以及溝道區(qū)對應的位置處形成鈍化層。
[0041]鈍化層為Si02或者SiN x通過CVD或者PECVD技術形成，覆蓋在源、漏極圖案層之上。
[0042]S17、通過構圖工藝將IGZ0層圖案化以保留溝道區(qū)和源、漏極圖案對應的IGZ0層以形成IGZ0圖案層，本步驟與形成源、漏極圖案層的步驟采用的是同一道光罩。
[0043]步驟S17中，采用與形成源、漏極圖案層的步驟中的同一道光罩將完全覆蓋柵極絕緣層的IGZ0層進行圖案化，即形成TFT的有源層，由于本步驟使用的光罩與形成該源、漏極圖案層使用的光罩為同一道光罩，又由于鈍化層形成在溝道區(qū)對應的位置，因而，在對IGZ0層進行圖案化的時候，蝕刻時，僅蝕刻去除溝道區(qū)對應的鈍化層，而不會除去溝道區(qū)對應的蝕刻阻擋層，最終所得的IGZ0圖案層與源、漏極圖案層的圖案相近，該IGZ0圖案層的一部分為溝道區(qū)，其余部分則完全位于源、漏極圖案層之下。
[0044]區(qū)別于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過在形成IGZ0層的時候不對IGZ0層進行圖案化，因而在該步驟中節(jié)省了一道光罩，直至形成源、漏極圖案層并在其上形成了鈍化層之后，再將IGZ0層進行圖案化，由于鈍化層已經(jīng)形成，因而在對IGZ0層進行圖案化的時候，只干刻掉溝道區(qū)對應的鈍化層，而溝道區(qū)對應的蝕刻阻擋層得以保留，因而保護了溝道區(qū)的IGZ0層。并且，在圖案化IGZ0層時與源、漏極圖案層形成時所使用的光罩為同一光罩，因而沒有增加光罩的數(shù)量，因而本發(fā)明的TFT陣列基板的制備方法中減少了一道光罩的使用，降低了成本。
[0045]請參閱圖2，圖2是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第二實施例的流程示意圖。圖
3是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第二實施例的工藝流程圖。
[0046]具體地，本實施例的TFT陣列基板的制備方法包括以下步驟:
[0047]S21、通過構圖工藝在襯底201上形成柵極202。
[0048]請參閱圖4，圖4是圖2中步驟S21的流程示意圖。
[0049]具體而言，步驟S21包括:
[0050]S211、在襯底201上沉積第一金屬層。
[0051]具體地，該第一金屬層為鉬、銅、鋁及鋁合金，或者鋁層、鎢層和鉻層疊加后形成的金屬化合物導電層通過PVD工藝形成。
[0052]S212、在第一金屬層上涂布光阻層并采用第一光罩根據(jù)預設圖案進行曝光。
[0053]例如，本實施例使用的是正向光阻，第一光罩的形狀即所需形成的柵極的形狀，第一光罩遮擋在需要形成柵極的位置使該位置的光阻不被光線照射，因而不會溶于光阻顯影液，該位置的第一金屬層位于光阻下方。而其它被光線照射的位置的光阻則溶于光阻顯影液，使該位置的第一金屬層暴露出來。
[0054]S213、蝕刻去除預設圖案以外的第一金屬層，以形成預設圖案的柵極202。
[0055]具體地，將被暴露出來的第一金屬層通過濕刻去除，而未被暴露出來的第一金屬層保留。
[0056]S214、剝離剩余的光阻層。
[0057]剝離剩余光阻層之后，剩余的第一金屬層即TFT的柵極202。
[0058]S22、在形成柵極202的襯底之上沉積柵極絕緣層203。
[0059]具體地，通過CVD或者PECVD技術形成柵極絕緣層203，柵極絕緣層203可以為一層結構，或者兩層結構，例如，一層可以是S1jl、SiNx或者A10，第二層一般采用SiNx。
[0060]S23、在柵極絕緣層203之上沉積IGZ0層。
[0061]IGZ0層作為TFT的有源層，本發(fā)明的IGZ0層完全覆蓋在柵極絕緣層203上，且，本發(fā)明中，在沉積了 IGZO層之后，不需要立即對IGZO層進行圖案化，而是保留其形狀。
[0062]S24、通過構圖工藝在在IGZ0層上形成蝕刻阻擋層205。
[0063]請參閱圖5，圖5是圖2中步驟S24的流程示意圖。
[0064]具體而言，步驟S24包括:
[0065]S241、在IGZ0層上沉積蝕刻阻擋材料。
[0066]蝕刻阻擋層通過CVD或者PECVD技術形成，蝕刻阻擋材料可以是Si02或者SiNx。蝕刻阻擋材料覆蓋在IGZ0層上，可以在后續(xù)形成源、漏極圖案層的時候保護金屬氧化物IGZ0層不被破壞。
[0067]S242、在蝕刻阻擋材料上涂布光阻層并采用第二光罩根據(jù)預設圖案進行曝光。
