一種適用于igbt串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，包括n個(gè)依次串聯(lián)的自取能單元；所述自取能單元包括IGBT、前饋取能電路、DC-DC取能變換器和GU驅(qū)動(dòng)板，所述前饋取能電路并聯(lián)在IGBT的漏極和柵極之間，并通過DC-DC取能變換器連接GU驅(qū)動(dòng)板，所述GU驅(qū)動(dòng)板的輸出端連接IGBT的柵極。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)在換流器直流側(cè)母線電壓由零爬升至較低的電壓水平高電位自取能系統(tǒng)即可獲取電能，在換流器長期閉鎖的條件下也可以獲得穩(wěn)定的電能以及在換流器工作在連續(xù)斬波工作狀態(tài)下亦可以獲得充足的電能。
【專利說明】
一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種自取能系統(tǒng)，具體涉及一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電 位自取能系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電力系統(tǒng)對電力電子技術(shù)的需求，高壓大功率電力電子技術(shù)的研究成為當(dāng)今 電力系統(tǒng)研究中一個(gè)重要分支。但是，由于電力電子器件的單管耐壓低，容量小很難直接應(yīng) 用于電力系統(tǒng)中。因此，高壓大功率電力電子裝置往往采用以下四種方式：
[0003] (1)將多個(gè)低壓小功率電壓源換流器輸出通過變壓器多重化疊加技術(shù)得到高壓大 功率輸出。
[0004] (2)在低壓小功率電壓源換流器的交流輸出端分別使用變壓器進(jìn)行升降壓，中間 環(huán)節(jié)仍然采用低壓換流器。
[0005] (3)使用多電平輸出的主電路拓?fù)洹?br>[0006] (4)電力電子器件直接串聯(lián)的兩電平拓?fù)洹?br>[0007] 第一種方式需使用變壓器；第二種方式不僅需要使用變壓器，而且存在中間環(huán) 節(jié)電流大、效率低、可靠性低等問題；第三種方式是高壓大功率場合目前普遍使用的主 電路拓?fù)洹?002年德國學(xué)者M(jìn)arquardt等人公布了一種模塊化多電平換流器（Modular Multilevel Converter，簡稱MMC)拓?fù)?，該技術(shù)通過一系列結(jié)構(gòu)相同的單相半橋單元級(jí)聯(lián) 而成。每個(gè)單相半橋都稱為子模塊，模塊化程度高，安裝維護(hù)方便，但存在自身無法切斷直 流故障電流以及隨著電壓等級(jí)的提高，多電平主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性迅速提高，使用器 件數(shù)量增多，控制難度增大，可靠性降低等缺點(diǎn)。第四種方式兩電平主電路拓?fù)渚哂薪Y(jié)構(gòu)簡 單、器件使用數(shù)量少、控制簡單、可靠性高等特點(diǎn)。雖然國外有研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行IGBT串聯(lián)技術(shù) 的研究，但鮮見報(bào)道。直到現(xiàn)在，真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用的只有ABB公司。
[0008] 高壓IGBT串聯(lián)應(yīng)用的難點(diǎn)是主動(dòng)均壓控制技術(shù)，而高電位自取能技術(shù)是實(shí)現(xiàn)主 動(dòng)均壓控制的先決條件。在高壓大電流IGBT串聯(lián)應(yīng)用的條件下如何從一次設(shè)備本身取得 電能是至關(guān)重要的，其應(yīng)用條件有以下主要特征：其一，由高壓IGBT串聯(lián)構(gòu)成的三相Η橋在 靜態(tài)三相閉鎖條件下，各個(gè)高壓IGBT閥端電壓為直流電壓；其二，由高壓IGBT串聯(lián)構(gòu)成的 三相Η橋在靜態(tài)三相閉鎖條件下，靜態(tài)均壓回路電流的大小受IGBT閥端電壓的大小影響較 大，當(dāng)IGBT閥端電壓升到額定電壓條件附近時(shí)能輸出幾十毫安電流，而在IGBT閥端電壓較 低的條件下靜態(tài)回路電流只有幾個(gè)毫安，無法在IGBT閥端電壓較低的情況下取得足夠的 電能給驅(qū)動(dòng)電路使用，從而不能實(shí)現(xiàn)直流母線電壓較低的情況下，實(shí)現(xiàn)對串聯(lián)IGBT組成的 換流器閥體的工作狀態(tài)進(jìn)行檢測與保護(hù)，不利于提高系統(tǒng)的安全性與可靠性；其三、由高壓 IGBT串聯(lián)構(gòu)成的三相Η橋在靜態(tài)三相閉鎖條件下，由電阻電容串聯(lián)構(gòu)成的動(dòng)態(tài)均壓回路電 流為零。由高壓IGBT串聯(lián)構(gòu)成的三相Η橋在斬波條件下，由電阻電容串聯(lián)構(gòu)成的動(dòng)態(tài)均壓 回路產(chǎn)生電流。
