一種高穿透性導電薄膜的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于導電薄膜材料領域，特別涉及一種高穿透性導電薄膜。
【背景技術】
[0002]近年來觸控式手機盛行，而觸控式手機大至可分為電阻式觸控面板和電容式觸控面板，而其兩種皆須設有透明導電薄膜，以透過其導電并控制手機。
[0003]參照圖1所示，圖1為市場上常見的透明導電薄膜的結構示意圖；主要包括有基材層，基材層往上依次設置有粘附層和透明導電薄膜層。
[0004]圖2是市場上常見透明導電薄膜及基材的實驗數(shù)據(jù)圖；由該圖中可清楚看出，該基材層單獨進行光穿透率實驗時，其穿透率大致維持在90%，而在將該粘附層及該透明導電薄膜層沉積于該基材層后，該透明導電薄膜的光穿透率則大幅降低，通過實驗數(shù)據(jù)可以得知透明導電薄膜隨著照射光線波長的增加，光線穿透率會隨之增加，而且透明導電薄膜在波長不同的照射光照射之下穿透率差距很大;而光穿透率的高低將直接影響到用戶的視覺感受，因此很有必要提高透明導電薄膜的穿透率。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的是提供一種高穿透性導電薄膜，本高穿透性導電薄膜利用氧化鈮層和氧化硅層干涉光的折射，從而提升照射光線的穿透率。
[0006]為實現(xiàn)上述技術方案，本實用新型提供了一種高穿透性導電薄膜，主要包括有:基材層、粘附層、氧化鈮層、氧化硅層、透明導電薄膜層和硬化層，所述粘附層位于基材層的上表面，所述氧化鈮層位于粘附層上表面，所述氧化硅層位于氧化鈮層上表面，所述透明導電薄膜層位于氧化鈮層上表面，所述硬化層位于基材層的下表面。
[0007]在上述技術方案中，所述氧化鈮層的厚度為21?23nm，折射率為2.0?2.5。。
[0008]在上述技術方案中，所述氧化硅層的厚度為58?62nm，折射率為1.45?1.47。
[0009]在上述技術方案中，所述基材層為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)層。[00?0]在上述技術方案中，所述透明導電薄膜層的厚度為25?35nm。
[0011]在上述技術方案中，所述透明導電薄膜層為氧化銦錫(ΙΤ0)層
[0012]本實用新型相較于現(xiàn)有技術的有益效果在于:本高穿透性導電薄膜利用氧化鈮層和氧化硅層干涉光的折射，提高照射光線的穿透率。
【附圖說明】
[0013]圖1是市場上常見透明導電薄膜的結構示意圖。
[0014]圖2是市場上常見透明導電薄膜及基材的實驗數(shù)據(jù)圖。
[0015]圖3是本實用新型的結構示意圖。
[0016]圖4是本實用新型及基材的實驗數(shù)據(jù)圖。
[0017]圖中:10_基材層，20-粘附層，30-氧化鈮層，40-氧化硅層，50-透明導電薄膜層，60-硬化層。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。本領域普通人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，均屬于本實用新型的保護范圍。
[0019]實施例:一種高穿透性導電薄膜。
[0020]參照圖3所示，一種高穿透性導電薄膜，主要包括有:基材層10、粘附層20、氧化鈮層30、氧化硅層40、透明導電薄膜層50和硬化層60，所述粘附層20位于基材層10的上表面，所述氧化鈮層30位于粘附層20上表面，所述氧化硅層40位于氧化鈮層30上表面，所述透明導電薄膜層50位于氧化硅層40上表面，所述硬化層60位于基材層10的下表面。
[0021]本實施例中，所述氧化鈮層30的厚度為22nm，折射率為2.3。
[0022]本實施例中，所述氧化硅層40的厚度為60nm，折射率為1.46。
[0023]本實施例中，所述基材層10為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)層。
[0024]本實施例中，所述透明導電薄膜層50的厚度為30nm。
[0025]本實施例中，所述透明導電薄膜層50為氧化銦錫(ΙΤ0)層。
[0026]為了進一步解釋本實用新型的構造特征、運用技術手段及所預期達成的功效，特將本實用新型的使用方式描述如下:
[0027]參照圖3所示，生產(chǎn)制造本實施例中的高穿透性導電薄膜時，先在基材層10上沉積形成粘附層20，再于該粘附層20上沉積形成氧化鈮層30，然后在氧化鈮層30的上表面沉積形成氧化硅層40，然后在氧化硅層40上表面附上透明導電薄膜層50，另外在基材10的下表面吸附形成一層硬化層60。氧化鈮層30的折射率為2.3，氧化硅層40的折射率為1.46，通過氧化鈮層30和氧化硅層40對照射光折射率的干涉，減少照射光的反射，增強照射光的穿透率;硬化層60能夠增強本導電薄膜的耐磨度;粘附層20使得氧化鈮層30在基材層10更加穩(wěn)定。
[0028]參照圖4所示，圖4是本高穿透性導電薄膜和基材(PET)層光穿透性實驗數(shù)據(jù)，從圖4可以看出，在照射光的波長在450-550nm時，本高穿透性導電薄膜的光穿透性高于僅僅使用基材(PET)層，更是明顯高于市場常見的透明導電薄膜(如圖2所示)的穿透性。由此可見利用該高折射率氧化鈮層30及低折射率氧化硅層40可有效提高光線穿透率，在視覺上可明顯降低干擾。
[0029]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作出的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種高穿透性導電薄膜，其特征在于主要包括有:基材層、粘附層、氧化鈮層、氧化硅層、透明導電薄膜層和硬化層，所述粘附層位于基材層的上表面，所述氧化鈮層位于粘附層上表面，所述氧化硅層位于氧化鈮層上表面，所述透明導電薄膜層位于氧化硅層上表面，所述硬化層位于基材層的下表面。2.如權利要求1所述的高穿透性導電薄膜，其特征在于:所述氧化鈮層的厚度為21?23nm，折射率為2.0?2.5。3.如權利要求1所述的高穿透性導電薄膜，其特征在于:所述氧化硅層的厚度為58?62nm，折射率為1.45?1.47 ο4.如權利要求1所述的高穿透性導電薄膜，其特征在于:所述基材層為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯層。5.如權利要求1所述的高穿透性導電薄膜，其特征在于:所述透明導電薄膜層的厚度為25?35nm0
【專利摘要】本實用新型提供了一種高穿透性導電薄膜，主要包括有：基材層、粘附層、氧化鈮層、氧化硅層、透明導電薄膜層和硬化層，所述粘附層位于基材層的上表面，所述氧化鈮層位于粘附層上表面，所述氧化硅層位于氧化鈮層上表面，所述透明導電薄膜層位于氧化鈮層上表面，所述硬化層位于基材層的下表面。本高穿透性導電薄膜利用氧化鈮層和氧化硅層干涉光的折射，提高照射光線的穿透率。
【IPC分類】H01B5/14
【公開號】CN205122220
【申請?zhí)枴緾N201520841483
【發(fā)明人】李偉明, 藍銀鋒
【申請人】汕頭市東通光電材料有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年10月28日