專利名稱：分立基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由其一側(cè)為擴(kuò)散層且另一側(cè)為非擴(kuò)散層的兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的硅半導(dǎo)體晶片的分立基板的制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及制造可用作諸如晶體三極管、晶體二極管等等的分立基板的、在非擴(kuò)散層表面的可計(jì)測(cè)的分子位錯(cuò)密度平均為5000個(gè)/厘米2以下的、具有所需要的良好結(jié)晶性的分立基板的制造方法，即利用構(gòu)成分立基板時(shí)所需要的位錯(cuò)密度，按預(yù)先調(diào)整、確定的厚度在原料晶片厚度內(nèi)實(shí)施擴(kuò)散，控制擴(kuò)散時(shí)所產(chǎn)生的非擴(kuò)散層內(nèi)的位錯(cuò)，隨后對(duì)具有最終所需要的尺寸的分立基板實(shí)施精加工以獲得具有所需要的位錯(cuò)密度的分立基板的制造方法。
在先技術(shù)中的方法(1)作為一種現(xiàn)有的分立基板的制造方法，包括制備按所需要的預(yù)處理制備原料晶片，通過擴(kuò)散在晶片兩面上形成具有所需要深度的擴(kuò)散層，將晶片一個(gè)側(cè)面上的擴(kuò)散層完全除去，制作出具有預(yù)定的擴(kuò)散層厚度(稱為Xj)和非擴(kuò)散層厚度(稱為Xi)的分立基板。
從而，制成品厚度(Xj+Xi)加上包含著被去除的一側(cè)擴(kuò)散層厚度在內(nèi)的最小機(jī)械加工余量，成為原料晶片的厚度。
在先技術(shù)中的方法(2)在上述的原有方法中，是將形成在晶片兩側(cè)面上的擴(kuò)散層中的一個(gè)去除，從而使擴(kuò)散層中的一半成為無用結(jié)構(gòu)，所以最近還有人提出可采用如下所述的方法。該方法包括按所需要的預(yù)處理制備原料晶片，通過擴(kuò)散在晶片兩面上形成具有所需要深度的擴(kuò)散層，
沿晶片厚度方向的中央部切開晶片，制作出兩片具有預(yù)定的擴(kuò)散層厚度(稱為Xj)和非擴(kuò)散層厚度(稱為Xi)的分立基板。
因此，制成品厚度(Xj+Xi)的兩倍加上切斷余量和兩個(gè)切斷面?zhèn)鹊淖钚C(jī)械加工余量，成為原料晶片的厚度。
這一方法可以獲得兩片分立基板，雖然和使用原有厚度的晶片相比，乍一看并不能減少原材料的使用量，但如果采用考慮到切開晶片時(shí)的損耗的坯料則可以減少原材料的使用量，所以經(jīng)確實(shí)是一種可以減少原材料使用量的方法。
對(duì)于如上所述的在先技術(shù)中的方法(1)、(2)，其擴(kuò)散前的原料晶片厚度均為在制成品厚度(分立基板的厚度)上加上為獲得具有所需要尺寸的制成品而進(jìn)行的機(jī)械加工的最小余量(即切屑)所得到的原料晶片厚度。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的分立基板的制造方法中，是以擴(kuò)散方法作為對(duì)象，在利用這一擴(kuò)散方法制造分立基板時(shí)，為了獲得預(yù)定雜質(zhì)的“濃度”、“擴(kuò)散層深度”，必須在高溫(比如說為1280℃以上)下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間(比如說為165小時(shí))的晶片熱處理。
如果進(jìn)行這種熱處理，則①形成擴(kuò)散層用的雜質(zhì)，作為典型N型、P型雜質(zhì)的磷、硼等的原子半徑比硅的半徑小，所以與Si原子置換在擴(kuò)散層中出現(xiàn)的收縮力，會(huì)在非擴(kuò)散層中產(chǎn)生應(yīng)力。
②在將晶片送進(jìn)擴(kuò)散爐或由擴(kuò)散爐中取出時(shí)，由于晶片組處于相互密接的狀態(tài)，特別是當(dāng)其厚度達(dá)到一定程度以上時(shí)，將使晶片外側(cè)周部與中心部之間的溫度差增大，從而會(huì)在非擴(kuò)散層中產(chǎn)生熱應(yīng)力。
由于這些原因，在晶片的非擴(kuò)散層中必然會(huì)出現(xiàn)位錯(cuò)，或出現(xiàn)被稱為所謂的滑移的連續(xù)位錯(cuò)。