[0009] 基于以上技術(shù)特征，在高壓IGBT靜態(tài)回路以及阻容動(dòng)態(tài)吸收回路進(jìn)行高電位自 取能方案是不可行或者是比較困難的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的 高電位自取能系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)在換流器直流側(cè)母線電壓由零爬升至較低的電壓水平高電位 自取能系統(tǒng)即可獲取電能，在換流器長期閉鎖的條件下也可以獲得穩(wěn)定的電能以及在換流 器工作在連續(xù)斬波工作狀態(tài)下亦可以獲得充足的電能。
[0011] 為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案：
[0012] 本發(fā)明提供一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包 括η個(gè)依次串聯(lián)的自取能單元；所述自取能單元包括IGBT、前饋取能電路、DC-DC取能變換 器和GU驅(qū)動(dòng)板，所述前饋取能電路并聯(lián)在IGBT的漏極和柵極之間，并通過DC-DC取能變換 器連接GU驅(qū)動(dòng)板，所述GU驅(qū)動(dòng)板的輸出端連接IGBT的柵極。
[0013] 所述前饋取能電路包括續(xù)流二極管D、靜態(tài)均壓電阻Rs、動(dòng)態(tài)阻尼回路和取能二 極管V ;所述動(dòng)態(tài)阻尼回路包括串聯(lián)的動(dòng)態(tài)吸收電容Cd和動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd。
[0014] 所述續(xù)流二極管D的陽極連接IGBT的源極，其陰極連接IGBT的漏極；所述靜態(tài)均 壓電阻Rs和動(dòng)態(tài)阻尼回路均并聯(lián)在續(xù)流二極管D的兩端；所述取能二極管V的陽極連接續(xù) 流二極管D的陰極，其陰極連接DC-DC取能變換器。
[0015] 所述DC-DC取能變換器包括m個(gè)串聯(lián)的取能變換單元；
[0016] 所述取能變換單元包括取能電容Cs、取能子單元T和均流二極管Z ;
[0017] 所述取能電容Cs與取能子單元T并聯(lián)，所述取能子單元T通過均流二極管Z連接 ⑶驅(qū)動(dòng)板，為⑶驅(qū)動(dòng)板供電。
[0018] 所述取能子單元T包括取能子單元T的輸入端采取推挽串聯(lián)方式，其輸出端采用 均流二極管Z并聯(lián)方式。
[0019] 所述取能子單元T包括啟動(dòng)電路、控制電路、線性隔離變壓器B、M0SFET開關(guān)管Q、 整流二極管Vd和濾波電容CL ;
[0020] 所述啟動(dòng)電路通過控制電路連接M0SFET開關(guān)管Q的柵極，所述啟動(dòng)電路同時(shí)連接 線性隔離變壓器B的原邊線圈，所述原邊線圈的另一端連接M0SFET開關(guān)管Q的漏極，所述 M0SFET開關(guān)管Q的源級(jí)接地；所述線性隔離變壓器B副邊線圈一端接地，另一端連接整流 二極管Vd的正極，整流二極管Vd的負(fù)極通過濾波電容CL接地。
[0021] 所述續(xù)流二極管D的耐受電壓和承載電流分別用VAKJ^P I e_D表示，且滿足：
[0022]
[0023] 其中，VffiS爾為IGBT耐受電壓，IC IGBT為IGBT承載電流。
[0024] 所述靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值滿足：
[0025]
[0026] 其中，V為靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值，為IGBT串聯(lián)所耐受的總電壓值，I CES為 IGBT漏極電流。
[0027] 所述動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值滿足：
[0028]
[0029] 其中，C/為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值，I#負(fù)載電流，L。為動(dòng)態(tài)阻尼回路總漏感， AU為電壓過沖限值；
[0030] 動(dòng)杰吸收電阻Rd的功率滿足：
[0031]
[0032] 其中，為動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd的功率，f為開關(guān)頻率，為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的端 電壓。
[0033] 所述取能二極管V的耐受電壓滿足：
[0034] 1Λ
---
[0035] 其中，為取能二極管V的耐受電壓，VeES I(；BT為IGBT耐受電壓；
[0036] 取能電容Cs的容值滿足：
[0037]
