以是由半導(dǎo)體晶片110的上表面111朝半導(dǎo)體晶片110的下表面113，以微影蝕刻的方式所形成，微影制程所使用的光罩除了具有對應(yīng)溝槽120形成位置的圖案之外，尚具有對應(yīng)凸起140形成位置的圖案，因此溝槽120與凸起140實(shí)質(zhì)上在同一張光罩下完成曝光，而于后續(xù)顯影以及蝕刻后同時(shí)形成。換言之，凸起140實(shí)質(zhì)上與溝槽120同時(shí)制作完成，而無須增加額外的微影蝕刻，因此更能具有制作簡便且能有效降低生產(chǎn)成本的特殊功效。
[0036]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式晶片封裝體300的局部俯視示意圖。請參照圖5，晶片封裝體300包含半導(dǎo)體晶片110、溝槽120、多條第一重布局金屬線路130以及凸起140。其中有關(guān)半導(dǎo)體晶片110、溝槽120、第一重布局金屬線路130以及凸起140的制作方式、材料以及各元件之間的相對位置與連接關(guān)系大致與前述實(shí)施方式晶片封裝體100相同，在此即不重復(fù)贅述。晶片封裝體300與前述實(shí)施方式晶片封裝體100不同之處在于，晶片封裝體200具有二溝槽120配置于半導(dǎo)體晶片110的不同側(cè)。如圖5所示，一部分的第一重布局金屬線路130延伸至下側(cè)的溝槽120內(nèi)；而另一部分的第一重布局金屬線路130延伸至右側(cè)的溝槽120內(nèi)。與前述實(shí)施方式晶片封裝體200相似的是，第一重布局金屬線路130的圖案亦可針對半導(dǎo)體晶片110的上表面111不同導(dǎo)電墊112位置作適當(dāng)?shù)膹椥哉{(diào)整，更可簡化第一重布局金屬線路130圖案在設(shè)計(jì)以及制作上的難度。此外，凸起140亦設(shè)置于溝槽120內(nèi)且位于相鄰第一重布局金屬線路130之間。凸起140可確保相鄰第一重布局金屬線路130彼此之間能夠確實(shí)被隔離，而不會(huì)產(chǎn)生彼此電性連接而短路的現(xiàn)象。據(jù)此，能有效提升第一重布局金屬線路130制作時(shí)，微影蝕刻制程的制程邊際，更能提高晶片封裝體200的制程良率，有效降低生產(chǎn)成本。此外，溝槽120制作的方式可以是由半導(dǎo)體晶片110的上表面111朝半導(dǎo)體晶片110的下表面113，以微影蝕刻的方式所形成，微影制程所使用的光罩除了具有對應(yīng)溝槽120形成位置的圖案之外，尚具有對應(yīng)凸起140形成位置的圖案，因此溝槽120與凸起140實(shí)質(zhì)上在同一張光罩下完成曝光，而于后續(xù)顯影以及蝕刻后同時(shí)形成。換言之，凸起140實(shí)質(zhì)上與溝槽120同時(shí)制作完成，而無須增加額外的微影蝕亥IJ，因此更能具有制作簡便且能有效降低生產(chǎn)成本的特殊功效。
[0037]圖6是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式晶片封裝體針對溝槽120的局部側(cè)視示意圖。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，晶片封裝體進(jìn)一步包含多個(gè)焊球170設(shè)置于溝槽120內(nèi)且焊球170分別位于第一重布局金屬線路130上。因此，焊球170與第一重布局金屬線路130電性連接。焊球170的材料例如可以是錫或其他適合于焊接的金屬或合金。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，其中焊球170包含錫。焊球170作為晶片封裝體外接于印刷電路板或其他中介片(interposer)的連接橋梁，據(jù)此由印刷電路板或其他中介片的輸入/輸出的電流信號(hào)即可通過焊球170、第一重布局金屬線路130以及導(dǎo)電墊112，對晶片封裝體內(nèi)的電子元件進(jìn)行信號(hào)輸入/輸出控制。然而本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明另一些實(shí)施方式中，晶片封裝體亦可進(jìn)一步包含焊球170以及連接于焊球170的焊線180，如此焊球170以及焊線180即作為晶片封裝體外接于印刷電路板或其他中介片的連接橋梁，據(jù)此由印刷電路板或其他中介片的輸入/輸出的電流信號(hào)即可通過焊球170、焊線180、第一重布局金屬線路130以及導(dǎo)電墊112，對晶片封裝體內(nèi)的電子元件進(jìn)行信號(hào)輸入/輸出控制。此外，本發(fā)明的晶片封裝體尚可包含封裝層覆蓋半導(dǎo)體晶片110的上表面111、第一重布局金屬線路130、溝槽120以及凸起140。封裝層所使用的材料可以是綠漆(solder mask)或其它合適的封裝材料，順應(yīng)地沿著半導(dǎo)體晶片110的上表面111、第一重布局金屬線路130、溝槽120以及凸起140以涂布方式形成。