這種位錯(cuò)通常會(huì)使“構(gòu)成最終元件時(shí)的電氣特性”惡化，從而有難以獲得目標(biāo)特性的大問題。在另一方面，具有一定程度的均勻分布的位錯(cuò)可以有助于獲得良好的高頻特性，從這一角度看也有需要處于一定范圍內(nèi)的位錯(cuò)密度的特殊例。
因此本發(fā)明的任務(wù)是，以在分立基板的非擴(kuò)散層表面可計(jì)測(cè)出的平均位錯(cuò)密度為由5000個(gè)/厘米2至零(接近無缺陷結(jié)晶)的基板為對(duì)象物，提供一種可以運(yùn)用自如地獲得所需要的位錯(cuò)密度水平的制造方法。
用于實(shí)現(xiàn)上述的目的的、權(quán)利要求1所述的方法為一種制作具有硅半導(dǎo)體晶片的一側(cè)為擴(kuò)散層(Xi)、另一側(cè)為非擴(kuò)散層(Xi)的兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的、其非擴(kuò)散層的平均表面位錯(cuò)密度在5000個(gè)/厘米2以下的硅半導(dǎo)體晶片的分立基板的制造方法，其中對(duì)硅半導(dǎo)體晶片進(jìn)行研磨加工，由于此時(shí)的加工變形所殘存的擴(kuò)散前的原料晶片厚度(T)(單位…μm)由下述的公式(1)表示T=2Xj+Xi+α …(1)以滿足構(gòu)成分立基板時(shí)所需要的位錯(cuò)密度的方式，把預(yù)定擴(kuò)散前的原料晶片厚度定為使公式(1)中的值α在45≤α≤930的范圍內(nèi)的原料晶片厚度，實(shí)施擴(kuò)散后，便可以獲得由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的、具有所需厚度的分立基板。
更具體的說就是，它是采用對(duì)實(shí)施研磨加工時(shí)殘存有加工變形的、進(jìn)行預(yù)處理的原料晶片形成擴(kuò)散層的，由于是在晶片的兩側(cè)面上形成擴(kuò)散層(對(duì)于這種場(chǎng)合，不可能形成在一側(cè))，所以制造一片硅半導(dǎo)體晶片所需要的最小厚度為(2Xj+Xi)，因此原料晶片厚度(T)可由下述公式表示T=2Xj+Xi+α…(1)式中，所加的α為確定原料晶片厚度時(shí)所用的調(diào)整余量，這一α值在45≤α≤930的范圍內(nèi)，并由構(gòu)成分立基板時(shí)的非擴(kuò)散層表面所需要的位錯(cuò)密度決定，對(duì)具有這種厚度的原料晶片進(jìn)行擴(kuò)散，并對(duì)具有所需要厚度的分立基板實(shí)施精加工。
而且調(diào)整余量α的范圍，其下限值取為能獲得低水平的位錯(cuò)密度時(shí)所需要的45μm。隨著值α的增大，由于擴(kuò)散深度的程度差異，將使位錯(cuò)量減少，而且當(dāng)超過某一界限時(shí)發(fā)生滑移明顯化，故取其上限值為930μm。
上述的關(guān)系為出現(xiàn)在擴(kuò)散前的原料晶片厚度擴(kuò)散工序中(熱負(fù)荷時(shí))的位錯(cuò)，與之后的非擴(kuò)散層表面上可計(jì)測(cè)出的位錯(cuò)之間的關(guān)系，并已示出在

圖1中。圖1所表示的是當(dāng)擴(kuò)散后的晶片剖面如圖2所示，即擴(kuò)散層的厚度為Xj、構(gòu)成分立基板時(shí)的非擴(kuò)散層的厚度為Xi、作為中央非擴(kuò)散層的一部分的厚度為α?xí)r，采用諸如FZ法、N型、<111>、φ100的晶片，在相同的擴(kuò)散條件下，取作為確定所產(chǎn)生的位錯(cuò)密度的最大因子的Xj為參數(shù)，表示出值α變化時(shí)非擴(kuò)散層表面中的位錯(cuò)密度的變化。
對(duì)于Xj(擴(kuò)散深度)，在這兒在概念上與通常所領(lǐng)會(huì)的“較淺”、“中等”、“較深”有所不同，較淺的擴(kuò)散深度為(Xj＜120μm)、中等的擴(kuò)散深度(120μm≤Xj＜250μm)、較深的擴(kuò)散深度(Xj≥250μm)，分別以舉例形式示出了作為其代表的曲線①(80μm)、曲線②(170μm)、曲線③(300μm)。
由此可以看到，擴(kuò)散深度的深度隨著值α的增大(原料晶片厚度加厚)而使位錯(cuò)密度顯著減少。
