有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光元件。更詳細(xì)地說，本發(fā)明涉及能夠用作電子設(shè)備的顯 示部等顯示裝置或照明裝置等的有機(jī)電致發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光元件（有機(jī)EL元件）作為能夠應(yīng)用于顯示用器件或照明的新型發(fā) 光元件而受到期待。
[0003] 有機(jī)電致發(fā)光元件具有在陽極與陰極之間夾有包括含有發(fā)光性有機(jī)化合物而形 成的發(fā)光層在內(nèi)的一種或兩種以上的層而成的結(jié)構(gòu)，利用從陽極注入的空穴與從陰極注入 的電子發(fā)生再結(jié)合時(shí)的能量對(duì)發(fā)光性有機(jī)化合物進(jìn)行激發(fā)，從而得到發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光 元件為電流驅(qū)動(dòng)型元件，為了更高效地利用所流通的電流，對(duì)元件結(jié)構(gòu)、構(gòu)成元件的層的材 料進(jìn)行了各種研究。
[0004] 最基本的且進(jìn)行了大量研究的有機(jī)電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)為安達(dá)等人提出的3層 結(jié)構(gòu)（參見非專利文獻(xiàn)1)，采取在陽極與陰極之間依次夾有空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層的結(jié)構(gòu)。在該提案以后，有機(jī)電致發(fā)光元件以3層結(jié)構(gòu)為基本結(jié)構(gòu)，通過承擔(dān)更多的作 用，以效率、壽命等性能的提高為目標(biāo)進(jìn)行了大量的研究。該構(gòu)思的基礎(chǔ)在于所注入的電子 在該時(shí)刻（在電極中）具有高能量。
[0005] 因此，有機(jī)電致發(fā)光元件通常容易因氧氣、水而發(fā)生劣化，為了防止它們的侵入， 嚴(yán)密的密封是不可或缺的。作為劣化的原因，可以舉出：從電子向有機(jī)化合物中注入的容易 性出發(fā)，能夠作為陰極使用的材料限于堿金屬、堿金屬化合物等功函小的材料；所使用的有 機(jī)化合物本身容易與氧氣、水發(fā)生反應(yīng)。通過實(shí)施嚴(yán)密的密封，有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)于其他 發(fā)光元件，但同時(shí)也犧牲了價(jià)格低廉、柔性之類的特長。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 非專利文獻(xiàn)
[0008] 非專利文獻(xiàn) I :Japanese Journal of Applied Physics、1988 年、第 27 卷 L269

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明所要解決的課題
[0010] 如上所述，有機(jī)電致發(fā)光元件通常被施以嚴(yán)密的密封，由此使其相對(duì)于其他發(fā)光 元件具有優(yōu)越性；但另一方面，犧牲了價(jià)格低廉、柔性之類的特長。在2013年，柔性器件取 得了快速進(jìn)展，并且隨著關(guān)注的提高，目前迫切需求能夠在實(shí)際上應(yīng)對(duì)柔性要求的有機(jī)電 致發(fā)光元件技術(shù)。
[0011] 本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而提出的，其目的在于，針對(duì)作為最大課題的密封，從原理 的方面出發(fā)致力于研究，提供即使不進(jìn)行嚴(yán)密的密封也可良好地驅(qū)動(dòng)的有機(jī)電致發(fā)光元 件。
[0012] 用于解決課題的手段
[0013] 本發(fā)明人對(duì)于即使不進(jìn)行嚴(yán)密的密封也可驅(qū)動(dòng)的有機(jī)電致發(fā)光元件進(jìn)行了各種 研究，著眼于在陽極與形成在基板上的陰極之間層疊有多個(gè)層的倒置結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光元 件，對(duì)于驅(qū)動(dòng)倒置結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光元件的密封條件進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的嚴(yán)密密 封（例如玻璃）為密封性能高于水蒸氣透過率為10 6g/rn2 ·天的密封性能的區(qū)域，如果是 在密封性能低于上述現(xiàn)有區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行直至10 3g/m2 ·天左右為止的密封（下文中記為 "水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封"），則作為元件可得到良好的連續(xù)驅(qū)動(dòng)壽命以 及保存穩(wěn)定性，由此想到能夠完美地解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。
