4和環(huán)繞第二金屬層34的第二晶種層32,且第二 晶種層32的基底接觸第一接墊14a。第二晶種層32包括垂直地（相對于所述通孔115)設(shè) 置的環(huán)形部分，且第二晶種層32的基底與環(huán)形部分鄰接且鄰近于和實質(zhì)上平行于有源表 面111。在本實施例中，中心絕緣材料36位于內(nèi)部部分351中?？梢岳斫獾氖牵ミB金屬 35可代替地為實心柱體（Pillar)，且因而將省略中心絕緣材料36。第二晶種層32的材料 為氮化鉭或鉭鎢，且第二金屬層34的材料為銅。然而，可省略第二晶種層32。
[0020] 在此實施例中，絕緣環(huán)361位于通孔115中且環(huán)繞互連金屬35。如圖1所示，絕緣 環(huán)361具有底部表面，且底部表面接觸第一電介質(zhì)層12 ;S卩，絕緣環(huán)361未延伸到第一電介 質(zhì)層12中，且互連金屬35部分地延伸到電路層13。因此，互連金屬35的底部表面不與絕 緣環(huán)361的底部表面共平面，且互連金屬35的長度大于絕緣環(huán)361的長度。中心絕緣材料 36的材料可為聚合物，其相同于絕緣環(huán)361。
[0021] 第二電介質(zhì)層40位于襯底11的無源表面112上，且具有多個開口 401以暴露互 連金屬35。在此實施例中，第二電介質(zhì)層40包含例如聚酰亞胺（PI)或聚丙烯（PP)等聚合 物。然而，在其它實施例中，第二電介質(zhì)層40的材料可為氧化硅或氮化硅。
[0022] 重新分布層48鄰設(shè)于襯底11的無源表面112。在此實施例中，重新分布層48位 于第二電介質(zhì)層40上和第二電介質(zhì)層40的開口 401中以接觸互連金屬35。在此實施例 中，重新分布層48包括第三晶種層42和第三金屬層46。第三晶種層42的材料為氮化鉭或 鉭鎢，且第三金屬層46的材料為銅。然而，可省略第三晶種層42。
[0023] 第二保護層50覆蓋重新分布層48和第二電介質(zhì)層40,且具有多個開口 501以暴 露重新分布層48的局部。在此實施例中，表面處理層（SurfaceFinishLayer)52電鍍于 重新分布層48的暴露局部上。
[0024] 裸片2鄰設(shè)于襯底11的無源表面112且電性連接到重新分布層48。在此實施例 中，裸片2具有有源表面202、無源表面203、多個接墊204和至少一個第二集成被動裝置 (IPD) 29。接墊204和第二集成被動裝置（IH)) 29鄰設(shè)于裸片2的有源表面202。在此實施 例中，第二集成被動裝置（iro)29為電感器。然而，第二集成被動裝置（IH))29可包含電容 器、電阻器，或電感器、電容器與電阻器的組合。在此實施例中，第一集成被動裝置（IH))15 鄰設(shè)于襯底11的有源表面111，且第二集成被動裝置（IPD) 29鄰設(shè)于裸片2的有源表面 202。第一集成被動裝置（IPD) 15與第二集成被動裝置（IPD) 29之間的磁場干擾與距離成 反比。因此，如果裸片2鄰設(shè)于襯底11的無源表面112,那么裸片2相比于位在襯底11的 有源表面111上的裸片將具有較大距離。基于以下公式：
[0025]
[0026] 頻率Q因數(shù)（FrequencyQ-factor)與電感（L)相關(guān)，且在電阻（R)和電容（C)恒 定時與電感（L)成比例。為此，具有增強型電感的此實施例具有增強型頻率Q因數(shù)。
[0027] 裸片2的無源表面203粘附于第二保護層50上。接墊204經(jīng)由焊線21而電性連 接到重新分布層48的暴露局部上的表面處理層52。即，焊線21連接裸片2和重新分布層 48。在此實施例中，焊線21的結(jié)合類型為反向結(jié)合（reversebond)。反向結(jié)合的第一步驟 為在裸片2的接墊204上形成第一球狀部211。接著，使導(dǎo)線21的尖端形成另一球狀部且 結(jié)合于表面處理層52上。最后，在牽引所述導(dǎo)線21以接觸第一球狀部211之后切斷導(dǎo)線 21。
[0028] 模塑料3鄰設(shè)于襯底11的無源表面112,且包覆裸片2和焊線21。在此實施例中， 模塑料3位于第二保護層50上。
[0029] 參看圖2(a)，顯示半導(dǎo)體裝置1的局部放大剖面圖。如圖所示，所述導(dǎo)電通孔（包 括位于通孔115中的互連金屬35、中心絕緣材料36和絕緣環(huán)361)具有與襯底11的無源表 面112實質(zhì)上共平面的第一末端37。另外，絕緣環(huán)361使導(dǎo)電通孔與襯底11隔離。絕緣環(huán) 361為形成于襯底11中的空心圓柱。第二晶種層32位于絕緣環(huán)361的內(nèi)側(cè)側(cè)壁（Inboard Sidewall)上。第二金屬層34位于第二晶種層32的內(nèi)側(cè)側(cè)壁上。第二晶種層32和第二金 屬層34也是相似于絕緣環(huán)361的空心圓柱。中心絕緣材料36位于第二金屬層34內(nèi)。因 此，導(dǎo)電通孔包括以同心環(huán)形設(shè)計而形成的外部絕緣環(huán)361、第二晶種層32、第二金屬層34 和中心絕緣材料36。
