本技術(shù)涉及大功率低損耗帶線隔離器，尤其涉及一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器。

背景技術(shù)：

1、隨著無線電技術(shù)的發(fā)展，人類在各行業(yè)更加深入的使用無線電資源。高頻段具有低頻段難以相比的優(yōu)點，高頻段的開發(fā)因而成為一個研究熱點。微波大功率隔離器的性能直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的性能，因此，x波段大功率隔離器的研究有著非常重大的意義。

2、本實用主要介紹了x波段大功率帶線隔離器的改良設(shè)計以及實現(xiàn)，在x波段具有較大的低頻增益，因而容易產(chǎn)生低頻自激，產(chǎn)生的調(diào)制信號會導(dǎo)致電路無法正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型所要解決的技術(shù)問題是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中x波段具有較大的低頻增益，因而容易產(chǎn)生低頻自激，產(chǎn)生的調(diào)制信號會導(dǎo)致電路無法正常工作的問題，而提出的一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器。

2、本實用新型為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案

3、一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，包含上導(dǎo)磁蓋板、密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)、下導(dǎo)磁蓋板；所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)內(nèi)包含自上而下依次層疊設(shè)置的第二勻磁片、第二絕緣介質(zhì)塊、第二旋磁體、中心電路、第一旋磁體、第一絕緣介質(zhì)塊、第一勻磁片、密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)永磁體、補償片；所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的頂部和底部分別通過上導(dǎo)磁蓋板、下導(dǎo)磁蓋板進行螺釘安裝封閉，用于防止磁泄漏下導(dǎo)磁蓋板。

4、作為本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器的進一步優(yōu)選方案，所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)分為上下兩部分，所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的上部分中心形成圓柱形收容腔，以圓柱中心為點沿x軸正反方向延伸，設(shè)置信號輸入和信號輸出端口，垂直于x軸方向，沿y軸負方向延伸至信號吸收腔；所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的下部分設(shè)置恒定磁場收容腔，承擔并提供恒定的磁場。

5、作為本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器的進一步優(yōu)選方案，所述中心電路以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電感并延伸，分別設(shè)輸入端口、輸出端口、負載端口；

6、輸入端口與輸出端口呈現(xiàn)180度直引線輸入輸出，用于連接信號的傳入；

7、輸出端口連接信號的傳出，用于負載端口承擔吸收諧振、雜散和電泳；

8、終止端與大功率吸收材料相連接，用于放置在吸波平臺，在吸收帶內(nèi)的雜散波束，同時以下導(dǎo)磁收容密封腔為本體進行散熱。

9、作為本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器的進一步優(yōu)選方案，所述中心電路以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電容并延伸，與輸入端口、輸出端口、負載端口電感交替設(shè)置，所述中心電路的電容部分延伸1.2mm。

10、作為本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器的進一步優(yōu)選方案，所述第一絕緣介質(zhì)塊、所述第一絕緣介質(zhì)塊都以等邊三角形設(shè)置，等邊三角形中心為圓進行延伸，形成旋磁體收容腔，固定旋磁材料，等邊三角形的三個等邊中心位置分別設(shè)置第一吸波材料、第二吸波材料、第三吸波材料；同時粘結(jié)在第一勻磁片上。

11、作為本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器的進一步優(yōu)選方案，所述第一旋磁體、第二旋磁體都采用高磁矩的旋磁體，表面設(shè)置涂鍍層，并且使用特制設(shè)備進行水磨、拋光、鏡面處理。

12、本實用新型采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果：

13、1、本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，通過改良所述的密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)上部分中心形成圓柱形收容腔，以圓柱中心為點沿x軸正反方向延伸，設(shè)置信號輸入和信號輸出端口，垂直于x軸方向，沿y軸負方向延伸至信號吸收腔；在密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)下部分設(shè)置恒定磁場收容腔，承擔并提供恒定的磁場。頂部和底部分別使用上導(dǎo)磁蓋板、下導(dǎo)磁蓋板進行螺釘安裝封閉，防止磁泄漏；

