陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]IXD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)產(chǎn)生閃爍(Flicker)現(xiàn)象的原因有多種，最主要的原因是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)漏電的差異，即TFT在施加負(fù)性灰階電壓時(shí)的漏電大于施加正性灰階電壓時(shí)的漏電，導(dǎo)致陣列基板的存儲(chǔ)電容在正負(fù)性灰階電壓時(shí)的電容量存在差值。隨著LCD廣泛應(yīng)用于各個(gè)顯示領(lǐng)域，并且為了降低功耗，LCD往往被施加較低的source(源極)驅(qū)動(dòng)電壓，導(dǎo)致相鄰灰階的灰階電壓之差變小，更容易加劇閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置，能夠改善閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，確保顯示效果。
[0004]本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括襯底基材以及形成于襯底基材上的第一金屬層、絕緣層、多晶硅半導(dǎo)體層、介質(zhì)隔離層以及第二金屬層，第一金屬層包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的第一金屬層為陣列基板的TFT的柵極，第二金屬層包括間隔設(shè)置的第三區(qū)域和第四區(qū)域，第三區(qū)域和第四區(qū)域的第二金屬層分別為T(mén)FT的源極和漏極，多晶硅半導(dǎo)體層和第二區(qū)域的第一金屬層通過(guò)夾持于兩者之間的絕緣層絕緣重疊，或者，多晶硅半導(dǎo)體層和第四區(qū)域的第二金屬層通過(guò)夾持于兩者之間的介質(zhì)隔離層絕緣重疊，以形成陣列基板的MIS存儲(chǔ)電容。
[0005]其中，TFT的柵極位于多晶硅半導(dǎo)體層的上方，陣列基板還包括形成于襯底基材上的遮光金屬層以及設(shè)置于遮光金屬層和多晶硅半導(dǎo)體層之間的緩沖層，遮光金屬層包括間隔設(shè)置的第五區(qū)域和第六區(qū)域，第五區(qū)域位于第一區(qū)域的下方，緩沖層形成有第一接觸孔，多晶硅半導(dǎo)體層通過(guò)第一接觸孔與第六區(qū)域的遮光金屬層連接，第二區(qū)域的第一金屬層與第四區(qū)域的第二金屬層連接，使得多晶硅半導(dǎo)體層和第二區(qū)域的第一金屬層以及兩者之間的絕緣層形成陣列基板的MIS存儲(chǔ)電容。
[0006]其中，TFT的柵極位于多晶硅半導(dǎo)體層的上方，陣列基板還包括形成于襯底基材上的遮光金屬層以及設(shè)置于遮光金屬層和多晶硅半導(dǎo)體層之間的緩沖層，遮光金屬層包括間隔設(shè)置的第五區(qū)域和第六區(qū)域，第五區(qū)域位于第一區(qū)域的下方，第二金屬層還包括與第四區(qū)域相鄰間隔設(shè)置且遠(yuǎn)離第三區(qū)域的第七區(qū)域，多晶硅半導(dǎo)體層通過(guò)第七區(qū)域的第二金屬層與第六區(qū)域的遮光金屬層連接，第二區(qū)域的第一金屬層與第二區(qū)域的第二金屬層連接，使得多晶硅半導(dǎo)體層和第二區(qū)域的第一金屬層以及兩者之間的絕緣層形成陣列基板的MIS存儲(chǔ)電容。
[0007]其中，第六區(qū)域的遮光金屬層橫跨陣列基板的有效顯示區(qū)域，陣列基板還包括設(shè)置于襯底基材上的公共電極，第六區(qū)域的遮光金屬層在有效顯示區(qū)域的外圍與公共電極連接。
[0008]其中，TFT的柵極位于多晶硅半導(dǎo)體層的下方，絕緣層形成有第二接觸孔，多晶硅半導(dǎo)體層通過(guò)第二接觸孔與第二區(qū)域的第一金屬層連接，使得多晶硅半導(dǎo)體層和第四區(qū)域的第二金屬層以及兩者之間的介質(zhì)隔離層形成陣列基板的MIS存儲(chǔ)電容。
[0009]其中，TFT的柵極位于多晶硅半導(dǎo)體層的下方，第二金屬層還包括與第四區(qū)域相鄰間隔設(shè)置且遠(yuǎn)離第三區(qū)域的第七區(qū)域，多晶硅半導(dǎo)體層通過(guò)第七區(qū)域的第二金屬層與第二區(qū)域的第一金屬層連接，使得多晶硅半導(dǎo)體層和第四區(qū)域的第二金屬層以及兩者之間的介質(zhì)隔離層形成陣列基板的MIS存儲(chǔ)電容。
[0010]其中，第二區(qū)域的第一金屬層橫跨陣列基板的有效顯示區(qū)域，陣列基板還包括設(shè)置于襯底基材上的公共電極，第二區(qū)域的第一金屬層在有效顯示區(qū)域的外圍與公共電極連接。
[0011]其中，多晶硅半導(dǎo)體層包括重?fù)诫s處理后的多晶硅層。
[0012]本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板，包括上述陣列基板。
[0013]本發(fā)明提供的一種液晶顯示裝置，包括上述液晶顯示面板以及為該液晶顯示面板提供光線的光源模組。
