晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組及其制造方法
【專利摘要】一種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組及其制造方法，該模組包括感測(cè)晶片封裝體及電路板，該封裝體包括感測(cè)晶片、具有著色層的觸板及粘著層。感測(cè)晶片具有上表面與下表面，且鄰近上表面處包括感測(cè)元件及導(dǎo)電墊，鄰近下表面處包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過重布線層電性連接導(dǎo)電墊。觸板包括基部及間隔部，間隔部具有包括底墻及側(cè)墻的凹穴。粘著層位于感測(cè)晶片與觸板之間，感測(cè)晶片通過上表面粘貼到凹穴的底墻，且被凹穴的側(cè)墻環(huán)繞。電路板設(shè)置于感測(cè)晶片封裝體下方，且感測(cè)晶片封裝體通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性結(jié)合至電路板。本發(fā)明使薄觸板精確地放置在感測(cè)晶片上，且使得觸板與感測(cè)晶片之間的粘著膠厚度降低，從而可改用具中、低介質(zhì)電容系數(shù)的材料。
【專利說明】
晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種感測(cè)晶片封裝模組及其制造方法，且特別有關(guān)于一種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]具有感測(cè)功能的晶片封裝體的感測(cè)裝置在傳統(tǒng)的制作過程中容易受到污染或破壞，造成感測(cè)裝置的效能降低，進(jìn)而降低晶片封裝體的可靠度或品質(zhì)。此外，為符合電子產(chǎn)品朝向微型化的發(fā)展趨勢(shì)，有關(guān)電子產(chǎn)品封裝構(gòu)造中，用以承載半導(dǎo)體晶片的封裝基板如何降低厚度，亦為電子產(chǎn)品研發(fā)中一項(xiàng)重要的課題。有關(guān)封裝基板的制作過程中，其于薄形晶片層上制作線路。若封裝基板為符合微型化的要求，而選用厚度過薄的封裝基板時(shí)，不但封裝基板的生產(chǎn)作業(yè)性不佳，封裝基板也易因厚度過薄，而于封裝制程受到環(huán)境因素影響會(huì)產(chǎn)生變形翹曲或損壞，造成產(chǎn)品不良等問題。
[0003]此外，觸控面板或具感測(cè)功能(例如生物特征辨識(shí))的面板是目前流行的科技趨勢(shì)，但在使用者長(zhǎng)期頻繁地按壓面板的情況下，將使位在面板底下的觸控元件故障失效。故，具有硬度9以上的材料，例如藍(lán)寶石基板，乃脫穎而出被選作觸控面板表面的觸板，通過其僅耐刮的優(yōu)點(diǎn)，保護(hù)面板底下的半導(dǎo)體元件。不過，目前市面上用以保護(hù)觸控元件或生物特征感測(cè)元件的藍(lán)寶石基板，其厚度均大于200μπι，由于電容式觸控面板或具生物特征辨識(shí)感測(cè)功能的面板均通過觸板的電容變化來傳遞信號(hào)，且眾所周知平形板電容器的電容方程式如下:
[0004]C=e*A/d
[0005]C:平形板電容器電容
[0006]ε:介質(zhì)電容系數(shù)
[0007]A:平形板重疊的面積
[0008]d:兩平形板間的距離
[0009]如上述平形板電容器電容方程式所示，在介質(zhì)電容系數(shù)與平形板重疊的面積不變的情況下，電容的大小與兩平形板間的距離成反比，故當(dāng)平形板的厚度越大時(shí)，意味兩平形板間的距離越大，導(dǎo)致電容變小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]有鑒于此，為了改善如上所述的缺點(diǎn)，增加電容式觸控面板或具感測(cè)功能的面板的靈敏度，本發(fā)明提出一種新的晶片尺寸等級(jí)的(chip scale)感測(cè)晶片封裝模組以及其制造方法，通過使用硬度大于7的材料作為觸板，且降低其厚度，使得電容式觸控面板或具感測(cè)功能的面板的電容值可以提高，增加其靈敏度。
[0011]此外，本發(fā)明乃通過晶圓級(jí)封裝制程達(dá)成，不僅可以使本發(fā)明的薄觸板可以精確地放置在感測(cè)晶片上，且在搭配旋涂制程情況下，使得觸板晶圓與具感測(cè)元件的晶圓之間的粘著膠厚度降低，故可以不需要再選擇提高電容值所需要的高介質(zhì)系數(shù)材料，而改用具中、低介質(zhì)電容系數(shù)的材料即可，不僅降低生產(chǎn)成本，也進(jìn)而可提供一效率更高的晶片等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組。此外，由于觸板是在感測(cè)晶片的半導(dǎo)體制程中同時(shí)結(jié)合，因此同時(shí)具有晶片尺寸等級(jí)，可避免現(xiàn)有技術(shù)中感測(cè)晶片與觸板不匹配的問題。
[0012]本發(fā)明的一目的是提供一種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，包括:一感測(cè)晶片，具有相對(duì)的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近該第一上表面處包括有一感測(cè)元件以及多個(gè)導(dǎo)電墊，而鄰近該第一下表面處則包括有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過一重布線層與所述導(dǎo)電墊電性連接;一具有著色層的觸板，包括一基部及一位在該基部表面的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻;及一第一粘著層，位于該感測(cè)晶片與觸板之間，使得該感測(cè)晶片通過該第一上表面粘貼到該凹穴的該底墻，且該感測(cè)晶片被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞；以及;一電路板，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體下方，且該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體通過該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性結(jié)合至該電路板上。
[0013]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該觸板的尺寸大于該感測(cè)晶片的尺寸。
