專利名稱：高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高壓并聯(lián)電容器的無涌流無過電壓投切裝置。由此可以做到高壓電網(wǎng)的最佳動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償。
背景技術(shù)：
目前，高壓并聯(lián)電容器投入時(shí)會產(chǎn)生涌流和過電壓，主要原因是斷路器合閘時(shí)電容器上電壓與電網(wǎng)電壓不相等出現(xiàn)涌流以及涌流的高頻成份會在電流互感器的二次側(cè)感應(yīng)出很高的過電壓，使電流互感器發(fā)生閃絡(luò)和擊穿；在并聯(lián)電容器切除時(shí)會在電容器上產(chǎn)生過電壓，主要原因是斷路器會發(fā)生重燃。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置。技術(shù)方案一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置，由開關(guān)變壓器及斷路器等構(gòu)成，其特征在于高壓隔離開關(guān)(G2)、開關(guān)變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)電路，高壓開關(guān)(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構(gòu)成另一個(gè)串聯(lián)電路，兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)，開關(guān)變壓器低壓繞組接可控硅(雙向可控硅或單向可控硅反并聯(lián))，可控硅的控制極接可編程序控制器。有益效果由于本實(shí)用新型采用特有的電路結(jié)構(gòu)，在并聯(lián)電容器投入時(shí)可以做到電源電壓等于電容器上電壓。因此無涌流產(chǎn)生；在切除時(shí)可以做到電容器上電壓為零且電流很小，無過電壓產(chǎn)生。


附圖為本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，高壓隔離開關(guān)G2、開關(guān)變壓器TK的高壓繞組、斷路器K2串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)電路；高壓隔離開關(guān)G1、斷路器K1串聯(lián)構(gòu)成另一個(gè)串聯(lián)電路；兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器C；開關(guān)變壓器TK的低壓繞組接可控硅BCR；可控硅BCR的控制極接可編程序控制器PLC。
工作時(shí)，當(dāng)要投入并聯(lián)電容器C時(shí)，首先合上斷路器K2(G1、G2已合)，然后啟動(dòng)可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR，使電容器C充電到電源電壓后，再使電容器C經(jīng)開關(guān)變壓器TK接入電源。這時(shí)再合上斷路器K1、斷開K2。電容器接入電網(wǎng)，因電容器電壓保持與電源電壓相等。故無涌流產(chǎn)生。
當(dāng)要切除電容器C時(shí)，首先合上斷路器K2，然后啟動(dòng)可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR，使電容器C經(jīng)TK接入電源。這時(shí)斷開K1，再由可編程序控制器PLC來控制可控硅BCR使之在電容C上電壓為零時(shí)斷開可控硅BCR，之后斷開K2。因電容C上電壓為零伏且電流很小，故不會產(chǎn)生過電壓。
權(quán)利要求1.一種高壓并聯(lián)電容器無涌流無過電壓投切裝置，由開關(guān)變壓器及斷路器等構(gòu)成，其特征在于高壓隔離開關(guān)(G2)、開關(guān)變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)電路，高壓隔離開關(guān)(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構(gòu)成另一個(gè)串聯(lián)電路，兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)，開關(guān)變壓器的低壓繞組接可控硅(BCR)，可控硅的控制極接可編程序控制器(PLC)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高壓并聯(lián)電容器的無涌流無過電壓投切裝置，使得高壓并聯(lián)電容器在投入和切除時(shí)無涌流和無過電壓產(chǎn)生，使高壓電網(wǎng)的最佳動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償?shù)靡詫?shí)現(xiàn)。技術(shù)方案由開關(guān)變壓器及斷路器等構(gòu)成，具體特征在于高壓隔離開關(guān)(G2)、開關(guān)變壓器(TK)的高壓繞組、斷路器(K2)串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)電路；高壓隔離開關(guān)(G1)、斷路器(K1)串聯(lián)構(gòu)成另一個(gè)串聯(lián)電路；兩串聯(lián)電路并聯(lián)后接高壓并聯(lián)電容器(C)；開關(guān)變壓低壓繞組接可控硅，可控硅的控制極接可編程序控制器。
文檔編號H02J3/18GK2687925SQ20042000205
公開日2005年3月23日 申請日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月9日
發(fā)明者潘政春 申請人:潘政春