專利名稱：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器及其下電極的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的制造方法，特別是涉及一種制造動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器及其下電極的方法。
當(dāng)電腦微處理器功能逐漸增多，軟件所進(jìn)行的程序與運(yùn)算愈來愈龐大時(shí)，存儲(chǔ)器的電容需求也就愈來愈高。而隨著動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器集成度的增加，目前所發(fā)展存儲(chǔ)單元包括一個(gè)轉(zhuǎn)移場(chǎng)效應(yīng)晶體管與一個(gè)存儲(chǔ)電容器。

圖1是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory-DRAM)元件存儲(chǔ)單元的電路示意圖。其中，由半導(dǎo)體基底表面的電容陣列(Array ofCapacitors)中所篩選出的電容器C，可利用其充放電的特性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最常用的作法，是將二進(jìn)位的單一位元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所有的電容器中，當(dāng)未充電時(shí)其電容為邏輯0，而充電后其電容則為邏輯1。通常，在電容器C的上電極(單元電極)102與下電極(存儲(chǔ)電極)100間填入介電質(zhì)101，以提供電極間所需的介電常數(shù)，并且將電容器C耦合至一位線(Bit Line)BL，藉由電容器C的充放電而達(dá)到讀寫的目的。而電容器C其充放電之間的切換工作是通過轉(zhuǎn)移場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Transfer Field Effect Transistor-TFET)T執(zhí)行。其方法是將位線BL與轉(zhuǎn)移場(chǎng)效應(yīng)晶體管T的源極相連，電容器C與轉(zhuǎn)移場(chǎng)效應(yīng)晶體管T的漏極相接，而字線(Word Line)WL的信號(hào)則饋入轉(zhuǎn)移場(chǎng)效應(yīng)晶體管T的柵極，以決定電容器C是否與位線BL相連接。
在傳統(tǒng)DRAM的存儲(chǔ)電容量少于1M(Mega＝百萬)位元時(shí)，于集成電路制作工藝中，主要是利用二維空間的電容器來實(shí)現(xiàn)，亦即泛稱的平坦型電容器(Planar Type Capacitor)。由于平坦型電容器需占用半導(dǎo)體基底相當(dāng)大的面積來存儲(chǔ)電荷，故不適合應(yīng)于高度的集成化。高度集成化的DRAM，例如大于4M位元的存儲(chǔ)電容量，需要利用三維空間的電容器來實(shí)現(xiàn)，例如所謂的堆疊型(Stacked Type)或溝槽型(Trench Type)電容器。
與平坦型電容器比較，堆疊型或溝槽型電容器可以在存儲(chǔ)單元的尺寸進(jìn)一步縮小的情況下，仍能獲得相當(dāng)大的電容量。雖然如此，當(dāng)存儲(chǔ)器元件再進(jìn)入更高度集成化時(shí)，例如，具有64M位元容量的DRAM，單純的三度空間電容器結(jié)構(gòu)已不再適用。
解決的方法之一是將電容器的電極與介電膜層水平向延伸，并且向上堆疊而形成所謂的鰭型(Fin Type)堆疊電容器，使電容器可藉表面積的增加而增加存儲(chǔ)的電容量。其相關(guān)技術(shù)可參考Ema等人的論文“3-DimensionalStacked Capacitor Cell for 16M and 64M DRAMs”，International ElectronDevices Meeting，pp592-595，Dec.1988?；騾⒖济绹?guó)專利第5,071,783號(hào)、第5,126,810號(hào)以及第5,206,787號(hào)。
另一種解決方法是使電容器的電極與介電膜層延伸成一垂直狀結(jié)構(gòu)而形成所謂的柱型(Cylindrical Type)堆疊電容器，使電容器可藉表面積的增加而增加其所能存儲(chǔ)的電容量。其相關(guān)技術(shù)可參考Wakamiya等人的論文“NovelStacked Capacitor Cell for 64Mb DRAM”，1989 Symposium on VLSITechnology Digest of Technical Papers，pp.69-70，或參考美國(guó)專利第5,077,688號(hào)。
隨集成度不斷地增加，DRAM存儲(chǔ)單元的尺寸仍會(huì)繼續(xù)縮小。如熟悉此技藝者所知，存儲(chǔ)單元尺寸的縮小，存儲(chǔ)電容值也將減少。而電容值的減少又將造成α射線入射所引起的軟錯(cuò)誤(Soft Error)機(jī)會(huì)的增加。因此，此技藝者仍不斷在找尋新的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法，藉以使得在存儲(chǔ)電容所占的平面縮小的情況下，仍能維持所需的電容值。
