專利名稱：單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域的一種調(diào)壓觸發(fā)器，特別是一種單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器。它可廣泛運(yùn)用在單相電路、三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)壓、調(diào)速軟啟動(dòng)等方面。
據(jù)申請(qǐng)人所知現(xiàn)有的雙向可控硅以其觸發(fā)電路簡單(見

圖1為雙向可控硅調(diào)壓原理圖。其原理為雙向可控硅KS用觸發(fā)二極管VD2構(gòu)成的單相交流調(diào)壓電路，調(diào)節(jié)電位器W2，使之導(dǎo)通角α發(fā)生變化，在負(fù)載RL2兩端得到大小不同的交流電壓)，被廣泛應(yīng)用于交流調(diào)壓、調(diào)光和電動(dòng)機(jī)調(diào)速等方面；但目前雙向可控硅電流最大值在國外、國內(nèi)均為800A—1000A，只相當(dāng)于400A單向硅反并聯(lián)的電流容量；因此，在150KW以上的交流調(diào)壓和電動(dòng)機(jī)調(diào)速電路中，雙向可控硅就顯得力不從心了；況且，雙向可控硅與相同容量的單硅反并聯(lián)相比，在抗負(fù)荷能力，使用可靠性方面遠(yuǎn)低于單硅反并聯(lián)；但是，現(xiàn)有的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)電路(由上百個(gè)電子元件構(gòu)成)復(fù)雜，故不易調(diào)試，在交流調(diào)壓電路中難以應(yīng)用。
本實(shí)用新型的目的意在克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，設(shè)計(jì)了一種電路結(jié)構(gòu)簡單、易應(yīng)用、抗負(fù)荷能力強(qiáng)的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣一種單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，包括觸發(fā)二極管、阻容元件、電感元件構(gòu)成的觸發(fā)電路。其觸發(fā)二極管一端連接在阻容元件上、另一端與耦合電感相連，經(jīng)電磁感應(yīng)的兩換向電感分別連在外接的單硅反并聯(lián)的控制端，所述的阻容元件為電位器與電容串聯(lián)、且并連在外接的單硅反并聯(lián)兩端。
所述觸發(fā)二極管為雙向二極管。
所述耦合電感與兩換向電感的線圈匝數(shù)比為20∶1∶1。
所述兩換向電感與單硅反并聯(lián)的兩控制端之間連接有整流二極管。
觸發(fā)電路為一個(gè)以上。
各元件安裝在線路板上，該線路板上具有接線端子。
線路板置殼體內(nèi)，接線端子和電位器設(shè)置在殼體上。
采用上述的技術(shù)方案觸發(fā)二極管將阻容振蕩信號(hào)經(jīng)耦合電感，通過電磁感應(yīng)給兩換向電感，該兩電感負(fù)責(zé)兩單向可控硅換流，整流二極管為兩單向可控硅提供觸發(fā)脈沖電壓，調(diào)節(jié)電位器可達(dá)到改變交流電正負(fù)半周的導(dǎo)通角，從而在負(fù)載兩端得到不同的交流電壓。
本實(shí)用新型觸發(fā)器可觸發(fā)100A—3000A單硅反并聯(lián)電路，使大電流工作狀態(tài)下的交流調(diào)壓三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速更加平滑可靠。本實(shí)用新型觸發(fā)器不需調(diào)試就可達(dá)到單向調(diào)壓及三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速的目的，從而使單向可控硅在交流電調(diào)壓電路中使用簡單化、標(biāo)準(zhǔn)化。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖2是單硅反并聯(lián)觸發(fā)原理圖。該圖的虛線框內(nèi)是本實(shí)用新型的觸發(fā)電路圖。
圖3是本實(shí)用新型的殼體(包括外接的單向可控硅)外觀示意圖。
參見圖2、圖3本實(shí)用新型的觸發(fā)電路是由雙向二極管VD1、開關(guān)電位器W1、電容C、三個(gè)電感(L、L1、L2)及交流脈沖整流二極管(D1、D2)構(gòu)成，電感L、電感L1、電感L2線圈匝數(shù)比為20∶1∶1，各元件安裝在線路板上，該線路板上設(shè)有四個(gè)接線端子(1、2、3、4)。二極管VD1一端連接在電位器W1與電容C相串的接點(diǎn)、另一端與起耦合作用的電感L相連，起換向作用的電感(L1、L2)分別接有二極管(D1、D2)通過接線端子(2、4)再與外接的單硅反并聯(lián)控制端連接，串接的電位器W1、電容C通過接線端子(1、3)并聯(lián)在單硅反并聯(lián)兩端。也可做一殼體5，將線路板置殼體5內(nèi)，并將電位器W1和接線端子(1、2、3、4)安裝在殼體5上。