采用如權(quán)利要求2所述的方法，則對(duì)于切開諸如120μm的擴(kuò)散層厚度(Xj)比較淺的晶片，由于如圖1中的曲線①(80μm)所示的位錯(cuò)一點(diǎn)不減少，即使晶片厚度增加效果也不好。
因此它所涉及的方法是在采用如權(quán)利要求1所述的分立基板的制造方法時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散層(Xj)的值為120μm≤Xj≤400μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥20μm時(shí)，使上述的公式(1)中的值α位于330≤α≤930的范圍內(nèi)，并由此確定原料晶片的厚度。
而且，權(quán)利要求3所涉及的方法是在采用如權(quán)利要求1所述的分立基板的制造方法時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散層(Xj)的值為Xj＜120μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥30μm時(shí)，使上述的公式(1)中的值α位于45≤α≤780的范圍內(nèi)，并由此確定原料晶片的厚度。
而且，權(quán)利要求4所涉及的方法是在采用如權(quán)利要求3所述的分立基板的制造方法時(shí)，使非擴(kuò)散層表面的精加工方法為平面研磨加工，且取此時(shí)的研磨加工用的磨石粒度號(hào)為#1500以上、#3000以下。
研磨磨石粒度號(hào)與磨石顆粒的平均粒徑d(單位…mm)之間的關(guān)系滿足下述的公式d=(25.4/表示粒度號(hào))×0.58
因此作為通常使用的研磨磨石的金剛石等等的平均粒徑可取為5.9μm至9.8μm。
權(quán)利要求1所限定的方法具有下述的作用在進(jìn)行預(yù)定厚度的晶片的擴(kuò)散時(shí)，對(duì)原料晶片進(jìn)行研磨加工，從而可以抑制由于研磨時(shí)所殘存的加工變形而在擴(kuò)散工序中產(chǎn)生的位錯(cuò)，這一原料晶片厚度是將由權(quán)利要求1中的公式(1)中值α取在45≤α≤930的范圍內(nèi)，即取在45μm以上、930μm以下的方式確定的，下面用圖1、圖2說明該值α的上、下限值。
正如圖2所示，假定作為下限值的值α為零，則在除去下側(cè)的Xj層而制造厚度為Xj+Xi的分立基板時(shí)，在形成去除Xj的表面、即制成品的非擴(kuò)散層表面處，由于這一表面是在構(gòu)成分立基板之前被除去的，所受Xj層的應(yīng)力影響相當(dāng)大，從而會(huì)使位錯(cuò)急劇上升。
已發(fā)現(xiàn)為避免這種現(xiàn)象出現(xiàn)需至少將其在45μm以上時(shí)才是有效的，故采用其為下限值，利用取這一下限值以上的值的方式，便可以避免去除一側(cè)的擴(kuò)散層應(yīng)力的影響。
上限值為一般分立基板所需要的擴(kuò)散層的常規(guī)深度，不得不進(jìn)行高溫、長(zhǎng)時(shí)間處理，從成本的角度考慮，當(dāng)然希望在擴(kuò)散爐中每一批放入比較多的片數(shù)，通過用緩沖劑(防止固接)而使晶片彼此密接的特定狀態(tài)，便能同時(shí)放入比較多的片數(shù)。
因此，由若干片晶片構(gòu)成的晶片組在放入擴(kuò)散爐或由擴(kuò)散爐中取出時(shí)，與進(jìn)行常規(guī)熱處理時(shí)各晶片具有一定間隔的間隙而并排設(shè)置的狀態(tài)不同，由于不能形成對(duì)流傳熱而使晶片中心與外側(cè)周部之間的溫度差比較大，所以會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而使除了直線型連接之外的其它形式的位錯(cuò)(滑移)，隨著原料晶片厚度加厚而更加容易出現(xiàn)，大體是當(dāng)原料晶片厚度超過1400μm左右時(shí)它將會(huì)急劇增多，所以通過將其取為上限值以下，可以防止在構(gòu)成元件時(shí)使特征惡化的滑移現(xiàn)象的出現(xiàn)。
而且這一現(xiàn)象已經(jīng)由圖1中的曲線④示出了。在圖1中，當(dāng)然存在滑移，由于難于將其部分集中數(shù)值化，故只顯示為“強(qiáng)”、“弱”。
