本申請涉及半導體晶圓加工，具體地，涉及一種晶圓后處理方法、晶圓后處理系統(tǒng)、電子設備及存儲介質。

背景技術：

1、在半導體領域，晶圓表面的清潔度是影響半導體器件可靠性的重要因素之一。在晶圓制程中，例如：沉積、等離子體刻蝕、光刻、電鍍等等，都有可能在晶圓表面引入污染或顆粒，導致晶圓表面的清潔度下降、制造的半導體器件良品率不高。為了達到晶圓表面無污染物的目的，需要移除晶圓表面的污染物以避免制程前污染物重新殘留于晶圓表面。因此，在晶圓制造過程中需要經過多次的表面清洗，以去除晶圓表面附著的金屬離子、原子、有機物及微粒等污染物。

2、通常采用滾刷清洗的晶圓清洗方式，利用滾刷與晶圓間的摩擦來清洗晶圓。為了更好地清洗晶圓，在刷洗模塊引入噴桿來噴射去離子水進行雙重清洗。噴桿的噴射角度直接影響到了刷洗模塊的工藝效果。然而，現(xiàn)行噴桿角度的調節(jié)方法普遍為通過肉眼觀看去離子水的噴射角度，由于去離子水為無色透明液體，用肉眼觀察很難明確其噴射落點，而且，每個人對落點的評判標準不一致，導致噴射角度易于存在偏差。此外，由于晶圓在箱體內部，存在前后晃動量，每次通過晶圓調節(jié)得到的落點均有偏差，導致工藝效果參差不齊。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N晶圓后處理方法、晶圓后處理系統(tǒng)、電子設備及存儲介質，以解決或緩解以上提及的至少一些問題。

2、根據本申請的一方面，提供一種晶圓后處理方法，所述方法包括：

3、調節(jié)噴桿，包括：在晶圓清洗裝置中設置噴桿調節(jié)裝置；經由所述噴桿調節(jié)裝置調節(jié)所述晶圓清洗裝置的噴桿，所述噴桿調節(jié)裝置包括落點標定件和指向調節(jié)件；及拆除所述噴桿調節(jié)裝置；以及

4、清洗晶圓，包括：將所述晶圓定位在所述晶圓清洗裝置中并進行晶圓清洗；

5、“經由所述噴桿調節(jié)裝置調節(jié)所述晶圓清洗裝置的噴桿”包括：

6、將所述落點標定件上的落點標識與晶圓上的預設噴液落點位置匹配；以及

7、致動所述指向調節(jié)件，以帶動所述噴桿繞其軸線轉動至所述指向調節(jié)件的定位部與所述落點標識對準，所述定位部的延伸方向與所述噴桿噴出清洗液的噴射方向匹配。

8、可選地或可替代地，“在晶圓清洗裝置中設置噴桿調節(jié)裝置”包括：

9、將所述落點標定件的板形的本體沿豎直面布置；所述豎直面與晶圓在所述晶圓清洗裝置中的位置對應；

10、將所述指向調節(jié)件的連接部可拆卸地連接到所述噴桿。

11、可選地或可替代地，“致動所述指向調節(jié)件，以帶動所述噴桿繞其軸線轉動至所述指向調節(jié)件的定位部與所述落點標識對準”包括：

12、將所述定位部沿其延伸方向收縮，然后在所述指向調節(jié)件帶動所述噴桿繞其軸線轉動時朝向所述落點標定件延伸以與所述落點標識對準。

13、可選地或可替代地，所述落點標識包括沿垂直于所述豎直面的厚度方向自所述本體凸出的標定凸臺；所述定位部包括伸縮套筒和定位頂桿，所述定位頂桿的一端滑動套接到所述伸縮套筒中，另一端構造有與所述落點標識相匹配的對準部，所述對準部包括與所述標定凸臺的上表面形狀匹配的對準臺；

14、“在所述指向調節(jié)件帶動所述噴桿繞其軸線轉動時朝向所述落點標定件延伸以與所述落點標識對準”包括：

15、將所述對準臺抵靠所述標定凸臺的上表面進行對準。

16、可選地或可替代地，所述本體構造有自所述本體的表面向內凹進的標定斜槽，所述標定斜槽沿水平方向延伸，并且包括：底面，所述底面與所述標定凸臺的上表面齊平；自所述底面的靠內的邊緣向上延伸的豎立面；以及自所述豎直面背離所述底面的邊緣傾斜延伸至所述本體的表面的傾斜面；

