本發(fā)明涉及靜電釋放(ESD，Electro-StaticDischarge)技術(shù)，尤其涉及一種ESD保護(hù)電路和方法、驅(qū)動電路、集成電路(IC，IntegratedCircuit)。

背景技術(shù)：
目前的ESD保護(hù)是通過在驅(qū)動器件的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻來限制流向驅(qū)動器件的靜電電流，提高觸發(fā)驅(qū)動器件的靜電電壓，防止靜電使驅(qū)動器件觸發(fā)而損壞。圖1所示為推挽方式的驅(qū)動電路，如圖1所示，驅(qū)動器件N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOS，N-Metal-Oxid-Semiconductor)M11和P型MOS(PMOS)M12組成推挽輸出電路，NMOSM11的柵極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D11的輸出端，PMOSM12的柵極連接第二預(yù)驅(qū)動器件D12的輸出端，NMOSM11的源極連接接地節(jié)點GND，PMOSM12的源極連接電源VCC，在NMOSM11和PMOSM12的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻R11，在該驅(qū)動電路沒有上電的情況下，NMOSM11的柵極電壓為不確定狀態(tài)，ESD保護(hù)器件NMOSM13的柵極電壓可能沒有被ESD檢測電路(ESDDetectionCircuit)14拉升至NMOSM11的柵極電壓水平，那么，NMOSM11的觸發(fā)電壓就可能低于NMOSM13的觸發(fā)電壓。如果沒有鎮(zhèn)流電阻R11，在有靜電時，驅(qū)動器件NMOSM11可能先于ESD保護(hù)器件NMOSM13被觸發(fā)，巨大的靜電電流便會損壞驅(qū)動器件NMOSM11。增加鎮(zhèn)流電阻R11后，即使驅(qū)動器件NMOSM11先于ESD保護(hù)器件NMOSM13被靜電觸發(fā)，鎮(zhèn)流電阻R11也會限制大量靜電電流流向驅(qū)動器件NMOSM11，而由隨后觸發(fā)的ESD保護(hù)器件NMOSM13將輸出節(jié)點OUTPUT處靜電電流釋放到接地節(jié)點GND。圖2所示為開漏方式的驅(qū)動電路，如圖2所示，驅(qū)動器件NMOSM21的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻R21，柵極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D21，在該驅(qū)動電路沒有上電的情況下，NMOSM21的柵極電壓為不確定狀態(tài)，ESD保護(hù)器件NMOSM22的柵極電壓可能沒有被ESD檢測電路23拉升至NMOSM21的柵極電壓水平，那么，NMOSM21的觸發(fā)電壓就可能低于NMOSM22的觸發(fā)電壓。如果沒有鎮(zhèn)流電阻R21，在有靜電時，驅(qū)動器件NMOSM21可能先于ESD保護(hù)器件NMOSM22被觸發(fā)，巨大的靜電電流便會損壞驅(qū)動器件NMOSM21。增加鎮(zhèn)流電阻R21后，即使驅(qū)動器件NMOSM21先于ESD保護(hù)器件NMOSM22被靜電觸發(fā)，鎮(zhèn)流電阻R21也會限制大量靜電電流流向驅(qū)動器件NMOSM21，而由隨后觸發(fā)的ESD保護(hù)器件NMOSM22將輸出節(jié)點OUTPUT處靜電電流釋放到接地節(jié)點GND。但是，在驅(qū)動器件的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻的ESD保護(hù)方式，降低了驅(qū)動電路正常上電工作時的驅(qū)動能力，并且，對于許多應(yīng)用產(chǎn)品，驅(qū)動電路的輸出端不允許有鎮(zhèn)流電阻，如：對于低輸出阻抗的應(yīng)用產(chǎn)品，驅(qū)動電路的輸出端不允許有任何阻值的鎮(zhèn)流電阻。還有一種ESD保護(hù)方式是在驅(qū)動器件中增加硅化物阻擋(SilicideBlock)掩膜版，從而在驅(qū)動器的漏端嵌入式增加串聯(lián)電阻，實現(xiàn)自我保護(hù)，但這種方式，硅化物阻擋增加了制作工藝的復(fù)雜度，同時也增加掩膜版和制造工藝成本，而且以這種方式，驅(qū)動器件的漏端接觸孔到柵極的距離要增大，因而增加了驅(qū)動器件的尺寸，使驅(qū)動器件需要更大的版圖布線區(qū)域。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種ESD保護(hù)電路和方法、驅(qū)動電路、集成電路。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：本發(fā)明提供的一種ESD保護(hù)電路，該電路包括：ESD控制電路、驅(qū)動關(guān)閉電路；其中，ESD控制電路，配置為在檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路發(fā)送使能信號，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動關(guān)閉電路，配置為接收到所述使能信號后，去使能驅(qū)動器件。