藝來說低一半左右，在降低粗化成本的 基礎(chǔ)上，不會(huì)對外延片本來的發(fā)光效率產(chǎn)生影響，間接對管芯亮度有了進(jìn)一步提升。
【附圖說明】
[0041] 圖1為本發(fā)明所述易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0042] 圖中，1、GaAs 襯底，2、GaAs 緩沖層，3、AlAs/AlGaAs DBR，4、AlInP N 限制層，5、 AlGaInP N波導(dǎo)層，6、AlGaInP量子阱有源層，7、AlGaIn P波導(dǎo)層，8、AlIn P限制層，9、GaP 窗口層，10、GaAsP/GaAs 粗化層。
【具體實(shí)施方式】：
[0043] 下面結(jié)合實(shí)施例和說明書附圖對本發(fā)明做詳細(xì)的說明，但不限于此。
[0044] 實(shí)施例1、
[0045] 如圖1所示。
[0046] -種易于粗化的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，包括由下而上依次設(shè)置的GaAs襯底1、GaAs 緩沖層2，AlGaAs/AlAs DBR3，AlInP N限制層4，AlGaInP N波導(dǎo)層5，MQW量子阱有源層6， AlGaInP P波導(dǎo)層7, AlInP P限制層8, GaP窗口層9和GaAsP/GaAs粗化層10。
[0047] 所述GaAs襯底1厚度為250 μ m ;所述GaAs緩沖層的厚度為0. 2 μ m，載流子濃度 為 lE18cnT3 ;所述 AlGaAs/AlAs DBR 為 8 對 AlGaAs/AlAs DBR，載流子濃度為 lE18cnT3 ;所 述AlInP N限制層的厚度為0.5 μ m，載流子濃度為5E17cnT3;所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚 度為0· 15 μ m，不摻雜；所述MQW量子阱有源層的厚度為0· 05 μ m，不摻雜；所述AlGaInP P 波導(dǎo)層的厚度為0. 15 μ m，不摻雜；所述AlInP P限制層的厚度為0.5 μ m，載流子濃度為 lE18cm 3 ;GaP窗口層的厚度為3 μ m，載流子濃度lE19cm 3~5E19cm 3 ;GaAsP/GaAs粗化層 的厚度為1. 5 μ m，GaAsP/GaAs粗化層的載流子濃度lE19cm_3。所述GaAsP/GaAs粗化層包 括過渡生長的GaAsP層和GaAs層，其中GaAsP層的厚度為0. 5 μ m，GaAs層的厚度為1 μ m。
[0048] 利用上述的外延片所制備的易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)，包括由下而上依次設(shè) 置的 GaAs 襯底 UGaAs 緩沖層 2, AlGaAs/AlAs DBR3, AlInP N 限制層 4, AlGaInP N 波導(dǎo)層 5，MQW量子阱有源層6，AlGaInP P波導(dǎo)層7，AlInP P限制層8，GaP窗口層9和GaAsP/GaAs 粗化層10。
[0049] 所述GaAs襯底1厚度為250 μ m ;所述GaAs緩沖層的厚度為0. 2 μ m，載流子濃度 為 lE18cnT3 ;所述 AlGaAs/AlAs DBR 為 8 對 AlGaAs/AlAs DBR，載流子濃度為 lE18cnT3 ;所 述AlInP N限制層的厚度為0.5 μ m，載流子濃度為5E17cnT3;所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚 度為0· 15 μ m，不摻雜；所述MQW量子阱有源層的厚度為0· 05 μ m，不摻雜；所述AlGaInP P 波導(dǎo)層的厚度為0. 15 μ m，不摻雜；所述AlInP P限制層的厚度為0.5 μ m，載流子濃度為 lE18cm 3 ;GaP窗口層的厚度為3 μ m，載流子濃度lE19cm 3~5E19cm 3 ;GaAsP/GaAs粗化層 的厚度為I. 5 μ m，GaAsP/GaAs粗化層的載流子濃度lE19cm_3。所述GaAsP/GaAs粗化層包 括過渡生長的GaAsP層和GaAs層，其中GaAsP層的厚度為0. 5 μ m，GaAs層的厚度為1 μ m。
[0050] 實(shí)施例2、
[0051] 如實(shí)施例1 一種易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：
[0052] 1)將GaAs襯底1放入反應(yīng)室，在300-800°C的溫度范圍內(nèi)生長一層0. 2 μ m厚的 GaAs緩沖層，載流子濃度為lE18cnT3 ;
[0053] 2)在GaAs緩沖層上面于650-800°C的溫度下生長AlGaAs/AlAs DBR:調(diào)整生長 厚度生長反射630nm光譜的AlGaAs/AlAs DBR ;用來反射大部分的光子，其載流子濃度為 lE18cm 3 ；
[0054] 3)在650-800°C的溫度范圍內(nèi)，繼續(xù)生長一層0. 5 μ m厚的AlInP材料作為AlInP N限制層，載流子濃度5E17cnT3 ;
[0055] 4)繼續(xù)在AlInP N限制層上生長，在650-800°C范圍內(nèi)，生長一層AlGaInP N波導(dǎo) 層，厚度在〇. 15 μ m，不摻雜；
[0056] 5)在650_800°C的溫度條件下，生長一層MQW量子阱有源層，材料是AlGaInP，厚度 在0.05 μ m，不摻雜；
[0057] 6)在650-800°C的條件下，在MQW量子阱有源層上面繼續(xù)生長AlGaInP P波導(dǎo)層， 厚度為〇. 15 μ m，不摻雜；