本發(fā)明的目的在于提供一種電容器及其下電極的制造方法，以使在存儲(chǔ)電容所占平面縮小的情況下，仍能維持所需電容值，并能增加制作工藝的裕度(Tolerance)，以提高產(chǎn)品成品率，減少制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提功一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，此方法簡(jiǎn)述如下制作電容器是在已形成有場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基底上先依次形成介電層、第一導(dǎo)電層與絕緣層，然后，再于源極/漏極區(qū)上方的絕緣層中形成一開口圖案。接著，在基底上形成第二層導(dǎo)電層，使其覆蓋絕緣層，并且覆蓋開口中所裸露的第一導(dǎo)電層。其后，以絕緣層與介電層為蝕刻終止層，回蝕第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層，以使所留下的第二導(dǎo)電層與部分第一導(dǎo)電層在絕緣層側(cè)壁形成間隙壁。然后，以間隙壁與第一導(dǎo)電層為蝕刻掩模，去除絕緣層與部分介電層，以形成自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口，裸露出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極/漏極區(qū)。接著在基底上形成第三導(dǎo)電層，覆蓋該第一導(dǎo)電層與該間隙壁，并且填入于該接觸窗開口，與源極/漏極區(qū)電性耦接。然后，再以典型的方法限定第三與第一導(dǎo)電層，以使限定后的第三與第一導(dǎo)電層與間隙壁形成電容器的下電極。其后，再依序形成介電膜層與第四導(dǎo)電層，完成電容器的制作。
依照本發(fā)明的實(shí)施例，其中，絕緣層厚度是決定電容器存儲(chǔ)電容量大小的重要關(guān)鍵，其厚度約為3000?！?000埃左右，材料為TEOS氧化硅。導(dǎo)電層材料為具有摻雜的多晶硅。而絕緣層與部分導(dǎo)電層的去除以及間隙壁的形成，均采用各向異性蝕刻的方式進(jìn)行。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，即提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，該方法包括下列步驟提供一基底，其上形成一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一源極區(qū)與一漏極區(qū)；在該基底上形成一介電層；在該介電層上形成一第一導(dǎo)電層；在該第一導(dǎo)電層上形成一絕緣層；限定該絕緣層，在該漏極區(qū)的上方形成一開口，裸露出該第一導(dǎo)電層；在該絕緣層與裸露于該開口中的該第一導(dǎo)電層上形成一第二導(dǎo)電層；回蝕該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層，在該絕緣層側(cè)壁形成一間隙壁，裸露出該介電層；以該第一導(dǎo)電層與該間隙壁為蝕刻掩模，去除該絕緣層與部分介電層，以形成一自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口，裸露出該漏極區(qū)；在該基底上形成一第三導(dǎo)電層，覆蓋該第一導(dǎo)電層與該間隙壁，并填入于該接觸窗開口，與該漏極電耦接；限定該第三與該第一導(dǎo)電層，以使該第三與該第一導(dǎo)電層以及該間隙壁組成一下電極；在該下電極表面形成一介電膜層；以及在該介電膜層上形成一第四導(dǎo)電層。
本發(fā)明還提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，該電容器位于一位線上方，該方法包括下述步驟在該位線上方形成一第一導(dǎo)電層；在該第一導(dǎo)電層上形成一絕緣層；限定該絕緣層，形成一開口，裸露出該第一導(dǎo)電層；在該基底上形成一第二導(dǎo)電層；回蝕該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層，在該絕緣層側(cè)壁形成一間隙壁；以該第一導(dǎo)電層與該間隙壁為蝕刻掩模，去除該絕緣層，以形成一接觸窗開口；在該基底上形成一第三導(dǎo)電層，覆蓋該第一導(dǎo)電層與該間隙壁，并填入于該接觸窗開口；以及限定該第三與該第一導(dǎo)電層，以使該第三與第一導(dǎo)電層以及間隙壁形成該下電極。
本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)在于，其在縮小存儲(chǔ)電容所占面積的情況下，仍能維持所需電容值，提高產(chǎn)品成品率，并降低成本。
以下結(jié)合附圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中
圖2為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件存儲(chǔ)單元電路示意圖；圖2A至圖2I為本發(fā)明動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器制造流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2E，其為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器柱狀電容器的制造流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，首先，在一基底200表面，例如是P型硅基底，形成場(chǎng)區(qū)202以限定元件的主動(dòng)區(qū)201，再在基底200的主動(dòng)區(qū)201上形成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極204與一源極/漏極區(qū)205、206。