Tft基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，在平坦層上沉積第二絕緣層后，利用半色調(diào)掩膜板制作該第二絕緣層上不同設計的兩過孔，所述半色調(diào)掩膜板包括全透光區(qū)域、及半透光區(qū)域，通過所述半色調(diào)掩膜板的全透光區(qū)域在該第二絕緣層上形成位于平坦層的過孔內(nèi)的過孔，通過所述半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)域在該第二絕緣層上形成位于平坦層上方的過孔，從而在形成該兩過孔過程中保證其各自對應的光阻材料均被曝光開的同時，使得第二絕緣層上位于平坦層上方的過孔CD Loss較小，減少覆蓋該過孔的金屬面積，進而提高面板的開口率及設計的空間性。
【專利說明】
TFT基板的制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術領域，尤其涉及一種用于內(nèi)嵌式觸控顯示面板中的TFT基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、刻蝕及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉動，顯示圖像。
[0005]觸控液晶顯示面板依感應技術不同可分為電阻式、電容式、光學式、音波式四種，目前主流的觸控技術為電容式，其中電容式又分為自電容式和互電容式，目前市場上的電容式觸控顯示面板為主要為互電容式，互電容的優(yōu)點在于可實現(xiàn)多點觸控。觸控顯示面板根據(jù)結構不同可劃分為:觸控電路覆蓋于液晶盒上式(On Cell)，觸控電路內(nèi)嵌在液晶盒內(nèi)式(In Cell)、以及外掛式。其中，外掛式觸控顯示面板是將觸控面板與液晶顯示面板分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸控功能的顯示面板，外掛式觸控顯示面板存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。內(nèi)嵌式觸控顯示面板具有成本較低、厚度較薄等優(yōu)點，受到各大面板廠家青睞，已演化為未來觸控技術的主要發(fā)展方向。
[0006]如圖1所示，為一種現(xiàn)有的用于內(nèi)嵌式觸控顯示面板中的TFT基板，其包括:基板100、緩沖層200、有源層300、柵極絕緣層400、柵極500、第一層間絕緣層600、源/漏極610、扇出線620、平坦層700、公共電極810與觸控掃描線(Tx)820、第二層間絕緣層850、觸控感應線(Rx)870、扇出轉接線880、鈍化層900、及像素電極950。其中，第二層間絕緣層850上有兩種不同的開孔設計，其上設有第一過孔851、及第二過孔852，所述第一過孔851位于平坦層700之上，觸控感應線870與平坦層700上的公共電極810通過該第一過孔851進行連接，而所述第二過孔852還需穿過平坦層700而位于平坦層700上的第三過孔710內(nèi)，所述扇出轉接線880與平坦層700下的扇出線620通過該第二過孔852進行連接。
[0007]其中，如圖2所示，在所述第二層間絕緣層850上形成第一、第二過孔851、852的具體過程為:首先在第二層間絕緣層850層上涂布光阻材料890，然后使用具有透光的第一過孔圖形861、及第二過孔圖形862的掩膜板860對光阻材料890進行曝光，光線穿過第一、第二過孔圖形861、862照射在光阻材料890上對其進行曝光；由于平坦層700的膜厚較厚，約為2.5μπι，且其上的第三過孔710的坡度(taper)較陡，約為55°，光阻材料890在平坦層700的第三過孔710處厚度偏厚，采用低能量的光照進行曝光，光阻材料890上對應第二過孔圖形862的部分則會曝不開，因此需要采用較大能量的光照進行曝光才能將其曝光開，而此時，對于光阻材料890上對應第一過孔圖形861的部分，曝光所采用的光照能量則是過量的，因此，該處會被過分曝光，那么后續(xù)通過刻蝕形成第一過孔851時，關鍵尺寸損失(CriticalDimens1n Loss，⑶Loss)較大，相較于第三過孔710內(nèi)形成的第二過孔852CD會比較大，通常情況下，第一過孔851比第二過孔852的⑶大約大1.6μπι。而后續(xù)所形成的觸控感應線870必須完全覆蓋第一過孔851，第一過孔851的CD變大就會造成觸控感應線870的面積同步增大，由于觸控感應線870采用不透光的金屬材料，其面積增大則會影響產(chǎn)品設計的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，能夠降低過孔的⑶Loss，從而減少覆蓋過孔的金屬面積，進而提高面板的開口率及設計的空間性。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0010]步驟1、提供一基板，在所述基板上依次形成緩沖層、有源層、柵極絕緣層、及柵極；
