另外，關(guān)于與參照圖2至圖5說明的半導(dǎo)體裝置的制造方法例相同的部分，適當(dāng)引用該制造方法例的說明。
[0061]如圖8(A)所示，第一切入步驟(S1-5)中，以圍繞著積層體11的方式使用切割刀片B2形成切口 Cl。此處，切斷金屬板12并且形成到達(dá)密封樹脂層14的切口 Cl。然后，如圖8(B)所示，第二切入步驟(S1-6)中，以圍繞著積層體11的方式，使用切割刀片BI形成切口 C2，由此相應(yīng)于積層體11而將配線基板10分離。此處，切斷配線基板10并且形成到達(dá)切口 Cl的切口 C2。如此，本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可使第一切入步驟(S1-5)及第二切入步驟(S1-6)中所使用的切割刀片相反。
[0062]如以上般，本實施方式中，通過將切割步驟分為第一切入步驟及第二切入步驟，而可減少切削金屬板時所產(chǎn)生的毛邊。由此，可抑制例如半導(dǎo)體封裝的厚膜化或短路等的產(chǎn)生。
[0063](第二實施方式)
[0064]本實施方式中，對與第一實施方式不同的步驟順序的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。
[0065]圖9是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法例的流程圖。圖9所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法例至少具備準(zhǔn)備步驟(S2-1)、搭載步驟(S2-2)、密封步驟(S2-3)、第一切入步驟(S2-4)、端子形成步驟(S2-5)、及第二切入步驟(S2-6)。另外，準(zhǔn)備步驟(S2-1)對應(yīng)于圖1的準(zhǔn)備步驟(Sl-1)，搭載步驟(S2-2)對應(yīng)于圖1的搭載步驟(S1-2)，密封步驟(S2-3)對應(yīng)于圖1的密封步驟(S1-3)。由此，關(guān)于準(zhǔn)備步驟(S2-1)至密封步驟(S2-3)，可適當(dāng)引用第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明。
[0066]此外，參照圖10對第一切入步驟(S2-4)、端子形成步驟(S2-5)及第二切入步驟(S2-6)進(jìn)行說明。
[0067]圖10是用以說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，圖10(A)是用以說明第一切入步驟(S2-4)的剖面圖，圖10(B)是用以說明端子形成步驟(S2-5)的剖面圖，圖10(C)是用以說明第二切入步驟(S2-6)的剖面圖。
[0068]經(jīng)過準(zhǔn)備步驟(S2-1)至密封步驟(S2-3)而形成的半導(dǎo)體裝置的一例如圖10(A)及圖10(B)所示，具備:配線基板10，其具有彼此對向的第一面及第二面；積層體11，其具備金屬板12、及積層于金屬板12的一部分之上的半導(dǎo)體芯片；及密封樹脂層14，其將積層體11密封。另外，關(guān)于與參照圖2至圖5說明的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造相同的部分，可適當(dāng)引用該半導(dǎo)體裝置的說明。
[0069]第一切入步驟(S2-4)中，如圖10(A)所示，以包圍積層體11的方式，使用切割刀片BI形成切口 Cl。此處，切斷金屬板12并且形成到達(dá)密封樹脂層14的切口 Cl (參照圖10 ⑷)。
[0070]端子形成步驟(S2-5)中，如圖10(B)所示，在配線基板10的第二面形成外部連接端子15。關(guān)于外部連接端子15，可適當(dāng)引用第一實施方式的外部連接端子15的說明。
[0071]第二切入步驟(S2-6)中，如圖10(C)所示，以包圍積層體11的方式，使用切割刀片B2形成切口 C2。此處，切斷配線基板10并且形成到達(dá)切口 Cl的切口 C2。通過第二切入步驟(S2-6)，相應(yīng)于積層體11而將配線基板10分離。關(guān)于切割刀片BI及切割刀片B2，可適當(dāng)引用參照圖4及圖5所說明的切割刀片BI及切割刀片B2的說明。
[0072]本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，因在進(jìn)行端子形成步驟(S2-5)前進(jìn)行第一切入步驟，所以在第一切入步驟(S2-4)中，當(dāng)將配線基板10固定于切割帶或固定治具等時可增大與配線基板10的設(shè)置面。又，在第一切入步驟(S2-4)中，通過將金屬板12切斷，而可在第二切入步驟(S2-6)中，在與固定面為相反側(cè)的面配置形成外部連接端子15的面，因此可使用與第一切入步驟(S2-5)相同的固定治具等。
[0073]另外，與第一實施方式同樣地，也可使第一切入步驟(S2-5)及第二切入步驟(S2-6)中所使用的切割刀片相反。而且，也可與第一實施方式同樣地使切口 Cl與切口 C2的深度不同。
