電路。
[0021]根據(jù)圖2的測試裝置20的示例，控制單元21配置成生成彼此同步的第一和第二控制信號。
[0022]根據(jù)圖2的測試裝置20的示例，測試管腳組件22. 1以探測卡的形式被配置。
[0023]根據(jù)圖2的測試裝置20的示例，第一和第二測試管腳22. 11和22. 12相對于彼此被設(shè)置，使得它們連接到以側(cè)向方式被布置并被制造在一個(gè)且相同的半導(dǎo)體襯底30上的半導(dǎo)體管芯31和輔助半導(dǎo)體管芯32,半導(dǎo)體襯底30可例如由半導(dǎo)體晶片，特別是硅晶片組成。特別是，待測試的半導(dǎo)體器件可包括晶體管，特別是垂直晶體管，特別是絕緣柵雙極(IGB)晶體管。在這種情況下，半導(dǎo)體管芯(其具有被制造在其上的半導(dǎo)體器件）包括在半導(dǎo)體襯底30的第一上主表面上的第一接觸元件，即源極接觸元件和柵極接觸元件以及在半導(dǎo)體襯底30的第二下主表面上的漏極接觸元件的形式的第二接觸元件。在這種情況下且在示例性簡單配置中，第一測試管腳22. 11可包括用于接觸在測試下的半導(dǎo)體管芯31的源極接觸元件和柵極接觸元件的兩個(gè)測試管腳，且以相同的方式第二測試管腳22. 12可由用于接觸輔助半導(dǎo)體管芯32的源極接觸元件和柵極接觸元件的兩個(gè)測試管腳組成。
[0024]根據(jù)圖2的測試裝置20的示例，測試裝置20還包括用于接納半導(dǎo)體襯底的載體40,半導(dǎo)體襯底具有被制造在其上的多個(gè)半導(dǎo)體管芯31。根據(jù)其中的示例，載體40配置成接納半導(dǎo)體晶片、特別是具有標(biāo)準(zhǔn)大小的特別的半導(dǎo)體晶片的形式的半導(dǎo)體襯底。根據(jù)示例，載體40包括導(dǎo)電材料，且更具體地，載體40包括卡盤?？ūP可具有任何形式和結(jié)構(gòu)，且它可包括用于吸入半導(dǎo)體襯底的裝置。
[0025]圖2還描繪與載體40連接的虛線50。虛線50指明連接線50,其是將載體40和半導(dǎo)體管芯31的第二接觸元件連接到測試單元21所必需的，如果輔助半導(dǎo)體管芯32未被使用。由于高寄生電感，這樣的連接線50將是不利的。
[0026]圖3示出代表用于測試M0S晶體管器件的電感負(fù)載的開關(guān)時(shí)間測試電路30的等效電路的示意性電路圖。圖3所示的測試電路30示出M0S晶體管41，其柵極連接到電壓源Ves。M0S晶體管41的漏極接觸連接到也由M0S晶體管組成的輔助半導(dǎo)體器件42的漏極接觸。兩個(gè)漏極接觸都由如圖2所示的導(dǎo)電載體互連。輔助半導(dǎo)體器件42的源極接觸借助于電感器51和并聯(lián)連接到電感器51的二極管52連接到測試單元。輔助半導(dǎo)體器件42的柵極接觸也連接到測試單元。測試單元生成驅(qū)動器信號并將驅(qū)動器信號傳送到在測試下的半導(dǎo)體管芯41和輔助半導(dǎo)體器件42的柵極接觸。在在測試下的半導(dǎo)體管芯41的測試間隔期間，應(yīng)通過將電信號供應(yīng)到柵極接觸元件來接通輔助半導(dǎo)體器件42。作為結(jié)果，流經(jīng)在測試下的半導(dǎo)體管芯41的電流經(jīng)由載體流到輔助半導(dǎo)體器件42的漏極接觸元件并經(jīng)由晶體管器件的傳導(dǎo)路徑流到輔助半導(dǎo)體器件42的源極元件。輔助半導(dǎo)體器件的源極元件位于半導(dǎo)體襯底的上主表面處，并形成可由測試管腳組件的測試管腳、特別是探測卡連接的接觸位置。以這種方式，可執(zhí)行多種不同的測試方案和過程。
[0027]雖然關(guān)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)現(xiàn)已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明，可對所示示例做出變更和/或修改而不偏離所附權(quán)利要求的精神和范圍。特別是關(guān)于由上述部件或結(jié)構(gòu)(組件、器件、電路、系統(tǒng)等)執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的部件的術(shù)語(包括對“模塊”的提及）意在對應(yīng)于（除非另有指示）執(zhí)行所述部件(例如其在功能上是等效的）的指定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)，即使在結(jié)構(gòu)上不等效于執(zhí)行本發(fā)明的在本文示出的示例性實(shí)現(xiàn)中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于測試半導(dǎo)體管芯的方法，所述方法包括：提供測試裝置；提供導(dǎo)電載體；提供包括第一主表面、與所述第一主表面相對的第二主表面以及多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體管芯包括在所述第一主表面上的第一接觸元件和在所述第二主表面上的第二接觸元件；將所述半導(dǎo)體襯底放置在所述載體上，所述第二主表面面向所述載體；將所述載體電連接到設(shè)置在所述第一主表面上的接觸位置；以及通過將所述測試裝置與所述半導(dǎo)體管芯的所述第一接觸元件和所述接觸位置電連接來測試半導(dǎo)體管芯。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體管芯的至少部分包括晶體管、功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管和絕緣柵雙極（IGB)晶體管中的一個(gè)或多個(gè)。