22b可以是各色光阻，所使用的材料可以是彩色光阻材料，而其顏色可以是紅色、綠色、 藍(lán)色、或者是透明色等。為了不同的顯示面板設(shè)計(jì)上的考慮，這些配置于單色像素區(qū)域內(nèi)的 彩色濾光片222b可以有多種配列方式，例如是馬賽克式、三角式、直條式等。不過，本發(fā)明 并不以各色彩色濾光片222b的顏色、材料及配置設(shè)計(jì)為限。
[0071] 液晶層230配置于第一基板210與第二基板220之間的間隙，用以改變?nèi)肷涔獾?方向。液晶層230的材料種類有多種，可以是向列型液晶（Nematic Liquid Crystal)、層 列型液晶（Smectic Liquid Crystal)、膽固醇型液晶（Cholesteric Liquid Crystal)等。 不過，本發(fā)明并不以此為限。
[0072] 主動(dòng)元件陣列層T1配置于第一基板210上，且主動(dòng)元件陣列層T1包括多個(gè)薄膜 晶體管100、多條數(shù)據(jù)線（未繪示）及多條掃描線（未繪示）。薄膜晶體管100所組成的 主動(dòng)組件數(shù)組對(duì)應(yīng)于上述彩色濾光片222b所形成的配列。值得說明的是，薄膜晶體管100 包括依序形成于一第一基板210上的的柵極電極110、柵極絕緣層120、溝道層130、保護(hù)層 140、源極電極150及漏極電極160。其中，保護(hù)層140覆蓋于部分溝道層130上，以裸露出 部分溝道層130,而源/漏極電極150、160與裸露出的部分溝道層130電性連接。其中，源 極電極160與資料線（未繪示）耦接，柵極電極110和掃描線（未繪示）耦接。
[0073] 溝道層130的材料是氧化銦鎵鋅。不過，本發(fā)明并不對(duì)此加以限制。具體而言， 溝道層130可以是透過磁控濺鍍法、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法或脈沖雷射蒸鍍法而制作。 在沉積完成后，對(duì)溝道層130進(jìn)行熱處理制程，例如是退火處理。其中，退火溫度介于200 度（°C )至400度（°C )之間。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1，將溝道層130由前溝道層130a往背溝道層 130b的方向依序劃分為第一區(qū)域I、第二區(qū)域II及第三區(qū)域III。第一區(qū)域I代表前溝道 層130a，第三區(qū)域III代表背溝道層130b，第二區(qū)域II代表則是介于前溝道層130a和背 溝道層130b之間的中間層130c。由第一區(qū)域I、第二區(qū)域II及第三區(qū)域III內(nèi)的曲線L2 的變化，第一區(qū)域I及第三區(qū)域III的氧空位濃度皆大于第二區(qū)域II的氧空位濃度。亦即， 前溝道層130a與背溝道層130b的氧空位濃度皆大于中間層130c的氧空位濃度，也就是說 大部分的氧空位存在于前溝道層130a與背溝道層130b。
[0074] 需詳細(xì)說明的是，在對(duì)溝道層130進(jìn)行熱處理的過程中，將使得溝道層130內(nèi)部的 氧空位移動(dòng)至前溝道層130a及背溝道層130b，從而改善薄膜晶體管的遲滯現(xiàn)象，進(jìn)一步改 善顯示面板200的響應(yīng)速度及改善其顯示畫面出現(xiàn)閃爍或是殘影的情形。
[0075] 〔實(shí)施例的可能功效〕
[0076] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的溝道層，沉積完成后，對(duì)溝道層進(jìn)行退火處理， 退火溫度介于200度（°C )至400度（°C )之間。將溝道層接近柵極絕緣層的一側(cè)開始產(chǎn) 生束縛能的位移處定義為前溝道，溝道層接近保護(hù)層的一側(cè)開始產(chǎn)生束縛能的位移處定義 為背溝道。將溝道層由前溝道往背溝道的方向依序劃分為第一區(qū)域、第二區(qū)域及第三區(qū)域。 第一區(qū)域代表接近前溝道的溝道層，第三區(qū)域代表接近背溝道的溝道層，第二區(qū)域代表則 是介于第一區(qū)和第三區(qū)域之間的溝道層。第一區(qū)域及第三區(qū)域的氧空位濃度皆大于第二區(qū) 域的氧空位濃度。亦即，大部分的氧空位存在于前溝道與背溝道。
[0077] 需詳細(xì)說明的是，在對(duì)溝道層進(jìn)行熱處理的過程中，將使得溝道層內(nèi)部的氧空位 移動(dòng)至前溝道及背溝道，從而改善薄膜晶體管的遲滯現(xiàn)象，進(jìn)一步改善顯示面板的響應(yīng)速 度及改善其顯示畫面出現(xiàn)閃爍或是殘影的情形。
[0078] 本發(fā)明的薄膜晶體管能應(yīng)用于多種不同的顯示面板，藉由改善薄膜晶體管的遲滯 現(xiàn)象，進(jìn)一步改善顯示面板的響應(yīng)速度及改善其顯示畫面出現(xiàn)閃爍或是殘影的情形。
[0079] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡 運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄膜晶體管，其特征在于，其包括： 一柵極電極，配置于一基板上； 一溝道層，與所述柵極電極電性絕緣； 一柵極絕緣層，配置于所述柵極電極與所述溝道層之間； 一源極電極，電性連接所述溝道層；以及 一漏極電極，電性連接所述溝道層， 其中所述溝道層定義出一接近所述柵極絕緣層的一側(cè)的前溝道層、一接近所述源極電 極和所述漏極電極的一側(cè)的背溝道層以及一位于所述前溝道層與所述背溝道層之間的中 間層，所述前溝道層的氧空位濃度大于所述中間層的氧空位濃度。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述前溝道層與所述背溝道層的氧空位濃 度皆大于所述中間層的氧空位濃度。