[0014]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該凹穴的俯視輪廓為矩形，而該觸板的俯視輪廓為圓形。
[0015]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該間隔部的厚度為該基部的厚度的十倍以上。
[0016]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該著色層是涂布于該凹穴的該底墻及該側(cè)墻。
[0017]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中構(gòu)成該基部與該間隔部的材料包括玻璃。
[0018]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該基部包括一觸板、一著色層及一夾于該觸板與該著色層間的第二粘著層，且該間隔部是形成于該著色層上。
[0019]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中構(gòu)成該基部的該觸板的材料包括玻璃，而構(gòu)成該間隔部的材料包括玻璃或硅。
[0020]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中構(gòu)成該第一粘著層的材料包括中、低電容系數(shù)的介質(zhì)材料。
[0021]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括焊球及/或焊接凸塊及/或?qū)щ娭?br>[0022]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該感測(cè)元件包括觸控元件、生物特征辨識(shí)元件或環(huán)境因子感測(cè)元件。
[0023]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該生物特征辨識(shí)元件包括指紋辨識(shí)元件。
[0024]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，還包括一緩沖裝置，設(shè)置于該電路板的背面。
[0025]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其中該緩沖裝置包括一彈簧或一彈力鈕。
[0026]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，且還包括一觸發(fā)元件，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體的該凹穴內(nèi)，且該觸發(fā)元件與該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片電性連接。
[0027]本發(fā)明的另一目的是提供一種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其步驟包括:提供多個(gè)晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片，每一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片均具有相對(duì)的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近該第一上表面處包括有一感測(cè)元件以及多個(gè)導(dǎo)電墊，而鄰近該第一下表面處則包括有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過一重布線層與所述導(dǎo)電墊電性連接;提供一具有一著色層的觸板晶圓，該觸板晶圓包括有多個(gè)固晶區(qū)，且每一所述固晶區(qū)外均具有一預(yù)定的切割道，其中每一所述固晶區(qū)包括一基部及一位在該基部上的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻;提供一第一粘著層，使得每一所述感測(cè)晶片通過該第一上表面分別粘貼到各該凹穴的該底墻，且每一所述感測(cè)晶片均被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞沿所述固晶區(qū)之間的切割道，進(jìn)行一切割程序以獲得多個(gè)晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體，其中每一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體，包括:一所述感測(cè)晶片；一具有著色層的觸板，包括一基部及一位在該基部上的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻;及一第一粘著層，位于該感測(cè)晶片與觸板之間，使得該感測(cè)晶片通過該第一上表面粘貼到該凹穴的該底墻，且該感測(cè)晶片被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞；以及提供一電路板，使其中一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體通過所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性結(jié)合至該電路板上。
[0028]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該觸板的尺寸大于該感測(cè)晶片的尺寸。
[0029]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該凹穴的俯視輪廓為矩形，而該基部的俯視輪廓為圓形。
[0030]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該間隔部的厚度為該基部的厚度的十倍以上。
[0031]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該著色層是涂布于該凹穴的底墻及側(cè)墻。
[0032]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中構(gòu)成該基部與該間隔部的材料包括玻璃。
[0033]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該具有一著色層的觸板晶圓的制造步驟包括:提供一觸板晶圓，觸板晶圓具有相對(duì)的正面及反面;涂布一著色層于該觸板晶圓的正面上；涂布一第二粘著層于該著色層上;使一觸板結(jié)合至該第二粘著層上;薄化該觸板晶圓的反面；以及圖案化該薄化的觸板晶圓的反面，形成多個(gè)彼此互相間隔的固晶區(qū)，且每一所述固晶區(qū)包括一基部及一位在基部上的間隔部，其中該基部包括一觸板、一著色層及一夾于該觸板與該著色層間的第二粘著層，該間隔部是形成于該著色層上，且該間隔部具有一裸露出該著色層表面的凹穴。
