Tft陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種TFT陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，近年來得到了迅速的發(fā)展。在液晶面板工業(yè)中，隨著目前顯示行業(yè)中大尺寸化，高解析度的需求越來越強(qiáng)烈，對(duì)有源層半導(dǎo)體器件充放電提出了更高的要求。
[0003]IGZO (indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物)是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，其具有高迀移率，載流子迀移率是非晶硅的20?30倍，可以大大提高TFT對(duì)像素電極的充放電速率，具有高開態(tài)電流、低關(guān)態(tài)電流可以迅速開關(guān)，提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，同時(shí)更快的響應(yīng)也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-1XD中成為可能。另外，由于晶體管數(shù)量減少和提高了每個(gè)像素的透光率，IGZ0顯示器具有更高的能效水平，而且效率更高。因而，IGZ0材料能有效滿足以上需求。
[0004]但目前的IGZ0-TFT技術(shù)仍然采用傳統(tǒng)的TFT制造工藝，為了保護(hù)IGZ0，使得在后續(xù)的刻蝕中不會(huì)造成對(duì)IGZ0特性的影響，需要形成一層蝕刻阻擋層ES (Etching Stop)來保護(hù)IGZ0層，在目前常用的IGZ0結(jié)構(gòu)中，ES結(jié)構(gòu)器件因有保護(hù)層的存在，其電性的穩(wěn)定性往往較其他結(jié)構(gòu)更好，但由于增加一道光罩，制備成本會(huì)明顯增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)存在的所需光罩?jǐn)?shù)量多導(dǎo)致成本增加的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種TFT陣列基板的制備方法，該制備方法包括以下步驟:通過構(gòu)圖工藝在襯底上形成柵極；在形成所述柵極的襯底之上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層之上沉積IGZ0層；通過構(gòu)圖工藝在所述IGZ0層上形成蝕刻阻擋層；通過構(gòu)圖工藝在所述蝕刻阻擋層上形成源、漏極圖案層，所述源漏極圖案層與所述IGZ0層連接，源極和漏極之間的位置對(duì)應(yīng)的所述IGZ0層為溝道區(qū)；通過構(gòu)圖工藝在所述源、漏極圖案層之上以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的位置處形成鈍化層；通過構(gòu)圖工藝將IGZ0層圖案化以保留所述溝道區(qū)和所述源、漏極圖案層對(duì)應(yīng)的IGZ0層以形成IGZ0圖案層，本步驟與形成所述源、漏極圖案層的步驟采用的是同一道光罩。
[0007]其中，通過構(gòu)圖工藝將IGZ0層圖案化以保留所述溝道區(qū)和所述源、漏極圖案層對(duì)應(yīng)的IGZ0層以形成IGZ0圖案層的步驟之后包括:通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層之上形成像素電極，所述像素電極與所述源、漏極圖案層連接。
[0008]其中，通過構(gòu)圖工藝在襯底上形成柵極的步驟包括:在襯底上沉積第一金屬層；在所述第一金屬層上涂布光阻層并采用第一光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除所述預(yù)設(shè)圖案以外的所述第一金屬層，以形成預(yù)設(shè)圖案的柵極；剝離剩余的光阻層。
[0009]其中，通過構(gòu)圖工藝在所述IGZ0層上形成蝕刻阻擋層的步驟包括:在所述IGZ0層上沉積蝕刻阻擋材料；在所述蝕刻阻擋材料上涂布光阻層并采用第二光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除所述預(yù)設(shè)圖案以外的所述蝕刻阻擋材料，以在蝕刻阻擋材料上形成第一過孔，以使所述源、漏極圖案層貫穿所述第一過孔而與所述IGZ0層連接；剝離剩余的光阻層。
[0010]其中，通過構(gòu)圖工藝在所述蝕刻阻擋層上形成源、漏極圖案層的步驟包括:在所述蝕刻阻擋層上沉積第二金屬層；在所述第二金屬層上涂布光阻層并采用第三光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除所述預(yù)設(shè)圖案以外的所述金屬，以形成源、漏極圖案層；剝離剩余的光阻層。
[0011]其中，通過構(gòu)圖工藝在所述源、漏極圖案層之上以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的位置處形成鈍化層的步驟包括:在所述源、漏極圖案層之上沉積鈍化材料；在所述鈍化材料上涂布光阻層并采用第四光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除所述預(yù)設(shè)圖案以外的所述金屬，以形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述源、漏極圖案層以及與所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的蝕刻阻擋層，且在所述鈍化層上形成第二過孔，以使所述像素電極貫穿所述第二過孔與所述源、漏極圖案層連接；剝離剩余的光阻層。
