。
[0043] 綜上所述，本發(fā)明所提出的具鈍化層的太陽能電池與其制程方法具有下列功 效： 1.該太陽能電池的光入射表面的載子復合現(xiàn)象可以有效地降低。
[0044] 2.該太陽能電池可以在高聚光強度下運作，得到高的光轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0045] 圖la為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的側(cè)視圖。
[0046] 圖lb為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的局部放大圖。
[0047] 圖2為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的的立體圖。
[0048] 圖3為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的側(cè)視圖。
[0049] 圖4為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的側(cè)視圖。
[0050] 圖5為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的側(cè)視圖。
[0051] 圖6為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的制程方法的流程圖。
[0052] 圖7a與第7b圖為依據(jù)第6圖的制程方法，在不同制程下，太陽能電池的細部圖。
[0053] 圖8為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的制程方法的流程圖。
[0054] 圖9為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種在太陽能電池的表面形成一抗反射層的細部圖。
[0055] 【符號說明】 100太陽能電池； 200垂直多接面電池； 200aPN接面結(jié)構(gòu)； 210光入射面； 210a光接收表面； 211 P+型擴散雜層； 211aP+型端面； 212 P型擴散雜層； 212aP型端面； 213 N型擴散雜層； 213aN型端面； 214 N+型擴散雜層； 214aN+型端面； 215P-型擴散摻雜層； 215aP-型端面； 216N-型擴散摻雜層； 216aN-型端面； 220第一端面； 221第二端面； 230鈍化層； 240 電極層； 241顯露面； 250導電電極； W寬度； T厚度； S凹槽； D間距。
【具體實施方式】
[0056] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以 更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0057] 圖la為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的側(cè)視圖。圖lb為依據(jù)本發(fā)明實施 例的一種太陽能電池的局部放大圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明實施例的一種太陽能電池的的立體 圖。
[0058] 請參閱圖la、lb及圖2,本發(fā)明的一種太陽能電池100設計為減少吸收太陽光所產(chǎn) 生的載子的復合機率。該具鈍化層的太陽能電池1〇〇包含一垂直多接面電池200及配置于 該垂直多接面電池200的一鈍化層230。
[0059] 該垂直多接面電池200具有多個PN接面結(jié)構(gòu)200a及多個電極層240。該PN接面 結(jié)構(gòu)200a彼此相互間隔。該PN接面結(jié)構(gòu)200a由硅（Si)所組成，且該硅純度介于4N至11N 之間。在一些實施例中，該PN接面結(jié)構(gòu)200a選自砷化鎵（GaAs)、鍺（Ge)、磷化銦鎵（InGaP) 及其混和物等之一。各電極層240配置并連接于兩鄰近PN接面結(jié)構(gòu)200a之間，其提供歐 姆性接觸與低電阻、高接合強度及高熱導等特性。在本實施例中，該電極層240可選自于硅 (Si)、鈦金屬（Ti)、鈷金屬（Co)、鎢金屬（W)、鉿金屬（Hf)、鉭金屬（Ta)、鉬金屬（Mo)、鉻金 屬（Cr)、銀金屬（Ag)、銅金屬（Cu)、鋁金屬（A1)或上述的材料的合金之一。