17、所述落點標識包括在所述豎立面上水平延伸的標識線；

18、“在所述指向調節(jié)件帶動所述噴桿繞其軸線轉動時朝向所述落點標定件延伸以與所述落點標識對準”包括：

19、將所述對準部的對準尖端與所述標識線對準。

20、可選地或可替代地，所述方法包括在執(zhí)行清洗晶圓之前和/或在執(zhí)行清洗晶圓達預設晶圓數量后，執(zhí)行調節(jié)噴桿的步驟。

21、根據本申請的另一方面，提供一種晶圓后處理系統(tǒng)，所述晶圓后處理系統(tǒng)配置成執(zhí)行根據前述方面所述的方法，其包括：

22、晶圓清洗裝置，其配置成清洗晶圓，并包括用于向晶圓噴射清洗液的噴桿；

23、噴桿調節(jié)裝置，其用于調節(jié)噴桿；以及

24、致動裝置，其配置成致動所述噴桿調節(jié)裝置以進行所述調節(jié)噴桿的操作。

25、可選地或可替代地，所述致動裝置包括致動器以及與所述致動器通信連接的控制器；所述控制器配置成向所述致動器發(fā)出控制信號以指示所述致動器執(zhí)行所述調節(jié)噴桿的操作。

26、可選地或可替代地，所述致動器包括機械手和/或集成到所述噴桿調節(jié)裝置的驅動器。

27、根據本申請的另一方面，提供一種電子設備，包括：處理器、存儲器、通信接口和通信總線，處理器、存儲器和通信接口通過通信總線進行相互間的通信；

28、所述存儲器用于存放至少一可執(zhí)行指令，所述可執(zhí)行指令使處理器發(fā)出執(zhí)行如前述方面所述的方法對應的操作的可執(zhí)行信號。

29、根據本申請的另一方面，提供一種存儲介質，所述存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行以實現(xiàn)如前述方面所述的方法。

30、根據本申請的晶圓后處理方法、晶圓后處理系統(tǒng)、電子設備及存儲介質，通過將落點標定件上的落點標識與晶圓上的期望的預設噴液落點匹配，以及通過將指向調節(jié)件的延伸方向與噴桿噴出清洗液的噴射方向相匹配，為提供了利用具體的實物標準實現(xiàn)了噴桿角度調節(jié)的具象化操作，減少了調節(jié)誤差，提高了調節(jié)的準確性，進而提高了晶圓后處理的有效性。

技術特征：

1.一種晶圓后處理方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據權利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，“在晶圓清洗裝置中設置噴桿調節(jié)裝置”包括：

3.根據權利要求2所述的晶圓后處理方法，其特征在于，“致動所述指向調節(jié)件，以帶動所述噴桿繞其軸線轉動至所述指向調節(jié)件的定位部與所述落點標識對準”包括：

4.根據權利要求3所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述落點標識包括沿垂直于所述豎直面的厚度方向自所述本體凸出的標定凸臺；所述定位部包括伸縮套筒和定位頂桿，所述定位頂桿的一端滑動套接到所述伸縮套筒中，另一端構造有與所述落點標識相匹配的對準部，所述對準部包括與所述標定凸臺的上表面形狀匹配的對準臺；

5.根據權利要求4所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述本體構造有自所述本體的表面向內凹進的標定斜槽，所述標定斜槽沿水平方向延伸，并且包括：底面，所述底面與所述標定凸臺的上表面齊平；自所述底面的靠內的邊緣向上延伸的豎立面；以及自所述豎直面背離所述底面的邊緣傾斜延伸至所述本體的表面的傾斜面；

6.根據權利要求1-5中任一項所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述方法包括在執(zhí)行清洗晶圓之前和/或在執(zhí)行清洗晶圓達預設晶圓數量后，執(zhí)行調節(jié)噴桿的步驟。

7.一種晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述晶圓后處理系統(tǒng)配置成執(zhí)行根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其包括：

8.根據權利要求7所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述致動裝置包括致動器以及與所述致動器通信連接的控制器；所述控制器配置成向所述致動器發(fā)出控制信號以指示所述致動器執(zhí)行所述調節(jié)噴桿的操作。

9.根據權利要求8所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述致動器包括機械手和/或集成到所述噴桿調節(jié)裝置的驅動器。

10.一種電子設備，其特征在于，包括：處理器、存儲器、通信接口和通信總線，處理器、存儲器和通信接口通過通信總線進行相互間的通信；

11.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行以實現(xiàn)如權利要求1-6中任一項所述的方法。

技術總結
本申請一種晶圓后處理方法、晶圓后處理系統(tǒng)、電子設備及存儲介質，所述噴桿用于晶圓清洗裝置，所述方法包括：調節(jié)噴桿，包括：在晶圓清洗裝置中設置噴桿調節(jié)裝置；經由噴桿調節(jié)裝置調節(jié)晶圓清洗裝置的噴桿，噴桿調節(jié)裝置包括落點標定件和指向調節(jié)件；及拆除噴桿調節(jié)裝置；以及清洗晶圓，包括：將晶圓定位在晶圓清洗裝置中并進行晶圓清洗；“經由噴桿調節(jié)裝置調節(jié)晶圓清洗裝置的噴桿”包括：將落點標定件上的落點標識與晶圓上的預設噴液落點位置匹配；以及致動指向調節(jié)件，以帶動噴桿繞其軸線轉動至指向調節(jié)件的定位部與落點標識對準，定位部的延伸方向與噴出清洗液的噴射方向匹配。

技術研發(fā)人員：路新春,孫傳惲,劉佳軍,李長坤
受保護的技術使用者：華海清科股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23