上面說明了在本發(fā)明中α值要位于一定范圍內(nèi)的理由，而且通過在這一范圍內(nèi)調(diào)整α值，便可以滿足分立基板所需要的位錯(cuò)密度。
而權(quán)利要求2所限定的方法具有下述的作用當(dāng)上述擴(kuò)散層(Xj)的值為120μm≤Xj≤400μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥20μm時(shí)，對(duì)于大多數(shù)構(gòu)成通常的晶體三極管的分立基板的場(chǎng)合，由于所形成的擴(kuò)散層的厚度比較厚，位錯(cuò)當(dāng)然也將增大，所以通過增大α值可以使其與所需要的位錯(cuò)密度良好對(duì)應(yīng)，這對(duì)于沿其厚度中央部切斷而構(gòu)成兩片這種厚度的晶片而言，從成本的角度看是有利的。如果這時(shí)使值α為330μm以上，選擇適當(dāng)?shù)那袛喾椒?、便可以降低成本并與所需要的位錯(cuò)密度良好地對(duì)應(yīng)。
權(quán)利要求3所限定的方法具有下述的作用當(dāng)擴(kuò)散層(Xj)的值為Xj＜120μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥30μm時(shí)，即使分立基板的擴(kuò)散層厚度形成在比較薄的范圍內(nèi)也不容易產(chǎn)生位錯(cuò)，所以值α不需要很大，使其在780μm以下可以減少原材料消耗，并可以與原來所需要的位錯(cuò)密度良好對(duì)應(yīng)。
而且，權(quán)利要求4所限定的方法具有下述的作用對(duì)于向大多數(shù)分立基板的非擴(kuò)散層表面供給常規(guī)的漿液，將其壓在研磨布上，進(jìn)行鏡面精加工的狹義研磨加工的場(chǎng)合是多見的，而且如前述的權(quán)利要求3所述，在擴(kuò)散層比較淺的晶片中擴(kuò)散有與由非擴(kuò)散層的鏡面?zhèn)纫呀?jīng)擴(kuò)散的雜質(zhì)相反的導(dǎo)電性雜質(zhì)，作二極管使用的大多數(shù)場(chǎng)合也很多，這種表面由元件特性決定，通常并無必要研磨加工成鏡面，故使用研磨加工用的磨石粒度號(hào)為#1500以上、#3000以下時(shí)便可以獲得良好的平面研磨面的特性，而且這種平面研磨加工為最終的加工，從而可以省略研磨等等的高負(fù)荷工藝，進(jìn)而降低其成本。
附圖簡(jiǎn)介圖1為表示擴(kuò)散前原料晶片厚度和由此時(shí)產(chǎn)生的位錯(cuò)密度之間關(guān)系的示意性說明圖。
圖2為表示擴(kuò)散結(jié)束后的晶片的剖面圖。最佳實(shí)施例下面對(duì)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的分立基板的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。[實(shí)施例1]對(duì)于作為分立元件用基板的、直徑為φ100的典型晶片的實(shí)施例(參見表19，所給出的是制成品規(guī)格滿足諸如FZ法、N型、<111>、30～40Ω·cm、Xj=170μm、Xi=50μm、“無滑移”的位錯(cuò)密度為100個(gè)/厘米2～300個(gè)/厘米2等等要求時(shí)的實(shí)例。
而且原料晶片(擴(kuò)散前)采用的是為抑制位錯(cuò)出現(xiàn)而對(duì)具有加工變形的面進(jìn)行了精加工，即進(jìn)行了拋光精加工的晶片，可通過此時(shí)使用的游離磨料為FO(商品名稱)#1000、#1200等等，使加工變形的操作條件為一側(cè)面3～4μm，而且為去除重金屬等等而進(jìn)行的蝕刻可對(duì)一個(gè)側(cè)面抑制到2μm以下，以保存有一定加工變形。這種保存一定加工變形的方式，在下述的實(shí)施例(2)、(3)中也同樣被要用。
對(duì)于所需要的位錯(cuò)密度的規(guī)格，[實(shí)施例1]中的值α的確定方式可以是通過過去的實(shí)際數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)定(α=600μm)，而且將同樣滿足所需要的結(jié)果的、為作為參考而將值α設(shè)定為上限值(α=930μm)、下限值(α=330μm)時(shí)所獲得的參考實(shí)例b、參考實(shí)例a-并示出在表1中。
