半導體裝置的制造方法及半導體裝置的制造方法
【專利說明】半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[0001]關(guān)連申請
[0002]本申請享有以日本專利申請2014-52715號(申請日:2014年3月14日)為基礎申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法及半導體裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]近年來，伴隨通信技術(shù)或信息處理技術(shù)的發(fā)展，半導體裝置的小型化及高速化的要求增高。為了應對此要求，半導體裝置中，推進如下半導體封裝的開發(fā)，該半導體封裝的目的在于利用使多個半導體芯片積層的3維安裝，而縮短零件間的配線的長度從而對應于動作頻率的增大，并提高安裝面積效率。
[0005]例如，在NAND (與非)型快閃存儲器等半導體裝置中，從小型化及高速化的觀點來說，提出有一種在同一配線基板積層存儲器控制器與存儲器芯片的3維安裝構(gòu)造。作為3維安裝構(gòu)造，例如正研究TSV(Through Silicon Via,娃穿孔)方式的積層構(gòu)造。
[0006]TSV方式的積層構(gòu)造的半導體裝置的制造中，是于金屬板上積層多個半導體芯片，使用貫通半導體芯片的貫通電極進行半導體芯片間的電連接，由此形成積層體。然后，將該金屬板上的積層體與配線基板加以貼合。此外，通過向半導體芯片與配線基板之間填充密封樹脂而將積層體密封，并將外部連接端子形成于配線基板后，進行切割(dicing)從而相應于積層體而將配線基板分離。
[0007]切割步驟中，例如使用切割刀片將配線基板切斷，但此時，會產(chǎn)生被稱作毛邊(burr)的突起。毛邊是將切斷對象物切削時所產(chǎn)生者，存在引起封裝的厚膜化或短路等的可能性。因此，切割步驟中，優(yōu)選盡可能少地產(chǎn)生毛邊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]實施方式的發(fā)明所欲解決的課題在于抑制毛邊的產(chǎn)生。
[0009]實施方式的半導體裝置的制造方法以半導體芯片位于配線基板的第一面?zhèn)鹊姆绞剑瑢ε渚€基板的第一面上搭載積層體，所述積層體包括金屬板及積層于該金屬板的一部分之上的半導體芯片，且在配線基板的第一面上形成將積層體密封的密封樹脂層，通過以圍繞著積層體的方式形成第一切口並以圍繞著積層體的方式形成第二切口，而對應積層體將配線基板分離，第一切口是使用第一切割刀片將金屬板及配線基板中的一個切斷并到達密封樹脂層，第二切口是使用第二切割刀片將金屬板及配線基板中的另一個切斷并到達第一切口。
【附圖說明】
[0010]圖1是表示半導體裝置的制造方法例的流程圖。
[0011]圖2㈧?(C)是用以說明積層體的制造方法例的剖面圖。
[0012]圖3㈧?(C)是用以說明半導體裝置的制造方法例的剖面圖。
[0013]圖4㈧及⑶是用以說明第一切入步驟的圖。
[0014]圖5㈧及⑶是用以說明第二切入步驟的圖。
[0015]圖6(A)及(B)是表示半導體裝置的構(gòu)造例的圖。
[0016]圖7(A)及(B)是用以說明半導體裝置的制造方法的另一例的剖面圖。
[0017]圖8(A)及(B)是用以說明半導體裝置的制造方法的另一例的剖面圖。
[0018]圖9是表示半導體裝置的制造方法例的流程圖。
[0019]圖10㈧?(C)是用以說明半導體裝置的制造方法例的剖面圖。
【具體實施方式】
[0020]以下，參照附圖對實施方式進行說明。另外，附圖是示意性的圖，例如厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比率等有時與現(xiàn)實的情況有所不同。而且，實施方式中，對實質(zhì)相同的構(gòu)成要素附上相同的符號，并省略說明。
[0021](第一實施方式)
[0022]圖1是表示半導體裝置的制造方法例的流程圖。圖1所示的半導體裝置的制造方法例至少具備準備步驟(Sl-1)、搭載步驟(S1-2)、密封步驟(S1-3)、端子形成步驟(S1-4)、第一切入步驟(S1-5)、第二切入步驟(S1-6)。另外，本實施方式中的半導體裝置的制造方法例的步驟內(nèi)容及步驟順序不必限定為圖1所示的步驟。