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述半導(dǎo)體襯底包括以這樣的方式制造所述半導(dǎo)體襯底，使得所述半導(dǎo)體襯底包括所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯和能夠提供在所述載體和所述接觸位置之間的電連接的輔助半導(dǎo)體管芯。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯包括在所述第一主表面上的第一接觸元件和在所述第二主表面上的第二接觸元件。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯的所述第一接觸元件與所述接觸位置相同。6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯包括開關(guān)、晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管和絕緣柵雙極（IGB)晶體管中的一個(gè)或多個(gè)。7.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯具有與所述半導(dǎo)體管芯相同的類型。8.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯是所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之一。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述輔助半導(dǎo)體管芯在待測試的所述半導(dǎo)體管芯附近或鄰近于待測試的所述半導(dǎo)體管芯。10.如權(quán)利要求3所述的方法，其中測試所述半導(dǎo)體管芯包括：生成第一控制信號并將所述第一控制信號供應(yīng)到待測試的所述半導(dǎo)體管芯；以及生成第二控制信號并將所述第二控制信號供應(yīng)到所述輔助半導(dǎo)體管芯。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一控制信號和第二控制信號被同步到彼此。12.—種用于測試半導(dǎo)體管芯的測試裝置，包括：測試管腳組件，其包括第一測試管腳和第二測試管腳，其中所述第一測試管腳布置成與待測試的半導(dǎo)體管芯的接觸元件連接，以及所述第二測試管腳布置成與輔助半導(dǎo)體管芯的接觸元件連接；以及控制設(shè)備，其與所述測試管腳組件連接并配置成生成第一控制信號并將所述第一控制信號供應(yīng)到所述第一測試管腳以及生成第二控制信號并將所述第二控制信號供應(yīng)到所述第二測試管腳。13.如權(quán)利要求12所述的測試裝置，其中所述第一控制信號和第二控制信號被同步到彼此。14.如權(quán)利要求12所述的測試裝置，其中所述第一測試管腳和第二測試管腳相對于彼此被設(shè)置，使得所述第一測試管腳和第二測試管腳分別連接到半導(dǎo)體管芯和在所述半導(dǎo)體管芯附近或鄰近于所述半導(dǎo)體管芯的輔助半導(dǎo)體管芯。15.如權(quán)利要求12所述的測試裝置，還包括：用于接納半導(dǎo)體襯底的載體，所述半導(dǎo)體襯底具有被制造在所述半導(dǎo)體襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體管芯。16.如權(quán)利要求15所述的測試裝置，其中所述載體是導(dǎo)電載體或卡盤。17.如權(quán)利要求12所述的測試裝置，其中所述測試管腳組件是探測卡。18.—種用于測試半導(dǎo)體管芯的測試裝置的測試管腳組件，所述測試管腳組件包括：第一測試管腳，其布置成與半導(dǎo)體管芯的接觸元件連接；以及第二測試管腳，其布置成與輔助半導(dǎo)體管芯的接觸元件連接。19.如權(quán)利要求18所述的測試管腳組件，其中所述第一測試管腳和第二測試管腳相對于彼此被設(shè)置，使得所述第一測試管腳和第二測試管腳分別連接到半導(dǎo)體管芯和在所述半導(dǎo)體管芯附近或鄰近于所述半導(dǎo)體管芯的輔助半導(dǎo)體管芯。20.如權(quán)利要求18所述的測試管腳組件，其中所述測試管腳組件是探測卡。
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于測試半導(dǎo)體管芯的方法和測試裝置。一種方法包括：提供測試裝置；提供導(dǎo)電載體；提供具有第一主表面、與第一主表面相對的第二主表面以及多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體管芯包括在第一主表面上的第一接觸元件和在第二主表面上的第二接觸元件；將半導(dǎo)體襯底放置在載體上，其中第二主表面面向載體；將載體電連接到設(shè)置在第一主表面上的接觸位置；以及通過將測試裝置與半導(dǎo)體管芯的第一接觸元件和接觸位置電連接來測試半導(dǎo)體管芯。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN105304515
【申請?zhí)枴緾N201510385500
【發(fā)明人】S.克拉姆普, M.洛伊沙歇爾, C.穆斯霍夫, E.塔爾曼
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年6月30日
【公告號】DE102015109835A1, US20150377954