實(shí)施例與參考實(shí)例(a)相比，原料晶片的厚度僅增大了270μm，但可以顯著減少位錯(cuò)量，充分滿足所要求的位錯(cuò)密度“100個(gè)/厘米2～300個(gè)/厘米2”。
參考實(shí)例(b)與實(shí)施例相比，為原料晶片的厚度增大了330μm的場(chǎng)合，此時(shí)在顯微鏡下幾乎觀察不到位錯(cuò)(即位錯(cuò)密度幾乎為零)，在需要幾乎完全結(jié)晶的Xi層時(shí)使用。
而且對(duì)于不能根據(jù)過去的實(shí)際數(shù)據(jù)推定值α的設(shè)定值的特殊規(guī)格場(chǎng)合，除了Xj(擴(kuò)散深度)之外，可以通過結(jié)晶坯料制造方法(FZ法或CZ法)、口徑、電阻率及導(dǎo)電類型(N型或P型)等等，對(duì)所受到的微妙影響加以確認(rèn)，所以如前所述的方法是實(shí)施確認(rèn)的最可靠的方法。
對(duì)于作為分立基板用基板的、直徑為φ125的典型晶片的實(shí)施例(參見表1)，所示出的是制品規(guī)格滿足諸如FZ法，N型、<111>、50～65Ω·cm、Xj=180μm、Xi=70μm、“無滑移”的位錯(cuò)密度為1000個(gè)/厘米2±20％等等要求。
而且與前述相類似，原料晶片(擴(kuò)散前)采用的是為抑制位錯(cuò)的出現(xiàn)而對(duì)具有加工變形的面進(jìn)行了精加工，即進(jìn)行了拋光精加工的晶片，以進(jìn)行使加工變形并未消失的蝕刻(兩面之和在2μm以下)加工。
表1

*位錯(cuò)密度…對(duì)Xi層表面進(jìn)行腐蝕，在顯微鏡下對(duì)三角形的凹部(位錯(cuò))進(jìn)行計(jì)數(shù)，并換算為每平方厘米時(shí)的值。
而且與[實(shí)施例1]相類似，本發(fā)明將作為比較實(shí)例的、將值α設(shè)定為上限值(α=930μm)、下限值(α=330μm)時(shí)所獲得的參考實(shí)例b、參考實(shí)例a的位錯(cuò)密度一并示出在表1中。
實(shí)施例與參考實(shí)例(a)相比，原料晶片的厚度僅增大了250μm，但可以顯著的減少位錯(cuò)，良好的滿足所需要的位錯(cuò)密度“100個(gè)/厘米2±20％”的要求。而且參考實(shí)例(b)與實(shí)施例相比，為原料晶片厚度增大了350μm的場(chǎng)合，此時(shí)在顯微鏡下幾乎觀察不到位錯(cuò)(即位錯(cuò)密度幾乎為零)，所以可以在需要幾乎完全結(jié)晶的Xi層時(shí)使用。
由[實(shí)施例1]、[實(shí)施例2]可知，預(yù)定的、原料晶片厚度在構(gòu)成分立基板時(shí)由非擴(kuò)散層表面計(jì)測(cè)到的位錯(cuò)密度確定，并可以通過結(jié)束擴(kuò)散工序的方式而獲得非常好的位錯(cuò)控制的效果，而且此時(shí)的加工方法可以采用在中心線切開原料晶片厚度而制造兩片分立基板的低成本的方法。
對(duì)于作為分立基板用基板的、直徑為φ100的典型晶片的實(shí)施例，所給出的是樣品規(guī)格滿足諸如FZ法，N型、<111>、29～41Ω·cm、Xj=55μm、Xi=185μm、“無滑移”的位錯(cuò)密度為200個(gè)/厘米2±30％等等要求時(shí)的實(shí)例。
而且與前述的相類似，原料晶片(擴(kuò)散前)采用的是為抑制位錯(cuò)出現(xiàn)而對(duì)具有加工變形的面進(jìn)行了精加工，即進(jìn)行了拋光精加工的晶片，以進(jìn)行使加工變形并未消失的蝕刻(兩面之和在2μm以下)加工。
對(duì)于這種形成有比較淺的擴(kuò)散層的場(chǎng)合，可以確認(rèn)如果值α在45μm以上，則無論值α為多少，位錯(cuò)密度均在100個(gè)/厘米2以下，采用α值增大時(shí)得不到品質(zhì)優(yōu)化，采用擴(kuò)散結(jié)束后沿晶片厚度方向的中央部切斷的方法也不會(huì)實(shí)現(xiàn)成本指標(biāo)優(yōu)化，故不采用。