[0011]步驟2、在所述柵極、及柵極絕緣層上沉積第一層間絕緣層，在所述第一層間絕緣層上形成間隔設置的源極、漏極、及扇出線；
[0012]步驟3、在所述源極、漏極、扇出線、及第一層間絕緣層上沉積平坦層并進行圖案化處理，得到分別對應于所述漏極、及扇出線上方的第三過孔、及第四過孔;在所述平坦層上沉積第一透明導電層并進行圖案化處理，同時得到公共電極、與第一觸控線；
[0013]步驟4、提供一半色調(diào)掩膜板，所述半色調(diào)掩膜板包括全透光區(qū)域、及半透光區(qū)域；在所述平坦層、第一觸控線、及公共電極上沉積第二層間絕緣層，在所述第二層間絕緣層上涂布一層光阻材料，在同一曝光光照強度下使用所述半色調(diào)掩膜板對該層光阻材料進行曝光，然后進行顯影，得到光阻層；以光阻層為遮蔽層，對所述第二層間絕緣層進行刻蝕，對應于所述半色調(diào)掩膜板的全透光區(qū)域在所述第二層間絕緣層上形成第五過孔，對應于所述半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)域在所述第二層間絕緣層上形成第六過孔，所述第五過孔位于所述第四過孔中，且所述第五過孔的孔壁屬于第二層間絕緣層，所述第六過孔對應位于所述公共電極的上方；
[0014]步驟5、在所述第二層間絕緣層上形成第二觸控線、及扇出轉接線;所述扇出轉接線通過第五過孔與扇出線相接觸，所述第二觸控線通過第六過孔與公共電極相接觸；
[0015]步驟6、在所述第二觸控線、及扇出轉接線、及第二層間絕緣層上形成鈍化層，在所述鈍化層沉積第二透明導電層并進行圖案化處理，形成像素電極。
[0016]所述平坦層的厚度為2.2-3.4μπι。
[0017]所述步驟4中，曝光所采用的光照強度為30-40mJ/cm2。
[0018]所述遮光板上半透光區(qū)域與全透光區(qū)域的透光率比值為1/3-2/3。
[0019]所述第一、第二透明導電層的材料為透明金屬氧化物。
[0020]所述步驟I中在所述緩沖層上形成有源層的具體過程為:在所述緩沖層上沉積非晶硅層，對所述非晶硅層進行激光處理使其結晶為多晶硅層，采用光刻制程對所述多晶硅層進行圖案化，得到一多晶硅段；對該多晶硅段進行N型摻雜，形成位于兩端的N型重摻雜區(qū)、位于中間的第一溝道區(qū)、及位于N型重摻雜區(qū)與第一溝道區(qū)之間的N型輕摻雜區(qū)，得到有源層。
[0021 ]所述N型摻雜中摻入的離子為磷離子或砷離子。
[0022]所述源極、漏極、柵極與有源層構成NMOS晶體管。
[0023]所述步驟6還包括，在形成像素電極之前，對鈍化層、及第二層間絕緣層進行圖案化處理，得到位于第三過孔中的第七過孔;所述像素電極通過第七過孔與所述漏極相接觸。
[0024]所述緩沖層、柵極絕緣層、第一層間絕緣層、及第二層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0025]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，在平坦層上沉積第二絕緣層后，利用半色調(diào)掩膜板制作該第二絕緣層上不同設計的兩過孔，所述半色調(diào)掩膜板包括全透光區(qū)域、及半透光區(qū)域，通過所述半色調(diào)掩膜板的全透光區(qū)域在該第二絕緣層上對應形成位于平坦層的過孔內(nèi)的過孔，通過所述半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)域在該第二絕緣層上對應形成位于平坦層上方的過孔，從而在形成該兩過孔過程中保證其各自對應的光阻材料均被曝光開的同時，使得第二絕緣層上位于平坦層上方的過孔CD Loss較小，減少覆蓋該過孔的金屬面積，進而提高面板的開口率及設計的空間性。
[0026]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0027]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0028]附圖中，
[0029]圖1為現(xiàn)有的用于內(nèi)嵌式觸控顯示面板中的TFT基板的剖視示意圖；
[0030]圖2為圖1的TFT基板中在第二層間絕緣層上形成兩過孔的示意圖；