[0068]舉例而言，本實施例使用的是正向光阻，由于本步驟主要是為了形成蝕刻阻擋層以及在蝕刻阻擋層上形成第一過孔，以使后續(xù)形成的源、漏極圖案層貫穿第一過孔而與IGZ0層連接。因此，該第二光罩的形狀為不遮擋需要形成第一過孔的位置的蝕刻阻擋材料，而遮擋其它位置的蝕刻阻擋材料。在光照射以及顯影之后，需要形成第一過孔的位置的光阻溶于光阻顯影液，使該位置的蝕刻阻擋材料暴露出來，其余位置的光阻保留。
[0069]S243、蝕刻去除預設圖案以外的蝕刻阻擋材料，以在蝕刻阻擋材料上設有第一過孔208，以使源、漏極圖案層206貫穿第一過孔208而與IGZ0層連接。
[0070]具體地，通過干刻將暴露出來的蝕刻阻擋材料去除，以形成第一過孔，其余位置由于表面有光阻，因而不會被干刻去除。
[0071]S244、剝離剩余的光阻層。
[0072]將剩余的光阻層剝離之后，使蝕刻阻擋材料暴露出來，即蝕刻阻擋層205。
[0073]S25、通過構圖工藝在蝕刻阻擋層205上形成源、漏極圖案層206，源、漏極圖案層206與IGZ0層連接，源極和漏極之間的位置對應的IGZ0層為溝道區(qū)200。
[0074]請參閱圖6，圖6是圖2中步驟S25的流程示意圖。
[0075]具體地，步驟S25包括:
[0076]S251、在蝕刻阻擋層205上沉積第二金屬層。
[0077]本步驟通過PVD技術在蝕刻阻擋層上形成第二金屬層，該第二金屬層可以是鉬、銅、鋁或者鉻等金屬。沉積第二金屬層的時候，金屬進入第一過孔內(nèi)進行填充，從而使源、漏極圖案層與IGZ0層連接。
[0078]S252、在第二金屬層上涂布光阻層并采用第三光罩根據(jù)預設圖案進行曝光。
[0079]本步驟采用的是正向光阻，第三光罩遮擋了需要形成源極和漏極的位置處的光阻而使該位置處的光阻在曝光和顯影之后仍然保留，其中，源極位于柵極的一側(cè)，漏極位于柵極的另一側(cè)。而其余的光阻則被光照射而溶于顯影液中，在該部分的光阻溶于顯影液之后，其下方的第二金屬層被暴露出來，而其它位置的第二金屬層仍然位于光阻層下方。
[0080]S253、蝕刻去除預設圖案以外的金屬，以形成源、漏極圖案層206。
[0081]通過濕刻將暴露出來的第二金屬層去除，其余位置的金屬由于位于光阻的下方而保留。
[0082]S254、剝離剩余的光阻層。
[0083]剝離剩余的光阻，使得其下方的第二金屬層暴露出來，該剩余的第二金屬層則為源、漏極圖案層。
[0084]S26、通過構圖工藝在源、漏極圖案層206之上以及溝道區(qū)200對應的位置處形成鈍化層207。
[0085]請參閱圖7，圖7是圖2中步驟S26的流程示意圖。
[0086]具體地，S26包括以下步驟:
[0087]S261、在源、漏極圖案層206之上沉積鈍化材料。
[0088]鈍化材料可以是Si02或者SiN x，其中，沉積的方式為通過CVD或者PECVD技術進行。
[0089]S262、在鈍化材料上涂布光阻層并采用第四光罩根據(jù)預設圖案進行曝光。
[0090]本實施例使用正向光阻，第四光罩的形狀即所需形成的鈍化層的形狀，例如，本實施例的鈍化層需要覆蓋在源、漏極圖案層之上，并且溝道區(qū)所在的位置對應的鈍化層也保留，并且，在鈍化層上還設有第二過孔，因而，本實施例的光罩能遮擋的是源、漏極圖案層對應的位置以及溝道區(qū)對應的位置，因而該位置處的光阻不會溶于光阻顯影液中，而其它位置，如源、漏極圖案層和溝道區(qū)以外的位置，以及第二過孔形成的位置則不被光罩所遮擋，因而這些地方的光阻則溶于光阻顯影液而使這些位置處的鈍化層暴露出來。
[0091]S263、蝕刻去除預設圖案以外的金屬，以形成鈍化層207，鈍化層207遮擋與源、漏極圖案層206對應的蝕刻阻擋層205以及與溝道區(qū)200對應的蝕刻阻擋層205，且鈍化層207上設有第二過孔209，以使像素電極210貫穿第二過孔209與源、漏極圖案層206連接。
[0092]步驟S263中，通過干刻技術將暴露出來的鈍化材料去除，而未被暴露出來的鈍化材料則保留
[0093]S264、剝離剩余的光阻層。
[0094]剝離剩余光阻層之后，剩余的鈍化材料即形成鈍化層207。
[0095]S27、通過構圖工藝將IGZ0層圖案化保留溝道區(qū)200和源、漏極圖案層206對應的IGZ0層以形成IGZ0圖案層204，本步驟與形成源、漏極圖案層206的步驟采用的是同一道光罩。
[0096]請參閱圖8，圖8是圖2中步驟S27的流程示意圖。
[0097]具體地，步驟S27包括以下步驟:
[0098]S271、在鈍化層207及未被鈍化