因此對(duì)于這種原料晶片厚度，其α=45μm為最小值，如果取原料晶片厚度為340μm，在擴(kuò)散結(jié)束后由晶片的一側(cè)進(jìn)行一次或兩次的100μm(擴(kuò)散層厚度為+45μm)的平面研磨加工，且兩次平面研磨加工為采用#2000的研磨磨石的精加工，便可以產(chǎn)生出厚度為240μm的分立基板。
在上述的[實(shí)施例1][實(shí)施例2][實(shí)施例3]中均是采用具有<111>結(jié)晶軸的晶片為對(duì)象的，但采用具有<100>結(jié)晶軸的晶片，其本質(zhì)上是相同的。位錯(cuò)密度為對(duì)晶片表面進(jìn)行蝕刻處理并實(shí)施計(jì)數(shù)而獲得的，具有<111>結(jié)晶軸的晶片可對(duì)通過蝕刻處理而產(chǎn)生的明確的三角形凹部實(shí)施計(jì)數(shù)，而對(duì)于具有<100>結(jié)晶軸的晶片將難以發(fā)現(xiàn)明確的凹部，所以腐蝕液的構(gòu)成本身將比較麻煩。
本發(fā)明所涉及的分立基板的制造方法具有權(quán)利要求1、2、3所述的結(jié)構(gòu)，它以要求比較低水平的位錯(cuò)密度(平均在5000個(gè)/厘米2以下)的分立基板為對(duì)象，通過相對(duì)于目標(biāo)位錯(cuò)水平調(diào)整擴(kuò)散前的原料晶片厚度，可以實(shí)現(xiàn)原先難以實(shí)現(xiàn)的接近無缺陷結(jié)晶的水平，從而可以充分發(fā)揮出成為最終元件時(shí)所需要的特性。
權(quán)利要求
1．一種硅半導(dǎo)體晶片的分立基板的制造方法，它由硅半導(dǎo)體晶片的一側(cè)為擴(kuò)散層(Xj)、另一側(cè)為非擴(kuò)散層(Xi)的兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的、其非擴(kuò)散層的平均表面位錯(cuò)密度在5000個(gè)/厘米2以下，其特征在于，對(duì)硅半導(dǎo)體晶片進(jìn)行研磨加工，由于此時(shí)的加工變形所殘存的擴(kuò)散前的原料晶片厚度(T)(單位…μm)由下述的公式(1)表示T=2Xj+Xi+α…(1)通過滿足構(gòu)成分立基板時(shí)所需要的位錯(cuò)密度的方式，由位于45≤α≤930的范圍內(nèi)的公式(1)中的α值確定其預(yù)定的擴(kuò)散前的原料晶片厚度，并對(duì)這一原料晶片厚度實(shí)施擴(kuò)散后，便可以獲得由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的、具有所需要的厚度的分立基板。
2．一種如權(quán)利要求1所述的分立基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)擴(kuò)散層(Xj)的值為120μm≤Xj≤400μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥20μm是，使上述的公式(1)中的值α位于330≤α≤930的范圍內(nèi)，并由此確定原料晶片厚度。
3．一種如權(quán)利要求1所述的分立基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)擴(kuò)散層(Xj)的值為Xj＜120μm，非擴(kuò)散層(Xi)的值為Xi≥30μm時(shí)，使上述的公式(1)中的值α位于45≤α≤780的范圍內(nèi)，并由此確定原料晶片厚度。
4．一種如權(quán)利要求3所述的分式基板的制造方法，其特征在于，非擴(kuò)散層表面的精加工方法為平面研磨加工，且此時(shí)的研磨加工用的磨石粒度號(hào)為#1500以上、#3000以下。
全文摘要
本發(fā)明的任務(wù)是提供一種以具有低位錯(cuò)密度的分立基板為對(duì)象,可以方便地獲得所需位錯(cuò)密度的制造方法。本發(fā)明所提供的解決方案是在制造平均位錯(cuò)密度在5000個(gè)/厘米
文檔編號(hào)H01L21/304GK1230767SQ98115549
公開日1999年10月6日 申請(qǐng)日期1998年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月26日
發(fā)明者佐藤勉 申請(qǐng)人:直江津電子工業(yè)株式會(huì)社