[0038]最后要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明所提供的晶片封裝體，于晶片封裝體的溝槽內(nèi)具有凸起，而凸起設(shè)置于相鄰各自需獨(dú)立信號(hào)的重布局金屬線路之間。據(jù)此，凸起可確保相鄰各自需獨(dú)立信號(hào)重布局金屬線路彼此之間能夠確實(shí)被隔離，而不會(huì)產(chǎn)生彼此電性連接而短路的現(xiàn)象。據(jù)此，能有效提升各自需獨(dú)立信號(hào)重布局金屬線路制作時(shí)，微影蝕刻制程的制程邊際，更能提高晶片封裝體的制程良率，有效降低生產(chǎn)成本。此外，本發(fā)明所提供的晶片封裝體的制造方法，凸起實(shí)質(zhì)上與溝槽同時(shí)制作完成，而無須增加額外的微影蝕刻，因此更能具有制作簡便且能有效降低生產(chǎn)成本的特殊功效。
[0039]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含: 一半導(dǎo)體晶片，具有設(shè)置于該半導(dǎo)體晶片的一上表面的多個(gè)導(dǎo)電墊； 至少一溝槽，自該上表面朝該半導(dǎo)體晶片的一下表面延伸，該溝槽配置于該半導(dǎo)體晶片的一側(cè)邊； 多條第一重布局金屬線路，設(shè)置于該上表面，所述第一重布局金屬線路分別與所述導(dǎo)電墊電性連接，且所述第一重布局金屬線路分別延伸至該溝槽內(nèi)；以及 至少一凸起，設(shè)置于該溝槽內(nèi)且位于相鄰的第一重布局金屬線路之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包含設(shè)置于該上表面的多條第二重布局金屬線路，該半導(dǎo)體晶片具有設(shè)置于該上表面的多個(gè)接地墊，所述第二重布局金屬線路分別與所述接地墊電性連接，且所述第二重布局金屬線路分別延伸至該溝槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，所述第二重布局金屬線路于該溝槽內(nèi)彼此電性連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包含設(shè)置于該上表面的多條第三重布局金屬線路，所述第三重布局金屬線路分別延伸至該溝槽內(nèi)且于該溝槽內(nèi)彼此電性連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包含設(shè)置于該溝槽內(nèi)的多個(gè)焊球，所述焊球分別位于所述第一重布局金屬線路上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該焊球包含錫。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該凸起包含硅、鍺、氧化硅、氮化硅或前述的組合。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該凸起的高度不高于該上表面。9.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含: 提供具有至少二半導(dǎo)體晶片相鄰排列的一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶片具有一上表面及一下表面，且具有設(shè)置于該上表面的多個(gè)導(dǎo)電墊； 形成至少一溝槽以及多個(gè)凸起，該溝槽位于該至少二半導(dǎo)體晶片之間，所述凸起位于該溝槽內(nèi)； 全面形成一金屬層以覆蓋該上表面、該溝槽以及所述凸起；以及 微影蝕刻該金屬層以形成多條第一重布局金屬線路，所述第一重布局金屬線路分別與所述導(dǎo)電墊電性連接，且所述第一重布局金屬線路分別延伸至該溝槽內(nèi)，使該溝槽內(nèi)的所述凸起將所述第一重布局金屬線路分別隔離開來。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，形成該溝槽以及所述凸起的步驟由同一步驟的微影蝕刻所形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其制造方法。該晶片封裝體包含半導(dǎo)體晶片、至少一溝槽、多條第一重布局金屬線路以及至少一凸起。半導(dǎo)體晶片具有設(shè)置于該半導(dǎo)體晶片的上表面的多個(gè)導(dǎo)電墊。溝槽自上表面朝半導(dǎo)體晶片的下表面延伸，且配置于半導(dǎo)體晶片的側(cè)邊。多條第一重布局金屬線路設(shè)置于上表面，所述第一重布局金屬線路分別與導(dǎo)電墊電性連接，且分別延伸至溝槽內(nèi)。凸起設(shè)置于溝槽內(nèi)且位于相鄰的第一重布局金屬線路之間。本發(fā)明能提高晶片封裝體的制程良率，并有效降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L23/31, H01L21/60, H01L23/488
【公開號(hào)】CN104934397
【申請?zhí)枴緾N201510087272
【發(fā)明人】何彥仕, 鄭家明, 張恕銘
【申請人】精材科技股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年2月25日
【公告號(hào)】US20150270236