夠?qū)?00上均勻地供給NH3氣體。因此，能夠使在晶片200上 形成的膜厚變得均勻。
[0151] 此時，調(diào)整質(zhì)量流量控制器244c，使得NH3氣體的流量變?yōu)橐?guī)定的流量。此外，NH 3 氣體的供給流量為例如IOOsccm以上且5000sccm以下。此外，也可以與NH3氣體一并從第 2惰性氣體供給系統(tǒng)247作為運載氣體使隊氣體流到處理室201內(nèi)。另外，通過適當(dāng)調(diào)整 第1排氣系統(tǒng)220的APC閥223的閥開度，將處理容器202內(nèi)的壓力設(shè)為規(guī)定的壓力（例 如 930Pa)。
[0152] 在處理室201內(nèi)，等離子體狀態(tài)的NH3氣體按規(guī)定的時間、例如0. 3秒鐘被供給到 晶片200上。在晶片200上已形成的含鈦層通過見13氣體的等離子體而改性，從而在晶片 200上形成含有鈦元素以及氮元素的層。
[0153] 含有鈦元素以及氮元素的改性層（含鈦及氮的層），例如根據(jù)處理容器203內(nèi)的壓 力、NH 3氣體的流量、襯底載置部210的溫度、等離子體生成部250的電力供給情況等，按規(guī) 定的厚度、規(guī)定的分布、規(guī)定的氮成分等相對于含鈦層的進入深度而形成。
[0154] 在晶片200表面上形成含鈦及氮的層時，同時在分散板234上還形成含鈦及氮的 層。如果在分散板234的相對面234d形成含鈦及氮的層，則從分散板234進行熱輻射時的 福射率變小?？刂破?60根據(jù)該福射率的減低而增大分散板加熱器234h的輸出并將從分 散板234輻射的熱量維持為恒定。具體而言，控制器260對實施清潔工序后的成膜工序的 實施次數(shù)進行計數(shù)，根據(jù)該成膜工序的實施次數(shù)增大分散板加熱器234h的輸出。也即是， 隨著成膜工序的實施次數(shù)增多，而增大分散板加熱器234h的輸出。
[0155] 此外，在分散板234的與晶片200相對的相對面234d所形成的膜，具有增大輻射 率的性質(zhì)的情況下，控制器260隨著成膜工序的實施次數(shù)增多，而減小分散板加熱器234h 的輸出。作為這樣的膜，例如有氮化膜、氧化膜等。
[0156] 這樣，控制器260進行控制，使得：在對處理室201供給處理氣體時，在增大從簇射 頭230輻射的熱的輻射率的膜附著于相對面234d的情況下，與所述膜未附著于相對面234d 的情況相比，減小分散板加熱器234h的輸出；在減小從簇射頭230輻射的熱的輻射率的膜 附著于相對面234d的情況下，與所述膜未附著于相對面234d的情況相比，增大分散板加熱 器234h的輸出。
[0157] 從襯底載置部210移動到分散板234的熱量q(W/m2)，能夠近似地如（式1)那樣 表示。這里，σ為斯特藩-玻爾茲曼常數(shù)（N 5.67X10-8) (W/m2K4)。T1為襯底載置部210 的溫度（K)。1~ 2為分散板234的溫度（K)。ε 1為襯底載置部210的輻射率，ε 2為分散板 234的輻射率。
[0158]【數(shù)學(xué)式1】
【主權(quán)項】
1. 一種襯底處理裝置，其中，具有： 處理室，其對襯底進行處理； 襯底載置部，其配置在所述處理室內(nèi)，在表面具有載置襯底的襯底載置面，并且具有第 1加熱器； 簇射頭，其具有第2加熱器，并且設(shè)置在與所述襯底載置面相對的位置，具備與所述襯 底載置面相對的相對面； 處理氣體供給系統(tǒng)，其經(jīng)由所述簇射頭對所述處理室供給對載置于所述襯底載置面的 襯底進行處理的處理氣體； 排氣系統(tǒng)，其將所述處理室內(nèi)的氣氛排出；和 控制部，其控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載置 于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置部 的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面與所述襯底載置部的溫度差為規(guī)定的范圍內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第2加熱器的輸出，使得在對所述處理室供給所述處理氣體前且 在將襯底載置于所述襯底載置面時，所述簇射頭的溫度高于從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給 所述處理氣體時的溫度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部進行控制，使得在對所述處理室供給所述處理氣體時，在增大從所述簇射 頭輻射的熱的輻射率的膜附著于所述相對面的情況下，與所述膜未附著于所述相對面的情 況相比，減小所述第2加熱器的輸出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部在控制所述第2加熱器的輸出時，在控制所述第1加熱器的輸出使得所述 襯底載置部為規(guī)定的溫度后，控制所述第2加熱器的輸出使得所述簇射頭為規(guī)定的溫度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部進行控制，使得在對所述處理室供給所述處理氣體時，在減小從所述簇射 頭輻射的熱的輻射率的膜附著于所述相對面的情況下，與所述膜未附著于所述相對面的情 況相比，增大所述第2加熱器的輸出。