本發(fā)明提供的一種驅(qū)動電路，該電路包括：ESD保護(hù)電路、驅(qū)動器件；其中，ESD保護(hù)電路，配置為在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動器件，配置為在正常工作時輸出驅(qū)動信號。本發(fā)明提供的一種集成電路，所述集成電路包括：信號處理電路、驅(qū)動電路；其中，信號處理電路，配置為在正常工作時，根據(jù)信號的處理結(jié)果控制驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號；驅(qū)動電路，配置為在正常工作時輸出驅(qū)動信號；在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點。本發(fā)明提供的一種ESD保護(hù)方法，該方法包括：ESD保護(hù)電路檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點。本發(fā)明所提供的ESD保護(hù)電路和方法、驅(qū)動電路、集成電路，該ESD保護(hù)電路中的ESD控制電路檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路發(fā)送使能信號，并將輸出節(jié)點處的靜電釋放到接地節(jié)點；所述驅(qū)動關(guān)閉電路接收到使能信號后，去使能驅(qū)動器件，使得ESD保護(hù)器件的觸發(fā)電壓低于驅(qū)動器件的觸發(fā)電壓；如此，在靜電發(fā)生時，通過去使能驅(qū)動器件提高驅(qū)動器件的觸發(fā)電壓，防止驅(qū)動器件因靜電而觸發(fā)，這樣就不需要在驅(qū)動器件的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻，也不需要在驅(qū)動器件的漏端增加硅化物阻擋，從而能夠提高驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，減小工藝復(fù)雜度，減小版圖布線面積，節(jié)省成本。附圖說明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中推挽方式的驅(qū)動電路示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中開漏方式的驅(qū)動電路示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種ESD保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的推挽方式的驅(qū)動電路示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的開漏方式的驅(qū)動電路示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的一種ESD保護(hù)方法的流程示意圖；圖9為現(xiàn)有技術(shù)中沒有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路示意圖；圖10為現(xiàn)有技術(shù)中沒有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路的ESD測試結(jié)果示意圖；圖11為本發(fā)明提供的有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路示意圖；圖12為本發(fā)明提供的有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路的ESD測試結(jié)果示意圖。具體實施方式本發(fā)明的基本思想是：在ESD控制電路檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路發(fā)送使能信號，并將輸出節(jié)點處的靜電釋放到接地節(jié)點；所述驅(qū)動關(guān)閉電路接收到使能信號后，去使能驅(qū)動器件。下面通過附圖及具體實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。本發(fā)明實現(xiàn)一種ESD保護(hù)電路，如圖3所示，該電路包括：ESD控制電路31、驅(qū)動關(guān)閉電路32；其中，ESD控制電路31，配置為在檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動關(guān)閉電路32，配置為接收到所述使能信號后，去使能驅(qū)動器件。所述ESD控制電路31包括：ESD檢測電路311、ESD保護(hù)器件312；其中，ESD檢測電路311，配置為在檢測到靜電時，向ESD保護(hù)器件312和驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號；ESD保護(hù)器件312，配置為接收到所述使能信號后，將靜電釋放到接地節(jié)點；所述ESD檢測電路311可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD保護(hù)器件312可以為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS，Metal-Oxid-Semiconductor)或晶閘管(SCR)等；所述MOS管可以為NMOS等；所述驅(qū)動關(guān)閉電路32可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接ESD檢測電路311，接收ESD檢測電路311發(fā)送的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接驅(qū)動器件，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點。