池200的一厚度T。
[0069] 圖3為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種太陽(yáng)能電池的側(cè)視圖。
[0070] 請(qǐng)參閱圖3,各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)200a亦包含一P-型擴(kuò)散摻雜層215,該P(yáng)-型擴(kuò)散 摻雜層215配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層212及該N型擴(kuò)散摻雜層213之間，該P(yáng)-型擴(kuò) 散摻雜層215具有一P-型端面215a，且該P(yáng)-型端面215a亦由該鈍化層230所覆蓋，借此 減少減少載子的復(fù)合機(jī)率。在本實(shí)施例中，該P(yáng)-型擴(kuò)散摻雜層215的一摻雜濃度介于1014 原子/立方公分至1〇18原子/立方公分之間。
[0071] 圖4為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種太陽(yáng)能電池的側(cè)視圖。
[0072] 請(qǐng)參閱圖4,各該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)200a亦包含一N-型擴(kuò)散摻雜層216,該N-型擴(kuò)散 摻雜層216配置并連接于該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層212及該N型擴(kuò)散摻雜層213之間，該N-型擴(kuò) 散摻雜層216具有一N-型端面216a，且該N-型端面216a亦由該鈍化層230所覆蓋，借此 減少減少載子的復(fù)合機(jī)率。在本實(shí)施例中，該N-型擴(kuò)散摻雜層216的一摻雜濃度介于1014 原子/立方公分至1〇18原子/立方公分之間。
[0073] 圖5為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種太陽(yáng)能電池的側(cè)視圖。
[0074] 請(qǐng)參閱圖5,該具鈍化層的太陽(yáng)能電池100亦包含一反射層260,該抗反射層260 覆蓋部份該鈍化層230以減少表面反射，且該抗反射層260是可透光的。在本實(shí)施例中， 該抗反射層260是由一電衆(zhòng)增強(qiáng)型化學(xué)器相沉積（PlasmaEnhancedChemicalVapor Deposition，PECVD)制程所形成。在本實(shí)施例中，構(gòu)成該抗反射層260的介電材料選自氮 化娃（Si3N4)與二氧化娃（Si02)。在本實(shí)施例中，該抗反射層260的一厚度介于10nm至80 nm之間。
[0075] 圖6為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種太陽(yáng)能電池的制程方法的流程圖。
[0076] 請(qǐng)參閱圖6,依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種太陽(yáng)能電池的制程方法的流程圖，該方 法包含提供一垂直多接面電池的一操作602,且該方法將接續(xù)形成一鈍化層于該垂直多接 面電池的一操作604。依據(jù)圖6的制程方法的流程圖的不同操作的太陽(yáng)能電池的細(xì)部圖將 如下所揭示。
[0077] 圖7a與圖7b為依據(jù)圖6的制程方法，在不同制程下，太陽(yáng)能電池的細(xì)部圖。
[0078] 請(qǐng)參閱圖7a，依據(jù)圖6的制程方法，在提供一垂直多接面電池700的一操作602的 制程下，太陽(yáng)能電池的細(xì)部圖，該垂直多接面電池700包含多個(gè)PN接面結(jié)構(gòu)700a及多個(gè)電 極層740。該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a彼此相互間隔。該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a由硅（Si)所組成，且 該其硅純度介于4N至11N之間。在本實(shí)施例中，該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a選自砷化鎵、鍺、磷化 銦鎵及其混和物等之一或者任何材料或者可吸收光并產(chǎn)生電子電洞對(duì)或激子的化合物。各 該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a包含一光接收表面710a、一P+型擴(kuò)散摻雜層711、一P型擴(kuò)散摻雜層 712、一N型擴(kuò)散摻雜層713與一N+型散摻雜層714,該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層711具有一P+型 端面711a，該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層712連接至該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層711并具有一P型端面712a， 該N型擴(kuò)散摻雜層713連接至該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層712并具有一N型端面713a，以及該N+型 擴(kuò)散摻雜層714連接至該N型擴(kuò)散摻雜層713并具有一N+型端面714a。在本實(shí)施例中，該 光接收表面710a包含該P(yáng)+型端面711a、該P(yáng)型端面712a、該N型端面713a與該N+型端 面714a。此外，該垂直多接面電池700亦包含一第一端面720、與該第一端面720相反的一 第二端面721、以及分別配置于該第一端面720與該第二端面721的至少兩導(dǎo)電電極750。