[0030] 在此實施例中，裸片2鄰設(shè)于且電性連接到襯底11的無源表面112,且來自裸片2 的信號經(jīng)由互連金屬35而傳輸?shù)揭r底11的有源表面111上的電路層13。即，焊線21也 鄰設(shè)于襯底11的無源表面112,借此防止襯底11的有源表面111上的電路層13在導(dǎo)線結(jié) 合工藝和裸片附接工藝期間受到損壞。另外，眾所周知，將焊線按壓到結(jié)合接墊（Bonding Pad)，且在焊線與結(jié)合接墊之間應(yīng)用超聲波摩擦以完成導(dǎo)線結(jié)合工藝。第二接墊14b的厚 度為約〇. 3ym至1ym，且重新分布層48的厚度為約2ym至5ym。然而，第二接墊14b的 厚度小于重新分布層48或表面處理層52的厚度。因此，如果對襯底11的有源表面111的 第二接墊14b執(zhí)行導(dǎo)線結(jié)合工藝，那么第二接墊14b容易受到損壞。
[0031] 在此實施例中，第二集成被動裝置（IPD) 29鄰設(shè)于裸片2的有源表面202,且第一 集成被動裝置（IPD) 15鄰近于襯底11的有源表面111。另外，裸片2的無源表面203粘附 于第二保護層50上，且鄰近于襯底11的無源表面112。因此，裸片2的無源表面203和襯 底11的無源表面112位于裸片2的有源表面202與襯底11的有源表面111之間。因此， 第二集成被動裝置（IPD) 29與第一集成被動裝置（IPD) 15之間的距離相對較大，此情形導(dǎo) 致高頻率Q因數(shù)。
[0032] 參看圖2(b)，顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導(dǎo)體裝置la的局部放大剖面圖。 此實施例的半導(dǎo)體裝置la實質(zhì)上相似于圖1的半導(dǎo)體裝置1，且相同元件用相同元件編號 表示。此實施例的半導(dǎo)體裝置la與圖1的半導(dǎo)體裝置1之間的差異在于：第一末端37從 襯底11的無源表面112突出。在此情況下，絕緣環(huán)361與無源表面112實質(zhì)上共平面，但 互連金屬35和中心絕緣材料36從無源表面112突出。在此實施例中，重新分布層48位于 導(dǎo)電通孔的第一末端37的側(cè)向表面和末端表面上，如圖所示，以提供與互連金屬35的增強 型電性接觸且提供與第一末端37的較緊固附接。
[0033] 參看圖3,顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。此實施例的半導(dǎo) 體裝置lb實質(zhì)上相似于圖1的半導(dǎo)體裝置1，且相同元件用相同元件編號表示。此實施例 的半導(dǎo)體裝置lb與圖1的半導(dǎo)體裝置1之間的差異被描述如下。在此實施例中，焊線21的 結(jié)合類型為前向結(jié)合。前向結(jié)合的第一步驟為將導(dǎo)線21結(jié)合至裸片2的接墊204。接著， 在牽引導(dǎo)線21以接觸表面處理層52之后切斷導(dǎo)線21。
[0034] 參看圖4至19,顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體工藝。
[0035] 參看圖4,提供晶片10。所述晶片10具有襯底11、第一電介質(zhì)層12和電路層13。 一般而言，在晶片代工廠的工藝（Foundry'sProcess)之后，第一電介質(zhì)層12和電路層13 將已經(jīng)設(shè)置于襯底11上。襯底11具有有源表面111和無源表面112。在此實施例中，襯底 11的材料為例如硅或鍺的半導(dǎo)體材料。然而，在其它實施例中，襯底11的材料可為玻璃。 第一電介質(zhì)層12位于襯底11的有源表面111上。在此實施例中，第一電介質(zhì)層12的材料 為氧化硅或氮化硅。然而，在其它實施例中，第一電介質(zhì)層12可包含例如聚酰亞胺（PI)或 聚丙烯（PP)的聚合物。
[0036] 電路層13鄰設(shè)于襯底11的有源表面111。在此實施例中，電路層13位于第一電 介質(zhì)層12上，且包含多個第一接墊14a、多個第二接墊14b和第一保護層16。第一接墊14a 和第二接墊14b為電路層13的金屬層（未圖示）中的一者的局部。在此實施例中，所述金 屬層的材