[0034]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中構(gòu)成該基部的該觸板的材料包括玻璃，而構(gòu)成該間隔部的材料包括玻璃或娃。
[0035]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該第一粘著層的材料包括中、低電容系數(shù)的介質(zhì)材料。
[0036]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括焊球及/或焊接凸塊及/或?qū)щ娭?br>[0037]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該感測(cè)元件包括觸控元件、生物特征辨識(shí)元件或環(huán)境因子感測(cè)元件。
[0038]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該生物特征辨識(shí)元件包括指紋辨識(shí)元件。
[0039]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，還包括一緩沖裝置，設(shè)置于該電路板的背面。
[0040]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其中該緩沖裝置包括一彈簧或一彈力鈕(spring button)。
[0041]本發(fā)明的另一目的是提供一種如上所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，還包括一觸發(fā)元件，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體的該凹穴內(nèi)，且該觸發(fā)元件與該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片電性連接。
【附圖說明】
[0042]圖1A?圖1E及圖1C’?圖1E’顯不根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的剖面制程。
[0043]圖2A?圖2C及圖2B?圖2C的顯不根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一■的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的剖面制程。
[0044]圖3A?圖3D的顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的圖2A的固晶區(qū)剖面制程。
[0045]其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下:
[0046]10、10’晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片
[0047]100基板
[0048]10a第一上表面
[0049]10b第一下表面
[0050]115導(dǎo)電墊[0051 ] 150感測(cè)元件
[0052]210絕緣層
[0053]220重布線層(RDL)
[0054]230鈍化保護(hù)層
[0055]240孔洞
[0056]245鑄膠層
[0057]250導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
[0058]250A導(dǎo)電柱
[0059]250B焊球
[0060]30固晶區(qū)
[0061]300觸板晶圓
[0062]300’觸板
[0063]310基部
[0064]320間隔部
[0065]330凹穴
[0066]330a底墻
[0067]330b側(cè)墻
[0068]350著色層
[0069]400第一粘著層
[0070]445導(dǎo)電接觸墊
[0071]450電路板
[0072]460緩沖裝置
[0073]50固晶區(qū)
[0074]500、500’觸板晶圓
[0075]510基部
[0076]520著色層
[0077]530第二粘著層
[0078]540觸板
[0079]545間隔層
[0080]550凹穴[0081 ]SC切割道
[0082]A、A’、B、B’晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體
[0083]1000、1000’、2000、2000’晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組。
【具體實(shí)施方式】
[0084]以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。
[0085]〈實(shí)施例一〉
[0086]以下將配合圖1A?圖1E及圖1C’?圖1E ’，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例一的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組以及其制造方法。
[0087]請(qǐng)先參照?qǐng)D1A，先提供一觸板晶圓300，其表面包括多個(gè)固晶區(qū)30，且在各固晶區(qū)30外圍有一預(yù)定的圓形切割道SC。在本實(shí)施例中，觸板晶圓300可選自透明且硬度大于7的材料，例如玻璃。
[0088]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其顯示的是沿圖1A的剖面線Ι-Γ所呈現(xiàn)的固晶區(qū)30的剖面圖。如圖1B所示，固晶區(qū)30包括一基部310以及一個(gè)位在基部上的間隔部320，該間隔部320具有一露出基部310表面的凹穴330，其具有一底墻330a，以及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻330b。在本實(shí)施例中，凹穴330可通過微影蝕刻、銑削(milling)或鑄模等技術(shù)達(dá)成。其中，間隔部320的厚度為基部310的厚度的十倍以上，在本實(shí)施例之間隔部320的厚度約為500μπι，而基部310的厚度約為50μπι。此外，還包括一著色層350，覆蓋于各固晶區(qū)30的間隔層30表面及凹穴330的底墻330a及側(cè)墻330b。