[0060] 為了改善載子注入及該垂直多接面電池200的歐姆性接觸，各該PN接面結(jié)構(gòu) 200a包含一光接收表面（lightreceivingsurface) 210a、一P+型擴散摻雜層（P+type diffusedopinglayer) 21K一P型擴散慘雜層（Ptypediffusedopinglayer) 212、一 N型擴散慘雜層（Ntypediffusedopinglayer) 213 與一N+型散慘雜層（N+typediffuse dopinglayer) 214,該P型擴散摻雜層212連接至該P+型擴散雜層211，該N型擴散摻雜層 213連接至該P型擴散摻雜層212,以及該N+型擴散摻雜層214連接至該N型擴散摻雜層 213,且該PN接面結(jié)構(gòu)200a的該P+型擴散摻雜層211及該N+型擴散摻雜層214連接至不 同的電極層240。該P+型擴散摻雜層211具有一P+型端面211a。在本實施例中，該P+型 擴散摻雜層211的一摻雜濃度介于1019原子/立方公分（atom/cm3)至1021原子/立方公 分之間。在本實施例中，該P+型擴散摻雜層211的一厚度介于0.3ym至3ym之間。
[0061] 該P型擴散摻雜層212具有一P型端面212a。在本實施例中，該P型擴散摻雜層 212的一摻雜濃度介于1016原子/立方公分至102°原子/立方公分之間。在本實施例中， 該P型擴散摻雜層212的一厚度介于1ym至50ym之間。
[0062] 該N型擴散摻雜層213具有一N型端面213a。在本實施例中，該N型擴散摻雜層 213的一摻雜濃度介于1016原子/立方公分至102°原子/立方公分之間。在本實施例中， 該N型擴散摻雜層213的一厚度介于1ym至50ym之間。
[0063] 該N+型擴散摻雜層214具有一N+型端面214a。在本實施例中，該N+型擴散摻雜 層214的一摻雜濃度介于1019原子/立方公分至10 21原子/立方公分之間。在本實施例 中，該N+型擴散摻雜層211的一厚度介于0.3ym至3ym之間。
[0064] 在本實施例中，該光接收表面210a包含該該P+型擴散摻雜層211的該P+型端面 211a、該P型擴散摻雜層212的該P型端面212a、該N型擴散摻雜層213的該N型端面213a 與該N+型擴散摻雜層214的該N+型端面214a。在本實施例中，該光接收表面210a是一不 平整表面（unevensurface)。
[0065] 各該電極層240具有一顯露面（exposingsurface) 241。為了保護該電極層240 避免來自該制程的傷害，各該電極層240的該顯露面241及各該具有PN接面結(jié)構(gòu)200a的 該光接收表面210a之間具有一高度差h。在本實施例中，該顯露面241的一位置低于該光 接收表面210a。
[0066] 為了減少載子的復合機率，該鈍化層230覆蓋于該P+型擴散摻雜層211的該P+型 端面211a、該P型擴散摻雜層212的該P型端面212a、該N型擴散摻雜層213的該N型端 面213a、該N+型擴散雜層214的該N+型端面214a與該電極層240的該顯露面241。該鈍 化層230借由原子層沉積（Atomiclayerdeposition，ALD)制程而形成。且該鈍化層230 可透光并選自氧化鋁（A1203)、氧化鉿（Hf02)、氧化鑭（La203)、二氧化娃（Si02)、二氧化鈦 (Ti02)、氧化鋅（ZnO)、氧化鋯（Zr02)、五氧化二鉭（Ta205)、氧化銦（ln203)、二氧化錫（Sn02)、 氧化銦錫（IT0)、氧化鐵（Fe203)、五氧化二銀（Nb205)、氧化鎂（MgO)、氧化鉺（Er203)、氮化鶴 (WN)、氮化鉿（Hf3N4)、氮化鋯（Zr3N4)、氮化鋁（A1N)以及氮化鈦（TiN)等之一。且為了減 少載子的復合機率，該鈍化層230可用于修正該PN接面結(jié)構(gòu)200a表面的瑕疵與懸鍵，以降 低該垂直多接面電池200的光電轉(zhuǎn)換效率的衰退效應并增加該垂直多接面電池200的光電 轉(zhuǎn)換效率。在本實施例中，該鈍化層230的一厚度介于10nm至180nm之間。
[0067] 為了改善該鈍化層230及該電極層240的一接合強度（bondingstrength)，各該 電極層240亦包含由該顯露面241所形成的一凹槽（grrove)S，且該凹槽S由該鈍化層240 加以填充。在本實施例中，該凹槽S的一深度D大于該高度差h。
[0068] 該垂直多接面電池200包含一第一端面220、一第二端面221與至少兩導電電極 250,而該第二端面221與該第一端面220相反，且該導電電極250分別配置于該第一端面 與該第二端面，該導電電極250用以導出該垂直多接面電池200所產(chǎn)生的電能。在本實施 例中，該導電電極250、該第一端面220與該第二端面221皆由該鈍化層230所覆蓋，借此減 少減少載子的復合機率。在本實施例中，各該導電電極250的一寬度W小于該垂直多接面 電