[0038] 其中，（V為取能電容Cs的容值，PsS GU驅(qū)動(dòng)板總損耗，Δ T為光電觸發(fā)脈沖時(shí) 間間隔，，為取能電容Cs的電壓跌落最大允許值。
[0039] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：
[0040] 1)、高電位自取能方案電路簡潔，一次取能回路面積小，因而可以克服IGBT在高 頻PWM環(huán)境下的電磁騷擾問題；
[0041] 2)、高電位自取能方案不受高電壓應(yīng)用領(lǐng)域的限制，也是高壓直流輸電領(lǐng)域的必 選策略；
[0042] 3)、無需另外輔助供電設(shè)備，占地面積小、可靠性高，從而實(shí)現(xiàn)了緊湊化設(shè)計(jì)；
[0043] 4)、可以作為抑制IGBT串聯(lián)過電壓的技術(shù)手段。
【附圖說明】
[0044] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例中適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0046] 本發(fā)明以DC-DC取能變換器為基本技術(shù)手段，實(shí)現(xiàn)高壓IGBT在串聯(lián)應(yīng)用條件下的 驅(qū)動(dòng)控制電路的能量供給。在IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下，從IGBT源漏極之間直接取得電能供 IGBT驅(qū)動(dòng)電路能量的方法被稱為高電位自取能，在IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下，所需要特殊解決 的技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)為高電位自取能。系統(tǒng)主干網(wǎng)絡(luò)是由n(n > 2)個(gè)高壓大電流IGBT串聯(lián)構(gòu)成 的高壓橋臂，以便在更高電壓領(lǐng)域具體功能的實(shí)現(xiàn)。每個(gè)高壓IGBT的門極控制、監(jiān)測與保 護(hù)功能由GU驅(qū)動(dòng)板完成，而GU驅(qū)動(dòng)板的能量提供是通過各自的高壓IGBT源漏極之間直接 取得。當(dāng)IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)條件下，直流電壓通過取能二極管V向取能電容Cs充電為GU 驅(qū)動(dòng)板提供能量；當(dāng)IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)條件下，取能二極管V處于反相截止?fàn)顟B(tài)，儲(chǔ)存在取 能電容Cs的電能為GU驅(qū)動(dòng)板供電。當(dāng)直流母線電壓逐漸上升并且此時(shí)所有串聯(lián)IGBT均 處于閉鎖狀態(tài)，能量通過取能二極管V向取能電容Cs充電并向GU驅(qū)動(dòng)板饋送電能。在此 時(shí)為靜態(tài)工作狀態(tài)，串聯(lián)IGBT均壓由靜態(tài)均壓電阻Rs決定。由于母線電壓為直流量，所以 由串聯(lián)的動(dòng)態(tài)吸收電容Cd和動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd串聯(lián)組成的動(dòng)態(tài)吸收回路對IGBT靜態(tài)均壓 不起作用。當(dāng)IGBT工作在1kHz的PWM狀態(tài)下，IGBT處在快速交替導(dǎo)通與關(guān)斷之間，因此 取能電容Cs兩端電壓變化不大，這一方面確保取能電容Cs所儲(chǔ)存的能量足以應(yīng)對GU驅(qū)動(dòng) 板觸發(fā)IGBT所需要的能量要求；另一方面取能電容Cs與取能二極管V回路不會(huì)對IGBT動(dòng) 態(tài)均壓產(chǎn)生影響。此外由于取能電容Cs的存在，在IGBT由導(dǎo)通過渡到關(guān)斷時(shí)，會(huì)在一定程 度上吸收尖峰過電壓。從而具有事半功倍的作用。
[0047] 本發(fā)明提供一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包 括η個(gè)依次串聯(lián)的自取能單元；所述自取能單元包括IGBT、前饋取能電路、DC-DC取能變換 器和GU驅(qū)動(dòng)板，所述前饋取能電路并聯(lián)在IGBT的漏極和柵極之間，并通過DC-DC取能變換 器連接GU驅(qū)動(dòng)板，所述GU驅(qū)動(dòng)板的輸出端連接IGBT的柵極。
[0048] 所述前饋取能電路包括續(xù)流二極管D、靜態(tài)均壓電阻Rs、動(dòng)態(tài)阻尼回路和取能二 極管V ;所述動(dòng)態(tài)阻尼回路包括串聯(lián)的動(dòng)態(tài)吸收電容Cd和動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd。