[0023]準備步驟(Sl-1)是準備積層體的步驟，該積層體具備金屬板、及設置于金屬板的一部分之上的半導體芯片。積層體例如具有TSV方式的積層構(gòu)造，且通過如下而形成:例如在金屬板上積層多個半導體芯片，利用貫通半導體芯片的貫通電極而將半導體芯片間電連接。
[0024]搭載步驟(S1-2)是將所述積層體搭載于配線基板的步驟。此時，利用例如設置于積層體的上表面的凸塊電極而與配線基板電連接。
[0025]密封步驟(S1-3)是將密封所述積層體的密封樹脂層形成于配線基板上的步驟。例如，可使用轉(zhuǎn)移成型法、壓縮成型法、注射成型法等成型法而形成密封樹脂層。
[0026]端子形成步驟(S1-4)是形成外部連接端子的步驟。例如，可在配線基板形成焊球而形成外部連接端子。另外，在利用接合線等將所述半導體裝置與其他電子零件電連接的情況下也可不必設置端子形成步驟。
[0027]第一切入步驟(S1-5)是使用第一切割刀片形成第一切口的步驟。本步驟中形成第一切口直到密封樹脂層的中途為止，并不使配線基板分離。
[0028]第二切入步驟(S1-6)是使用第二切割刀片形成第二切口的步驟。利用本步驟將配線基板分離。另外，也可將第一切入步驟(S1-5)與第二切入步驟(S1-6)合并而作為切割步驟。
[0029]另外，除所述步驟外，也可設置刻印產(chǎn)品名等產(chǎn)品信息的標記步驟、熱處理步驟、在經(jīng)標記的半導體裝置中以至少覆蓋密封樹脂層的方式形成遮蔽層的遮蔽層形成步驟等。
[0030]此外，參照附圖對各步驟進行說明。參照圖2對準備步驟(Sl-1)中準備的積層體11的制造方法例進行說明。圖2是用以說明積層體11的制造方法例的剖面圖。
[0031]首先，如圖2(A)所示，在金屬板12的一部分之上經(jīng)由黏著層21而貼合半導體芯片22a。金屬板12具有作為用以使例如半導體裝置內(nèi)部的熱向外部散逸的散熱板的功能。關(guān)于金屬板12，例如可使用銅、鐵、鎳等金屬或他們的合金等的金屬板。例如，銅板因?qū)嵝愿咚詢?yōu)選。作為黏著層21，例如可使用聚酰亞胺或環(huán)氧等樹脂膜。
[0032]接下來，如圖2(B)所示，使半導體芯片22b積層。進而，在最上層的半導體芯片22b上形成配線層26。進而，在配線層26上形成電極墊28。此處，作為一例，形成7層的半導體芯片22b的積層。
[0033]半導體芯片22b具有貫通電極25。多個半導體芯片22b經(jīng)由黏著層24而彼此貼合，利用凸塊電極23及貫通電極25而彼此電連接。此外，最下層的半導體芯片22b經(jīng)由黏著層24而貼合于半導體芯片22a，利用凸塊電極23及貫通電極25而與半導體芯片22a電連接。作為半導體芯片22a及半導體芯片22b，例如可使用存儲器芯片等。作為存儲器芯片，例如可使用NAND型快閃存儲器等存儲元件。另外，也可在存儲器芯片中設置解碼器等電路。另外，也可在半導體芯片22a設置貫通電極，利用貫通電極而與半導體芯片22b電連接。
[0034]作為凸塊電極23,例如可使用金凸塊或焊錫凸塊,作為焊錫凸塊,可使用錫-銀系、錫-銀-銅系的無鉛焊錫。
[0035]作為配線層26的具體例，可列舉將半導體芯片22b的電極墊進行再配置的再配線層。配線層26是設置于半導體芯片22b上的再配線層，且具有連接配線27。連接配線27與最上層的半導體芯片22b的貫通電極25電連接。
[0036]作為連接配線27及電極墊28，例如可使用銅、鈦、氮化鈦、鉻、鎳、金、或鈀等的層。
[0037]接下來，如圖2(C)所示，在配線層26上配置半導體芯片29。此外，使用底填充法等向半導體芯片22b間的間隙填充密封樹脂30。通過以上而形成積層體11。
[0038]作為半導體芯片29，例如可使用倒裝芯片型的半導體芯片，經(jīng)由焊球等外部連接端子而與連接配線27電連接。作為半導體芯片29，例如可使用接口芯片或控制器芯片。例如在半導體芯片22b為存儲器芯片的情況下，半導體芯片29使用控制器芯片，利用控制器芯片來控制對存儲器芯片的寫入及讀取。另外，半導體芯片29優(yōu)選小于半導體芯片22b。即，半導體芯片29優(yōu)選設置于半導體芯片22b的一部分之上。
[0039]如參照圖2所說明般，積層體11具備:金屬板12，設置于金屬板12的一部分之上的半導體芯片(半導體芯片22a及半導體芯片22b)，設置于半導體芯片22b上且具有連接配線27的配線層26，及設置于配線層26上且經(jīng)由連接配線27而與半導體芯片22b電連接的半導體芯片29。半導體芯片22b具有貫通芯片的貫通電極25，利用貫通電極25將芯片間電連接。如此，通過使用TSV方式的積層構(gòu)造的積層體1