[0079] 各該電極層740配置并連接于兩鄰近PN接面結(jié)構(gòu)700a之間，且各該電極層740具 有一顯露面741及由該顯露面741所形成的一凹槽S。在本實(shí)施例中，該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a 與該電極層740通過熱制程所接合，且該熱制程的制程溫度介于400°C至800°C之間，以確 保該電極層740確實(shí)形成共晶接合。該電極層740可改善該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)700a之間的接合 強(qiáng)度。
[0080] 請(qǐng)參閱圖7b，依據(jù)圖6的制程方法，在形成一鈍化層于該垂直多接面電池的一操 作604的制程下，太陽(yáng)能電池的細(xì)部圖。一鈍化層730形成于該垂直多接面電池700,用以 覆蓋該P(yáng)+擴(kuò)散摻雜層711的該P(yáng)+型端面711a、該P(yáng)擴(kuò)散摻雜層712的該P(yáng)型端面712a、 該N擴(kuò)散摻雜層713的該N型端面713a、該N+擴(kuò)散摻雜層714的該N+型端面714a、以及 該電極層740的該顯露面741，借此減少載子的復(fù)合機(jī)率并增強(qiáng)內(nèi)建電場(chǎng)的強(qiáng)度。在本實(shí)施 例中，該鈍化層730可形成于該垂直多接面電池700的兩端，且該光接收表面710a可位于 該垂直多接面電池700的任一端。在本實(shí)施例中，該鈍化層730借由原子層沉積（Atomic layerdeposition，ALD)制程而形成，且該鈍化層730是可透光的。在本實(shí)施例中，該鈍化 層730是借由電衆(zhòng)原子層沉積（PlasmaAtomiclayerdeposition，PALD)制程而形成，且 該鈍化層730是可透光并選自氧化鉿、氧化鑭、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化 鋁、氧化鉭、氧化銦、二氧化錫、氧化銦錫、氧化鐵、五氧化二銀、氧化鎂、氧化鉺、氮化鶴、氮 化鉿、氮化鋯、氮化鋁以及氮化鈦等之一。
[0081] 需注意的是，由于不適當(dāng)?shù)脑訉映练e速率將導(dǎo)致該鈍化層730形成不均勻的厚 度及表面缺陷，故必須妥善控制該原子層沉積速率。因此，一適當(dāng)?shù)脑訉映练e速率是大于 或等于0.03nm/s，且該最佳的原子層沉積速率是0.1nm/s。此外，該最佳原子層沉積溫度 是介于100°C至350°C之間。
[0082] 在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電電極750、該第一端面720與該第二端面721是由該鈍化層 730所覆蓋，借此減少載子的復(fù)合機(jī)率。在本實(shí)施例中，該電極層740的該凹槽S是由該鈍 化層730加以填充，借改善該鈍化層730及該電極層740的一接合強(qiáng)度。
[0083] 圖8為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種太陽(yáng)能電池的制程方法的流程圖。圖9為依據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例的一種在太陽(yáng)能電池的表面形成一抗反射層的細(xì)部圖。
[0084] 請(qǐng)參閱圖8與圖9,在本實(shí)施例中，該方法包含形成一抗反射層760以覆蓋部份該 鈍化層730并減少表面反射的一操作606。在本實(shí)施例中，該抗反射層760由一電漿增強(qiáng) 型化學(xué)氣相沉積（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)制程所形成。在 本實(shí)施例中，該抗反射層760是可透光的，且構(gòu)成該抗反射層760的介電材料選自氮化硅 (Si3N4)與二氧化娃（Si02)。在本實(shí)施例中，該抗反射層760的一厚度是介于10nm至80 nm之間。
[0085] 請(qǐng)參閱第1表，有/無該鈍化層730的太陽(yáng)能電池的光學(xué)效率比較表，于300倍 太陽(yáng)光照射下（1太陽(yáng)光=0.09W/cm2)，無該鈍化層730的太陽(yáng)能電池具有一開路電壓 (Voc) 30. 03 伏特、一短路電流（Isc)O. 11 安培、一填充因子（FillFactor，F(xiàn)F) 0.67、以及 一光學(xué)轉(zhuǎn)換效率（n) 6. 55%。而形成鈍化層730并覆蓋于該P(yáng)+型端面711a、該P(yáng)型端面 712a、該N型端面713a、該N+型端面714a、以及顯露層741將改善太陽(yáng)能電池的該短路電 流（18(3)為0.31認(rèn)，并改善太陽(yáng)能電池的該光電轉(zhuǎn)換效率（1〇為22.67%。
[0086] 第 1 表
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，包含： 一垂直多接面電池，其具有多個(gè)PN接面結(jié)構(gòu)及多個(gè)電極層，其中，該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)彼此 相互間隔，且各PN接面結(jié)構(gòu)包含一 P+型擴(kuò)散摻雜層、一P型擴(kuò)散摻雜層、一N型擴(kuò)散摻雜 層與一 N+型擴(kuò)散摻雜層，其中該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層具有一 P+型端面，且該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層 連接至該P(yáng)+型端面并具有一 P型端面，該N型擴(kuò)散摻雜層連接至該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層并具有 一 N型端面，及該N+型擴(kuò)散摻雜層連接至該N型擴(kuò)散摻雜層并具有一 N+型端面，且各電極 層配置并連接于兩鄰近PN接面結(jié)構(gòu)之間，其具有一顯露面；以及 一鈍化層，其覆蓋于該P(yáng)+型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)+型端面、該P(yáng)型擴(kuò)散摻雜層的該P(yáng)型端 面