本單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器的工作原理觸發(fā)二極管VD1將電位器W1、電容C阻容振蕩信號(hào)經(jīng)耦合給電感L，通過電磁感應(yīng)給電感(L1、L2)，電感(L1、L2)負(fù)責(zé)單向可控硅(KP1、KP2)換流，二極管(D1、D2)為兩單向可控硅(KP1、KP2)提供觸發(fā)脈沖電壓，調(diào)節(jié)電位器W1可達(dá)到改變交流電正負(fù)半周的導(dǎo)通角α，從而在負(fù)載RL1兩端得到不同的交流電壓。
由于本單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器的電感L1、L2負(fù)責(zé)交流電正、負(fù)半周α角的導(dǎo)通及換流，正、負(fù)半周換流是依靠電感L1、L2來完成，而圖1正、負(fù)半周換流是依靠雙向可控硅KS內(nèi)部來實(shí)現(xiàn)的，因此本實(shí)用新型的可靠性優(yōu)于雙向可控硅KS的內(nèi)部換流電路。
本實(shí)用新型為上述的一個(gè)觸發(fā)電路，可直接用于單相電路的調(diào)壓、調(diào)速軟啟動(dòng)的運(yùn)用。
本實(shí)用新型為上述三個(gè)相同(虛線框內(nèi)所示)的觸發(fā)電路構(gòu)成三相異步電動(dòng)機(jī)的調(diào)壓、調(diào)速啟動(dòng)電路，同時(shí)調(diào)節(jié)三相電路中間的電位器W1，可使三相異步電動(dòng)機(jī)的工作處于某種電壓運(yùn)行狀態(tài)，從而達(dá)到軟啟動(dòng)和控制轉(zhuǎn)速的目的。
權(quán)利要求1.一種單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，包括觸發(fā)二極管、阻容元件、電感元件構(gòu)成的觸發(fā)電路，其特征在于觸發(fā)二極管一端連接在阻容元件上、另一端與耦合電感相連，兩換向電感分別連在外接的單硅反并聯(lián)控制端，所述的阻容元件為電位器與電容串聯(lián)、且并聯(lián)在外接的單硅反并聯(lián)兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于觸發(fā)二極管為雙向二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于耦合電感與兩換向電感的線圈匝數(shù)比為20∶1∶1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于兩換向電感與單硅反并聯(lián)的兩控制端之間連接有整流二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于觸發(fā)電路為一個(gè)以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于各元件安裝在線路板上，該線路板上具有接線端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器，其特征在于線路板置殼體內(nèi)，接線端子和電位器設(shè)在殼體上。
專利摘要一種單硅反并聯(lián)調(diào)壓觸發(fā)器,包括觸發(fā)二極管、阻容元件、電感元件構(gòu)成的觸發(fā)電路。其觸發(fā)二極管一端連接在阻容元件上、另一端與耦合電感相連,兩換向電感分別連在外接的單硅反并聯(lián)控制端,阻容元件并聯(lián)在外接的單硅反并聯(lián)兩端。它可觸發(fā)100A—3000A單硅反并聯(lián)電路,使大電流工作狀態(tài)下的交流調(diào)壓更加平滑可靠,可達(dá)到單向調(diào)壓及三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速的目的。它可廣泛運(yùn)用在單相電路、三相異步電動(dòng)機(jī)調(diào)壓、調(diào)速軟啟動(dòng)等方面。
文檔編號(hào)H02M5/02GK2466850SQ0121416
公開日2001年12月19日 申請(qǐng)日期2001年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月17日
發(fā)明者劉林 申請(qǐng)人:李代全, 劉林