電阻R8，所述二極管D5的陰極與IGBT驅(qū)動模塊的C極相接，通過所述電阻R8接入所述光耦隔離芯片的飽和壓降檢測引腳。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述隔離電源電路至少為四組。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述穩(wěn)壓電容至少為兩個，一個連接+15V電源輸出端，另一個連接-8V電源輸出端。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述高頻變壓器的輸入端為兩路，一路為電源輸入，另一路為反饋電路，輸出端為四路隔離電源電路。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供穩(wěn)定的正負(fù)電源來驅(qū)動IGBT和降低IGBT開關(guān)損耗，并能進(jìn)入低功耗模式采用高頻開關(guān)電源的設(shè)計，使電源部分體積比傳統(tǒng)電源小很多，可在電動汽車供電電源電壓波動的情況下和在負(fù)載迅速變化的情況下提供穩(wěn)定的隔離電源，保證系統(tǒng)可靠運行，開關(guān)電源芯片可實時檢測負(fù)載變化，調(diào)整MOSFET開通關(guān)斷時間占空比，保持電能轉(zhuǎn)換的高效率，采用穩(wěn)壓芯片設(shè)計的分壓電路，可以準(zhǔn)確分壓，減低IGBT開通關(guān)斷損耗，有效解決分壓電路的散熱問題，保證電路的可靠性，采用AVAGO公司生產(chǎn)的汽車級光耦隔離芯片，實現(xiàn)高低壓電路的隔離，還能實時檢測IGBT溫度和導(dǎo)通壓降，可在必要時關(guān)閉驅(qū)動電路，減低待機功耗，滿足汽車等級要求，在惡劣條件下安全可靠運行。


圖1為本發(fā)明電動汽車IGBT驅(qū)動模塊所采用的IGBT驅(qū)動模塊構(gòu)成示意 圖2為本發(fā)明電動汽車IGBT驅(qū)動模塊所設(shè)計的開關(guān)電源模塊電路原理 圖3為本發(fā)明電動汽車IGBT驅(qū)動模塊所設(shè)計的IGBT驅(qū)動電路原理圖。
具體實施例方式下面結(jié)合

及具體實施方式
對本發(fā)明進(jìn)一步說明。如圖1所示，本發(fā)明提供一種電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，也可適用于三相異步電機或永磁同步電機控制器中的IGBT驅(qū)動模塊，包括連接器、開關(guān)電源模塊電路、正負(fù)分壓電路及三相六路IGBT驅(qū)動電路，所述開關(guān)電源模塊電路給所述連接器提供電源，所述正負(fù)分壓電路處理所述開關(guān)電源模塊電路輸出的電源，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路輸入端與所述開關(guān)電源模塊連接，輸出端與IGBT集電極連接，給IGBT模塊提供驅(qū)動；此IGBT驅(qū)動模塊專用于電機控制器，用來驅(qū)動電動汽車的電機，電機控制器分兩部分，一部分是控制模塊(本文中沒有詳細(xì)描述，是一塊主控PCB板)，另一部分是驅(qū)動模塊(本專利所述，是驅(qū)動PCB板)，連接器是兩塊PCB的連接部分。所述連接器的作用為:驅(qū)動模塊電源的接入、PWM信號輸入、IGBT溫度檢測信號輸出、IGBT導(dǎo)通壓降檢測輸出、驅(qū)動芯片工作狀態(tài)控制信號輸入與反饋、旋轉(zhuǎn)變壓器電源輸出，此旋轉(zhuǎn)變壓器是裝在電機(馬達(dá))里面的一個速度檢測設(shè)備，專利中沒有詳細(xì)描述。如圖3所示，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路包括的光耦隔離芯片、DSP控制電路、IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路和推挽驅(qū)動電路，所述光耦隔離芯片的驅(qū)動輸出與所述DSP控制電路的控制信號相接，所述IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路與所述光耦隔離芯片連接，所述推挽驅(qū)動電路與所述光耦隔離芯片連接，實現(xiàn)驅(qū)動信號的控制和及驅(qū)動電流的放大；所述光耦隔離芯片采用汽車級的光耦隔離芯片，采用AVAGO公司生產(chǎn)的汽車級光耦隔離芯片；該電路構(gòu)成IGBT故障檢測、開通關(guān)斷控制及驅(qū)動IGBT，還能實時檢測IGBT溫度和導(dǎo)通壓降，可在必要時關(guān)閉驅(qū)動電路，電動汽車待機需要很低的能量損耗，在不需要驅(qū)動模塊工作的情況下，必須關(guān)閉IGBT驅(qū)動模塊，以實現(xiàn)最低的待機損耗，必要時刻由系統(tǒng)定義，但模塊必須提供關(guān)閉的信號接口 ；保護(hù)IGBT不受損壞。