[0014] 即，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其為具有在陽極與形成在基板上的陰極 之間層疊有多個(gè)層的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，上述有機(jī)電致發(fā)光元件進(jìn)行了水蒸 氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封。
[0015] 以下詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0016] 需要說明的是，將下文記載的本發(fā)明的各優(yōu)選方式中的2種以上組合而成的方式 也是本發(fā)明的優(yōu)選方式。
[0017] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件進(jìn)行了水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封。
[0018] -般來說，在不可欠缺嚴(yán)密密封的有機(jī)電致發(fā)光元件的情況下，需要進(jìn)行水蒸氣 透過率低于10 6g/m2 ·天的密封；而本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件為容許直至其1000倍左右 的水蒸氣透過率的簡易密封的有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0019] 這樣的簡易密封的有機(jī)電致發(fā)光元件的最大優(yōu)點(diǎn)在于能夠?qū)崿F(xiàn)柔性化、以及能夠 廉價(jià)地制造，并且另一大優(yōu)點(diǎn)是能夠使用迄今為止由于其密封性能而受到限制的部件，例 如提高光提取效率的膜等。由此，能夠制成消耗電力低、壽命長的元件。并且，還具有各產(chǎn) 品的品質(zhì)偏差減小、容易大面積化的優(yōu)點(diǎn)。
[0020] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件進(jìn)行了可得到良好發(fā)光特性的簡易密封區(qū)域的密封， 即，進(jìn)行了水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封。良好的發(fā)光特性當(dāng)然要沒有暗點(diǎn)， 此外良好的發(fā)光特性還意味著制作元件并在大氣下放置500小時(shí)后的元件的基本特性、例 如電壓-亮度特性與初期等同，更優(yōu)選意味著在制作元件并在大氣下放置10000小時(shí)后的 元件的電壓-亮度特性與初期等同。在形成水蒸氣透過率為10 2g/m2 ·天的密封時(shí)，在本發(fā) 明中的最佳條件下也不會(huì)產(chǎn)生暗點(diǎn)，但會(huì)產(chǎn)生大量污斑（シ彡），亮度顯著降低。在形成水 蒸氣透過率具有更大數(shù)字的密封時(shí)，發(fā)光特性連續(xù)變差。
[0021] 對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光元件來說，從制造成本的方面考慮，優(yōu)選不需要進(jìn)行嚴(yán)密的密 封；從元件驅(qū)動(dòng)壽命的方面考慮，優(yōu)選密封得更嚴(yán)密；考慮到這兩方面，本發(fā)明的有機(jī)電致 發(fā)光元件優(yōu)選進(jìn)行了水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封。更優(yōu)選進(jìn)行了水蒸氣透 過率為10 5~10 3g/m2 ·天的密封。進(jìn)一步優(yōu)選進(jìn)行了水蒸氣透過率為10 5~10 4g/m2 ·天 的密封。
[0022] 關(guān)于有機(jī)電致發(fā)光元件的水蒸氣透過率，已經(jīng)設(shè)計(jì)出了幾種測(cè)定裝置，其中，在本 發(fā)明中，由于需要測(cè)定至10 6g/m2 ·天，因而可通過Ca腐蝕法進(jìn)行測(cè)定。