[0089]其次，請(qǐng)參照?qǐng)D1C及圖1C’，提供多個(gè)如圖1C所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10，或多個(gè)如圖1C’所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10’。其中，每一個(gè)晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10、10’均包括一基板100，其具有相對(duì)的一第一上表面10a與一第一下表面100b，且鄰近該第一上表面10a處包括有一感測(cè)元件150以及多個(gè)導(dǎo)電墊115，而鄰近該第一下表面10b處則包括有一介電層210、重布線層(RDL)220、鈍化保護(hù)層230以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250。其中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250乃通過一重布線層(RDL)220與導(dǎo)電墊115電性連接。其中，圖1C所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10，其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250在本實(shí)施例為焊球，在根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250也可為焊接凸塊或?qū)щ娭?。此外，圖1C’所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10’，其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250由導(dǎo)電柱250A和焊球250b所構(gòu)成，且導(dǎo)電柱250A溝填于一個(gè)貫穿鈍化保護(hù)層230及鈍化保護(hù)層230表面的鑄膠層245且裸露出部分重布線層220的貫穿孔內(nèi)，而焊球250B則位在鑄膠層246表面且與導(dǎo)電柱250A連接。其中，鑄膠層的厚度約ΙΟΟμπι，且其材料可選自例如環(huán)氧樹脂等。
[0090]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1D及圖1D’，在圖1C所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10的第一上表面10a上或圖1C’所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10’的第一上表面10a上涂布一第一粘著層400，或者在凹穴300的底墻330a涂布一第一粘著層400，使得晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10或10’分別被粘貼固定于如圖1B所示各固晶區(qū)30內(nèi)的凹穴330的底墻330a表面的著色層350上。此外，其他可觸發(fā)感測(cè)晶片10、10’啟動(dòng)的電子元件，例如觸發(fā)元件(未顯示)，也可通過第一粘著層400被固定于各固晶區(qū)30內(nèi)的凹穴330的底墻330a表面的著色層350上，并與感測(cè)晶片10、10’電性連接。
[0091]然后，沿著各固晶區(qū)30外的切割道SC，切割觸板晶圓300，進(jìn)而形成多個(gè)獨(dú)立的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體A、A’。其中，每一晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體A、A’分別包括一俯視輪廓為矩形的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10、10’，其表面具有一感測(cè)元件150以及多個(gè)環(huán)繞感測(cè)元件150的導(dǎo)電墊115，以及一個(gè)由基部310和間隔部320所形成的觸板300’，其俯視輪廓為圓形，且觸板300’的尺寸大于晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10、10’。
[0092]最后，請(qǐng)參照?qǐng)D1E及圖1E’，提供一表面具有多個(gè)導(dǎo)電接觸墊445的電路板450，使得上述制程所獲得的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體A、A’可分別通過其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250與電路板450上的導(dǎo)電接觸墊445電性結(jié)合，并分別形成一晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體模組1000、1000’。此外，還可在電路板450的背面裝配一緩沖裝置460，例如彈簧、或彈力鈕，使得觸板300’被使用者按壓時(shí)，提供晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體A、A’與電路板450間一緩沖力，避免晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體A、A’與電路板450間的接合處被按壓的力量所破壞。
[0093]〈實(shí)施例二〉
[0094]以下將配合圖2A至圖2C及圖2B’至圖2C’，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例二的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組以及其制造方法。
[0095]請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其所顯示的是一固晶區(qū)50的剖面示意圖。如圖2A所示，固晶區(qū)50包括一基部510以及一位在該基部510上且環(huán)繞該基部510周圍的間隔部545，其中間隔部545還包括一裸露出基部510表面的凹穴550。此外，本實(shí)施例的基部510包括一觸板540、一著色層520及一夾于該觸板540與該著色層520間的第二粘著層530，且該間隔部545形成于著色層520 上。
