能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是與半導(dǎo)體的定位裝置有關(guān);尤其是與一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤有關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體托盤(業(yè)界俗稱為Tray盤)是一種用以承載復(fù)數(shù)半導(dǎo)體芯片，以便這些半導(dǎo)體芯片被集體運(yùn)載進(jìn)行半導(dǎo)體制程的制程或測(cè)試程序；
[0003]而在半導(dǎo)體制程的過程中無法避免處理溶劑或液體的接觸，因此一般的半導(dǎo)體托盤如圖1所示，該半導(dǎo)體托盤10是在一基底部11上設(shè)置復(fù)數(shù)乘載區(qū)12，各該乘載區(qū)12內(nèi)設(shè)置一容槽121以容置半導(dǎo)體，而為兼具排水的效果，因此更會(huì)在該容槽121的槽底開設(shè)一開孔122，透過該開孔122提供排水的管道；
[0004]然而，由于該開孔122是設(shè)置于容置半導(dǎo)體的容槽121的槽底，而一般的半導(dǎo)體托盤10為提高搬運(yùn)效率又會(huì)層疊設(shè)置，在兩個(gè)半導(dǎo)體承盤層疊的過程中，層疊的動(dòng)作將會(huì)在兩半導(dǎo)體承盤間產(chǎn)生氣流的擾動(dòng)，而擾動(dòng)的氣流將會(huì)沿該開孔122進(jìn)入該容槽121，一旦擾動(dòng)的氣流由該開孔122進(jìn)入容槽121，由于現(xiàn)今的半導(dǎo)體的體積均已薄型化、微型化，因此擾動(dòng)的氣流將會(huì)造成半導(dǎo)體產(chǎn)生浮動(dòng)現(xiàn)象，致使半導(dǎo)體產(chǎn)生跳動(dòng)甚至脫離容槽，于此狀況下若續(xù)行半導(dǎo)體承盤10的層疊工作將使得半導(dǎo)體承盤10壓損半導(dǎo)體，導(dǎo)致不必要的損失因而有待改善。有鑒于此，本實(shí)用新型創(chuàng)作人潛心研究并更深入構(gòu)思，歷經(jīng)多次研發(fā)試作后，終于創(chuàng)造出一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其主要目的是改善一般半導(dǎo)體承盤層疊設(shè)置時(shí)會(huì)因氣流擾動(dòng)導(dǎo)致半導(dǎo)體浮動(dòng)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。
[0006]為達(dá)前述目的，本實(shí)用新型提供一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，包含一基底部的至少一面上間隔成形復(fù)數(shù)乘載區(qū)，該基底部于該乘載區(qū)以外的區(qū)域設(shè)置復(fù)數(shù)通孔，其中:
[0007]該基底部?jī)擅娴倪B接方向定義為高度方向H;
[0008]各該乘載區(qū)成形一容槽供以容置半導(dǎo)體，該容槽是由一凸垣圍繞成一封閉輪廓與該基底部所共同界定出，該凸垣的一端銜接于該基底部，且該容槽的槽底更再凹陷設(shè)置一凹槽，該容槽的槽底高度低于該凸垣的另一端，而該凹槽的高度低于該容槽的槽底高度；以及
[0009]該些通孔貫穿該基底部的兩面。
[0010]本實(shí)用新型主要透過于該半導(dǎo)體承盤的乘載區(qū)以外的位置設(shè)置通孔，據(jù)此使半導(dǎo)體能穩(wěn)定地乘載于乘載區(qū)內(nèi)，而乘載區(qū)以外的通孔則可作為擾動(dòng)氣流逃逸的管道，避免擾動(dòng)氣流擾動(dòng)半導(dǎo)體或半導(dǎo)體承盤整體，據(jù)此提高提高層疊動(dòng)作的順暢性，并據(jù)此能提高產(chǎn)品良率及經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【附圖說明】
[0011 ]圖1為一般半導(dǎo)體承盤的示意圖。
[0012]圖2為一般半導(dǎo)體承盤的剖視圖。
[0013]圖3為本實(shí)用新型能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤的平面示意圖。
[0014]圖4為本實(shí)用新型能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤的立體剖視圖。
[0015]在附圖中用到的符號(hào)說明如下:
[0016]〈先前技術(shù)〉
[0017]半導(dǎo)體托盤10基底部11
[0018]乘載區(qū)12容槽121
[0019]開孔122
[0020]〈本實(shí)用新型〉
[0021]基底部20乘載區(qū)30
[0022]容槽31凸垣311
[0023]凹槽312通孔40
【具體實(shí)施方式】
[0024]本實(shí)用新型提供一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，請(qǐng)配合參閱圖3至圖4所示，包含一基底部20的至少一面上間隔成形復(fù)數(shù)乘載區(qū)30，該基底部20于該乘載區(qū)30以外的區(qū)域設(shè)置復(fù)數(shù)通孔40，其中:
[0025]該基底部20兩面的連接方向定義為高度方向H;