[0049] 所述續(xù)流二極管D的陽極連接IGBT的源極，其陰極連接IGBT的漏極；所述靜態(tài)均 壓電阻Rs和動(dòng)態(tài)阻尼回路均并聯(lián)在續(xù)流二極管D的兩端；所述取能二極管V的陽極連接續(xù) 流二極管D的陰極，其陰極連接DC-DC取能變換器。
[0050] 所述DC-DC取能變換器包括m個(gè)串聯(lián)的取能變換單元；
[0051] 所述取能變換單元包括取能電容Cs、取能子單元T和均流二極管Z ;
[0052] 所述取能電容Cs與取能子單元T并聯(lián)，所述取能子單元T通過均流二極管Z連接 ⑶驅(qū)動(dòng)板，為⑶驅(qū)動(dòng)板供電。
[0053] 所述取能子單元T包括取能子單元T的輸入端采取推挽串聯(lián)方式，其輸出端采用 均流二極管Z并聯(lián)方式。
[0054] 所述取能子單元T包括啟動(dòng)電路、控制電路、線性隔離變壓器B、M0SFET開關(guān)管Q、 整流二極管Vd和濾波電容CL ;
[0055] 所述啟動(dòng)電路通過控制電路連接M0SFET開關(guān)管Q的柵極，所述啟動(dòng)電路同時(shí)連接 線性隔離變壓器B的原邊線圈，所述原邊線圈的另一端連接M0SFET開關(guān)管Q的漏極，所述 M0SFET開關(guān)管Q的源級(jí)接地；所述線性隔離變壓器B副邊線圈一端接地，另一端連接整流 二極管Vd的正極，整流二極管Vd的負(fù)極通過濾波電容CL接地。
[0056] 所述續(xù)流二極管D的耐受電壓和承載電流分別用VAKJ^P I e_D表示，且滿足：
[0057]
[0058] 其中，VffiS爾為IGBT耐受電壓，I C IGBT為IGBT承載電流。
[0059] 所述靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值滿足：
[0060]
[0061] 其中，V為靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值，1]"為IGBT串聯(lián)所耐受的總電壓值，I eES為 IGBT漏極電流。
[0062] 所述動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值滿足：
[0063]
" ΜΓ
[0064] 其中，C/為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值，L為負(fù)載電流，L。為動(dòng)態(tài)阻尼回路總漏感， AU為電壓過沖限值；
[0065] 動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd的功率滿足：
[0066]
[0067] 其中，為動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd的功率，f為開關(guān)頻率，為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的端 電壓。
[0068] 所述取能二極管V的耐受電壓滿足：
[0069]
[0070] 其中，為取能二極管V的耐受電壓，VffiS I(；BT為IGBT耐受電壓；
[0071] 取能電容Cs的容值滿足：
[0072]
[0073] 其中，（V為取能電容Cs的容值，PsS GU驅(qū)動(dòng)板總損耗，Δ T為光電觸發(fā)脈沖時(shí) 間間隔，Δ?_/(為取能電容Cs的電壓跌落最大允許值。
[0074] 1)電力電子閥連接方式為：上橋臂為21串/相，下橋臂為21串/相。
[0075] 2)觸發(fā)方式：光電觸發(fā)方式；
[0076] 3)IGBT 參數(shù)見表 1:
[0077]表 1
[0078]
[0079]
[0080] 4)續(xù)流二極管D參數(shù)見表2 :
[0081] 表 2
[0082]
[0083] 5)靜態(tài)均壓電阻Rs :25K/400W，水冷卻散熱；
[0084] 6)動(dòng)態(tài)均壓電阻Rd : 10/400W，水冷卻散熱；
[0085] 7)動(dòng)態(tài)均壓電容Cdn :0· 15uf/2000V，水冷卻散熱；
[0086] 8)取能二極管 V :DSEI6〇_〇6A ;
[0087] 9)取能電容 Cs :等效為 100uf/2000V ;
[0088] 10)DC-DC 取能變換器：DC40-2000V/±15V。
