晶片座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及晶片加工領(lǐng)域，特別是涉及一種高粘度晶片座。
【背景技術(shù)】
[0002]硅屬于半導(dǎo)體材料，其自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過(guò)添加適當(dāng)?shù)膿诫s劑來(lái)精確控制它的電阻率。制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。加工硅晶片生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。半導(dǎo)體或芯片是由硅生產(chǎn)出來(lái)的。晶圓片上刻蝕出數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的晶體管，這些晶體管比人的頭發(fā)要細(xì)小上百倍。半導(dǎo)體通過(guò)控制電流來(lái)管理數(shù)據(jù)，形成各種文字、數(shù)字、聲音、圖象和色彩。它們被廣泛用于集成電路，并間接被地球上的每個(gè)人使用。這些應(yīng)用有些是日常應(yīng)用，如計(jì)算機(jī)、電信和電視，還有的應(yīng)用于先進(jìn)的微波傳送、激光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、醫(yī)療診斷和治療設(shè)備、防御系統(tǒng)和NASA航天飛機(jī)。而晶片座作為承載晶片的工具也是起著很關(guān)鍵的作用，但傳統(tǒng)的晶片座缺乏粘合度上的設(shè)計(jì)，在加工焊合時(shí)不容易將晶片和晶片座固定，并且長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中由于缺乏一定的粘合度容易造成兩者的脫開，影響正常使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種晶片座，能夠增加晶片與晶片座之間的粘合度，同時(shí)能將焊片時(shí)流出的多余錫液順著環(huán)形凹槽流動(dòng)而不會(huì)造成溢出。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座，所述環(huán)形座凸起于所述晶片座本體上端面設(shè)置，所述環(huán)形座上對(duì)應(yīng)開設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形座之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個(gè)凸粘點(diǎn)，所述凸粘點(diǎn)設(shè)置高度與所述環(huán)形座高度齊平。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述環(huán)形座環(huán)形圍住所述凸粘點(diǎn)設(shè)置，所述凸粘點(diǎn)均勻分布于所述環(huán)形座內(nèi)側(cè)。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形座形狀相對(duì)應(yīng)開設(shè)。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述凸粘點(diǎn)為凸起實(shí)體塊。
[0008]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述環(huán)形座為圓形或者方形。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明能夠增加晶片與晶片座之間的粘合度，同時(shí)能將焊片時(shí)流出的多余錫液順著環(huán)形凹槽流動(dòng)而不會(huì)造成溢出。
【附圖說(shuō)明】
[0010]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發(fā)明晶片座一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、晶片座本體；2、環(huán)形座；3、環(huán)形凹槽；4、凸粘點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0012]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例包括:
一種晶片座，包括晶片座本體1，所述晶片座本體I上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座2，所述環(huán)形座2凸起于所述晶片座本體I上端面設(shè)置，所述環(huán)形座2上對(duì)應(yīng)開設(shè)有環(huán)形凹槽3，所述環(huán)形座2之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個(gè)凸粘點(diǎn)4，所述凸粘點(diǎn)4設(shè)置高度與所述環(huán)形座2高度齊平。
[0013]另外，所述環(huán)形座2環(huán)形圍住所述凸粘點(diǎn)4設(shè)置，所述凸粘點(diǎn)4均勻分布于所述環(huán)形座2內(nèi)側(cè)。
[0014]另外，所述環(huán)形凹槽3與所述環(huán)形座2形狀相對(duì)應(yīng)開設(shè)。
[0015]另外，所述凸粘點(diǎn)4為凸起實(shí)體塊。
[0016]另外，所述環(huán)形座2為圓形或者方形。
[0017]本發(fā)明的工作原理為在晶片座本體I上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座2，環(huán)形座2凸起于晶片座本體I上端面設(shè)置，環(huán)形座2上對(duì)應(yīng)開設(shè)有環(huán)形凹槽3，環(huán)形座2之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個(gè)凸粘點(diǎn)4，凸粘點(diǎn)4設(shè)置高度與環(huán)形座2高度齊平，在晶片焊于晶片座上時(shí)，將晶片貼于環(huán)形座2上，此時(shí)由于環(huán)形座2內(nèi)側(cè)的凸粘點(diǎn)4與環(huán)形座2高度一致，可以很好的增加晶片與晶片座的接觸點(diǎn)，進(jìn)而提高粘合度，并且環(huán)形座2上設(shè)置有與之對(duì)應(yīng)形狀的環(huán)形凹槽3，在焊合時(shí)多余的錫液會(huì)流入到環(huán)形凹槽3內(nèi)而不溢出。
[0018]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片座，包括晶片座本體，其特征在于，所述晶片座本體上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座，所述環(huán)形座凸起于所述晶片座本體上端面設(shè)置，所述環(huán)形座上對(duì)應(yīng)開設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形座之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個(gè)凸粘點(diǎn)，所述凸粘點(diǎn)設(shè)置高度與所述環(huán)形座高度齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片座，其特征在于，所述環(huán)形座環(huán)形圍住所述凸粘點(diǎn)設(shè)置，所述凸粘點(diǎn)均勻分布于所述環(huán)形座內(nèi)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片座，其特征在于，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形座形狀相對(duì)應(yīng)開設(shè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片座，其特征在于，所述凸粘點(diǎn)為凸起實(shí)體塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片座，其特征在于，所述環(huán)形座為圓形或者方形。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座，所述環(huán)形座凸起于所述晶片座本體上端面設(shè)置，所述環(huán)形座上對(duì)應(yīng)開設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形座之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個(gè)凸粘點(diǎn)，所述凸粘點(diǎn)設(shè)置高度與所述環(huán)形座高度齊平。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠增加晶片與晶片座之間的粘合度，同時(shí)能將焊片時(shí)流出的多余錫液順著環(huán)形凹槽流動(dòng)而不會(huì)造成溢出。
【IPC分類】H01L23-13
【公開號(hào)】CN104576550
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410785819
【發(fā)明人】黃根友
【申請(qǐng)人】無(wú)錫科諾達(dá)電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月18日