[0031 ]圖3為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的流程示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟I的示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟2的示意圖；
[0034]圖6為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟3的示意圖；
[0035]圖7-8為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟4的示意圖；
[0036]圖9為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟5的示意圖；
[0037]圖10為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟6的示意圖。
【具體實施方式】
[0038]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。[0039 ]請參閱圖3，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，該方法制作的TFT基板應用于內(nèi)嵌式觸控顯示面板中，包括如下步驟:
[0040]步驟1、如圖4所示，提供一基板10，在所述基板10上形成緩沖層15，在所述緩沖層15上沉積非晶硅層，對所述非晶硅層進行激光處理使其結晶為多晶硅層，采用光刻制程對所述多晶硅層進行圖案化，得到一多晶硅段;對該多晶硅段進行N型摻雜，形成位于兩端的N型重摻雜區(qū)21、位于中間的第一溝道區(qū)22、及位于N型重摻雜區(qū)21與第一溝道區(qū)22之間的N型輕摻雜區(qū)23，得到有源層20;在所述有源層20、及緩沖層15上沉積柵極絕緣層30，在所述柵極絕緣層30上沉積第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖案化處理，得到柵極35。
[0041]具體地，所述N型摻雜中摻入的離子可以為磷(P)離子或砷(As)離子。
[0042]具體地，所述基板1為透明基板，優(yōu)選為玻璃基板。
[0043]具體地，所述第一金屬層的材料可以是鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、及銅(Cu)中的一種或多種的堆棧組合。
[0044]具體地，所述緩沖層15、及柵極絕緣層30為氧化硅(S1x)層、氮化硅(SiNx)層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0045]步驟2、如圖5所示，在所述柵極35、及柵極絕緣層30上沉積第一層間絕緣層40，對所述第一層間絕緣層40與柵極絕緣層30進行圖案化處理，在所述第一層間絕緣層40與柵極絕緣層30上形成分別對應于所述有源層20兩端上方的第一過孔47、及第二過孔48;在所述第一層間絕緣層40上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到間隔設置的源極41、漏極42、及扇出線43;所述源極41、及漏極42分別通過第一、及第二過孔47、48與有源層20兩端相接觸。
[0046]具體地，所述第二金屬層的材料可以是鉬、鈦、鋁、及銅中的一種或多種的堆棧組入口 ο
[0047]具體地，所述源極41、漏極42、柵極35與有源層20構成NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬氧化物半導體)晶體管。
[0048]具體地，所述第一層間絕緣層40為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0049]步驟3、如圖6所示，在所述源極41、漏極42、扇出線43、及第一層間絕緣層40上形成平坦層50，對所述平坦層50進行圖案化處理，在所述平坦層50上形成分別對應于所述漏極42、及扇出線43上方的第三過孔51、及第四過孔52;在所述平坦層50上沉積第一透明導電層，對所述第一透明導電層進行圖案化處理，同時得到公共(COM)電極55、及數(shù)條第一觸控線58。
[0050]具體地，所述平坦層50的厚度為2.2-3.4μπι。
[0051]具體地，所述第一透明導電層的材料為透明金屬氧化物，所述透明金屬氧化物可以為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、及銦鍺鋅氧化物中的一種或多種；優(yōu)選為氧化銦錫(ΙΤ0)。