該ESD保護(hù)電路還包括：電源控制電路33，配置為在檢測到電源正常時，去使能ESD控制電路31，使ESD控制電路31不對驅(qū)動器件輸出的驅(qū)動信號產(chǎn)生干擾；在檢測到電源掉電時，取消對ESD控制電路31的去使能，使ESD控制電路31能夠正常工作；所述電源控制電路33包括：電源檢測電路331、ESD關(guān)閉電路332；其中，電源檢測電路331，配置為在檢測到電源正常時，向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；在檢測到電源掉電時，停止向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；ESD關(guān)閉電路332，配置為在收到電源檢測電路331發(fā)送的使能信號時，去使能ESD控制電路31；在沒有收到電源檢測電路發(fā)送的使能信號時，取消對ESD控制電路31的去使能；所述電源檢測電路331可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD關(guān)閉電路332可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接電源檢測電路331，接收電源檢測電路的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接ESD控制電路31，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點?；谏鲜鯡SD保護(hù)電路，本發(fā)明還提供一種驅(qū)動電路，如圖4所示，該電路包括：ESD保護(hù)電路41、驅(qū)動器件42；其中，ESD保護(hù)電路41，配置為在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件42，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動器件42，配置為在正常工作時輸出驅(qū)動信號。所述驅(qū)動器件42可以為NMOS等，在為NMOS時，柵極接收控制信號，漏極為輸出端，源極連接接地節(jié)點；所述控制信號包括使能信號或去使能信號；所述ESD保護(hù)電路41，如圖3所示，包括：ESD控制電路31、驅(qū)動關(guān)閉電路32；其中，ESD控制電路31，配置為在檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動關(guān)閉電路32，配置為接收到所述使能信號后，去使能驅(qū)動器件。所述ESD控制電路31包括：ESD檢測電路311、ESD保護(hù)器件312；其中，ESD檢測電路311，配置為在檢測到靜電時，向ESD保護(hù)器件312和驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號；ESD保護(hù)器件312，配置為接收到所述使能信號后，將靜電釋放到接地節(jié)點；所述ESD檢測電路311可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD保護(hù)器件312可以為MOS管或晶閘管(SCR)等；所述MOS管可以為NMOS等；所述驅(qū)動關(guān)閉電路32可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接ESD檢測電路311，接收ESD檢測電路311發(fā)送的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接驅(qū)動器件，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點。該ESD保護(hù)電路還包括：電源控制電路33，配置為在檢測到電源正常時，去使能ESD控制電路31，使ESD控制電路31不對驅(qū)動器件輸出的驅(qū)動信號產(chǎn)生干擾；在檢測到電源掉電時，取消對ESD控制電路31的去使能，使ESD控制電路31能夠正常工作；所述電源控制電路33包括：電源檢測電路331、ESD關(guān)閉電路332；其中，電源檢測電路331，配置為在檢測到電源正常時，向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；在檢測到電源掉電時，停止向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；ESD關(guān)閉電路332，配置為在收到電源檢測電路331發(fā)送的使能信號時，去使能ESD控制電路31；在沒有收到電源檢測電路發(fā)送的使能信號時，取消對ESD控制電路31的去使能；所述電源檢測電路331可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD關(guān)閉電路332可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接電源檢測電路331，接收電源檢測電路331發(fā)送的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接ESD控制電路31，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點。