[0012]其中，通過構(gòu)圖工藝將IGZ0層圖案化以保留所述溝道區(qū)和所述源、漏極圖案層對(duì)應(yīng)的IGZ0層以形成IGZ0圖案層的步驟包括:在所述鈍化層和未被所述鈍化層遮擋的蝕刻阻擋層之上涂布光阻層并采用第三光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；干刻去除與所述溝道區(qū)的位置對(duì)應(yīng)的鈍化層，同時(shí)干刻去除未被所述鈍化層遮擋的蝕刻阻擋層，以使未被所述鈍化層遮擋的蝕刻阻擋層對(duì)應(yīng)的所述IGZ0層暴露出來；濕刻去除所述暴露出來的IGZ0層；剝離剩余的光阻層。
[0013]其中，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層之上形成像素電極，所述像素電極與所述源、漏極圖案層連接的步驟包括:在所述鈍化層之上沉積透明導(dǎo)電材料；在所述透明導(dǎo)電材料之上涂布光阻層并采用第五光罩根據(jù)預(yù)設(shè)圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除所述預(yù)設(shè)圖案以外的所述透明導(dǎo)電材料；剝離剩余的光阻層。
[0014]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，該陣列基板包括:襯底和在所述襯底上依次形成的柵極、柵極絕緣層、IGZ0圖案層、蝕刻阻擋層以及源、漏極圖案層和鈍化層；其中，所述源、漏極圖案層與所述IGZ0層連接，與源極和漏極之間的位置對(duì)應(yīng)IGZ0層的部分為溝道區(qū)，所述IGZ0層的其余部分的形狀與所述源、漏極圖案層的形狀相同。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在形成IGZ0層的時(shí)候不對(duì)IGZ0層進(jìn)行圖案化，因而在該步驟中節(jié)省了一道光罩，直至形成源、漏極圖案層并在其上形成了鈍化層之后，再將IGZ0層進(jìn)行圖案化，由于鈍化層已經(jīng)形成，因而在對(duì)IGZ0層進(jìn)行圖案化的時(shí)候，只干刻掉溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的鈍化層，而溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的蝕刻阻擋層得以保留，因而保護(hù)了溝道區(qū)的IGZ0層。并且，在圖案化IGZ0層時(shí)與源、漏極圖案層形成時(shí)所使用的光罩為同一光罩，因而沒有增加光罩的數(shù)量，因而本發(fā)明的TFT陣列基板的制備方法中減少了一道光罩的使用，降低了成本。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的流程示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第二實(shí)施例的流程示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第二實(shí)施例的工藝流程圖；
[0020]圖4是圖2中步驟S21的流程示意圖；
[0021]圖5是圖2中步驟S24的流程示意圖；
[0022]圖6是圖2中步驟S25的流程示意圖；
[0023]圖7是圖2中步驟S26的流程示意圖；
[0024]圖8是圖2中步驟S27的流程示意圖；
[0025]圖9是圖2中步驟S28的流程示意圖；
[0026]圖10是本發(fā)明一種陣列基本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖11是本發(fā)明一種顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0029]請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的流程示意圖。
[0030]SI 1、通過構(gòu)圖工藝在襯底上形成柵極。
[0031]柵極由金屬形成，例如鉬、銅、鋁及鋁合金，或者鋁層、鎢層和鉻層疊加后形成的金屬化合物導(dǎo)電層。
[0032]S12、在形成柵極的襯底之上沉積柵極絕緣層。
[0033]柵極絕緣層通過CVD或者PECVD技術(shù)成膜而形成，該柵極絕緣層可以是一層，也可以是兩層，一層可以是Si02、SiNx或者A10，第二層一般采用SiN x。
[0034]S13、在柵極絕緣層之上沉積IGZ0層。
[0035]IGZ0層作為TFT的有源層，本發(fā)明的IGZ0層完全覆蓋在柵極絕緣層上，且，本發(fā)明中，在沉積了 IGZ0層之后，不需要立即對(duì)IGZ0層進(jìn)行圖案化，而是保留其形狀。
[0036]S14、通過構(gòu)圖工藝在IGZ0層上形成蝕刻阻擋層。
[0037]蝕刻阻擋層通過CVD或者PECVD技術(shù)形成，蝕刻阻擋材料可以是Si02或者SiN x。蝕刻阻擋層覆蓋在IGZ0層上，可以在后續(xù)形成源、漏極圖案層的時(shí)候保護(hù)金屬氧化物IGZ0層不被破壞。
[0038]S15、通過構(gòu)圖工藝在蝕刻阻擋層上形成源、漏極圖案層，源漏極圖案層與IGZ0層連接，源極和漏極之間的位置對(duì)應(yīng)的IGZ0層為溝道區(qū)。
[0039]源、漏極圖案層由金屬形成，例如鉬、銅、鋁或者鉻等金屬。在每個(gè)TFT上形成一對(duì)相互隔開的源極和漏極，源極形成在柵極的一側(cè)，漏極形成在柵極的另一側(cè)。其中，一對(duì)源極和漏極之間的位置，即柵極所在的位置對(duì)應(yīng)的IGZ0層為溝道區(qū)。
[0040]S16、通過構(gòu)圖工藝在源、漏極圖案層之上