[0023] 進(jìn)行上述水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封的方法沒有特別限制，可以使 用利用水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封膜對(duì)有機(jī)電致發(fā)光元件進(jìn)行密封的方法 等。另外，像這樣密封至水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的情況（密封至水蒸氣透過率 為10 6~10 3g/m2 ·天的體系）以及用于密封至10 6~10 3g/m2 ·天這樣的水蒸氣透過率 的部件也是本發(fā)明之一。作為用于密封至這樣的水蒸氣透過率的部件，優(yōu)選密封膜。
[0024] 在制成利用密封膜進(jìn)行了密封的有機(jī)電致發(fā)光元件的情況下，可以在密封膜上另 外設(shè)置密封膜之外的基板，在該基板上形成陰極，在陰極上層疊各層；也可以將密封膜用作 基板，在密封膜上直接形成陰極，在陰極上層疊各層。在上述任一情況下，有機(jī)電致發(fā)光元 件均使用以水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的密封膜作為必要組成的薄膜材料來形成。
[0025] 這樣的薄膜材料為用于形成本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜材料，該薄膜材料 是以水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的膜作為必要組成的有機(jī)電致發(fā)光元件形成用薄 膜材料，該薄膜材料也是本發(fā)明之一。
[0026] 上述有機(jī)電致發(fā)光元件形成用薄膜材料可以僅由水蒸氣透過率為10 6~10 3g/ m2 ·天的膜形成，也可以在水蒸氣透過率為10 6~10 3g/m2 ·天的膜上層疊有1個(gè)或多個(gè)層。
[0027] 在膜上層疊有1個(gè)或多個(gè)層的情況下，所層疊的層的數(shù)量、種類沒有特別限制，優(yōu) 選方式可以舉出：由膜與形成在膜上的基板構(gòu)成的方式；由膜以及順次形成在膜上的基板 和陰極構(gòu)成的方式；由膜以及順次形成在膜上的基板、陰極和電子注入層構(gòu)成的方式；由 膜以及順次形成在膜上的基板、陰極、電子注入層和緩沖層構(gòu)成的方式；由膜以及直接形成 在膜上的陰極構(gòu)成的方式；由膜以及直接形成在膜上的陰極、形成在該陰極上的電子注入 層構(gòu)成的方式；由膜以及直接形成在膜上的陰極、形成在該陰極上的電子注入層、形成在該 電子注入層上的緩沖層構(gòu)成的方式。
[0028] 作為基板、陰極、電子注入層、緩沖層，優(yōu)選如下文所述。
[0029] 在構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光元件的層中，除了發(fā)光層以外，還有電子注入層、電子傳輸 層、空穴傳輸層、空穴注入層等，適當(dāng)選擇這些層來進(jìn)行層疊，構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0030] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件只要具有在陽極與形成在基板上的陰極之間層疊有 多個(gè)層的結(jié)構(gòu)即可，所層疊的層的構(gòu)成沒有特別限制，但優(yōu)選為將陰極、電子注入層、必要 時(shí)的空穴阻擋層、電子傳輸層、發(fā)光層、必要時(shí)的空穴傳輸層、空穴注入層、陽極各層按照該 順序相鄰地進(jìn)行層疊而成的元件。
[0031] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件具有后述的緩沖層且不具有電子傳輸層的情況下、 或者緩沖層也兼作電子傳輸層的情況下，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選為將陰極、電子 注入層、緩沖層、空穴阻擋層、發(fā)光層、必要時(shí)的空穴傳輸層、空穴注入層、陽極各層按照該 順序相鄰地進(jìn)行層疊而成的元件。
[0032] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件具有后述的緩沖層且以區(qū)別于緩沖層的獨(dú)立層的 形式具有電子傳輸層的情況下，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選為將陰極、電子注入層、緩 沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、發(fā)光層、必要時(shí)的空穴傳輸層、空穴注入層、陽極各層按照 該順序相鄰地進(jìn)行層疊而成的元件。