以推挽方式的驅(qū)動電路為例，本發(fā)明提供的推挽方式的驅(qū)動電路如圖5所示，驅(qū)動器件NMOSM51和PMOSM52組成推挽輸出電路，其中，NMOSM51的柵極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D51的輸出端，PMOSM52的柵極連接第二預(yù)驅(qū)動器件D52的輸出端，NMOSM51的源極連接接地節(jié)點GND，PMOSM52的源極連接電源VCC，NMOSM51和PMOSM52的漏極輸出端連接ESD檢測電路53的檢測端和作為ESD保護(hù)器件的NMOSM54的漏極，ESD檢測電路53和NMOSM54組成ESD控制電路55，ESD檢測電路53的輸出端連接NMOSM54的柵極和作為驅(qū)動關(guān)閉電路56的NMOSM57的柵極、以及作為ESD關(guān)閉電路的NMOSM58的漏極，NMOSM54的漏極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D51的輸入端，NMOSM58的柵極連接電源檢測電路59的輸出端，NMOSM54、NMOSM57、NMOSM58的柵極都連接接地節(jié)點GND，電源檢測電路59的檢測端連接電源VCC，電源檢測電路59與NMOSM58組成電源控制電路60；當(dāng)ESD檢測電路檢測到輸出節(jié)點OUTPUT的靜電時，ESD檢測電路向NMOSM54和NMOSM57輸出使能信號，NMOSM57導(dǎo)通，拉低第一預(yù)驅(qū)動器件D51的輸入端，第一預(yù)驅(qū)動器件D51拉低NMOSM51的柵極電壓，提高NMOSM51的觸發(fā)電壓，并且NMOSM54導(dǎo)通，將輸出節(jié)點OUTPUT的靜電釋放到接地節(jié)點GND；電源檢測電路59在檢測到電源VCC正常時輸出使能信號，NMOSM58導(dǎo)通，拉低NMOSM54和NMOSM57的柵極電壓，使NMOSM54和NMOSM57不對NMOSM51和PMOSM52的漏極輸出的驅(qū)動信號產(chǎn)生干擾；電源檢測電路59在檢測到電源VCC掉電時停止輸出使能信號，NMOSM58截止，不再拉低NMOSM54和NMOSM57的柵極電壓，使NMOSM54和NMOSM57在靜電出現(xiàn)時能正常工作。本發(fā)明還提供一種開漏方式的驅(qū)動電路，與上述推挽方式的驅(qū)動電路類似，如圖6所示，區(qū)別在于：驅(qū)動器件只需NMOSM51，不需要PMOSM52，具體連接關(guān)系和工作方式與上述推挽方式的驅(qū)動電路相同?；谏鲜鲵?qū)動電路，本發(fā)明還提供一種集成電路，如圖7所示，所述集成電路包括：信號處理電路71、驅(qū)動電路72；其中，信號處理電路71，配置為在正常工作時，根據(jù)信號的處理結(jié)果控制驅(qū)動電路72輸出驅(qū)動信號；驅(qū)動電路72，配置為在正常工作時輸出驅(qū)動信號；在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點；所述驅(qū)動電路72，如圖4所示，該電路包括：ESD保護(hù)電路41、驅(qū)動器件42；其中，ESD保護(hù)電路41，配置為在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件42，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動器件42，配置為在正常工作時輸出驅(qū)動信號。所述驅(qū)動器件42可以為NMOS等，在為NMOS時，柵極接收控制信號，漏極為輸出端，源極連接接地節(jié)點；所述控制信號包括使能信號或去使能信號；所述ESD保護(hù)電路41，如圖3所示，包括：ESD控制電路31、驅(qū)動關(guān)閉電路32；其中，ESD控制電路31，配置為在檢測到靜電時，向驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號，并將靜電釋放到接地節(jié)點；驅(qū)動關(guān)閉電路32，配置為接收到所述使能信號后，去使能驅(qū)動器件。所述ESD控制電路31包括：ESD檢測電路311、ESD保護(hù)器件312；其中，ESD檢測電路311，配置為在檢測到靜電時，向ESD保護(hù)器件312和驅(qū)動關(guān)閉電路32發(fā)送使能信號；ESD保護(hù)器件312，配置為接收到所述使能信號后，將靜電釋放到接地節(jié)點；所述ESD檢測電路311可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD保護(hù)器件312可以為MOS管或晶閘管(SCR)等；所述MOS管可以為NMOS等；所述驅(qū)動關(guān)閉電路32可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接ESD檢測電路311，接收ESD檢測電路311發(fā)送的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接驅(qū)動器件，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點。