[0089] 最后應(yīng)當(dāng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制，所 屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員參照上述實(shí)施例依然可以對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行修改或者 等同替換，這些未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換，均在申請待批的本發(fā) 明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在于：所述系統(tǒng)包括 n個(gè)依次串聯(lián)的自取能單元；所述自取能單元包括IGBT、前饋取能電路、DC-DC取能變換器 和GU驅(qū)動(dòng)板，所述前饋取能電路并聯(lián)在IGBT的漏極和柵極之間，并通過DC-DC取能變換器 連接GU驅(qū)動(dòng)板，所述GU驅(qū)動(dòng)板的輸出端連接IGBT的柵極。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述前饋取能電路包括續(xù)流二極管D、靜態(tài)均壓電阻Rs、動(dòng)態(tài)阻尼回路和取能二極管V ; 所述動(dòng)態(tài)阻尼回路包括串聯(lián)的動(dòng)態(tài)吸收電容Cd和動(dòng)態(tài)吸收電阻RcL3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述續(xù)流二極管D的陽極連接IGBT的源極，其陰極連接IGBT的漏極；所述靜態(tài)均壓電 阻Rs和動(dòng)態(tài)阻尼回路均并聯(lián)在續(xù)流二極管D的兩端；所述取能二極管V的陽極連接續(xù)流二 極管D的陰極，其陰極連接DC-DC取能變換器。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述DC-DC取能變換器包括m個(gè)串聯(lián)的取能變換單元； 所述取能變換單元包括取能電容Cs、取能子單元T和均流二極管Z ; 所述取能電容Cs與取能子單元T并聯(lián)，所述取能子單元T通過均流二極管Z連接GU 驅(qū)動(dòng)板，為GU驅(qū)動(dòng)板供電。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述取能子單元T包括取能子單元T的輸入端采取推挽串聯(lián)方式，其輸出端采用均流二 極管Z并聯(lián)方式。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述取能子單元T包括啟動(dòng)電路、控制電路、線性隔離變壓器B、MOSFET開關(guān)管Q、整流 二極管Vd和濾波電容化； 所述啟動(dòng)電路通過控制電路連接MOSFET開關(guān)管Q的柵極，所述啟動(dòng)電路同時(shí)連接線 性隔離變壓器B的原邊線圈，所述原邊線圈的另一端連接MOSFET開關(guān)管Q的漏極，所述 MOSFET開關(guān)管Q的源級(jí)接地；所述線性隔離變壓器B副邊線圈一端接地，另一端連接整流 二極管Vd的正極，整流二極管Vd的負(fù)極通過濾波電容化接地。7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述續(xù)流二極管D的耐受電壓和承載電流分別用VakJ)和I 表示，且滿足：其中，Vcesjgbt為IGBT耐受電壓，I CJGBT為IGBT承載電流。8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值滿足：其中，V為靜態(tài)均壓電阻Rs的阻值，Um為IGBT串聯(lián)所耐受的總電壓值，I CES為IGBT 漏極電流。9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征在 于：所述動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值滿足：其中，Cd'為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的容值，L為負(fù)載電流，L。為動(dòng)態(tài)阻尼回路總漏感，AU 為電壓過沖限值； 動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd的功率滿足：其中，C、?.為動(dòng)態(tài)吸收電阻Rd的功率，f為開關(guān)頻率，巧為動(dòng)態(tài)吸收電容Cd的端電壓。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于IGBT串聯(lián)應(yīng)用模式下的高電位自取能系統(tǒng)，其特征 在于：所述取能二極管V的耐受電壓滿足：其中，吃t為取能二極管V的耐受電壓，Vcesjgbt為IGBT耐受電壓； 取能電容Cs的容值滿足：其中，Cs'為取能電容Cs的容值，Ps為GU驅(qū)動(dòng)板總損耗，A T為光電觸發(fā)脈沖時(shí)間間 隔，為取能電容Cs的電壓跌落最大允許值。
【文檔編號(hào)】H02M1/088GK105991008SQ201510064724
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月6日
【發(fā)明人】李衛(wèi)國, 趙東元, 蔚泉清
【申請人】國家電網(wǎng)公司, 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院