[0033] 需要說明的是，這些各層可以由1層構(gòu)成，也可以由2層以上構(gòu)成。
[0034] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件中，作為陽極和陰極，可以適當(dāng)?shù)厥褂霉膶?dǎo)電 性材料，但為了光提取，優(yōu)選至少任意一者為透明的。作為公知的透明導(dǎo)電性材料的示例， 可以舉出ITO (錫摻雜氧化銦）、ATO (銻摻雜氧化銦）、IZO (銦摻雜氧化鋅）、AZO (鋁摻雜 氧化鋅）、FTO(氟摻雜氧化銦）等。作為不透明的導(dǎo)電性材料的示例，可以舉出鈣、鎂、鋁、 錫、銦、銅、銀、金、鉑或它們的合金等。
[0035] 作為陰極，其中優(yōu)選ITO、IZO、FT0。
[0036] 作為陽極，其中優(yōu)選Au、Ag、Al。
[0037] 如上所述，由于可以將通常在陽極中使用的金屬用于陰極和陽極，因此設(shè)想從上 部電極進(jìn)行光提取的情況（頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況）也能夠容易地實(shí)現(xiàn)，可以選擇上述各種 電極用于各個(gè)電極。例如，作為下部電極為A1、作為上部電極為ITO等。
[0038] 上述陰極的平均厚度沒有特別限制，優(yōu)選為10~500nm。更優(yōu)選為100~200nm。 陰極的平均厚度可以利用觸針式高差儀、分光橢偏儀進(jìn)行測(cè)定。
[0039] 上述陽極的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為10~lOOOnm。更優(yōu)選為30~150nm。 另外，即使在使用不透光的材料的情況下，例如通過使平均厚度為10~30nm左右，也能夠 作為頂部發(fā)光型和透明型的陽極使用。
[0040] 陽極的平均厚度可以利用水晶振子膜厚儀在成膜時(shí)進(jìn)行測(cè)定。
[0041 ] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選在陽極與陰極之間具有金屬氧化物層。
[0042] 在陽極與陰極之間具有金屬氧化物層時(shí)，簡易密封的有機(jī)電致發(fā)光元件的連續(xù)驅(qū) 動(dòng)壽命、保存穩(wěn)定性更為優(yōu)異。
[0043] 更優(yōu)選在陰極與發(fā)光層之間具有第1金屬氧化物層、在陽極與發(fā)光層之間具有第 2金屬氧化物層。上述電子注入層之一優(yōu)選為下述第1金屬氧化物層。
[0044] 需要說明的是，就金屬氧化物層的重要性而言，第1金屬氧化物層的重要性更高， 第2金屬氧化物層可以利用最低未占分子軌道極深的有機(jī)材料、例如HATCN進(jìn)行替換。
[0045] 第1金屬氧化物層為半導(dǎo)體或者絕緣體層疊薄膜的層，其為由一層單一金屬氧化 物膜構(gòu)成的層、或者為將單一或兩種以上的金屬氧化物層疊和/或混合而成的層。作為構(gòu) 成金屬氧化物的金屬元素，選自由鎂、媽、鎖、鋇、鈦、錯(cuò)、鉿、銀、銀、鉭、絡(luò)、鉬、媽、猛、銦、鎵、 鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎘、鋁、硅組成的組。其中，優(yōu)選為構(gòu)成層疊或混合金屬氧化物層的金屬元 素的至少一種由鎂、鋁、鈣、鋯、鉿、硅、鈦、鋅構(gòu)成的層，其中若為單一的金屬氧化物，則優(yōu)選 包含選自由氧化鎂、氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅組成的組中的金 屬氧化物。
[0046] 作為上述將單一或兩種以上的金屬氧化物層疊和/或混合而成的層的示例，可以 舉出將二氧化鈦/氧化鋅、二氧化鈦/氧化鎂、二氧化鈦/氧化鋯、二氧化鈦/氧化鋁、二氧 化鈦/氧化鉿、二氧化鈦/二氧化硅、氧化鋅/氧化鎂、氧化鋅/氧化鋯、氧化鋅/氧化鉿、 氧化鋅/二氧化硅、氧化鈣/氧化鋁等金屬氧化物的組合進(jìn)行層疊和/或混合而成的層；將 二氧化鈦/氧化鋅/氧化鎂、二氧化鈦/氧化鋅/氧化錯(cuò)、二氧化鈦/氧化鋅/氧化鋁、二 氧化鈦/氧化鋅/氧化鉿、二氧化鈦/氧化鋅/二氧化娃、氧化銦/氧化鎵/氧化鋅等三種 金屬氧化物的組合進(jìn)行層疊和/或混合而成的層等。其中，還包括作為特殊組成顯示出良 好特性的氧化物半導(dǎo)體IGZO和電子化合物12Ca07Al 203。