其中，柵極204形成一頂蓋層203，并且在柵極204側(cè)壁形成有間隙壁207。頂蓋層203與間隙壁207的材料包括氮化硅。然后，再在基底200上形成一層具有開口209圖案的絕緣層208，并且在開口209中形成與源極/漏極區(qū)205電耦接的位線210。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在基底200上形成介電層212。典型的介電層212材料是先以四乙氧基硅烷(TEOS)為氣體源，利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)的技術(shù)，使TEOS氧化層214形成于基底200上。然后，再于TEOS氧化層214上形成一層厚度約為2000～3000埃的硼磷硅酸鹽玻璃層(BPSG)216，并于800～900℃之間進(jìn)行熱流動(dòng)以使其較為平坦。其后，再以等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法(PECVD)于硼磷硅酸鹽玻璃層216上形成一層厚度約為6000～10000埃的氧化層218。最后，再進(jìn)行平坦化制造工藝，以使介電層212表面更為平坦。例如以化學(xué)機(jī)械研磨法研磨介電層212表面以執(zhí)行平坦化制作工藝。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，依序于介電層212上形成一層導(dǎo)電層220與一層絕緣層222。導(dǎo)電層厚度例如為1000～2000埃，其材料包括摻雜的多晶硅，形成的方法例如采用低壓化學(xué)氣相沉積法，在形成多晶硅的同時(shí)進(jìn)行雜質(zhì)的摻雜。絕緣層222的厚度是決定本發(fā)明電容器所能存儲(chǔ)的電容量大小的重要因素之一，其厚度例如約為3000～5000埃，材料包括氧化硅，形成的方法例如以TEOS為氣體源，經(jīng)低壓化學(xué)氣相沉積法，形成TEOS氧化硅。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，限定絕緣層222的圖形，以在源極/漏極區(qū)206上方的絕緣層222a中形成開口224，并裸露出導(dǎo)電層220。例如，以導(dǎo)電層220為蝕刻終止層，利用典型的微影與蝕刻方法，以在絕緣層222a中形成開口224的圖案。優(yōu)選的開口224形成于源極/漏極區(qū)206上方的絕緣層222a中，且其開口的大小大于場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極204與場(chǎng)區(qū)202上柵極之間的距離。接著，在基底200上形成一層導(dǎo)電層226，使其覆蓋絕緣層222a與開口224中所裸露出的導(dǎo)電層220，導(dǎo)電層226厚度例如為1500～2000埃，其材料包括摻雜的多晶硅，形成的方法例如采用低壓化學(xué)氣相沉積法，在形成多晶硅的同時(shí)進(jìn)行雜質(zhì)的摻雜。
其后，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，以絕緣層222a與介電層212為蝕刻終止層，回蝕導(dǎo)電層226與220埃，以在絕緣層222a側(cè)壁形成間隙壁228?；匚g導(dǎo)電層的方法包括各向異性干式蝕刻法(Anisotropic Dry Etching)。當(dāng)導(dǎo)電層226與220材料均為摻雜的多晶硅時(shí)，回蝕的方法例如以溴化氫/氯氣(HBr/Cl2)為蝕刻氣體源，采用等離子蝕刻的方式，使得在開口224之外的導(dǎo)電層226進(jìn)行蝕刻制作工藝，可以以絕緣層222a為蝕刻終止層，而蝕刻在開口224之中的導(dǎo)電層220則可以介電層212為蝕刻終止層，使回蝕后所留下的導(dǎo)電層在絕緣層222a的側(cè)壁形成間隙壁228。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，以導(dǎo)電層220埃為蝕刻終止層，進(jìn)行各向異性蝕刻，以去除絕緣層222a，同時(shí)以間隙壁228為蝕刻掩模，蝕刻介電層212，以形成接觸窗開口230，裸露出源極/漏極區(qū)206。例如，以四氟化碳/三氟甲烷(CF4/CHF3)所形成的等離子，蝕刻氧化硅材料的絕緣層222a，同時(shí)以間隙壁228為蝕刻掩模，蝕刻由氧化硅218、硼磷硅酸鹽玻璃216與TEOS氧化硅214構(gòu)成介電層212。在此過程中，若接觸窗開口230的大小大于間隙壁207之間的距離，可因頂蓋層203與間隙壁207材料與介電層212材料的不同，輔助自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗(Self Align Contact，SAC)開口230的形成。
再有，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，于基底200上形成一層導(dǎo)電層232，使其覆蓋導(dǎo)電層220埃與間隙壁228，并且填入接觸窗開口230，與源極/漏極區(qū)206電性耦接。優(yōu)選的可再以氫氟酸(HF)溶液處理，以去除形成于多晶硅表面上的原生氧化層(Native Oxide)。其中，導(dǎo)電層厚度例如為2500～4000埃左右，其材料包括摻雜的多晶硅。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，限定導(dǎo)電層232與220埃，以使限定后的導(dǎo)電層232a與220b以及間隙壁228共同形成電容器的下電極234。