[0096]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B及圖2B’，通過第一粘著層400，使如圖1C或圖1C’所示的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片10或10’被固定于圖2A所示的固晶區(qū)50的凹穴550底部所裸露的著色層520上。然后，沿著各固晶區(qū)50外的切割道SC切割觸板晶圓500’，進(jìn)而獲得如圖2B及圖2B’所示的多個(gè)獨(dú)立的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體B、B’。
[0097]然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C及圖2C’，提供一如圖1E所示的電路板450，使得上述制程所獲得的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體B、B’，可分別通過其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250與電路板450上的導(dǎo)電接觸墊445電性結(jié)合，并分別形成一晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體模組2000、2000’。
[0098]此外，其他可觸發(fā)感測(cè)晶片10、10’啟動(dòng)的電子元件，例如觸發(fā)元件(未顯示)，也可固定于各固晶區(qū)50內(nèi)的凹穴550底部的著色層350上，并與感測(cè)晶片10、10’電性連接。
[0099]上述的固晶區(qū)50，其制程乃描述于圖3A?圖3D。如圖3A所示，先提供一觸板晶圓500，其材質(zhì)可選自硅或玻璃。其次如圖3B所示般，在觸板晶圓500正面依序形成一著色層520、一第二粘著層以及一觸板540于觸板晶圓500上。其中，在本實(shí)施例中，觸板晶圓500的材料可選自透明玻璃或硅晶圓，而觸板540則可選自透明且硬度大于7的材料，例如玻璃、藍(lán)寶石或氮化硅。
[0100]然后，利用蝕刻制程、銑削(milling)制程、磨削(gri nd i ng )制程或研磨(polishing)制程，薄化觸板晶圓500的背面，形成如圖3C所示般的較薄的觸板晶圓500’。
[0101]最后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，利用蝕刻、銑削等技術(shù)，自觸板晶圓500’的背面進(jìn)行圖案化，形成多個(gè)彼此互相間隔的固晶區(qū)50，且每一個(gè)固晶區(qū)50包括一基部510及一位在基部上的間隔部545，其中該基部510包括一觸板540、一著色層520及一夾于該觸板540與該著色層520間的第二粘著層530，且該間隔部545形成于著色層520上，且該間隔部545具有一裸露出該著色層520表面的凹穴550。
[0102]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，包括: 一晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體，包括: 一感測(cè)晶片，具有相對(duì)的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近該第一上表面處包括有一感測(cè)元件以及多個(gè)導(dǎo)電墊，而鄰近該第一下表面處則包括有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過一重布線層與所述導(dǎo)電墊電性連接； 一具有著色層的觸板，包括一基部及一位在該基部上的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻;及 一第一粘著層，位于該感測(cè)晶片與觸板之間，使得該感測(cè)晶片通過該第一上表面粘貼到該凹穴的該底墻，且該感測(cè)晶片被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞；以及 一電路板，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體下方，且該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體通過該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性結(jié)合至該電路板上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該觸板的尺寸大于該感測(cè)晶片的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該凹穴的俯視輪廓為矩形，而該觸板的俯視輪廓為圓形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該間隔部的厚度為該基部的厚度的十倍以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該著色層涂布于該凹穴的該底墻及該側(cè)墻。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，構(gòu)成該基部與該間隔部的材料包括玻璃。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該基部包括一觸板、一著色層及一夾于該觸板與該著色層間的第二粘著層，且該間隔部形成于該著色層上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，構(gòu)成該觸板的材料包括玻璃，而構(gòu)成該間隔部的材料包括玻璃或硅。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，構(gòu)成該第一粘著層的材料包括中、低電容系數(shù)的介質(zhì)材料。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括焊球及/或焊接凸塊及/或?qū)щ娭?1.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該感測(cè)元件包括觸控元件、生物特征辨識(shí)元件或環(huán)境因子感測(cè)元件。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該生物特征辨識(shí)元件包括指紋辨識(shí)元件。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，還包括一緩沖裝置，設(shè)置于該電路板的背面。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，該緩沖裝置包括一彈簧或一彈力鈕。15.