[0047] 需要說明的是，在本發(fā)明中，電阻率小于10 4Qcm的材料被分類為導(dǎo)電體、電阻率 大于10 4Ω cm的材料被分類為半導(dǎo)體或絕緣體。因此，作為透明電極而為人所知的ITO(錫 摻雜氧化銦）、ATO (銻摻雜氧化銦）、IZO (銦摻雜氧化鋅）、AZO (鋁摻雜氧化鋅）、FTO (氟 摻雜氧化銦）等的薄膜的導(dǎo)電性高，不包含在半導(dǎo)體或絕緣體的范疇內(nèi)，因而不符合構(gòu)成 本發(fā)明的第1金屬氧化物層的一層。
[0048] 作為形成上述第2金屬氧化物層的金屬氧化物，沒有特別限制，可以使用氧化釩 (V2O 5)、氧化鉬（MoO3)、氧化鎢（WO3)、氧化釕（RuO2)等中的一種或兩種以上。其中，優(yōu)選以 氧化釩或氧化鉬作為主要成分。在第2金屬氧化物層由以氧化釩或氧化鉬作為主要成分的 物質(zhì)構(gòu)成時(shí)，第2金屬氧化物層從陽極注入空穴并傳輸至發(fā)光層或空穴傳輸層這樣的作為 空穴注入層的功能更為優(yōu)異。另外，氧化釩或氧化鉬其本身的空穴傳輸性高，因此具有還能 夠適當(dāng)?shù)胤乐箍昭◤年枠O向發(fā)光層或空穴傳輸層的注入效率降低這樣的優(yōu)點(diǎn)。更優(yōu)選由氧 化釩和/或氧化鉬構(gòu)成。
[0049] 上述第1金屬氧化物層的平均厚度可以允許從Inm到數(shù)μπι的程度，從制成能夠 以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的方面考慮，優(yōu)選為1~l〇〇〇nm。更優(yōu)選為2~ IOOnm0
[0050] 上述第2金屬氧化物層的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為1~lOOOnm。更優(yōu)選為 5 ~50nm〇
[0051] 第1金屬氧化物層的平均厚度可利用觸針式高差儀、分光橢偏儀進(jìn)行測(cè)定。
[0052] 第2金屬氧化物層的平均厚度可利用水晶振子膜厚儀在成膜時(shí)進(jìn)行測(cè)定。
[0053] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選在金屬氧化物層與發(fā)光層之間具有由含有有機(jī) 化合物的材料形成的緩沖層。更優(yōu)選具有通過涂布含有有機(jī)化合物的溶液而形成的緩沖 層。
[0054] 倒置結(jié)構(gòu)有機(jī)EL中的緩沖層的作用可以舉出：（1)將電子從在金屬氧化物層的作 用下由電極提升后的能級(jí)提升到發(fā)光層等有機(jī)化合物層的最低未占分子軌道的能級(jí)；（2) 保護(hù)主要的有機(jī)EL材料層免受活性金屬氧化物層的影響；等等。作為實(shí)現(xiàn)（1)的手段，認(rèn) 為有利用還原劑對(duì)緩沖層進(jìn)行摻雜、利用包含具有偶極子（例如，含氮原子取代基等）的部 位的化合物來形成緩沖層。具有利用還原劑進(jìn)行了摻雜的緩沖層是有機(jī)電致發(fā)光元件的優(yōu) 選方式之一，但本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件為簡易密封的元件，為了在這樣的密封環(huán)境下 也可穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)元件，還要求緩沖層具有大氣穩(wěn)定性。因此，在使用利用還原劑進(jìn)行了摻雜 的緩沖層的情況下，需要使緩沖層薄膜化。另一方面，在利用包含具有偶極子的部位、具有 載流子傳輸性的化合物來形成緩沖層的情況下，不一定必須要進(jìn)行薄膜化。
[0055] 關(guān)于上述（2)，有機(jī)電致發(fā)光元件的金屬氧化物層如后所述通過噴霧熱分解法、溶 膠凝膠法、濺射法等方法進(jìn)行成膜，表面不平滑而具有凹凸。在該金屬氧化物層上通過真空 蒸鍍等方法進(jìn)行發(fā)光層的成膜的情況下，根據(jù)作為發(fā)光層原料的成分的種類的不同，金屬 氧化物層表面的凹凸成為結(jié)晶核，促進(jìn)了形成與金屬氧化物層相接的發(fā)光層的材料的結(jié)晶 化。因此，即使完成了有機(jī)電致發(fā)光元件，也會(huì)有較大的漏電流流動(dòng)，發(fā)光面呈不均勻化，具 有元件性能降低的傾向。
[0056] 但是，在形成緩沖層、更優(yōu)選通過涂布溶液來形成緩沖層時(shí)，能夠形成表面平滑的 層，因此，在金屬氧化物層與發(fā)光層之間通過涂布來形成緩沖層時(shí)，可抑制形成發(fā)光層的材 料的結(jié)晶化，由此，即使在具有金屬氧化物層的有機(jī)電致發(fā)光元件使用容易發(fā)生結(jié)晶化的 材料作為發(fā)光層等的情況下，也能夠抑制漏電流，能夠得到均勻的面發(fā)光。