如圖2所示，所述開關(guān)電源模塊電路包括的開關(guān)電源芯片、電解電容Cl、二極管(D6、D7、D8、D9)、三極管、MOSFET管、高頻變壓器及MOSFET吸收回路，所述電解電容Cl設(shè)置于所述開關(guān)電源芯片外圍，其一端與所述高頻變壓器相接，另一端與所述開關(guān)電源芯片連接，所述二極管(D6、D7、D8、D9)位于所述高壓變頻器輸出正端，與所述高頻變壓器直接相連后與輸出電容正端相連，所述MOSFET管的S極的一段通過MOSFET吸收回路接地、另一端接高頻變壓器，D極通過電阻R5接地，G極連接所述開關(guān)電源芯片，電解電容Cl起穩(wěn)定輸入電壓作用，可濾除紋波，開關(guān)電源采用反激式開關(guān)電源，開關(guān)電源頻率設(shè)定為100kHz，高頻變壓器Tl為特定繞制，高頻變壓器原邊與MOSFET (Ql)相連，開關(guān)電源芯片Ul控制MOSFET的開通關(guān)斷，開關(guān)電源芯片實時檢測變壓器反饋繞組電壓的變化，實時調(diào)整輸出信號的占空比，使得變壓器各路輸出電壓穩(wěn)定，MOSFET開通和關(guān)斷時會有尖峰過沖電壓，需吸收回路吸收尖峰電壓，R5、R6構(gòu)成檢測電路，檢測流過MOSFET電流，由開關(guān)電源芯片Ul調(diào)整開關(guān)電源的PWM波占空比，提供紋波很小的穩(wěn)定隔離輸出電壓，使得開關(guān)電源能高效運作，高頻變壓器實現(xiàn)高壓隔離和多路電源輸出的功能，所述開關(guān)電源為高頻開關(guān)電源，高頻開關(guān)電源通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關(guān)頻率一般控制在50_200kHz范圍內(nèi)，實現(xiàn)高效率和小型化，所述開關(guān)電源為反激式開關(guān)電源，反激式指在變壓器原邊導(dǎo)通時副邊截止，變壓器儲能，原邊截止時，副邊導(dǎo)通，能量釋放到負(fù)載的工作狀態(tài)，反激式電源因其結(jié)構(gòu)簡單，省掉了一個和變壓器體積大小差不多的電感，而在中小功率電源中得到廣泛的應(yīng)用。如圖2所示，所述正負(fù)分壓電路包括穩(wěn)壓芯片組，所述穩(wěn)壓芯片組包括穩(wěn)壓芯片、二極管、電阻、穩(wěn)壓電容、高頻變壓器及電解電容，所述穩(wěn)壓芯片與所述高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，所述穩(wěn)壓芯片與所述二極管相接，所述二極管通過所述穩(wěn)壓電容與電源的正負(fù)極連接，所述電阻的一端設(shè)置于所述二極管和所述穩(wěn)壓電容之間，另一端與所述穩(wěn)壓芯片連接，所述電解電容設(shè)置于所述高頻變·壓器與所述穩(wěn)壓芯片之間，通過所述開關(guān)電源模塊電路的開關(guān)電源芯片，控制所述MOSFET管的開通與關(guān)斷，實現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)，達(dá)到所述高頻變壓器副邊輸出電壓的穩(wěn)定，并利用穩(wěn)壓芯片，實現(xiàn)準(zhǔn)確分壓；正負(fù)分壓電路中，穩(wěn)壓芯片U2的1、2腳分別與高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，3腳與Dl相接，同時U2、RUDl構(gòu)成回路消除虛地，C2、C3、C4、C4起分壓作用，C6、C7起穩(wěn)壓作用，此接法可構(gòu)成正負(fù)分壓電路，可產(chǎn)生穩(wěn)定的+15V供電；穩(wěn)壓芯片U3的1、2腳分別與高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，3腳與D2相接，同時U3、R2、D2構(gòu)成回路消除虛地，C8、C9起穩(wěn)壓作用，此接法可構(gòu)成正負(fù)分壓電路，可產(chǎn)生穩(wěn)定的+15V供電；穩(wěn)壓芯片U4的1、2腳分別與高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