該ESD保護(hù)電路還包括：電源控制電路33，配置為在檢測到電源正常時，去使能ESD控制電路31，使ESD控制電路31不對驅(qū)動器件輸出的驅(qū)動信號產(chǎn)生干擾；在檢測到電源掉電時，取消對ESD控制電路31的去使能，使ESD控制電路31能夠正常工作；所述電源控制電路33包括：電源檢測電路331、ESD關(guān)閉電路332；其中，電源檢測電路331，配置為在檢測到電源正常時，向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；在檢測到電源掉電時，停止向ESD關(guān)閉電路332發(fā)送使能信號；ESD關(guān)閉電路332，配置為在收到電源檢測電路331發(fā)送的使能信號時，去使能ESD控制電路31；在沒有收到電源檢測電路發(fā)送的使能信號時，取消對ESD控制電路31的去使能；所述電源檢測電路331可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD關(guān)閉電路332可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)，所述NMOS的柵極或NPN三極管的基極連接電源檢測電路331，接收電源檢測電路331的使能信號，NMOS的漏極或NPN三極管的集電極連接ESD控制電路31，NMOS的源極或NPN三極管的發(fā)射極連接接地節(jié)點。本發(fā)明還實現(xiàn)一種ESD保護(hù)方法，如圖8所示，該方法包括以下幾個步驟：步驟801：ESD保護(hù)電路檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件；具體的，當(dāng)ESD保護(hù)電路中的ESD檢測電路檢測到靜電時，ESD檢測電路向ESD保護(hù)器件和驅(qū)動關(guān)閉電路發(fā)送使能信號，驅(qū)動關(guān)閉電路根據(jù)收到的使能信號，去使能驅(qū)動器件。步驟802：ESD保護(hù)電路將靜電釋放到接地節(jié)點；具體的，ESD保護(hù)電路中的ESD保護(hù)器件根據(jù)使能信號，將靜電釋放到接地節(jié)點。所述ESD檢測電路可以由電容與電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述ESD保護(hù)器件可以為MOS管或晶閘管(SCR)等；所述MOS管可以為NMOS等；所述驅(qū)動關(guān)閉電路可以使用NMOS或NPN三極管實現(xiàn)。上述方法還包括：通過電源控制電路檢測電源是否正常，在檢測到電源正常時，去使能ESD檢測電路和ESD保護(hù)器件，使ESD檢測電路和ESD保護(hù)器件不對驅(qū)動器件輸出的驅(qū)動信號產(chǎn)生干擾；在檢測到電源掉電時，取消對ESD檢測電路和ESD保護(hù)器件的去使能，使ESD控制電路能夠正常工作。下面通過對沒有驅(qū)動關(guān)閉電路和有驅(qū)動關(guān)閉電路的兩個驅(qū)動電路進(jìn)行ESD測試，比較其抗靜電能力(能釋放的最大靜電電流)的差別。圖9所示為沒有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路，其中，NMOSM91為ESD保護(hù)器件，電容C91與電阻R91串聯(lián)為ESD檢測電路，NMOSM92為驅(qū)動器件，如圖10所示，沒有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路中，驅(qū)動器件NMOSM92的抗靜電能力僅為0.43A，等效為抗人體模式(HBM)的靜電能力約為0.43A*1500ohms＝645V。圖11所示為有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路，其中，NMOSM111為ESD保護(hù)器件，電容C111與電阻R111串聯(lián)為ESD檢測電路，NMOSM112用作驅(qū)動關(guān)閉電路，柵極連接電容C111與電阻R111的節(jié)點，漏極連接作為驅(qū)動器件的NMOSM113的柵極，源極連接接地節(jié)點GND，如圖12所示，有驅(qū)動關(guān)閉電路的驅(qū)動電路中，驅(qū)動器件NMOSM113的抗靜電能力為2.13A，等效為抗HBM的靜電能力約為2.13A*1500ohms＝3195V?？梢钥闯?，驅(qū)動關(guān)閉電路能夠提高驅(qū)動器件的觸發(fā)電壓，防止其在靜電產(chǎn)生時被觸發(fā)，使靜電電流經(jīng)由ESD保護(hù)器件釋放到接地節(jié)點，有效提高驅(qū)動電路的抗靜電能力。本發(fā)明的方案，在驅(qū)動器件的輸出端沒有串聯(lián)任何電阻，在驅(qū)動器件上也沒有使用硅化物阻擋，因此，使用驅(qū)動關(guān)閉電路的靜電保護(hù)方案，即使沒有輸出串聯(lián)電阻，驅(qū)動器件也能得到有效保護(hù)；而且，驅(qū)動器件即使是沒有使用硅化物阻擋，使用驅(qū)動關(guān)閉電路的靜電保護(hù)方案，也能對其提供有效保護(hù)。因為不需要串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻，不需要增加硅化物阻擋掩膜版及制造工藝，因而能夠提高驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，節(jié)約版圖布線面積，簡化工藝流程，節(jié)省成本。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。