14、2、本實用新型可以減少x波段組件模塊的重量和體積，有效提高峰值功率容量，避免過多雜散影響信號的傳遞和掃描，提高組件的集成化；

15、3、本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，所述的中心電路以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電感并延伸，分別設(shè)輸入端口、輸出端口、負載端口；輸入端口與輸出端口呈現(xiàn)180度直引線輸入輸出，輸入端口負責連接信號的傳入，輸出端口連接信號的傳出，負載端口承擔吸收諧振、雜散和電泳。終止端與大功率吸收材料相連接，放置在吸波平臺，在吸收帶內(nèi)的雜散波束，同時以下導(dǎo)磁收容密封腔為本體進行散熱；

16、4、本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，所使用的中心電路以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電容并延伸，與輸入端口、輸出端口、負載端口電感交替設(shè)置，其中中心電路的電容部分延伸1.2mm，達到去耦、調(diào)整諧振頻率點和降低損耗的作用；

17、5、本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，所使用的絕緣介質(zhì)塊以等邊三角形設(shè)置，等邊三角形中心為圓進行延伸，形成旋磁體收容腔，固定旋磁材料，等邊三角形的三個等邊中心位置分別設(shè)置0.125mm3吸波材料，同時粘結(jié)在第一勻磁片上，有利于降低損耗，減少器件發(fā)熱；同時增強器件的可靠性；

18、6、本實用新型一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，所使用的第一旋磁體、第二旋磁體使用高磁矩的旋磁體材料，其中一表面設(shè)置涂鍍層，并且使用特制設(shè)備進行水磨、拋光、鏡面處理，有利于降低損耗，選用的旋磁鐵氧體有利于增加峰值功率，小占空比的效果，可提高產(chǎn)品的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，其特征在于：包含上導(dǎo)磁蓋板（13）、密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)（4）、下導(dǎo)磁蓋板（1）；所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)（4）內(nèi)包含自上而下依次層疊設(shè)置的第二勻磁片（12）、第二絕緣介質(zhì)塊（11）、第二旋磁體（10）、中心電路（9）、第一旋磁體（8）、第一絕緣介質(zhì)塊（6）、第一勻磁片（5）、密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)（4）、永磁體（3）、補償片（2）；所述密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)（4）的頂部和底部分別通過上導(dǎo)磁蓋板（13）、下導(dǎo)磁蓋板（1）進行螺釘安裝封閉，用于防止磁泄漏下導(dǎo)磁蓋板（1）；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，其特征在于：所述中心電路（9）以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電感并延伸，分別設(shè)輸入端口、輸出端口、負載端口；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，其特征在于：所述中心電路（9）以永磁體恒定磁場分布中心為點，設(shè)置夾角為60度的電容并延伸，與輸入端口、輸出端口、負載端口電感交替設(shè)置，所述中心電路的電容部分延伸1.2mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，其特征在于：所述第一絕緣介質(zhì)塊（6）、所述第二絕緣介質(zhì)塊（11）都以等邊三角形設(shè)置，等邊三角形中心為圓進行延伸，形成旋磁體收容腔，固定旋磁材料，等邊三角形的三個等邊中心位置分別設(shè)置第一吸波材料（7-1）、第二吸波材料（7-2）、第三吸波材料（7-3）；同時粘結(jié)在第一勻磁片上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波6kw高峰值功率低損耗帶線隔離器，其特征在于：所述第一旋磁體（8）、第二旋磁體（10）都采用高磁矩的旋磁體，表面設(shè)置涂鍍層。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種微波6KW高峰值功率低損耗帶線隔離器，涉及低損耗帶線隔離器技術(shù)領(lǐng)域，包含有上導(dǎo)磁蓋板、第二勻磁片、絕緣介質(zhì)塊、第二旋磁體、中心電路、第一旋磁體、密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)、永磁體、補償片等組成，所述的密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)上部分中心形成圓柱形收容腔，以圓柱中心為點沿X軸正反方向延伸，設(shè)置信號輸入和信號輸出端口，垂直于X軸方向，沿Y軸負方向延伸至信號吸收腔；在密封導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)下部分設(shè)置恒定磁場收容腔，承擔并提供恒定的磁場。頂部和底部分別使用上導(dǎo)磁蓋板、下導(dǎo)磁蓋板進行螺釘安裝封閉，防止磁泄漏。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭建春,周玲玲,李兵,謝菊
受保護的技術(shù)使用者：南京拓邦微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/12/26