背景技術(shù)：

1、電感器可在電流流過其時將能量存儲在磁場中，且可通過對所存儲能量進(jìn)行放電而提供電流。電感器可具有許多應(yīng)用，例如接近度感測、能量存儲、致動、電力傳輸和濾波。電感器可耦合到或可為集成電路的一部分，所述集成電路可包含與電感器一起操作以支持那些應(yīng)用的電路系統(tǒng)。在一些實例中，電感器和電路系統(tǒng)可被圍封在集成電路封裝中，這可減小集成電路的占據(jù)面積且縮短電感器與電路系統(tǒng)之間的互連件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一種集成電路包括：襯底、半導(dǎo)體裸片、金屬互連件、絕緣層、電感器和磁性材料。金屬互連件耦合于半導(dǎo)體裸片與襯底之間。絕緣層耦合于半導(dǎo)體裸片與襯底之間且包圍金屬互連件。電感器耦合到襯底。磁性材料包封半導(dǎo)體裸片、電感器、金屬互連件和絕緣層，且具有與絕緣層不同的材料。

2、一種方法包括：在晶片上形成絕緣層，圖案化絕緣層，以及在經(jīng)圖案化絕緣層中形成第一金屬互連件。所述方法進(jìn)一步包括分切晶片以形成半導(dǎo)體裸片，經(jīng)分切晶片也包含第一金屬互連件和經(jīng)圖案化絕緣層。所述方法進(jìn)一步包括：將半導(dǎo)體裸片安裝到襯底，將電感器安裝到襯底，以及在半導(dǎo)體裸片和電感器上沉積磁性材料以形成包封封裝。所述方法進(jìn)一步包括在包封封裝的外部形成第二金屬互連件，其中第二金屬互連件耦合到第一金屬互連件和電感器。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述電感器包含線圈部分和支柱部分，所述支柱部分耦合到所述襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述線圈部分在所述半導(dǎo)體裸片上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其進(jìn)一步包括包封于所述磁性材料中且耦合到所述襯底的電容器；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述磁性材料包含金屬顆粒和所述金屬顆粒懸浮于其中的環(huán)氧樹脂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述絕緣層具有比所述磁性材料更高的擊穿電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其中所述絕緣層包含電介質(zhì)材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其中所述電介質(zhì)材料包含以下各項中的至少一個：聚酰亞胺材料、聚苯并噁唑材料，或氧化物材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述半導(dǎo)體裸片包含耦合到所述金屬互連件的鈍化層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述金屬互連件包含以下各項中的至少一個：支柱，或凸塊下金屬化(ubm)互連件。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述絕緣層是第一絕緣層，所述金屬互連件是第一金屬互連件，且所述襯底包含：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其進(jìn)一步包括在所述第二側(cè)上的阻焊層。

14.一種方法，其包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述絕緣層包含電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料包含以下各項中的至少一者：聚酰亞胺材料、聚苯并噁唑材料，或氧化物材料；且

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述金屬層是第一金屬層，且所述第二金屬互連件通過以下操作形成：

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述絕緣層是第一絕緣層，且所述方法進(jìn)一步包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中：

技術(shù)總結(jié)
在一個實例中，集成電路(200)包括：襯底(206)；半導(dǎo)體裸片(104)；金屬互連件(130，132，134)，其耦合于所述半導(dǎo)體裸片與所述襯底之間；絕緣層(240_1，240_2，240_3，240_4)，其耦合于所述半導(dǎo)體裸片與所述襯底之間，所述絕緣層包圍所述金屬互連件；電感器(202)，其耦合到所述襯底；以及磁性材料(208)，其包封所述半導(dǎo)體裸片、所述電感器、所述金屬互連件和所述絕緣層，所述磁性材料具有與所述絕緣層不同的材料。

技術(shù)研發(fā)人員：A·溫克勒,C·馬納克,杰弗里·莫羅尼,井上英俊,佐藤由紀(jì),大竹健二
受保護(hù)的技術(shù)使用者：德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23