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，更包括： 一保護(hù)層，配置于所述溝道層與所述源極電極及所述漏極電極之間，且覆蓋于部分所 述溝道層上以裸露出部分溝道層。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述前溝道層系定義為所述溝道層接近所 述柵極絕緣層的一側(cè)的束縛能開始產(chǎn)生位移處。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述前溝道層的厚度系介于lnm~10nm。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述背溝道層系定義為所述溝道層接近所 述源極電極與所述漏極電極的一側(cè)的束縛能開始產(chǎn)生位移處。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述背溝道層的厚度系介于lnm~10nm。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述溝道層為一金屬氧化物半導(dǎo)體層。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為氧化銦 鎵鋅，所述氧化銦鎵鋅的銦、鎵、鋅、氧原子的比例為1:1. 45~1.8:1~1.25:4. 3~4. 7。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為氧化 銦鎵鋅，所述前溝道層的氧空位濃度及所述背溝道層的氧空位濃度介于3%~20%之間。11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述保護(hù)層具有多個(gè)開口，所述源極電極 與所述漏極電極都透過所述開口而與所述溝道層接觸，而位于所述開口下方的所述溝道層 的氧空位濃度大于與所述保護(hù)層接觸的所述溝道層的氧空位濃度。12. -種顯示面板，其特征在于，包括： 一第一基板； 一第二基板，與所述第一基板結(jié)合；以及 一主動(dòng)元件陣列層，配置于所述第一基板及所述第二基板之間，所述主動(dòng)元件陣列層 包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括： 一柵極電極，配置于一基板上； 一溝道層，與所述柵極電極電性絕緣； 一柵極絕緣層，配置于所述柵極電極與所述溝道層之間； 一源極電極，電性連接所述溝道層；以及 一漏極電極，電性連接所述溝道層， 其中所述溝道層定義出一接近所述柵極絕緣層的一側(cè)的前溝道、一接近所述源極電極 和所述漏極電極的一側(cè)的背溝道層以及一位于所述前溝道層與所述背溝道層之間的中間 層，所述前通到層的氧空位濃度大于所述中間層的氧空位濃度。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中所述前溝道層與所述背溝道層的氧空位濃 度皆大于所述中間層的氧空位濃度。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，更包括： 一保護(hù)層，配置于所述溝道層與所述源極電極及所述漏極電極之間，且覆蓋于部分所 述溝道層上以裸露出部分溝道層。15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中所述前溝道層系定義為所述溝道層接近所 述柵極絕緣層的一側(cè)的束縛能開始產(chǎn)生位移處。16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中所述背溝道層系定義為所述溝道層接近所 述源極電極與所述漏極電極的一側(cè)的束縛能開始產(chǎn)生位移處。17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中所述溝道層為一金屬氧化物半導(dǎo)體層。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為氧化銦 鎵鋅，所述氧化銦鎵鋅的銦、鎵、鋅、氧原子的比例為1:1. 45~1.8:1~1.25:4. 3~4. 7。19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為氧化銦 鎵鋅，所述前溝道層的氧空位濃度及所述背溝道層的氧空位濃度介于3%~20%之間。20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中所述保護(hù)層具有多個(gè)開口，所述源極電極 與所述漏極電極都透過所述開口而與所述溝道層接觸，而位于所述開口下方的所述溝道層 的氧空位濃度大于與所述保護(hù)層接觸的所述溝道層的氧空位濃度。
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及顯示面板，其包括柵極電極、柵極絕緣層、源極電極、漏極電極及溝道層。柵極電極配置于一基板上，溝道層與柵極電極電性絕緣，柵極絕緣層配置于柵極電極與溝道層之間。源極電極與漏極電極皆與溝道層電性連接。溝道層定義出接近柵極絕緣層的一側(cè)的前溝道層、接近所述源極電極和所述漏極電極的一側(cè)的背溝道層以及位于前溝道層與背溝道層之間的中間層，其中前溝道層的氧空位濃度大于中間層的氧空位濃度。
【IPC分類】H01L29/786
【公開號(hào)】CN105374880
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410406098
【發(fā)明人】李冠鋒, 蔣國(guó)璋, 顏?zhàn)訒F
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2014年8月18日