，3腳與D3相接，同時U4、R3、D3構(gòu)成回路消除虛地，CIO、Cll起穩(wěn)壓作用，此接法可構(gòu)成正負(fù)分壓電路，可產(chǎn)生穩(wěn)定的+15V供電；穩(wěn)壓芯片U5的1、2腳分別與高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，3腳與D5相接，同時U5、R4、D4構(gòu)成回路消除虛地，C12、C13起穩(wěn)壓作用，此接法可構(gòu)成正負(fù)分壓電路，可產(chǎn)生穩(wěn)定的+15V供電；所述高頻變壓器包括一路電源輸入、一路反饋電路和四路隔離電源電路；隨著開關(guān)電源負(fù)載的增加，負(fù)電源電壓會有一定的波動，但在允許范圍內(nèi)。穩(wěn)壓芯片只起穩(wěn)定電壓的作用，通過所述開關(guān)電源的電源芯片，控制所述高頻變壓器原邊的所述MOSFET管的開通與關(guān)斷，實現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)，達(dá)到所述高頻變壓器副邊輸出穩(wěn)定電壓為24V左右，24V電壓通過穩(wěn)壓芯片，得到+15V和-8V的電壓；所述正負(fù)分壓電路分別采用穩(wěn)壓芯片，與所述四路隔離電源電路一一相連，可產(chǎn)生穩(wěn)定的+15V直流電正電源及-9疒-6V變化的直流電源負(fù)電源，其中正電源給IGBT提供開通正壓，負(fù)電源給IGBT提供關(guān)斷負(fù)壓。如圖2所示，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路中的六路包括與所述開關(guān)電源芯片連接的反饋回路、檢測回路、軟啟動電路、低功耗使能信號電路、驅(qū)動信號電路及MOSFET管吸收電路，所述MOSFET管吸收電路一端連接所述MOSFET管，另一端接地。簡單地說，連接器功能:給控制部分提供電源和控制信號(低壓信號，5V或3.3V的信號)，控制信號通過光耦隔離芯片實現(xiàn)低壓到高壓控制信號的電氣隔離，高壓控制信號通過推挽驅(qū)動電路實現(xiàn)電流放大，放大后的信號可直接驅(qū)動IGBT模塊；高壓驅(qū)動信號需要能量，開關(guān)電源就是給高壓驅(qū)動信號提供電源的重要部分，產(chǎn)生穩(wěn)定可靠的正負(fù)電源電壓；正負(fù)分壓電路處理開關(guān)電源的輸出電壓，實現(xiàn)穩(wěn)壓；三相六路驅(qū)動電路屬于高壓控制信號，實現(xiàn)高壓與低壓之間的隔離，驅(qū)動信號電流放大和IGBT開關(guān)(即驅(qū)動)。如圖3所示，IGBT驅(qū)動電路中，光耦隔離芯片U6的驅(qū)動輸入與DSP控制信號相接，接收PWM信號，光耦隔離芯片U6驅(qū)動輸出端與Q2和Q3的B極相接，構(gòu)成推挽驅(qū)動電路，實現(xiàn)三極管的開關(guān)控制，三極管Q2的C極與+15V電源相接、E極通過驅(qū)動電阻R6與IGBT的門極相接；三極管Q3的C極與負(fù)電源相接，E極通過驅(qū)動電阻R7同樣與IGBT門極相接，構(gòu)成驅(qū)動電路，此方法實現(xiàn)了控制信號到IGBT開通關(guān)斷的控制和弱電與強電之間的隔離，D5陰極與IGBT的C極相接，通過電阻R8接入光耦隔離芯片的飽和壓降檢測引腳，構(gòu)成IGBT導(dǎo)通壓降檢測回路，可實時檢測 IGBT導(dǎo)通壓降，保護(hù)IGBT，此外，隔離芯片還能報錯和實現(xiàn)清除錯誤，便于控制。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:包括連接器、開關(guān)電源模塊電路、正負(fù)分壓電路及三相六路IGBT驅(qū)動電路，所述開關(guān)電源模塊電路給所述連接器提供電源，所述正負(fù)分壓電路處理所述開關(guān)電源模塊電路輸出的電源，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路輸入端與所述開關(guān)電源模塊連接，輸出端與IGBT集電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述三相六路IGBT驅(qū)動電路包括DSP控制電路、光耦隔離芯片及與之連接的IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路和推挽驅(qū)動電路及，所述光耦隔離芯片的驅(qū)動輸出端與所述DSP控制電路的控制信號輸入端相接