[0057] 上述緩沖層優(yōu)選平均厚度為5~100nm。通過使平均厚度為這樣的范圍，能夠充 分發(fā)揮出抑制發(fā)光層結(jié)晶化的效果。緩沖層的平均厚度薄于5nm時(shí)，無法使金屬氧化物表 面存在的凹凸充分地平滑化，漏電流變大，形成緩沖層的效果減小。另外，緩沖層的平均厚 度厚于IOOnm時(shí)，具有驅(qū)動(dòng)電壓顯著增高的傾向。另外，在使用后述的本發(fā)明中優(yōu)選的結(jié)構(gòu) 的化合物作為有機(jī)化合物的情況下，緩沖層還能夠充分發(fā)揮出作為電子傳輸層的功能。上 述緩沖層的平均厚度更優(yōu)選為5~60nm、進(jìn)一步優(yōu)選為10~60nm。另外，若還考慮到本 發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的連續(xù)驅(qū)動(dòng)壽命這一點(diǎn)，則上述緩沖層的平均厚度進(jìn)一步優(yōu)選為 10 ~30nm。
[0058] 另外，如上所述，在使用利用還原劑進(jìn)行了摻雜的緩沖層的情況下，從元件的大氣 穩(wěn)定性的方面出發(fā)，優(yōu)選使緩沖層薄膜化。這種情況下，緩沖層的優(yōu)選平均厚度與形成緩沖 層的含有有機(jī)化合物的材料中的還原劑的量也有關(guān)系，在該材料中的還原劑相對(duì)于有機(jī)化 合物的含量為〇. 1~15質(zhì)量％的情況下，優(yōu)選緩沖層的平均厚度為5~30nm。另一方面， 在無還原劑的摻雜的情況下、或者摻雜極少量的情況下，例如在該材料中的還原劑相對(duì)于 有機(jī)化合物的含量為0~0. 1質(zhì)量％的情況下，即使膜厚更厚，也具有可良好地維持大氣穩(wěn) 定性的傾向。例如在這樣的情況下，還優(yōu)選緩沖層的平均厚度為5~60nm的方式。從元件 制作上的工藝穩(wěn)定性和元件穩(wěn)定性的方面出發(fā)，優(yōu)選為厚膜。
[0059] 即，下述有機(jī)電致發(fā)光元件也是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式：（1)具有由含有有機(jī)化 合物的材料形成的緩沖層，該含有有機(jī)化合物的材料中還原劑相對(duì)于有機(jī)化合物的含量為 〇. 1~15質(zhì)量％，該緩沖層的平均厚度為5~30nm的有機(jī)電致發(fā)光元件；（2)具有由含有 有機(jī)化合物的材料形成的緩沖層，該含有有機(jī)化合物的材料中還原劑相對(duì)于有機(jī)化合物的 含量為〇~〇. 1質(zhì)量％，該緩沖層的平均厚度為5~60nm的有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0060] 緩沖層的平均厚度可利用觸針式高差儀、分光橢偏儀進(jìn)行測(cè)定。
[0061] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件中，作為形成發(fā)光層的材料，可以為低分子化合物、也 可以為高分子化合物，還可以將它們混合使用。
[0062] 需要說明的是，本發(fā)明中的低分子材料是指并非為高分子材料（聚合物）的材料， 并不一定是指分子量低的有機(jī)化合物。
[0063] 作為形成上述發(fā)光層的高分子材料，例如可以舉出反式聚乙炔、順式聚乙炔、聚 (二苯乙炔）O3DPA)、聚（烷基苯乙炔）（PAPA)之類的聚乙炔系化合物；聚（對(duì)亞苯基亞乙 烯基）（PPV)、聚（2, 5-二烷氧基-對(duì)亞苯基亞乙烯基）（RO-PPV)、氰基取代-聚（對(duì)亞苯 基亞乙烯基）（CN-PPV)、聚（2-二甲基辛基甲硅烷基-對(duì)亞苯基亞乙烯基）（DMOS-PPV)、聚 (2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基）-對(duì)亞苯基亞乙烯基）（MEH-PPV)之類的聚對(duì)亞苯基亞乙 烯基系化合物；聚（3-烷基噻吩）（PAT)、聚（氧化丙烯）三醇（POPT)之類的聚噻吩系化合 物；聚（9, 9-二烷基芴）（PDAF)、聚（二辛基芴基-交替-苯并噻二唑）（F8BT)、α，ω -雙 [Ν，Ν' -二（甲基苯基）氨基苯基]-聚[9, 9-雙（2-乙基己基）芴-2, 7-二基](PF2/6am4)、 聚（9, 9-二辛基-2, 7-二亞乙烯基芴基-交替共聚（蒽-9, 10-二基）之類的聚芴系化合 物；聚（對(duì)亞苯基）（PPP)、聚（1，5-二烷氧基-對(duì)亞苯基）（RO-PPP)之類的聚對(duì)亞苯基系 化合物；聚（N-乙烯基咔唑）（PVK)之類的聚咔唑系化合物；聚（甲基苯基硅烷）（PMPS)、聚 (萘基苯基硅烷）（PNPS)、聚（聯(lián)苯基苯基硅烷）（PBPS)之類的聚硅烷系化合物；以及日本 特愿2010-230995號(hào)、日本特愿2011-6457號(hào)中記載的硼化合物系高分子材料等。
[0064] 作為形成上述發(fā)光層的低分子材料，除了作為后述的主體發(fā)揮