[0052]步驟4、如圖7-8所示，在所述平坦層50、第一觸控線58、及公共電極55上沉積第二層間絕緣層60，在所述第二層間絕緣層60上涂布一層光阻材料，使用一半色調(diào)掩膜板90對該層光阻材料進行曝光、及顯影，得到光阻層95;所述半色調(diào)掩膜板90包括全透光區(qū)域91、及半透光區(qū)域92;以光阻層95為遮蔽層，對所述第二層間絕緣層60進行刻蝕，對應于所述半色調(diào)掩膜板90的全透光區(qū)域91在所述第二層間絕緣層60上形成第五過孔61，對應于所述半色調(diào)掩膜板90的半透光區(qū)域92在所述第二層間絕緣層60上形成第六過孔62，所述第五過孔61位于所述第四過孔52中，且所述第五過孔61的孔壁屬于第二層間絕緣層60，所述第六過孔62對應位于所述公共電極55的上方。
[0053]具體地，所述步驟4中，曝光所采用的光照強度根據(jù)第五過孔61、及第六過孔62的設計尺寸、及第二層間絕緣層60上涂布的光阻材料的厚度所決定，其光照強度范圍大約為30-40mJ/cm2。在第二層間絕緣層60上涂布的光阻材料的厚度為1.5μπι時，曝光所采用的光照強度為33mJ/cm2左右。
[0054]具體地，所述遮光板90上半透光區(qū)域92的透光率根據(jù)第六過孔62的設計尺寸所決定，其與全透光區(qū)域91的透光率比值范圍為1/3-2/3。
[0055]具體地，所述第二層間絕緣層60為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0056]需要說明的是，本發(fā)明利用半色調(diào)掩膜板90制作該第二絕緣層60上不同設計的兩過孔，通過所述半色調(diào)掩膜板90的全透光區(qū)域91在該第二絕緣層60上對應形成位于平坦層50的第四過孔52內(nèi)的第五過孔61，通過所述半色調(diào)掩膜板90的半透光區(qū)域92在該第二絕緣層60上對應形成位于平坦層50上方的第六過孔62，從而在形成該第五、第六過孔61、62過程中，保證其各自對應的光阻材料均被曝光開的同時，使得第六過孔62的過孔CD Loss較小，減少后續(xù)形成的覆蓋該第六過孔62的第二觸控線71的面積，進而提高面板的開口率及設計的空間性。
[0057]步驟5、如圖9所示，在所述第二層間絕緣層60上沉積第三金屬層，對所述第三金屬層進行圖案化處理，得到第二觸控線71、及扇出轉接線72;所述扇出轉接線72通過第五過孔61與扇出線43相接觸，所述第二觸控線71通過第六過孔62與公共電極55相接觸。
[0058]具體地，所述第三金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、及銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0059]具體地，所述第一觸控線58與第二觸控線71分別為觸控掃描線(Tx)與觸控感應線(Rx)，兩者之間形成互電容，從而構成互電容式觸控感應器，實現(xiàn)內(nèi)嵌式觸控(In CellTouch)功能。
[0060]步驟6、如圖10所示，在所述第二觸控線71、扇出轉接線72、及第二層間絕緣層60上形成鈍化層80，之后對鈍化層80、及第二層間絕緣層60進行圖案化處理，得到位于第三過孔51中的第七過孔81;在所述鈍化層80上沉積第二透明導電層，對所述第二透明導電層進行圖案化處理，得到像素電極85，所述像素電極85通過第七過孔81與所述漏極42相接觸。
[0061 ]具體地，所述鈍化層80的材料為氮化硅或氧化硅。
[0062]具體地，所述第二透明導電層的材料為透明金屬氧化物，所述透明金屬氧化物可以為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、及銦鍺鋅氧化物中的一種或多種；優(yōu)選為氧化銦錫。
[0063]綜上所述，本發(fā)明提供的一種TFT基板的制作方法，在平坦層上沉積第二絕緣層后，利用半色調(diào)掩膜板制作該第二絕緣層上不同設計的兩過孔，所述半色調(diào)掩膜板包括全透光區(qū)域、及半透光區(qū)域，通過所述半色調(diào)掩膜板的全透光區(qū)域在該第二絕緣層上對應形成位于平坦層的過孔內(nèi)的過孔，通過所述半色調(diào)掩膜板的半透光區(qū)域在該第二絕緣層上對應形成位于平坦層上方的過孔，從而在形成該兩過孔過程中保證其各自對應的光阻材料均被曝光開的同時，使得第二絕緣層上位于平坦層上方的過孔CD Loss較小，減少覆蓋該過孔的金屬面積，進而提高面板的開口率及設計的空間性。
