、該N型擴(kuò)散摻雜層的該N型端面、該N+型擴(kuò)散雜層的該N+型端面及該電極層的該顯露 面。
2. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)包含一光接收表面， 且該光接收表面包含該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)+型端面，該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)型端面， 該N型擴(kuò)散摻雜層的該N型端面以及該N+型擴(kuò)散摻雜層的該N+型端面。
3. 如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該光接收表面是一不平整表面。
4. 如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該電極層的該顯露面及各該具有 PN接面結(jié)構(gòu)的該光接收表面之間具有一高度差。
5. 如權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該顯露面的位置低于該光接收表面。
6. 如權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該電極層包含由該顯露面所形成 的一凹槽，且該凹槽的深度大于該高度差。
7. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該電極層包含由該顯露面所形成 的一凹槽，且該凹槽由該鈍化層加以填充。
8. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度介于 IO19原子/立方公分至IO 21原子/立方公分之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的厚度介于0. 3 y m S 3 ym ^L|'b]〇
10. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度介于 1〇16原子/立方公分至1〇 2°原子/立方公分之間。
11. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層的厚度介于I U m 至50 ym之間。
12. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度介于 1〇16原子/立方公分至1〇 2°原子/立方公分之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N型擴(kuò)散摻雜層的厚度系介于1 y m至50 y m之間。
14. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N+型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度介于 1〇19原子/立方公分至1〇 21原子/立方公分之間。
15. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N+型擴(kuò)散摻雜層的厚度介于0. 3 y m S 3 ym ^L|'b]〇
16. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)亦包含一 P-型擴(kuò) 散摻雜層，其配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層及該N型擴(kuò)散摻雜層之間。
17. 如權(quán)利要求16所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)-型擴(kuò)散摻雜層具有一 P-型端 面，且該P(yáng)-型端面由該鈍化層所覆蓋。
18. 如權(quán)利要求16所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)-型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度介 于IO14原子/立方公分至IO 18原子/立方公分之間。
19. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)亦包含一 N-型擴(kuò) 散摻雜層，其配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層及該N型擴(kuò)散摻雜層之間。
20. 如權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N-型擴(kuò)散摻雜層具有一 N-型端 面，且該N-型端面由該鈍化層所覆蓋。
21. 如權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N-型擴(kuò)散摻雜層的摻雜濃度系 介于1〇14原子/立方公分至1〇 18原子/立方公分之間。
22. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)選自硅、砷化鎵、鍺、 磷化銦鎵及其混和物其中之一。
23. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該鈍化層借由原子層沉積制程而形 成。
24. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該鈍化層是可透光的。
25. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該鈍化層選自氧化鉿、氧化鑭、二氧 化娃、二氧化鈦、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鋁、氧化鉭、氧化銦、二氧化錫、氧化銦錫、氧化鐵、五 氧化二鈮、氧化鎂、氧化鉺、氮化鎢、氮化鉿、氮化鋯、氮化鋁以及氮化鈦其中之一。
26. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該垂直多接面電池包含一第一端 面、與該第一端面相反的一第二端面、以及分別配置于該第一端面與該第二端面的至少兩 導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極由該鈍化層所覆蓋。
27. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，該垂直多接面電池包含一第一端 面、與該第一端面相反的一第二端面、以及分別配置于該第一端面與該第二端面的至少兩 導(dǎo)電電極，且該第一端面與該第二端面由該鈍化層所覆蓋。
28. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，亦包括覆蓋部份該鈍化層的一抗反 射層，其中該抗反射層是可透光的。
29. -種太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，包含： 提供一垂直多接面電池，其具有多個(gè)PN接面結(jié)構(gòu)及多個(gè)電極層，其中該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)彼 此相互間隔，且各PN接面結(jié)構(gòu)包含一 P+型擴(kuò)散摻雜層、一P型擴(kuò)散摻雜層、一N型擴(kuò)散摻 雜層與一 N+型擴(kuò)散摻雜層，其中該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層具有一 P+型端面，且該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜 層連接至該P(yáng)+型端面并具有一 P型端面，該N型擴(kuò)散摻雜層連接至該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層并具 有一 N型端面，及該N+型擴(kuò)散摻雜層連接至該N型擴(kuò)散摻雜層并具有一 N+型端面，且各電 極層配置并連接于兩鄰近PN接面結(jié)構(gòu)之間，其具有一顯露面；以及 形成一鈍化層于該垂直多接面電池，覆蓋于該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)+型端面、該P(yáng)型 擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)型端面、該N型擴(kuò)散摻雜層的該N型端面、該N+型擴(kuò)散雜層的該N+型端 面、及該電極層的該顯露面。
30. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，該鈍化層借由原子層 沉積制程而形成。
31. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，該垂直多接面電池包 含一第一端面、與該第一端面相反的一第二端面、以及分別配置于該第一端面與該第二端 面的至少兩導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極由該鈍化層所覆蓋。
32. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，該垂直多接面電池包 含一第一端面、與該第一端面相反的一第二端面、以及分別配置于該第一端面與該第二端 面的至少兩導(dǎo)電電極，且更包含形成該鈍化層來(lái)覆蓋該第一端面與該第二端面。
33. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，各該電極層包含由該 顯露面所形成的一凹槽，且更包含形成該鈍化層來(lái)填充該凹槽。
34. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)亦包 含一 P-型擴(kuò)散摻雜層，其配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層及該N型擴(kuò)散摻雜層之間，且更 包含形成該鈍化層來(lái)覆蓋該P(yáng)-型擴(kuò)散摻雜層的一 P-型端面。
35. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)亦包 含一 N-型擴(kuò)散摻雜層，其配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層及該N型擴(kuò)散摻雜層之間，且更 包含形成該鈍化層來(lái)覆蓋該N-型擴(kuò)散摻雜層的一 N-型端面。
36. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，該鈍化層是可透光的。
37. 如權(quán)利要求29所述的太陽(yáng)能電池的制程方法，其特征在于，亦包括形成一抗反射 層來(lái)覆蓋部份該鈍化層，其中該抗反射層是可透光的。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池包含一垂直多接面電池與一鈍化層。該垂直多接面電池具有彼此相互間隔的多個(gè)PN接面結(jié)構(gòu)及多個(gè)電極層。各PN接面結(jié)構(gòu)包含一P+型擴(kuò)散摻雜層、一P型擴(kuò)散摻雜層、一N型擴(kuò)散摻雜層與一N+型擴(kuò)散摻雜層。各電極層系配置并連接于兩鄰近PN接面結(jié)構(gòu)之間，且具有一顯露面。該鈍化層覆蓋于該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)+型端面、該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)型端面、該N型擴(kuò)散摻雜層的該N型端面、該N+型擴(kuò)散雜層的該N+型端面、及該電極層的該顯露面。一種制造該太陽(yáng)能電池的制程方法包含提供一垂直多接面電池與在該垂直多接面電池上形成一鈍化層。
【IPC分類】H01L31-0216, H01L31-18
【公開(kāi)號(hào)】CN104867990
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510045608
【發(fā)明人】楊美環(huán), 童鈞彥, 許晉維, 吳振良, 陳坤賢, 趙偉勝, 彭英杰, 黃德智, 莊明戰(zhàn)
【申請(qǐng)人】美環(huán)能股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年1月29日