其后，請(qǐng)參照?qǐng)D2I，在基底200上依序形成介電膜層236與導(dǎo)電層238。介電膜層厚度約為10埃～60埃左右，其材料包括典型的氧化硅層、氮化硅層/氧化硅層(NO)結(jié)構(gòu)、氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層(ONO)結(jié)構(gòu)或具有高介電常數(shù)的材料，例如為五氧化二鉭(Ta2O5)、Pb(Zr，Ti)O3，即PZT，以及(Ba，Sr)TiO3，即BST。導(dǎo)電層236的材料包括多晶硅，形成的方法例如采用化學(xué)氣相沉積法。其后，再以現(xiàn)有的微影與蝕刻技術(shù)限定導(dǎo)電層238與介電膜層236，以完成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)電容器，此電容器剖面呈花朵狀。
本發(fā)明以COB(Capacitor Over Bit-Line)結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器做為實(shí)施例以說明，但其并不能限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)者應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明也可應(yīng)用于CUB(Capacitor Under Bit-Line)型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。
本發(fā)明的特點(diǎn)為其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器藉下電極表面積的增加，使電容器剖面呈花朵狀，增加電荷的存儲(chǔ)量。
以上結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明加以描述，但其是非限定性的，不脫離本發(fā)明精神和范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，而本發(fā)明的保護(hù)范圍由后附的權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟提供一基底，其上形成一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一源極區(qū)與一漏極區(qū)；在所述基底上形成一介電層；在所述介電層上形成一第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上形成一絕緣層；限定所述絕緣層，在所述漏極區(qū)的上方形成一開口，裸露出所述第一導(dǎo)電層；在所述絕緣層與裸露于所述開口中的所述第一導(dǎo)電層上形成一第二導(dǎo)電層；回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層，在所述絕緣層側(cè)壁形成一間隙壁，裸露出所述介電層；以所述第一導(dǎo)電層與所述間隙壁為蝕刻掩模，去除所述絕緣層與部分所述介電層，以形成一自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口，裸露出所述漏極區(qū)；在所述基底上形成一第三導(dǎo)電層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層與所述間隙壁，并填入于所述接觸窗開口，與所述漏極電耦接；限定所述第三與所述第一導(dǎo)電層，以使所述第三與所述第一導(dǎo)電層以及所述間隙壁組成一下電極；在所述下電極表面形成一介電膜層；以及在所述介電膜層上形成一第四導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括氧化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層以四乙氧基硅烷為氣體源，經(jīng)低壓化學(xué)氣相沉積方式形成氧化硅。
4.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層厚度約為3000?！?000埃左右。
5.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，去除所述絕緣層與部分所述介電層，以形成所述自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口的方法是使用四氟化碳/三氟甲烷(CF4/CHF3)所形成的等離子。
6.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述第一、所述第二、所述第三與所述第四導(dǎo)電層材料包括具有摻雜的多晶硅。
7.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法，并且其摻雜是在多晶硅形成的同時(shí)進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層的方法，包括使用溴化氫/氯氣(HBr/Cl2)所形成的等離子。
9.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層厚度約為1500?！?000埃。
10.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層的方法包括各向異性蝕刻法。
11.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，去除所述絕緣層與部分所述介電層以形成所述自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口的方法包括使用各向異性蝕刻法。