[0026]各該乘載區(qū)30成形一容槽31供以容置半導(dǎo)體，而本實(shí)施例的容槽31是由一凸垣311圍繞成一封閉的方形輪廓與該基底部20所共同界定出，該凸垣311的一端銜接于該基底部20，且該容槽31的槽底更再凹陷設(shè)置一凹槽312，該容槽31的槽底高度低于該凸垣311的另一端，而該凹槽312的高度低于該容槽31的槽底高度；以及
[0027]該些通孔40貫穿該基底部20的兩面，且本實(shí)施例中的這些通孔40是相同大小并于該基底部20上呈矩陣排列；當(dāng)然，該些通孔40也能不規(guī)則排列于該基底部20上或是呈不規(guī)則尺寸地設(shè)置于該基底部20上，只要該些通孔40符合設(shè)置于乘載區(qū)30以外的區(qū)域均屬本案所欲保護(hù)的范疇。
[0028]以上為本實(shí)用新型能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤的結(jié)構(gòu)組態(tài)及特征，該半導(dǎo)體承盤的乘載區(qū)30內(nèi)的容槽31供以容置半導(dǎo)體，而該些通孔40提供制程過程中的排水管道；
[0029]而當(dāng)兩個(gè)半導(dǎo)體承盤層疊設(shè)置時(shí)，由于本實(shí)用新型中的該些通孔40是位于乘載區(qū)30以外的區(qū)域，即該些通孔40的位置與半導(dǎo)體容置的位置不同，因此在層疊的動(dòng)作過程中，兩個(gè)半導(dǎo)體承盤因相靠近產(chǎn)生氣流擾動(dòng)時(shí)，兩個(gè)半導(dǎo)體承盤間的擾動(dòng)氣流能由各該通孔40竄出，據(jù)此降低兩個(gè)半導(dǎo)體承盤相位移靠近的阻力，提高層疊設(shè)置動(dòng)作的順暢性；
[0030]更值得一提的是，由于本實(shí)用新型的該些通孔40的位置與半導(dǎo)體容置的位置不同，因此不會(huì)發(fā)生氣流推移半導(dǎo)體使得半導(dǎo)體浮動(dòng)的狀況發(fā)生，當(dāng)然，也就能據(jù)此提高半導(dǎo)體乘載的穩(wěn)定性及廣品良率；
[0031]甚至，由于本實(shí)用新型的該些通孔40的位置是位于乘載區(qū)30以外的位置，因此當(dāng)兩個(gè)半導(dǎo)體承盤層疊時(shí)，層疊的半導(dǎo)體承盤的通孔40位置相連通，據(jù)此使得擾動(dòng)氣流有順暢的逃逸管道，除了能完全避免半導(dǎo)體的浮動(dòng)之外，當(dāng)然也能進(jìn)一步地降低半導(dǎo)體承盤間的浮動(dòng)，提高半導(dǎo)體承盤層疊運(yùn)載的穩(wěn)定性及質(zhì)量，確保產(chǎn)品良率，創(chuàng)造更高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，包含一基底部的至少一面上間隔成形復(fù)數(shù)乘載區(qū)，該基底部在該乘載區(qū)以外的區(qū)域設(shè)置復(fù)數(shù)通孔，其特征在于，其中: 該基底部?jī)擅娴倪B接方向定義為高度方向； 各該乘載區(qū)成形一容槽供以容置半導(dǎo)體，該容槽是由一凸垣圍繞成一封閉輪廓與該基底部所共同界定出，該凸垣的一端銜接于該基底部，且該容槽的槽底更再凹陷設(shè)置一凹槽，該容槽的槽底高度低于該凸垣的另一端，而該凹槽的高度低于該容槽的槽底高度；以及 該些通孔貫穿該基底部的兩面。2.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，該乘載區(qū)的該凸垣圍繞成一封閉的方形輪廓。3.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，兩個(gè)半導(dǎo)體承盤層疊時(shí)，層疊的半導(dǎo)體承盤的通孔相連通。4.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，該些通孔尺寸相同。5.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，該些通孔于該基底部上呈矩陣排列。6.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，該些通孔不規(guī)則排列于該基底部。7.如權(quán)利要求1所述的能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，其特征在于，其中，該些通孔的尺寸不同。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種能降低浮動(dòng)現(xiàn)象的半導(dǎo)體承盤，主要是透過在半導(dǎo)體承盤的乘載區(qū)以外的位置設(shè)置通孔，據(jù)此使半導(dǎo)體能穩(wěn)定地乘載于乘載區(qū)內(nèi)，而乘載區(qū)以外的通孔則可作為擾動(dòng)氣流逃逸的管道，避免擾動(dòng)氣流擾動(dòng)半導(dǎo)體或半導(dǎo)體承盤整體，據(jù)此提高層迭動(dòng)作的順暢性，并據(jù)此能提高產(chǎn)品良率及經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【IPC分類】H01L21/673
【公開號(hào)】CN205319135
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521046773
【發(fā)明人】羅郁南
【申請(qǐng)人】晨州塑膠工業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2015年12月16日