[0058] 7)在650-800°C的條件下，生長AlInP P限制層，厚度為0.5 μ m，載流子濃度為 lE18cm 3 ；
[0059] 8)在650_830°C的條件下，生長GaP窗口層，厚度為3μπι，載流子濃度為lE19cm_ 3 ;
[0060] 9)在450_830°C范圍內(nèi)生長GaAsP/GaAs粗化層，GaAsP/GaAs粗化層的厚度為 1. 5 μ m，載流子濃度為lE19cm_3。
[0061] 步驟9)中所述生長GaAsP/GaAs粗化層的方法為：
[0062] 通過在GaP窗口層生長完成后，保持通入原材料成分不變緩慢通入AsH3，使材料在 GaP窗口層上生成GaAsP層，其厚度為0. 5 μ m ;通過控制AsH3與PH3的流量，增加 AsH3的量 減少PH3的量，使外延層結(jié)構(gòu)逐漸由GaAsP變化為GaAs層，保證GaAs層厚度在1 μ m。
[0063] 實(shí)施例3、
[0064] 如實(shí)施例2所述易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其區(qū)別在于，步驟9) 中所述生長GaAsP/GaAs粗化層的方法為：
[0065] 在GaP窗口層生長完成后，將PH3氣體用量突降至生長GaAsP所需用量，并且AsH 3 氣體也直接升至所需用量，從而使GaP層突變?yōu)镚aAsP層，并保證GaAsP層在1 μ m，然后轉(zhuǎn) 化為生長GaAs層，其厚度為1 μ m。
[0066] 實(shí)施例4、
[0067] 如實(shí)施例2、3所述易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其區(qū)別在于，步驟9) 中所述生長GaAsP/GaAs粗化層的方法為：
[0068] 通過控制氣體流量，使外延結(jié)構(gòu)在漸變的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突變，在GaP窗口層生長完 成后，即先生長1. 5 μ m厚度的GaAsP，再突變?yōu)镚aAs層，并控制生長0. 2 μ m。
[0069] 實(shí)施例5、
[0070] 如實(shí)施例1所述易于粗化的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，所述GaAs襯底1厚 度為375 μ m;所述GaAs緩沖層的厚度為0.5 μ m，載流子濃度為5E18cnT3 ;所述AlGaAs/ AlAs DBR為30對AlGaAs/AlAs DBR，載流子濃度為5E18cnT3 ;所述AlInP N限制層的厚度 為1 μ m，載流子濃度為8E17cm_3 ;所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚度為0· 5 μ m，不摻雜；所述MQW 量子阱有源層的厚度為〇. 5 μ m，不摻雜；所述AlGaInP P波導(dǎo)層的厚度為0. 5 μ m，不摻雜； 所述AlInP P限制層的厚度為Ιμπι，載流子濃度為5E18cnT3 ;GaP窗口層的厚度為ΙΟμπι， 載流子濃度5E19cm_3 ;GaAsP/GaAs粗化層的厚度為2 μ m，GaAsP/GaAs粗化層的載流子濃度 5E19cm_3。所述GaAsP/GaAs粗化層包括過渡生長的GaAsP層和GaAs層，其中GaAsP層的厚 度為1. 5 μ m，GaAs層的厚度為0· 5 μ m。
[0071] 利用上述外延結(jié)構(gòu)制備的所述易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)，如實(shí)施例1所述所 述易于粗化的紅光LED芯片結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，所述GaAs襯底1厚度為375 μ m;所述GaAs 緩沖層的厚度為0. 5 μ m，載流子濃度為5E18cnT3 ;所述AlGaAs/AlAs DBR為30對AlGaAs/ AlAs DBR，載流子濃度為5E18cnT3;所述AlInP N限制層的厚度為Ιμπι，載流子濃度為 8E17cnT3 ;所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚度為0. 5 μ m，不摻雜；所述MQW量子阱有源層的厚度 為0· 5 μ m，不摻雜；所述AlGaInPP波導(dǎo)層的厚度為0· 5 μ m，不摻雜；所述AlInP P限制層 的厚度為lym，載流子濃度為5E18cnT3 ;GaP窗口層的厚度為IOym,載流子濃度5E19Cm_3 ; GaAsP/GaAs粗化層的厚度為2 μ m，GaAsP/GaAs粗化層的載流子濃度5E19cm_3。所述GaAsP/ GaAs粗化層包括過渡生長的GaAsP層和GaAs層，其中GaAsP層的厚度為1. 5 μ m，GaAs層 的厚度為〇. 5 μ m。
[0072] 實(shí)施例6、
[0073] 如實(shí)施例1所述易于粗化的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，所述GaAs襯底1厚 度為320 μ m;所述GaAs緩沖層的厚度為0.4 μ m，載流子濃度為5E18cnT3 ;所述AlGaAs/ AlAs DBR為26對AlGaAs/AlAs DBR，載流子濃度為5E18cnT3;所述AlInP N限制層的厚度為 〇· 8 μ m，載流子濃度為5E17cm_3 ;所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚度為0· 3 μ m，不摻