12.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述介電膜層材料包括二氧化硅/氮化硅/二氧化硅結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述介電膜層材料包括五氧化二鉭。
14.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的制造方法，其特征在于，所述介電膜層材料包括PZT。
15.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，所述電容器位于一位線上方，其特征在于，所述方法包括下列步驟于所述位線上方形成一第一導(dǎo)電層；于所述第一導(dǎo)電層上形成一絕緣層；限定所述絕緣層，形成一開口，裸露出所述第一導(dǎo)電層；在所述基底上形成一第二導(dǎo)電層；回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層，在所述絕緣層側(cè)壁形成一間隙壁；以所述第一導(dǎo)電層與所述間隙壁為蝕刻掩模，去除所述絕緣層，以形成一接觸窗開口；在所述基底上形成一第三導(dǎo)電層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層與所述間隙壁，并填入于所述接觸窗開口；以及限定所述第三與所述第一導(dǎo)電層，以使所述第三與所述第一導(dǎo)電層以及所述間隙壁形成所述下電極。
16.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的電極的制造方法，其特征在于，所述絕緣層材料包括氧化硅。
17.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的電極的制造方法，其特征在于，所述絕緣層是以四乙氧基硅烷為氣體源，經(jīng)低壓化學(xué)氣相沉積的方式所形成的氧化硅。
18.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述絕緣層厚度約為3000?！?000埃。
19.如權(quán)利要求16所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，去除所述絕緣層，以形成所述接觸窗開口的方法是使用四氟化碳/三氟甲烷(CF4/CHF3)所形成的等離子。
20.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述第一、第二與第三導(dǎo)電層材料包括具有摻雜的多晶硅。
21.如權(quán)利要求20所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法，并且其摻雜是在多晶硅形成的同時(shí)進(jìn)行。
22.如權(quán)利要求20所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層的方法包括使用溴化氫/氯氣(HBr/Cl2)所形成的等離子。
23.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層厚度約為1500?！?000埃。
24.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，回蝕所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層方法包括各向異性蝕刻法。
25.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，去除所述絕緣層與部分所述介電層，以形成所述自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)接觸窗開口的方法包括使用各向異性蝕刻法。
26.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述方法還包括所述下電極表面形成一介電膜層，以及在所述介電膜層上形成一第四導(dǎo)電層，構(gòu)成所述電容器。
27.如權(quán)利要求26所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器的下電極的制造方法，其特征在于，所述第四導(dǎo)電層材料包括具有摻雜的多晶硅。
全文摘要
一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器及其下電極的制造方法,在基底上先依序形成介電層、第一導(dǎo)電層與絕緣層,然后,于源極/漏極區(qū)絕緣層形成一開口圖案。又在基底形成第二層導(dǎo)電層,并回蝕第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層形成間隙壁。后以間隙壁與第一導(dǎo)電層為蝕刻掩模,去除絕緣層與部分介電層形成開口;裸露源極/漏極區(qū)。后在基底上形成第三導(dǎo)電層,并限定第三與第一導(dǎo)電層,其后限定第三及第一導(dǎo)電層以及間隙壁形成電容器的下電極。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1229276SQ98115218
公開日1999年9月22日 申請(qǐng)日期1998年6月24日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月12日
發(fā)明者余自強(qiáng) 申請(qǐng)人:世大積體電路股份有限公司