根據(jù)權(quán)利要求1?14中任一項(xiàng)所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組，其特征在于，還包括一觸發(fā)元件，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體的該凹穴內(nèi)，且該觸發(fā)元件與該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片電性連接。16.—種晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，包括: 提供多個(gè)晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片，每一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片具有相對(duì)的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近該第一上表面處包括有一感測(cè)元件以及多個(gè)導(dǎo)電墊，而鄰近該第一下表面處則包括有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過一重布線層與所述導(dǎo)電墊電性連接； 提供一具有一著色層的觸板晶圓，該觸板晶圓包括有多個(gè)固晶區(qū)，且每一所述固晶區(qū)外均具有一預(yù)定的切割道，其中每一所述固晶區(qū)包括一基部及一位在該基部上的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻；提供一第一粘著層，使得每一所述感測(cè)晶片通過該第一上表面分別粘貼到各該凹穴的該底墻，且每一所述感測(cè)晶片均被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞； 沿該切割道，進(jìn)行一切割程序以獲得多個(gè)晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體，其中每一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體包括: 一所述感測(cè)晶片； 一具有著色層的觸板，包括一基部及一位在該基部上的間隔部，該間隔部具有一凹穴，且該凹穴具有一裸露出部分該基部的底墻及環(huán)繞該底墻的側(cè)墻;及 一第一粘著層，位于該感測(cè)晶片與觸板之間，使得該感測(cè)晶片通過該第一上表面粘貼到該凹穴的該底墻，且該感測(cè)晶片被該凹穴的該側(cè)墻所環(huán)繞；以及 提供一電路板，使其中一所述晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體通過所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性結(jié)合至該電路板上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該觸板的尺寸大于該感測(cè)晶片的尺寸。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，各該固晶區(qū)內(nèi)的該凹穴的俯視輪廓為矩形，而該基部的俯視輪廓為圓形。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該間隔部的厚度為該基部的厚度的十倍以上。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該著色層涂布于該凹穴的該底墻及該側(cè)墻。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，構(gòu)成該基部與該間隔部的材料包括玻璃。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，制造該具有一著色層的觸板晶圓的步驟包括: 提供一觸板晶圓，該觸板晶圓具有相對(duì)的正面及反面； 涂布一著色層于該觸板晶圓的正面上； 涂布一第二粘著層于該著色層上； 使一觸板結(jié)合至該第二粘著層上； 薄化該觸板晶圓的反面；以及 圖案化該薄化的觸板晶圓的反面，形成多個(gè)彼此互相間隔的固晶區(qū)，且每一所述固晶區(qū)包括一基部及一位在基部上的間隔部，其中該基部包括一觸板、一著色層及一夾于該觸板與該著色層間的第二粘著層，該間隔部形成于該著色層上，且該間隔部具有一裸露出該著色層表面的凹穴。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，構(gòu)成該觸板的材料包括玻璃，而構(gòu)成該間隔部的材料包括玻璃或硅。24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，構(gòu)成該第一粘著層的材料包括中、低電容系數(shù)的介質(zhì)材料。25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括焊球及/或焊接凸塊及/或?qū)щ娭?6.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該感測(cè)元件包括觸控元件、生物特征辨識(shí)元件或環(huán)境因子感測(cè)元件。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該生物特征辨識(shí)元件包括指紋辨識(shí)元件。28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，還包括一緩沖裝置，設(shè)置于該電路板的背面。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，該緩沖裝置包括一彈簧或一彈力鈕。30.根據(jù)權(quán)利要求16?29中任一項(xiàng)所述的晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝模組的制造方法，其特征在于，還包括一觸發(fā)元件，設(shè)置于該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片封裝體的該凹穴內(nèi)，且該觸發(fā)元件與該晶片尺寸等級(jí)的感測(cè)晶片電性連接。
【文檔編號(hào)】H01L23/49GK105895590SQ201510993044
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2015年12月25日
【發(fā)明人】張恕銘, 劉滄宇, 何彥仕
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司