[0014]本發(fā)明的陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置，設(shè)計(jì)由多晶硅半導(dǎo)體層和第一金屬層以及兩者之間的絕緣層或者多晶硅半導(dǎo)體層和第二金屬層以及兩者之間的介質(zhì)隔離層形成MIS存儲(chǔ)電容，當(dāng)?shù)谝唤饘賹踊虻诙饘賹右粋?cè)接收負(fù)性灰階電壓時(shí)，多晶硅半導(dǎo)體層中的P-Si會(huì)聚集形成空穴，當(dāng)接收正性灰階電壓時(shí)，在P-Si的上層會(huì)形成耗盡層，降低MIS存儲(chǔ)電容的電容量，從而降低MIS存儲(chǔ)電容在正負(fù)性灰階電壓時(shí)的電容量差值，改善閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，確保顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0016]圖2是圖1所示液晶顯示面板一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3是圖2所示的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0018]圖4是圖3所示的存儲(chǔ)電容的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0019]圖5是圖3所示的存儲(chǔ)電容的C-V曲線圖；
[0020]圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖7是圖6所示像素區(qū)域沿A-A線的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0022]圖8是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖9是圖8所示像素區(qū)域沿B-B線的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0024]圖10是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖11是圖10所示像素區(qū)域沿C-C線的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0026]圖12是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖13是圖12所示像素區(qū)域沿D-D線的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0028]圖14是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)剖視圖。如圖1所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板10包括相對(duì)間隔設(shè)置的彩膜基板(Color Filter Substrate，簡(jiǎn)稱CF基板，又稱彩色濾光片基板)11和陣列基板(Thin Film Transistor Substrate，簡(jiǎn)稱TFT基板，又稱薄膜晶體管基板或Array基板)12以及填充于兩基板之間的液晶(液晶分子)13，該液晶13位于陣列基板12和彩膜基板11疊加形成的液晶盒內(nèi)。
[0030]結(jié)合圖2所示液晶顯示面板10的像素結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板12包括沿列方向設(shè)置的數(shù)多條據(jù)線D、沿行方向設(shè)置的多條掃描線G以及由掃描線G和數(shù)據(jù)線D定義的多個(gè)像素區(qū)域P。其中，每一像素區(qū)域P連接對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線D和一條掃描線G，各條掃描線G連接于柵極驅(qū)動(dòng)器21以對(duì)各像素區(qū)域P提供掃描電壓，各條數(shù)據(jù)線D連接于源極驅(qū)動(dòng)器22以對(duì)各像素區(qū)域P提供灰階電壓。進(jìn)一步結(jié)合圖3所示的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖，陣列基板12包括薄膜晶體管T、存儲(chǔ)電容Cst以及液晶電容Cl。，液晶電容Cl。由位于像素區(qū)域P的像素電極、液晶顯示面板10的公共電極以及位于兩者之間的液晶13形成。
[0031]根據(jù)液晶顯示面板10的顯示原理，通過(guò)為掃描線G輸入掃描電壓，位于同一行的薄膜晶體管T被同時(shí)打開(kāi)，且在一定時(shí)間后下一行的薄膜晶體管T被同時(shí)打開(kāi)，依次類推。由于每一行薄膜晶體管T打開(kāi)的時(shí)間比較短，液晶電容C1。充電控制液晶13偏轉(zhuǎn)的時(shí)間較短，很難達(dá)到液晶13的響應(yīng)時(shí)間，存儲(chǔ)電容Cst便可以用于在薄膜晶體管T關(guān)閉后維持像素區(qū)域P的電壓，從而為液晶13響應(yīng)提供時(shí)間。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)電容Cst為MIS(Metal Insulator Semiconductor，金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)存儲(chǔ)電容，如圖4所示，該MIS存儲(chǔ)電容Cst由金屬層41和多晶硅(polycrystalline si I icon, P-Si)半導(dǎo)體層42通過(guò)夾持于兩者之間的絕緣層43絕緣重疊形成。其中，對(duì)應(yīng)位于MIS存儲(chǔ)電容Cst區(qū)域的多晶硅半導(dǎo)體層42為重?fù)诫s處理后的多晶硅層，優(yōu)選在多晶硅層中重?fù)诫sBe (鈹)。
[0033]當(dāng)金屬層41一側(cè)接收負(fù)性灰階電壓時(shí)，多晶硅半導(dǎo)體層42中的P-Si會(huì)聚集形成空穴421，當(dāng)金