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述開關(guān)電源模塊電路包括開關(guān)電源芯片、電解電容Cl、二極管、三極管、MOSFET管、高頻變壓器及MOSFET吸收回路，所述電解電容Cl的一端與所述高頻變壓器相接，另一端與所述開關(guān)電源芯片連接，所述二極管位于所述高壓變頻器輸出正端，與所述高頻變壓器直接相連后與輸出電容正端相連，所述MOSFET管的S極的一端通過MOSFET吸收回路接地、另一端接所述高頻變壓器，D極通過電阻R5接地，G極連接所述開關(guān)電源芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述正負(fù)分壓電路包括隔離電源電路，該電路包括穩(wěn)壓芯片、二極管、電阻、穩(wěn)壓電容、高頻變壓器及分壓電容，所述穩(wěn)壓芯片與所述高頻變壓器輸出電源的正負(fù)極相接，所述穩(wěn)壓芯片與所述二極管相接，所述二極管通過所述穩(wěn)壓電容與電源的正負(fù)極連接，所述電阻的一端設(shè)置于所述二極管和所述穩(wěn)壓電容之間，另一端與所述穩(wěn)壓芯片連接，所述分壓電容設(shè)置于所述高頻變壓器與所述穩(wěn)壓芯片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述三相六路IGBT驅(qū)動電路中的六路包括與所述開關(guān)電源芯片連接的反饋回路、檢測回路、軟啟動電路、低功耗使能信號電路、驅(qū)動信號電路及MOSFET管吸收電路，所述MOSFET管吸收電路一端連接所述MOSFET管，另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述推挽驅(qū)動電路包括三極管Q2、三極管Q3、驅(qū)動電阻R6、驅(qū)動電阻R7、電容C14及電容C15，三極管Q3的C極與負(fù)電源相接，E極通過驅(qū)動電阻R7與IGBT門極相接，三極管Q2的C極與+15V電源相接，E極通過驅(qū)動電阻R6與IGBT的門極相接，三極管Q2和三極管Q3的B極與所述光耦隔離芯片驅(qū)動輸出端相接，電容C14和電容C15串聯(lián)與所述光耦隔離芯片相接，并通過電容C15接地，電容C14接+15V電源輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述IGBT導(dǎo)通壓降檢測電路包括二極管D5、電阻R8，所述二極管D5的陰極與IGBT驅(qū)動模塊的C極相接，通過所述電阻R8接入所述光耦隔離芯片的飽和壓降檢測引腳。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述隔離電源電路至少為四組。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述穩(wěn)壓電容至少為兩個，一個連接+15V電源輸出端，另一個連接-8V電源輸出端。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或4任意一項所述的電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，其特征在于:所述高頻變壓器的輸入端為兩路，一路為 電源輸入，另一路為反饋電路，輸出端為四路隔離電源電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電動汽車IGBT驅(qū)動模塊，包括連接器、開關(guān)電源模塊電路、正負(fù)分壓電路及三相六路IGBT驅(qū)動電路，所述開關(guān)電源模塊電路給所述連接器提供電源，所述正負(fù)分壓電路處理所述開關(guān)電源模塊電路輸出的電源，所述三相六路IGBT驅(qū)動電路輸入端與所述開關(guān)電源模塊連接，輸出端與IGBT集電極連接。本發(fā)明能進(jìn)入低功耗模式，電源部分體積小，能提供穩(wěn)定的隔離電源，保證系統(tǒng)可靠運行，能實時檢測負(fù)載變化，保持電能轉(zhuǎn)換的高效率，可以準(zhǔn)確分壓，減低IGBT開通關(guān)斷損耗，有效解決分壓電路的散熱問題，實現(xiàn)高低壓電路的隔離，在惡劣條件下安全可靠運行。
文檔編號H03K17/78GK103227628SQ20131003573
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月30日
發(fā)明者李漢平, 陳小江, 劉愛華, 劉金強, 農(nóng)振付 申請人:深圳市航盛電子股份有限公司