[0064]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成緩沖層(15)、有源層(20)、柵極絕緣層(30)、及柵極(35); 步驟2、在所述柵極(35)、及柵極絕緣層(30)上沉積第一層間絕緣層(40)，在所述第一層間絕緣層(40)上形成間隔設置的源極(41)、漏極(42)、及扇出線(43); 步驟3、在所述源極(41)、漏極(42)、扇出線(43)、及第一層間絕緣層(40)上沉積平坦層(50)并進行圖案化處理，得到分別對應于所述漏極(42)、及扇出線(43)上方的第三過孔(51)、及第四過孔(52);在所述平坦層(50)上沉積第一透明導電層并進行圖案化處理，同時得到公共電極(55)、與第一觸控線(58); 步驟4、提供一半色調(diào)掩膜板(90)，所述半色調(diào)掩膜板(90)包括全透光區(qū)域(91)、及半透光區(qū)域(92);在所述平坦層(50)、第一觸控線(58)、及公共電極(55)上沉積第二層間絕緣層(60)，在所述第二層間絕緣層(60)上涂布一層光阻材料，在同一曝光光照強度下使用所述半色調(diào)掩膜板(90)對該層光阻材料進行曝光，然后進行顯影，得到光阻層(95);以光阻層(95)為遮蔽層，對所述第二層間絕緣層(60)進行刻蝕，對應于所述半色調(diào)掩膜板(90)的全透光區(qū)域(91)在所述第二層間絕緣層(60)上形成第五過孔(61)，對應于所述半色調(diào)掩膜板(90)的半透光區(qū)域(92)在所述第二層間絕緣層(60)上形成第六過孔(62)，所述第五過孔(61)位于所述第四過孔(52)中，且所述第五過孔(61)的孔壁屬于第二層間絕緣層(60)，所述第六過孔(62)對應位于所述公共電極(55)的上方； 步驟5、在所述第二層間絕緣層(60)上形成第二觸控線(71)、及扇出轉接線(72);所述扇出轉接線(72)通過第五過孔(61)與扇出線(43)相接觸，所述第二觸控線(71)通過第六過孔(62)與公共電極(55)相接觸； 步驟6、在所述第二觸控線(71)、及扇出轉接線(72)、及第二層間絕緣層(60)上形成鈍化層(80)，在所述鈍化層(80)沉積第二透明導電層并進行圖案化處理，形成像素電極(85)。2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述平坦層(50)的厚度為2.2_3.4mi03.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，曝光所采用的光照強度為30-40mJ/cm2o4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述遮光板(90)上半透光區(qū)域(92)與全透光區(qū)域(91)的透光率比值為I /3-2/3。5.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二透明導電層的材料為透明金屬氧化物。6.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中在所述緩沖層(15)上形成有源層(20)的具體過程為:在所述緩沖層(15)上沉積非晶硅層，對所述非晶硅層進行激光處理使其結晶為多晶硅層，采用光刻制程對所述多晶硅層進行圖案化，得到一多晶硅段;對該多晶硅段進行N型摻雜，形成位于兩端的N型重摻雜區(qū)(21)、位于中間的第一溝道區(qū)(22)、及位于N型重摻雜區(qū)(21)與第一溝道區(qū)(22)之間的N型輕摻雜區(qū)(23)，得到有源層(20) ο7.如權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述N型摻雜中摻入的離子為磷離子或砷離子。8.如權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源極(41)、漏極(42)、柵極(35)與有源層(20)構成NMOS晶體管。9.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟6還包括，在形成像素電極(85)之前，對鈍化層(80)、及第二層間絕緣層(60)進行圖案化處理，得到位于第三過孔(51)中的第七過孔(81);所述像素電極(85)通過第七過孔(81)與所述漏極(42)相接觸。10.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述緩沖層(15)、柵極絕緣層(30)、第一層間絕緣層(40)、及第二層間絕緣層(60)為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
【文檔編號】G02F1/1368GK105895581SQ201610462774
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】盧改平
【申請人】武漢華星光電技術有限公司