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部在控制所述第2加熱器的輸出時，在控制所述第1加熱器的輸出使得所述 襯底載置部為規(guī)定的溫度后，控制所述第2加熱器的輸出使得所述簇射頭為規(guī)定的溫度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部進行控制，使得在對所述處理室供給所述處理氣體時，在增大從所述簇射 頭輻射的熱的輻射率的膜附著于所述相對面的情況下，與所述膜未附著于所述相對面的情 況相比，減小所述第2加熱器的輸出。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部在控制所述第2加熱器的輸出時，在控制所述第1加熱器的輸出使得所述 襯底載置部為規(guī)定的溫度后，控制所述第2加熱器的輸出使得所述簇射頭為規(guī)定的溫度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度與所述襯底載置部的溫度為相同溫度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度高于由于所述處理氣體而副生成物附著于所述 相對面的溫度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部進行控制，使得在對所述處理室供給所述處理氣體時，在減小從所述簇射 頭輻射的熱的輻射率的膜附著于所述相對面的情況下，與所述膜未附著于所述相對面的情 況相比，增大所述第2加熱器的輸出。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部在控制所述第2加熱器的輸出時，在控制所述第1加熱器的輸出使得所述 襯底載置部為規(guī)定的溫度后，控制所述第2加熱器的輸出使得所述簇射頭為規(guī)定的溫度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度與所述襯底載置部的溫度為相同溫度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度高于由于所述處理氣體而副生成物附著于所述 相對面的溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部在控制所述第2加熱器的輸出時，在控制所述第1加熱器的輸出使得所述 襯底載置部為規(guī)定的溫度后，控制所述第2加熱器的輸出使得所述簇射頭為規(guī)定的溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度與所述襯底載置部的溫度為相同溫度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度高于由于所述處理氣體而副生成物附著于所述 相對面的溫度。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度與所述襯底載置部的溫度為相同溫度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 所述控制部控制所述第1加熱器的輸出以及所述第2加熱器的輸出，使得在將襯底載 置于所述襯底載置面后，在從所述處理氣體供給系統(tǒng)供給所述處理氣體時，所述襯底載置 部的溫度為規(guī)定的溫度，所述相對面的溫度高于由于所述處理氣體而副生成物附著于所述 相對面的溫度。
20. -種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括： 載置工序，將襯底載置于具有第1加熱器的襯底載置部的襯底載置面； 處理氣體供給工序，從具有與所述襯底載置面相對的相對面且具有第2加熱器的簇射 頭，向被載置于所述襯底載置面的襯底供給處理該襯底的處理氣體；和 溫度控制工序，在所述處理氣體供給工序中，控制所述第1加熱器的輸出，使得所述襯 底載置部的溫度為規(guī)定的溫度，并控制所述第2加熱器的輸出，使得所述相對面與所述襯 底載置部的溫度差為規(guī)定的范圍內(nèi)。
【專利摘要】抑制襯托器與簇射頭之間的溫度差的襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。襯底處理裝置構(gòu)成為，具有：處理室，對襯底進行處理；襯底載置部，配置在處理室內(nèi)，在表面具有載置襯底的襯底載置面，并且具有第1加熱器；簇射頭，具有第2加熱器，并且設(shè)在與襯底載置面相對的位置，具備與襯底載置面相對的相對面；處理氣體供給系統(tǒng)，經(jīng)由簇射頭對處理室供給對載置于襯底載置面的襯底進行處理的處理氣體；排氣系統(tǒng)，將處理室內(nèi)的氣氛排出；和控制部，控制第1加熱器的輸出及第2加熱器的輸出，使得在將襯底載置于襯底載置面后，在從處理氣體供給系統(tǒng)供給處理氣體時，襯底載置部的溫度為規(guī)定的溫度，相對面與襯底載置部的溫度差為規(guī)定的范圍內(nèi)。
【IPC分類】H01L21-67, H01L21-02
【公開號】CN104752276
【申請?zhí)枴緾N201410817432
【發(fā)明人】西堂周平
【申請人】株式會社日立國際電氣
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2014年12月24日
【公告號】US20150184301