[0074]如以上般，本實施方式中，于在配線基板形成外部連接端子前進(jìn)行切割步驟的一部分(第一切入步驟)，由此除可抑制毛邊外，且可提高切割時的穩(wěn)定性，然后，通過進(jìn)行切割步驟的剩余部分(第二切入步驟)，而可抑制切割時芯片從切割帶等剝離。
[0075]另外，各實施方式作為示例而提示，并不旨在限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實施方式可由其他各種形態(tài)而實施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含于發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
[0076][符號說明]
[0077]I 集合基板
[0078]10配線基板
[0079]11積層體
[0080]12金屬板
[0081]12a 毛邊
[0082]13外部連接端子
[0083]14密封樹脂層
[0084]15外部連接端子
[0085]21黏著層
[0086]22a半導(dǎo)體芯片
[0087]22b半導(dǎo)體芯片
[0088]23外部連接端子
[0089]24黏著層
[0090]25貫通電極
[0091]26配線層
[0092]27連接配線
[0093]28電極墊
[0094]29半導(dǎo)體芯片
[0095]30密封樹脂
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:以半導(dǎo)體芯片位于配線基板的第一面?zhèn)鹊姆绞?，在所述配線基板的所述第一面上搭載積層體，所述積層體包括金屬板及積層于所述金屬板的一部分之上的半導(dǎo)體芯片； 在所述配線基板的所述第一面上形成將所述積層體密封的密封樹脂層； 通過以圍繞著所述積層體的方式形成第一切口並以圍繞著所述積層體的方式形成第二切口，而對應(yīng)所述積層體將所述配線基板分離，所述第一切口是使用第一切割刀片將所述金屬板及所述配線基板中的一個切斷并到達(dá)所述密封樹脂層，所述第二切口是使用第二切割刀片將所述金屬板及所述配線基板中的另一個切斷并到達(dá)所述第一切口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 至少在形成所述第二切口前，在所述配線基板的與所述第一面對向的第二面上形成外部連接端子。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第一切割刀片及所述第二切割刀片的一側(cè)具有第一厚度； 所述第一切割刀片及所述第二切割刀片的另一側(cè)具有比所述第一厚度厚的第二厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第一切口及所述第二切口中的將所述配線基板切斷而形成的切口具有第一深度； 所述第一切口及所述第二切口中的將所述金屬板切斷而形成的切口具有比所述第一深度淺的第二深度。5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于:包括: 配線基板，其包括彼此對向的第一面及第二面； 積層體，其包括金屬板及積層于所述金屬板上的半導(dǎo)體芯片，且以所述半導(dǎo)體芯片位于所述配線基板的所述第一面?zhèn)鹊姆绞?，搭載于所述配線基板的所述第一面上； 密封樹脂層，其以使所述金屬板的至少一部分露出并且將所述積層體密封的方式設(shè)置于所述配線基板的所述第一面上； 第一側(cè)面，其以圍繞著所述積層體的方式，從所述金屬板的側(cè)面不間斷地連續(xù)延伸到所述密封樹脂層的側(cè)面的一部分為止； 第二側(cè)面，其以圍繞著所述積層體的方式，從所述配線基板的側(cè)面不間斷地連續(xù)延伸到所述密封樹脂層的側(cè)面的一部分為止；且 在所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間設(shè)置有階差。
【專利摘要】本發(fā)明為抑制毛邊的產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，以半導(dǎo)體芯片位于配線基板的第一面?zhèn)鹊姆绞剑谂渚€基板的第一面上搭載積層體，且形成將積層體密封的密封樹脂層，所述積層體包括金屬板及積層于金屬板的一部分之上的半導(dǎo)體芯片，通過以圍繞著積層體的方式形成第一切口並以圍繞著積層體的方式形成第二切口，而對應(yīng)積層體將配線基板分離，第一切口是使用第一切割刀片將金屬板及配線基板中的一個切斷并到達(dá)密封樹脂層，第二切口是使用第二切割刀片將金屬板及配線基板中的另一個切斷并到達(dá)第一切口。
【IPC分類】H01L27/115, H01L21/56, H01L21/8247, H01L23/31
【公開號】CN104916592
【申請?zhí)枴緾N201410447288
【發(fā)明人】川戶雅敏
【申請人】株式會社東芝
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年9月4日
【公告號】US20150262975